Patents

Search tools Text Classification Chemistry Measure Numbers Full documents Title Abstract Claims All Any Exact Not Add AND condition These CPCs and their children These exact CPCs Add AND condition
Exact Exact Batch Similar Substructure Substructure (SMARTS) Full documents Claims only Add AND condition Add AND condition
Application Numbers Publication Numbers Either Add AND condition

Skelni krystalická bezalkalická hmota s vysokým obsahem arsenu

Abstract

Řešení ee týká skelně krystalická bezalkalická hmoty s vysokým obsahem arsenu, vhodné při výrobě polovodičů pro mikroelektroniku, a to jako dopantový zdroj arsenu. Skelně krystalická hmota má schopnost uvolňovat arsen při teplotách 600 až 1 200 °C. Skelně krystalická bezalkalická hmota obsahuje v hmotnostní koncentraci 10 až 35 X oxidu arseničného As2°5’ 15 až 50 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hořečnatý MgO, vápenatý CaO, strontnatý SrO a barnatý BaO, dále 10 až 35 X oxidu křemičitého SiOg a 5 až 25 X nejméně jednoho oxidu ze skupiny, zahrnující oxid hlinitý A120j, lentanitý LagO^a ceričitý CeOg. Je výhodné, když skelně krystalická hmota dále obsahuje v hmotnostní koncentraci 0,2 až 15 X oxidu titaničitého TiOg a/nebo zirkoničitého ZrOg.

Landscapes

Glass Compositions
Show more

CS252327B1

Czechoslovakia

Download PDF Find Prior Art Similar
Other languages
English
Inventor
Petr Exnar
Worldwide applications
1986 CS
Application CS862157A events
1986-03-27
Application filed by Petr Exnar
1986-03-27
Priority to CS862157A
1987-01-15
Publication of CS215786A1
1987-08-13
Publication of CS252327B1
Info
Cited by (1)
Similar documents
Priority and Related Applications
External links
Espacenet
Global Dossier
Discuss

Description

Vynález ee týká skelná krystalická bezelkelleká hmoty s vysokým obsahem ersenu As, určená zejména pro dopantový zdroj arsenu As.
Při výrobě polovodičů pro mikroelektroniku, např. na bázi monokrystalu kovového křemíku Si, se používá dopantů, která umožňují polovodlvost křemíkových součástek. Dopování se provádí různými metodami, např. iontovou implantací, která je vysoce spolehlivá, ale velmi nákladná.
Všeobecně levnější a dostupnější je metoda pomocí plenárních dopentových zdrojů.
Jsou známy různá typy těchto zdrojů, určených k uvolňování určitá látky, např. boru B, kde dopentový zdroj je na bázi eklokeremiky, nebo fosforu P, kde dopantový zdroj je založen ne bázi keramiky. U těchto dopentových zdrojů je nezbytnou podmínkou dodržení maximálního přfpústného obsahu látek, hlavně těkavých, jejichž přítomnost znehodnocuje funkční použití výrobku. Dostupná literatura uvádí tyto látky v setinách až tisícinách % hmotnostní koncentrace jako nejvyšěí přípustnou hodnotu. Jedná se hlavně o alkálie a olovo Pb, ale patři sem 1 jiné látky, která je možno využít k dopování pro jiný druh polovodičů, jako je antimon St, fosfor P, bor B apod., a dále jsou to 1 běžné nečistoty ve sklářských surovinách, jako je železo Pe, nikl Nl, kobalt Co, měň Cu apod.
V dostupná odborné s patentové literatuře není dosud obdobné skelně krystalická hmota s vysokým obsahem ersenu As známe.
Je sice známo sklo s vysokým obsahem arsenu As, s obsahem až 45 % oxidu arsenitého AegOp popsané v patentu USA č. 2 863 782, které věak současně obsahuje velká množství dalších těkavých prvků, jako jsou alkálie, oxid olovnatý PbO, antimonitý SbgOy Teplota měknutí je nízká, kolem 300 °C, a skla se využívá jako speciální pájky. I když sklo obsahuje vysoké množství arsenu As, pro dopantový zdroj je naprosto nevhodné.
Uvedené nevýhody se odstraní nebo podstatně omezí u skelně krystalické bezalkalické hmoty podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že skelně krystalické hmota obsahuje v hmotnostní koncentraci 10 až 35 % oxidu arsenitého ASgOj, 15 až 50 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hořečnatý MgO, vápenatý CeO, strontnatý SrO a bprnatý BaO, déle 10 až 35 * oxidu křemičitého SiO? a 5 až 25 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hlinitý AlgO^, lanthanitý LagO^ a ceričitý CeOg.
Je výhodné, když skelně krystalické hmota déle obsahuje ještě 0,2 až 15 % hmotnostní koncentrace oxidu titaničitého TlOg a/nebo zirkoničitého ZrOg.
Skelně krystalická bezalkalické hmota podle vynálezu má vysokou teplotu tání a rovněž vysokou teplotu měknutí, která dovoluje její použití až do teplot 1 100 až 1 200 °C, podle rozsahu složení. Teplota měknutí v podstatě představuje maximální teplotu použiti, pod kterou se destičky dopentového zdroje nedeformují. Teto skelně krystalická hmota má důležitou vlestnost, a.to schopnost uvolňovat arsen As při teplotách 600 až 1 100 °C, podle rozsahu složení ež do 1 200 °C. Chemické složení sklokeramlcké hmoty při dodržení technologického postupu zaručuje mechanickou pevnost při přípravě destiček dopentových zdrojů, které v případě přídavku oxidu titaničitého TlOg nebo zirkoničitého ZrOg k základnímu typu sklokeramlcké hmoty může být ještě zvýěene.
Následující tabulka uvádí příklady chemického složení pro sklokeramlckou hmotu podle vynálezu. Obsah věeeh složek, je uveden v % hmotnostní koncentrace.
Tabulka
Složky 1. příklad 2. příklad 3. příklad 4· příklad
oxid arseničný ASgOj 14,1 27,9 25,6 32,8
oxid hořečnatý MgO 4,9 9,8 9,0 11,5
oxid vápenatý CaO 11,7 10,2 6,2 2,7
oxid strontnatý SrO 12,7
oxid barnatý BaO 18,8 9,3 14,6
oxid hlinitý AlgO^ 6,2 12,4 22,8
oxid lantanitý La20^ 15,5
oxid ceričitý CeO,, 9,6
oxid křemičitý SiOg 31,6 25,5 13,4 17,1
oxid tit8ničitý Ti02 4,9 13,4
oxid zirkoničitý ZrOg 5,8
teplota měknutí (°C) 1 100 1 120 1 110 1 200
teplota tání (°C) 1 260 1 200 1 200 1 280
Při přípravě skelně krystalické hmoty je nutno používat surovin, které se obvykle používají pro mikroelektroniku nebo surovin, které mají podobnou čistotu. Z těchto surovin se nejprve utaví v platinovém kelímku sklo daného chemického složení. Taví se při teplotách 1 350 až 1 600 °C v silně oxidační atmosféře, protože podmínkou úspěšné přípravy je udržení arsenu As ve sklovině jako oxidu arseniěného AsjO^. Pokud by došlo k částečné redukci, vzniklý oxid arsenitý AsgO^ ze skloviny velmi rychle vytéká. Po utavení je sklovina vylita do bločku a odlité sklo je dále tepelně zpracováno při teplotách 800 až 1 250 °C po dobu potřebnou k dokonalé krystalizaci. Tepelným zpracováním dojde k přeměně skla na skelně krystalický materiál výhodných vlastností pro dopantový zdroj.
Z bločku získané skelně krystalické hmoty se nařežou destičky, např. o průměru 5 až 12 cm a tlouštky 2 mm. Tyto plenární dopantové destičky se střídavě vkládají mezi destičky monokrystalického křemíku Si a společnř se uloží do elektrické pece, kde probíhá tepelné zpracování v řízené atmosféře, při kterém dojde k uvolňování arsenu As z dopantové destičky a jeho přenosu na křemíkový monokrystal, který takto získává polovodivé vlastnosti.
Skelně krystalické hmoty podle vynálezu je možno využít i v jiných oblastech, např. při rekalibrování rentgenových analytických přístrojů.

Claims (2)
Hide Dependent

1. Skelně krystalické bezalkalická hmota s vysokým obsahem arsenu, vyznačené tím, že obsahuje v hmotnostní koncentraci 10 až 35 % oxidu arseniěného AsgOj, 15 až 50 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hořečnatý MgO, vápenatý CaO, strontnatý SrO a barnatý BaO, déle 10 až 35 % oxidu křemičitého SiOj a 5 až 25 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hlinitý AlgO.}, lantanitý LajO^ 8 C*ri8Átý CeO,,.
2. Skelně krystalická hmota podle bodu 1, vyznačená tím, že obsahuje v hmotnostní koncentraci 0,2 až 15 % oxidu titaničitého Ti02 a/nebo zirkoničitého ZrOg.

Cited By (1)

Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1048044C * 1993-07-21 2000-01-05 Memc电子材料有限公司 改进的生长硅晶的方法
Family To Family Citations
* Cited by examiner, † Cited by third party, ‡ Family to family citation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1156020B1 2010-07-28 Glass and glass tube for encapsulating semiconductors
US7968380B2 2011-06-28 Semiconductor encapsulation material and method for encapsulating semiconductor using the same
Wusirika et al. 1980 Oxynitride glasses and glass-ceramics
US5096857A 1992-03-17 Chemically stabilized cristobalite
JPS62191442A 1987-08-21 低融点封着用組成物
JPH07121814B2 1995-12-25 トープされた石英ガラス
JPS6265954A 1987-03-25 アルミナ封着用硼珪酸ガラス
US4883777A 1989-11-28 Sealing glass composition with filler containing Fe and W partially substituted for Ti in PbTiO3 filler
JPH07102982B2 1995-11-08 低温封着用フリット
JP4287119B2 2009-07-01 ガラスセラミックおよびその製造方法
US3975308A 1976-08-17 Preparation of pyrophosphates
JPWO2001090012A1 2004-01-08 ガラス組成物及び該組成物を含むガラス形成材料
JP2759763B2 1998-05-28 コージェライト系結晶化ガラスおよびその製造方法
SE429852B 1983-10-03 Komposition for framstellning av glas med hogt brytningsindex
CS252327B1 1987-08-13 Skelni krystalická bezalkalická hmota s vysokým obsahem arsenu
SU1565344A3 1990-05-15 Способ получени припоечного боросвинцового стекла
CS252328B1 1987-08-13 Skelni krystalická bezalkalická hmota s vysokým obsahem antimonu
US3598620A 1971-08-10 Alkali-free molybdenum sealing hard glass
US3763052A 1973-10-02 Low threshold yttrium silicate laser glass with high damage threshold
CN115572072A 2023-01-06 一种封接玻璃粉及其制备方法
DE19851927C2 2001-02-22 Thermisch hochbelastbares Glas und seine Verwendung
US3352698A 1967-11-14 Method of making glass ceramic and product
JP2968985B2 1999-11-02 低融点封着用組成物
US3057691A 1962-10-09 Method for producing silicon
JP2777858B2 1998-07-23 半導体熱処理用シリカガラス管およびその製造方法

Priority And Related Applications

Priority Applications (1)

Application Priority date Filing date Title
CS862157A 1986-03-27 1986-03-27 Skelni krystalická bezalkalická hmota s vysokým obsahem arsenu

Applications Claiming Priority (1)

Application Filing date Title
CS862157A 1986-03-27 Skelni krystalická bezalkalická hmota s vysokým obsahem arsenu

Concepts

machine-extracted
Download Filter table
Name Image Sections Count Query match
arsenic title,claims,abstract,description 11 0.000
arsenic atom title,claims,abstract,description 10 0.000
substance title,description 9 0.000
glass claims,abstract,description 12 0.000
arsenic trioxide claims,abstract,description 7 0.000
magnesium oxide claims,abstract,description 7 0.000
magnesium oxide claims,abstract,description 7 0.000
Silicium dioxide claims,abstract,description 6 0.000
calcium oxide claims,abstract,description 4 0.000
Calcium claims,abstract,description 3 0.000
Zirconium claims,abstract,description 3 0.000
arsenic oxide claims,abstract,description 3 0.000
barium claims,abstract,description 3 0.000
barium atom claims,abstract,description 3 0.000
calcium claims,abstract,description 3 0.000
calcium claims,abstract,description 3 0.000
magnesium;oxygen(2-) claims,abstract,description 3 0.000
silicon dioxide claims,abstract,description 3 0.000
strontium claims,abstract,description 3 0.000
strontium atom claims,abstract,description 3 0.000
zirconium claims,abstract,description 3 0.000
aluminium oxide claims,abstract 2 0.000
diarsenic trioxide claims,abstract 2 0.000
Titan oxide claims,description 7 0.000
crystalline material claims,description 2 0.000
lanthanum claims,description 2 0.000
lanthanum atom claims,description 2 0.000
material claims,description 2 0.000
titanium oxide claims 2 0.000
doping agent abstract,description 12 0.000
TiO 2 abstract,description 3 0.000
microelectronic abstract,description 3 0.000
semiconductor abstract,description 3 0.000
Cerium abstract,description 2 0.000
cerium abstract,description 2 0.000
manufacturing process abstract,description 2 0.000
Al 2 O 3 abstract 1 0.000
Show all concepts from the description section
Data provided by IFI CLAIMS Patent Services