CS252327B1 - Glassy crystalline alkali-free substance with high content of arsenic - Google Patents
Glassy crystalline alkali-free substance with high content of arsenic Download PDFInfo
- Publication number
- CS252327B1 CS252327B1 CS862157A CS215786A CS252327B1 CS 252327 B1 CS252327 B1 CS 252327B1 CS 862157 A CS862157 A CS 862157A CS 215786 A CS215786 A CS 215786A CS 252327 B1 CS252327 B1 CS 252327B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- arsenic
- oxide
- glass
- crystalline
- mass
- Prior art date
Links
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 claims abstract description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims abstract description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N diarsenic trioxide Chemical compound O1[As](O2)O[As]3O[As]1O[As]2O3 KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 12
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N arsenic trioxide Inorganic materials O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Řešení ee týká skelně krystalická bezalkalická hmoty s vysokým obsahem arsenu, vhodné při výrobě polovodičů pro mikroelektroniku, a to jako dopantový zdroj arsenu. Skelně krystalická hmota má schopnost uvolňovat arsen při teplotách 600 až 1 200 °C. Skelně krystalická bezalkalická hmota obsahuje v hmotnostní koncentraci 10 až 35 X oxidu arseničného As2°5’ 15 až 50 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hořečnatý MgO, vápenatý CaO, strontnatý SrO a barnatý BaO, dále 10 až 35 X oxidu křemičitého SiOg a 5 až 25 X nejméně jednoho oxidu ze skupiny, zahrnující oxid hlinitý A120j, lentanitý LagO^a ceričitý CeOg. Je výhodné, když skelně krystalická hmota dále obsahuje v hmotnostní koncentraci 0,2 až 15 X oxidu titaničitého TiOg a/nebo zirkoničitého ZrOg.The ee solution is glassy crystalline high-arsenic high-alkaline mass suitable for semiconductor manufacturing for microelectronics as a dopant arsenic source. Glass crystalline mass has the ability to release arsenic at temperatures 600 to 1200 ° C. Glass-crystalline alkaline-free the mass contains by weight concentration of 10 to 35% arsenic oxide As2 ° 5 ’15 to 50% of at least one oxide from the group consisting of magnesium oxide MgO, calcium CaO, strontium SrO and barium BaO, then 10 to 35% silica SiOg and 5 to 25% of at least one oxide from the group comprising alumina Al 2 O 3, Lentane LagO 2 and Cerium CeO 2. It is preferred that the glass crystalline mass it further comprises in weight concentration 0.2 to 15% TiO 2 TiO 2 and / or zirconium ZrOg.
Description
Vynález ee týká skelná krystalická bezelkelleká hmoty s vysokým obsahem ersenu As, určená zejména pro dopantový zdroj arsenu As.The present invention relates to a glassy crystalline nonelkelle-free material having a high ersene As content, particularly for the dopant source of arsenic As.
Při výrobě polovodičů pro mikroelektroniku, např. na bázi monokrystalu kovového křemíku Si, se používá dopantů, která umožňují polovodlvost křemíkových součástek. Dopování se provádí různými metodami, např. iontovou implantací, která je vysoce spolehlivá, ale velmi nákladná.In the production of semiconductors for microelectronics, for example based on a single silicon metal Si, dopants are used which allow the semiconductivity of the silicon components. Doping is accomplished by various methods, such as ion implantation, which is highly reliable but very costly.
Všeobecně levnější a dostupnější je metoda pomocí plenárních dopentových zdrojů.Generally cheaper and more affordable is the method using plenary dopent sources.
Jsou známy různá typy těchto zdrojů, určených k uvolňování určitá látky, např. boru B, kde dopentový zdroj je na bázi eklokeremiky, nebo fosforu P, kde dopantový zdroj je založen ne bázi keramiky. U těchto dopentových zdrojů je nezbytnou podmínkou dodržení maximálního přfpústného obsahu látek, hlavně těkavých, jejichž přítomnost znehodnocuje funkční použití výrobku. Dostupná literatura uvádí tyto látky v setinách až tisícinách % hmotnostní koncentrace jako nejvyšěí přípustnou hodnotu. Jedná se hlavně o alkálie a olovo Pb, ale patři sem 1 jiné látky, která je možno využít k dopování pro jiný druh polovodičů, jako je antimon St, fosfor P, bor B apod., a dále jsou to 1 běžné nečistoty ve sklářských surovinách, jako je železo Pe, nikl Nl, kobalt Co, měň Cu apod.Various types of these sources are known for releasing a particular substance, e.g. boron B, where the dopant source is based on eclokeremics, or phosphorus P, where the dopant source is based on a ceramic. For these dopant sources, it is a necessary condition to maintain the maximum permissible content of substances, especially volatile substances, whose presence undermines the functional use of the product. The available literature lists these substances in hundredths to thousandsths of a% by weight concentration as the maximum permissible value. These are mainly alkali and lead Pb, but include 1 other substances that can be used for doping for other types of semiconductors, such as antimony St, phosphorus P, boron B, etc., and 1 common impurities in glass raw materials such as iron Pe, nickel Nl, cobalt Co, copper Cu and the like.
V dostupná odborné s patentové literatuře není dosud obdobné skelně krystalická hmota s vysokým obsahem ersenu As známe.There is no known glassy crystalline mass with a high ersene As content available in the patent literature.
Je sice známo sklo s vysokým obsahem arsenu As, s obsahem až 45 % oxidu arsenitého AegOp popsané v patentu USA č. 2 863 782, které věak současně obsahuje velká množství dalších těkavých prvků, jako jsou alkálie, oxid olovnatý PbO, antimonitý SbgOy Teplota měknutí je nízká, kolem 300 °C, a skla se využívá jako speciální pájky. I když sklo obsahuje vysoké množství arsenu As, pro dopantový zdroj je naprosto nevhodné.Although it is known to have a high arsenic As glass containing up to 45% of arsenic trioxide AegOp described in U.S. Pat. No. 2,863,782, it also contains large amounts of other volatile elements such as alkali, lead oxide PbO, antimony SbgOy Softening temperature is low, around 300 ° C, and glass is used as special solders. Although the glass contains a high amount of arsenic As, it is completely unsuitable for the dopant source.
Uvedené nevýhody se odstraní nebo podstatně omezí u skelně krystalické bezalkalické hmoty podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že skelně krystalické hmota obsahuje v hmotnostní koncentraci 10 až 35 % oxidu arsenitého ASgOj, 15 až 50 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hořečnatý MgO, vápenatý CeO, strontnatý SrO a bprnatý BaO, déle 10 až 35 * oxidu křemičitého SiO? a 5 až 25 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hlinitý AlgO^, lanthanitý LagO^ a ceričitý CeOg.These disadvantages are eliminated or substantially reduced in the glassy crystalline alkali-free composition according to the invention, characterized in that the glassy crystalline composition contains 10 to 35% by weight of arsenic trioxide ASgOj, 15 to 50% of at least one of MgO , calcium CeO, strontium SrO and barium BaO, longer 10 to 35% SiO? and 5 to 25% of at least one oxide selected from the group consisting of aluminum oxide AlgO4, lanthanum LagO4, and cerium CeOg.
Je výhodné, když skelně krystalické hmota déle obsahuje ještě 0,2 až 15 % hmotnostní koncentrace oxidu titaničitého TlOg a/nebo zirkoničitého ZrOg.It is preferred that the glassy crystalline composition still contain 0.2 to 15% by weight of titanium dioxide concentration T10g and / or zirconia ZrOg.
Skelně krystalická bezalkalické hmota podle vynálezu má vysokou teplotu tání a rovněž vysokou teplotu měknutí, která dovoluje její použití až do teplot 1 100 až 1 200 °C, podle rozsahu složení. Teplota měknutí v podstatě představuje maximální teplotu použiti, pod kterou se destičky dopentového zdroje nedeformují. Teto skelně krystalická hmota má důležitou vlestnost, a.to schopnost uvolňovat arsen As při teplotách 600 až 1 100 °C, podle rozsahu složení ež do 1 200 °C. Chemické složení sklokeramlcké hmoty při dodržení technologického postupu zaručuje mechanickou pevnost při přípravě destiček dopentových zdrojů, které v případě přídavku oxidu titaničitého TlOg nebo zirkoničitého ZrOg k základnímu typu sklokeramlcké hmoty může být ještě zvýěene.The glassy crystalline alkali-free mass according to the invention has a high melting point as well as a high softening point which permits its use up to temperatures of 1100 to 1200 ° C, depending on the composition range. The softening point is essentially the maximum use temperature below which the dopant source plates do not deform. This glassy crystalline mass has an important waviness, namely the ability to release arsenic As at temperatures of 600 to 1100 ° C, depending on the composition range up to 1200 ° C. The chemical composition of the glass ceramic material, while adhering to the technological process, guarantees the mechanical strength in the preparation of the dopant source plates, which in the case of addition of titanium dioxide T10O or zirconium ZrOg to the basic type of glass ceramic material can be increased.
Následující tabulka uvádí příklady chemického složení pro sklokeramlckou hmotu podle vynálezu. Obsah věeeh složek, je uveden v % hmotnostní koncentrace.The following table gives examples of the chemical composition for the glass ceramic according to the invention. The content of most of the components is given in% by weight.
TabulkaTable
Při přípravě skelně krystalické hmoty je nutno používat surovin, které se obvykle používají pro mikroelektroniku nebo surovin, které mají podobnou čistotu. Z těchto surovin se nejprve utaví v platinovém kelímku sklo daného chemického složení. Taví se při teplotách 1 350 až 1 600 °C v silně oxidační atmosféře, protože podmínkou úspěšné přípravy je udržení arsenu As ve sklovině jako oxidu arseniěného AsjO^. Pokud by došlo k částečné redukci, vzniklý oxid arsenitý AsgO^ ze skloviny velmi rychle vytéká. Po utavení je sklovina vylita do bločku a odlité sklo je dále tepelně zpracováno při teplotách 800 až 1 250 °C po dobu potřebnou k dokonalé krystalizaci. Tepelným zpracováním dojde k přeměně skla na skelně krystalický materiál výhodných vlastností pro dopantový zdroj.In the preparation of the glassy crystalline mass it is necessary to use raw materials which are usually used for microelectronics or raw materials of similar purity. From these raw materials, glass of a given chemical composition is first melted in a platinum crucible. It melts at temperatures between 1350 and 1600 ° C in a strongly oxidizing atmosphere, since the precondition for successful preparation is to maintain arsenic As in the molten glass as arsenic trioxide AsjOj. Should a partial reduction occur, the arsenic trioxide AsgOO formed flows out of the glass very quickly. After melting, the glass is poured into a block and the cast glass is further heat treated at temperatures of 800 to 1250 ° C for the time required for perfect crystallization. By heat treatment, the glass is converted into a glassy crystalline material of advantageous properties for the dopant source.
Z bločku získané skelně krystalické hmoty se nařežou destičky, např. o průměru 5 až 12 cm a tlouštky 2 mm. Tyto plenární dopantové destičky se střídavě vkládají mezi destičky monokrystalického křemíku Si a společnř se uloží do elektrické pece, kde probíhá tepelné zpracování v řízené atmosféře, při kterém dojde k uvolňování arsenu As z dopantové destičky a jeho přenosu na křemíkový monokrystal, který takto získává polovodivé vlastnosti.Plates such as 5-12 cm in diameter and 2 mm in thickness are cut from a block of the obtained glassy crystalline mass. These plenum dopant wafers are alternately interposed between monocrystalline silicon wafers Si and are placed together in an electric furnace where heat treatment is conducted in a controlled atmosphere, releasing arsenic As from the dopant wafers and transferring them to a silicon monocrystal, thereby obtaining semiconducting properties .
Skelně krystalické hmoty podle vynálezu je možno využít i v jiných oblastech, např. při rekalibrování rentgenových analytických přístrojů.The glassy crystalline compositions according to the invention can also be used in other fields, for example in the recalibration of X-ray analytical instruments.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS862157A CS252327B1 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of arsenic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS862157A CS252327B1 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of arsenic |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS215786A1 CS215786A1 (en) | 1987-01-15 |
| CS252327B1 true CS252327B1 (en) | 1987-08-13 |
Family
ID=5357885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS862157A CS252327B1 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of arsenic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS252327B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1048044C (en) * | 1993-07-21 | 2000-01-05 | Memc电子材料有限公司 | Improved method for growing silicon crystal |
-
1986
- 1986-03-27 CS CS862157A patent/CS252327B1/en unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1048044C (en) * | 1993-07-21 | 2000-01-05 | Memc电子材料有限公司 | Improved method for growing silicon crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS215786A1 (en) | 1987-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6534346B2 (en) | Glass and glass tube for encapsulating semiconductors | |
| US5179047A (en) | Hermetic sealing glass composition | |
| Wusirika et al. | Oxynitride glasses and glass-ceramics | |
| US5096857A (en) | Chemically stabilized cristobalite | |
| JPS62191442A (en) | Low-melting sealing composition | |
| JPH07121814B2 (en) | Topped quartz glass | |
| JPS6265954A (en) | Borosilicate glass for sealing alumina | |
| JPH07102982B2 (en) | Frit for low temperature sealing | |
| JP4287119B2 (en) | Glass ceramic and method for producing the same | |
| US3975308A (en) | Preparation of pyrophosphates | |
| JPWO2001090012A1 (en) | Glass composition and glass-forming material containing the composition | |
| SE429852B (en) | COMPOSITION FOR PREPARATION OF GLASS WITH HIGH SCRATCH INDEX | |
| CS252327B1 (en) | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of arsenic | |
| SU1565344A3 (en) | Method of obtaining soldering borolead glass | |
| CS252328B1 (en) | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of antimony | |
| US3598620A (en) | Alkali-free molybdenum sealing hard glass | |
| US3763052A (en) | Low threshold yttrium silicate laser glass with high damage threshold | |
| DE19851927C2 (en) | Thermally resistant glass and its use | |
| JPH0193436A (en) | Glass composition for substrate material | |
| JP2968985B2 (en) | Low melting point sealing composition | |
| US3057691A (en) | Method for producing silicon | |
| JP2777858B2 (en) | Silica glass tube for heat treatment of semiconductor and method for producing the same | |
| Karasu et al. | Glass-ceramic glazes in the CaO-MgO-Al2O3-SiO2 (CMAS) system for porcelain tiles | |
| US6589896B1 (en) | Lead- and arsenic-free borosilicate glass having improved melting characteristic | |
| JP2829882B2 (en) | Fiber filler material |