CS252328B1 - Glassy crystalline alkali-free substance with high content of antimony - Google Patents
Glassy crystalline alkali-free substance with high content of antimony Download PDFInfo
- Publication number
- CS252328B1 CS252328B1 CS862158A CS215886A CS252328B1 CS 252328 B1 CS252328 B1 CS 252328B1 CS 862158 A CS862158 A CS 862158A CS 215886 A CS215886 A CS 215886A CS 252328 B1 CS252328 B1 CS 252328B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- antimony
- glass
- oxide
- glassy crystalline
- crystalline
- Prior art date
Links
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 10
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 5
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 abstract 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEZIKGQWAWNWIR-UHFFFAOYSA-N antimony(3+) antimony(5+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Sb+3].[Sb+5] QEZIKGQWAWNWIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N diarsenic trioxide Chemical compound O1[As](O2)O[As]3O[As]1O[As]2O3 KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Řešení se týká skelně krystalické bezalkalické hmoty s vysokým obsahem antimonu, vhodné při výrobě polovodičů pro mikroelektroniku, a to jako dopontový zdroj antimonu. Skelně krystalická hmota má schopnost uvolňovat entimon při teplotách 600 aš 1 200 °C. Skelně krystalická bezalkalická hmota obsahuje v hmotnostní koncentraci 15 až 30 56 oxidu antlmoničného SbgO^, 30 a£ 40 (É nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hořečnatý MgO, vápenatý CaO, strontnatý SrO a barnatý BaO, dále 15 až 30 % oxidu křemičitého SiOg, 5 aš 10 % oxidu hlinitého AlgOj a 2 eš 15 % oxidu titaničitého.The solution relates to glass-crystalline high-content alkaline matter antimony, suitable for the manufacture of semiconductors for microelectronics, as dopon an antimony source. Glass-crystalline matter has the ability to release entimon at temperatures of 600 to 1200 ° C. Glass-crystalline the alkali-free mass contains by weight a concentration of 15 to 30 56 antioxidant oxides SbgO 2, 30 and £ 40 (at least one oxide from the group consisting of oxide magnesium MgO, calcium CaO, strontium SrO and barium BaO, further 15 to 30% oxide SiO 2, 5 to 10% alumina AlgOj and 2 to 15% titanium dioxide.
Description
Vynález se týká skelně krystalické bezalkalické hmoty s vysokým obsahem antimonu Sb, které je zvláště vhodné při výrobě mikroelektroniky, a to jako dopantový zdroj antimonu Sb.The present invention relates to a glassy crystalline alkali-free mass with a high antimony Sb content, which is particularly suitable for the production of microelectronics as a dopant source of antimony Sb.
Při výi-obě polovodičů pro mikroelektroniku, zejména např. na bázi monokrystalu kovového křemíku Si, se používá dopantů, tj. látek, které umožňuji polovodivost křemíkových ,1 součástek. Jeko dopantů se využívá různých látek, mimo jiné i antimonu Sb. Dopování se provádí různými metodami, např. iontovou implantací, která je sice spolehlivá, ale velmi nákladná.In the choice of semiconductors for microelectronics, in particular for example based on a single silicon metal silicon Si, dopants, i.e. substances which allow the semiconductivity of the silicon, to be used, are used. A variety of substances are used as dopants, including antimony Sb. Doping is accomplished by various methods, such as ion implantation, which is reliable but very costly.
LevnějSí a dostupněji! je metoda využívající dopantových zdrojů. Jaou známy různá typy těchto iontových zdrojů, určených k uvolňování určité látky např. boru B, kde dopantový zdroj je na bázi sklokeramiky, nebo fosforu P, kde dopantový zdroj je na bázi keramiky. U těchto dopantových zdrojů je jedním z nezbytných předpokladů limitní dodržení obsahu látek, hlavně těkavých, jejichž přítomnost znehodnocuje funkční vlastnosti výrobku. Dostupné literatura uvádí maximální přítomnost těchto látek v setinách až tisícinách % hmotnostní koncentrace. Jsou to nejen alkálie, olovo Pb, ale i jiné látky, kterých je možno využít k dopování pro jiný druh polovodičů, jako je arsen As, fosfor P, bor B apod., a dále jsou to i běžné nečistoty ve sklářských surovinách, např. železo Pe, nikl Ni, cobalt Co, měň Cu apod.Cheaper and more affordable! is a method using dopant resources. Various types of these ion sources are known to release a particular substance, e.g. boron B, where the dopant source is based on glass ceramic, or phosphorus P, where the dopant source is based on ceramic. For these dopant sources, one of the prerequisites for this is a limit compliance with the content of substances, especially volatile substances, whose presence undermines the functional properties of the product. Available literature indicates the maximum presence of these substances in hundredths to thousandsths of a weight concentration. These are not only alkali, lead Pb, but also other substances that can be used for doping for other types of semiconductors, such as arsenic As, phosphorus P, boron B and the like. iron Pe, nickel Ni, cobalt Co, copper Cu etc.
V dostupné odborné a patentové literatuře neni dosud obdobná skelně krystalická hmota s vysokým obsahem antimonu Sb známa. V patentu USA č. 2 863 782 je sice uvedeno sklo s ohsa hem 40 až 90 % hmotnostní koncentrace oxidu antimonitého SbgO^, které věak obsahuje- současně delší těkavé prvky, jako jsou alkálie, oxid arsenitý AsgO^ a olovnatý PbO. Teplote měknutí tohoto skla je nízká, kolem 300 °C a sklo se uplatňuje jako speciální pájka. Tento typ skle sice obsahuje vysoké množství entimonu Sb, ale z výěe uvedených hledisek je pro použití dopantového zdroje naprosto nevhodný.A similar glassy crystalline mass with a high antimony Sb content is not known in the available scientific and patent literature. Indeed, U.S. Pat. No. 2,863,782 discloses glass having a concentration of 40-90% by weight of antimony trioxide concentration SbgO4, which however also contains longer volatile elements such as alkali, arsenic oxide AsgO2 and lead PbO. The softening temperature of this glass is low, around 300 ° C and the glass is used as a special solder. Although this type of glass contains a high amount of entimonone Sb, it is absolutely unsuitable for use of the dopant source from the above mentioned points of view.
Uvedená nevýhody se odstraní nebo podstatně omezí u skelně krystalické hmoty podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že skelně krystalická hmota obsahuje v hmotnostní koncentraci 15 až 30 % oxidu antimoničnáho SbgOj, 30 až 40 % nejméně jednoho oxidu ze skupiny zahrnující oxid hořečnatý MgO, oxid vápenatý GaO, oxid strontnatý SrO a oxid bsrnetý BaO, dále 15 až 30 % oxidu křemičitého SiO^, 5 až 10 % oxidu hlinitého AlgO^ a 2 až 15 % oxidu titaničitého TiO^.These disadvantages are eliminated or substantially reduced in the glassy crystalline mass according to the invention, characterized in that the glassy crystalline mass contains 15 to 30% by weight antimony oxide SbgO 3, 30 to 40% by weight of at least one of MgO, calcium oxide GaO, strontium oxide SrO and barium oxide BaO, 15 to 30% SiO 2, 5 to 10% Al 2 O 4 and 2 to 15% TiO 2.
Skelně krystalická bezalkalické hmota podle vynálezu má vysokou teplotu tání a rovněž vysokou teplotu měknutí, která dovoluje její použití až do teplot 1 200 až 1 300 °C, podle rozsahu složení. Teplota měknutí v podstatě představuje maximální teplotu použití. Skelně krystalická hmota podle vynálezu má schopnost uvolňovat antimon Sb při teplotách 600 až 1 200 °C. Rozsah jejího složení při dodržení technologického postupu zamlčuje vysokou mechanickou pevnost při přípravě destiček dopantových zdrojů.The glassy crystalline alkali-free mass according to the invention has a high melting point as well as a high softening point which allows its use up to temperatures of 1200 to 1300 ° C, depending on the composition range. The softening point is essentially the maximum temperature of use. The glassy crystalline mass of the invention has the ability to release antimony Sb at temperatures of 600 to 1200 ° C. The extent of its composition, while adhering to the technological procedure, conceals the high mechanical strength in the preparation of dopant source plates.
Dále jsou uvedeny dva příklady chemického složení skelně krystalické hmoty podle vynálezu. Všechny procentuální údaje jsou vyjádřené v hmotnostní koncentraci.The following are two examples of the chemical composition of the glassy crystalline mass of the present invention. All percentages are expressed in weight concentration.
T e b u 1 k eT e b u 1 k e
Vlastní příprava skelně krystalické hmoty podle vynálezu probíhá tak, že nejprve je utaveno sklo daného chemického složení, přičemž je nutno používat surovin, které se obvykle používají pro skla určená pro mikroelektroniku nebo surovin, které mají podobnou čistotu. Sklo se taví v platinovém kelímku při teplotách 1 350 až 1 600 °C v silně oxidační atmosféře, protože podmínkou úspěšné přípravy je udržení antimonu Sb ve sklovině ve formě oxidu antimoničného SbgO^. Pokud by došlo k částečné redukci, vzniklý oxid antimonitý SbgOj ze skloviny rychle vytéká. Po utavení je sklovina vylita do bločku. Odlité sklo je dále tepelně zpracováno běžným způsobem při teplotách 800 až 1 250 °C po dobu potřebnou k dokonalé krystalizaci. Po tepelném zpracování dojde k přeměně skla im skelně krystalický materiál, výhodných vlastností pro dopantový zdroj.The preparation of the glassy crystalline mass according to the invention is effected by first melting the glass of a given chemical composition, using the raw materials usually used for glass intended for microelectronics or the raw materials of similar purity. The glass is melted in a platinum crucible at temperatures of 1350 to 1600 ° C in a strongly oxidizing atmosphere, since the precondition for successful preparation is to maintain the antimony Sb in the glass as antimony oxide SbgO ^. Should a partial reduction occur, the resulting antimony trioxide SbgOj flows rapidly out of the glass. After melting, the glass is poured into a block. The cast glass is further heat treated in a conventional manner at temperatures of 800 to 1250 ° C for the time required for perfect crystallization. After the heat treatment, the glass is transformed into a glassy crystalline material having advantageous properties for the dopant source.
Z bločku skelně krystalické hmoty se nařežou destičky, např. o průměru 5 až 12 cm a tlouštky 2 mm. Tyto dopantové destičky se střídavě vkládají mezi destičky monokrystalického křemíku Si a společně se uloží do elektrické pece, kde probíhá tepelné zpracování v řízené atmosféře, při kterém dojde k uvolňování antimonu Sb z dopantové destičky a z jeho přenosu na křemíkový monokrystal. Tim se křemíková destička stává polovodivou. Skelně krystalické hmoty podle vynálezu Je možno využít i v jiných oblastech, např. při rekalibrování rentgenových analytických přístrojů.Plates such as 5-12 cm in diameter and 2 mm in thickness are cut from the glassy crystalline mass. These dopant platelets are alternately interposed between monocrystalline silicon platelets Si and are placed together in an electric furnace where heat treatment is conducted in a controlled atmosphere to release antimony Sb from the dopant platelet and transfer it to the silicon single crystal. Thus, the silicon wafer becomes semiconductive. The glassy crystalline compositions according to the invention can also be used in other fields, for example in the recalibration of X-ray analytical instruments.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS862158A CS252328B1 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of antimony |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS862158A CS252328B1 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of antimony |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS215886A1 CS215886A1 (en) | 1987-01-15 |
| CS252328B1 true CS252328B1 (en) | 1987-08-13 |
Family
ID=5357896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS862158A CS252328B1 (en) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of antimony |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS252328B1 (en) |
-
1986
- 1986-03-27 CS CS862158A patent/CS252328B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS215886A1 (en) | 1987-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6534346B2 (en) | Glass and glass tube for encapsulating semiconductors | |
| US5179047A (en) | Hermetic sealing glass composition | |
| US3527649A (en) | Cadmium sulfide or cadmium sulfoselenide colored glazes and process for producing same | |
| JPS62191442A (en) | Low-melting sealing composition | |
| JPS6265954A (en) | Borosilicate glass for sealing alumina | |
| US5001086A (en) | Sintered glass-ceramic body and method | |
| EP0494357A1 (en) | Glass-ceramic-bonded ceramic composites | |
| JPS63315536A (en) | Frit for low-temperature sealing | |
| US3975308A (en) | Preparation of pyrophosphates | |
| JPH02116643A (en) | Alkali zinc aluminophosphate glass ceramic | |
| JP5545589B2 (en) | Manufacturing method of sealing material | |
| JPH03232738A (en) | Low-melting composition for sealing | |
| JPWO2001090012A1 (en) | Glass composition and glass-forming material containing the composition | |
| JPH05238774A (en) | Glass composition for low temperature firing substrate and substrate obtained therefrom | |
| CS252328B1 (en) | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of antimony | |
| SU1565344A3 (en) | Method of obtaining soldering borolead glass | |
| US3923528A (en) | Glass-ceramic articles | |
| US3598620A (en) | Alkali-free molybdenum sealing hard glass | |
| CS252327B1 (en) | Glassy crystalline alkali-free substance with high content of arsenic | |
| US3763052A (en) | Low threshold yttrium silicate laser glass with high damage threshold | |
| US3352698A (en) | Method of making glass ceramic and product | |
| JPH0193436A (en) | Glass composition for substrate material | |
| JP2968985B2 (en) | Low melting point sealing composition | |
| JP3760455B2 (en) | Adhesive composition | |
| US4246034A (en) | Devitrifying solder sealing glasses |