JP2760341B2 - 半導体素子の冷却構造 - Google Patents
半導体素子の冷却構造Info
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- fins
- heat sink
- base surface
- cooling structure
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の冷却構
造に関し、特に半導体素子を搭載するＬＳＩ（唾棄簿集
積回路）ケースの放熱面に取付けられて半導体素子を冷
却するヒートシンクの構造に関する。
造に関し、特に半導体素子を搭載するＬＳＩ（唾棄簿集
積回路）ケースの放熱面に取付けられて半導体素子を冷
却するヒートシンクの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子においては、その高集
積化及び高速化に伴なって消費電力が増加する傾向にあ
り、プロセッサチップでは消費電力が１０Ｗを越えるも
のも珍しくなくなってきている。
積化及び高速化に伴なって消費電力が増加する傾向にあ
り、プロセッサチップでは消費電力が１０Ｗを越えるも
のも珍しくなくなってきている。
【０００３】この大消費電力の半導体素子が実装された
電子回路基板を冷却する場合、その電子回路基板のほと
んどが１０Ｗを越えるような大発熱量の半導体素子を１
個ないし数個しか搭載しておらず、他の大多数の半導体
素子は発熱量が低いものである。
電子回路基板を冷却する場合、その電子回路基板のほと
んどが１０Ｗを越えるような大発熱量の半導体素子を１
個ないし数個しか搭載しておらず、他の大多数の半導体
素子は発熱量が低いものである。
【０００４】したがって、電子回路基板の冷却構造を大
発熱量の半導体素子の冷却に合わせて設計すると、ヒー
トシンクが大型化し、各素子の周囲に無駄な空間が生じ
たり、３〜５ｍ／ｓといった高速な風を必要とし、ファ
ンの大型化や騒音の増加といった問題を生ずることとな
る。
発熱量の半導体素子の冷却に合わせて設計すると、ヒー
トシンクが大型化し、各素子の周囲に無駄な空間が生じ
たり、３〜５ｍ／ｓといった高速な風を必要とし、ファ
ンの大型化や騒音の増加といった問題を生ずることとな
る。
【０００５】この問題を解決するために、図５に示すよ
うに、ファンユニット２４をヒートシンク２１に取付け
たファン一体型発熱素子冷却装置が提案されている。こ
のヒートシンク２１はＬＳＩケース２６に搭載された半
導体素子２７の上に取付けられており、そのベース面２
２上にはピン形状のフィン２３が格子状に配設されてい
る。
うに、ファンユニット２４をヒートシンク２１に取付け
たファン一体型発熱素子冷却装置が提案されている。こ
のヒートシンク２１はＬＳＩケース２６に搭載された半
導体素子２７の上に取付けられており、そのベース面２
２上にはピン形状のフィン２３が格子状に配設されてい
る。
【０００６】ファンユニット２４はそのフィン２３の直
上にベース面２２と対向するように取付けられている。
また、ファンユニット２４の周囲にはカバー２５が取付
けられている。
上にベース面２２と対向するように取付けられている。
また、ファンユニット２４の周囲にはカバー２５が取付
けられている。
【０００７】上記の冷却構造ではファンユニット２４が
風をヒートシンク２１に向けて送り込み、ヒートシンク
２１及びＬＳＩケース２６の周囲に排気する構造となっ
ている。
風をヒートシンク２１に向けて送り込み、ヒートシンク
２１及びＬＳＩケース２６の周囲に排気する構造となっ
ている。
【０００８】つまり、ファンユニット２４が送り込む風
をヒートシンク２１のベース面２２に衝突させることで
冷却能力を高めている。この冷却構造については、特開
平７−７４２９５号公報に詳述されている。
をヒートシンク２１のベース面２２に衝突させることで
冷却能力を高めている。この冷却構造については、特開
平７−７４２９５号公報に詳述されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の冷却構
造では、ファンユニットをヒートシンクの上に取付け、
ファンユニットが送り込む風をヒートシンクのベース面
に衝突させることで冷却能力を高めている。
造では、ファンユニットをヒートシンクの上に取付け、
ファンユニットが送り込む風をヒートシンクのベース面
に衝突させることで冷却能力を高めている。
【００１０】しかしながら、ファンユニットが送り込む
風がヒートシンクの周囲から全方向に排気されるので、
このヒートシンクが取付けられたＬＳＩケースの周辺の
発熱量が高くない半導体素子を冷却するために風速１〜
２ｍ／ｓの風を流すと、ファンユニットが送り込む風が
ヒートシンクの風上側に排気しにくくなり、冷却能力が
低下する恐れがある。
風がヒートシンクの周囲から全方向に排気されるので、
このヒートシンクが取付けられたＬＳＩケースの周辺の
発熱量が高くない半導体素子を冷却するために風速１〜
２ｍ／ｓの風を流すと、ファンユニットが送り込む風が
ヒートシンクの風上側に排気しにくくなり、冷却能力が
低下する恐れがある。
【００１１】また、ファンユニットが送り込む風がヒー
トシンクの周囲から全方向に排気されるので、その排気
をファンユニットが再度吸気するという循環を起こしや
すく、ファンユニットが温度の高い排気を吸気すること
で冷却能力が低下する恐れがある。
トシンクの周囲から全方向に排気されるので、その排気
をファンユニットが再度吸気するという循環を起こしや
すく、ファンユニットが温度の高い排気を吸気すること
で冷却能力が低下する恐れがある。
【００１２】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風
が流されている場合でも周囲の風の流れを乱すことな
く、高い冷却能力を保つことができる半導体素子の冷却
構造を提供することにある。
消し、発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風
が流されている場合でも周囲の風の流れを乱すことな
く、高い冷却能力を保つことができる半導体素子の冷却
構造を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体素子
の冷却構造は、半導体素子を搭載するＬＳＩケースの放
熱面上に固定されるヒートシンクと、前記半導体素子を
冷却するために前記ヒートシンク上に前記放熱面に対し
て垂直方向に取付けられかつ各々前記ヒートシンクのベ
ース面との間で鋭角をなす斜辺を含む複数の板状のフィ
ンと、前記複数のフィン各々の斜辺に取付けられかつ前
記ＬＳＩケース周辺の空気を前記ベース面に吹き付ける
ファンとを備えている。
の冷却構造は、半導体素子を搭載するＬＳＩケースの放
熱面上に固定されるヒートシンクと、前記半導体素子を
冷却するために前記ヒートシンク上に前記放熱面に対し
て垂直方向に取付けられかつ各々前記ヒートシンクのベ
ース面との間で鋭角をなす斜辺を含む複数の板状のフィ
ンと、前記複数のフィン各々の斜辺に取付けられかつ前
記ＬＳＩケース周辺の空気を前記ベース面に吹き付ける
ファンとを備えている。
【００１４】本発明による他の半導体素子の冷却構造
は、上記の構成のほかに、前記ベース面に対向する前記
フィンの辺上に取付けられかつ前記ベース面及び前記複
数のフィン各々とによって前記ファンが吹き付ける空気
の通風路を形成する天板を具備している。
は、上記の構成のほかに、前記ベース面に対向する前記
フィンの辺上に取付けられかつ前記ベース面及び前記複
数のフィン各々とによって前記ファンが吹き付ける空気
の通風路を形成する天板を具備している。
【００１５】本発明による別の半導体素子の冷却構造
は、上記の構成において、前記複数のフィンのうちの前
記ベース面の両端部に配置された第１及び第２のフィン
間に取付けられた複数のフィン各々の前記斜辺を前記フ
ァンの取付け面から予め設定された距離だけ離すよう構
成している。
は、上記の構成において、前記複数のフィンのうちの前
記ベース面の両端部に配置された第１及び第２のフィン
間に取付けられた複数のフィン各々の前記斜辺を前記フ
ァンの取付け面から予め設定された距離だけ離すよう構
成している。
【００１６】本発明によるさらに別の半導体素子の冷却
構造は、上記の構成において、前記通風路の排気側の断
面積が前記ファンの取付け面の断面積よりも小さくなる
よう構成している。
構造は、上記の構成において、前記通風路の排気側の断
面積が前記ファンの取付け面の断面積よりも小さくなる
よう構成している。
【００１７】本発明によるさらにまた別の半導体素子の
冷却構造は、上記の構成において、前記ヒートシンク
が、前記通風路の排気側を前記ＬＳＩケース周辺の空気
の流れの風下側に配設している。
冷却構造は、上記の構成において、前記ヒートシンク
が、前記通風路の排気側を前記ＬＳＩケース周辺の空気
の流れの風下側に配設している。
【００１８】
【発明の実施の形態】まず、本発明の作用について以下
に述べる。
に述べる。
【００１９】半導体素子を搭載するＬＳＩケースの放熱
面上に固定されるヒートシンクのフィン各々にベース面
との間で鋭角をなす斜辺を設け、この斜辺にファンを取
付ける。
面上に固定されるヒートシンクのフィン各々にベース面
との間で鋭角をなす斜辺を設け、この斜辺にファンを取
付ける。
【００２０】これによって、ファンが送り込む風をベー
ス面に衝突させやすくするとともに、排気の流れを一方
向とすることができる。よって、発熱量が高くない半導
体素子を冷却するための風が流されている場合でも周囲
の風の流れを乱すことなく、高い冷却能力を保つことが
可能となる。
ス面に衝突させやすくするとともに、排気の流れを一方
向とすることができる。よって、発熱量が高くない半導
体素子を冷却するための風が流されている場合でも周囲
の風の流れを乱すことなく、高い冷却能力を保つことが
可能となる。
【００２１】次に、本発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す
図である。図１（ａ）は本発明の一実施例の縦断面図で
あり、図１（ｂ）は本発明の一実施例の平面図であり、
図１（ｃ）は本発明の一実施例の正面図である。
照して説明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す
図である。図１（ａ）は本発明の一実施例の縦断面図で
あり、図１（ｂ）は本発明の一実施例の平面図であり、
図１（ｃ）は本発明の一実施例の正面図である。
【００２２】これらの図において、ヒートシンク１はＬ
ＳＩケース５に搭載された半導体素子６の上に、つまり
ＬＳＩケース５の放熱面上に接着剤７によって固着され
ている。尚、ヒートシンク１は接着剤７以外の半田等の
ろう材で固着したり、あるいはネジやバネ等の機械的な
係止部材で固定してもよい。
ＳＩケース５に搭載された半導体素子６の上に、つまり
ＬＳＩケース５の放熱面上に接着剤７によって固着され
ている。尚、ヒートシンク１は接着剤７以外の半田等の
ろう材で固着したり、あるいはネジやバネ等の機械的な
係止部材で固定してもよい。
【００２３】また、ヒートシンク１はアルミニウム合金
等の熱伝導の良好な素材で作られている。このヒートシ
ンク１のベース面２上には複数の板状のフィン３が垂直
に取付けられており、通風方向に方向性を持つ形状のヒ
ートシンクとなっている。
等の熱伝導の良好な素材で作られている。このヒートシ
ンク１のベース面２上には複数の板状のフィン３が垂直
に取付けられており、通風方向に方向性を持つ形状のヒ
ートシンクとなっている。
【００２４】複数の板状のフィン３各々にはベース面２
との間で鋭角を形成するような斜辺３ａが設けられてお
り、この斜辺３ａにファン４がベース面２に向かって風
を吹き付けるように取付けられている。
との間で鋭角を形成するような斜辺３ａが設けられてお
り、この斜辺３ａにファン４がベース面２に向かって風
を吹き付けるように取付けられている。
【００２５】したがって、ファン４が送り込む風はベー
ス面２に衝突した後に、複数のフィン３各々に沿ってフ
ァン４とは反対の方向に流れていく。つまり、ファン４
が送り込む風は複数のフィン３各々に案内されて一方向
にのみ排気される。
ス面２に衝突した後に、複数のフィン３各々に沿ってフ
ァン４とは反対の方向に流れていく。つまり、ファン４
が送り込む風は複数のフィン３各々に案内されて一方向
にのみ排気される。
【００２６】上記のファン４の吸気側が風上を向き、排
気側が風下側を向くようにヒートシンク１を取付けれ
ば、周囲の風の流れを乱さずに排気を行うことができ、
しかもファン４が排気を吸い込むことはない。よって、
発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風が流さ
れている場合でも周囲の風の流れを乱すことなく、高い
冷却能力を保つことができる。
気側が風下側を向くようにヒートシンク１を取付けれ
ば、周囲の風の流れを乱さずに排気を行うことができ、
しかもファン４が排気を吸い込むことはない。よって、
発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風が流さ
れている場合でも周囲の風の流れを乱すことなく、高い
冷却能力を保つことができる。
【００２７】図２は本発明の他の実施例の構成を示す図
である。図２（ａ）は本発明の他の実施例の縦断面図で
あり、図２（ｂ）は本発明の他の実施例の平面図であ
り、図２（ｃ）は本発明の他の実施例の正面図である。
である。図２（ａ）は本発明の他の実施例の縦断面図で
あり、図２（ｂ）は本発明の他の実施例の平面図であ
り、図２（ｃ）は本発明の他の実施例の正面図である。
【００２８】これらの図において、本発明の他の実施例
はフィン３の上方を天板８で覆った以外は図１に示す本
発明の一実施例と同様の構成となっており、同一構成要
素には同一符号を付してある。また、同一構成要素の動
作は本発明の一実施例と同様である。
はフィン３の上方を天板８で覆った以外は図１に示す本
発明の一実施例と同様の構成となっており、同一構成要
素には同一符号を付してある。また、同一構成要素の動
作は本発明の一実施例と同様である。
【００２９】ヒートシンク１はフィン３の上方を天板８
で覆うことで、複数のフィン３各々の間はファン４が送
り込む風の通風用のダクトを形成することとなる。よっ
て、ファン４が送り込む風がフィン３の上方に逃れるこ
とがなくなるので、その風は必ずベース板２に衝突し、
フィン３及び天板８が形成するダクトから排気されるこ
ととなる。
で覆うことで、複数のフィン３各々の間はファン４が送
り込む風の通風用のダクトを形成することとなる。よっ
て、ファン４が送り込む風がフィン３の上方に逃れるこ
とがなくなるので、その風は必ずベース板２に衝突し、
フィン３及び天板８が形成するダクトから排気されるこ
ととなる。
【００３０】したがって、ファン４が送り込む風はベー
ス面２に衝突した後に、複数のフィン３各々及び天板８
が形成するダクトを通ってファン４とは反対の方向に排
気される。つまり、ファン４が送り込む風は複数のフィ
ン３各々及び天板８が形成するダクトに案内されて一方
向にのみ排気される。
ス面２に衝突した後に、複数のフィン３各々及び天板８
が形成するダクトを通ってファン４とは反対の方向に排
気される。つまり、ファン４が送り込む風は複数のフィ
ン３各々及び天板８が形成するダクトに案内されて一方
向にのみ排気される。
【００３１】上記のファン４の吸気側が風上を向き、排
気側が風下側を向くようにヒートシンク１を取付けれ
ば、周囲の風の流れを乱さずに排気を行うことができ、
しかもファン４が排気を吸い込むことはない。よって、
発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風が流さ
れている場合でも周囲の風の流れを乱すことなく、高い
冷却能力を保つことができる。
気側が風下側を向くようにヒートシンク１を取付けれ
ば、周囲の風の流れを乱さずに排気を行うことができ、
しかもファン４が排気を吸い込むことはない。よって、
発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風が流さ
れている場合でも周囲の風の流れを乱すことなく、高い
冷却能力を保つことができる。
【００３２】図３は本発明の別の実施例の縦断面図であ
る。図において、本発明の別の実施例はＬＳＩケース５
の両端に夫々配設されたフィン３間のフィン１０の斜辺
１０ａをファン４の取付け面から離すようにした以外は
図２に示す本発明の他の実施例と同様の構成となってお
り、同一構成要素には同一符号を付してある。また、そ
の同一構成要素の動作は本発明の他の実施例と同様であ
る。
る。図において、本発明の別の実施例はＬＳＩケース５
の両端に夫々配設されたフィン３間のフィン１０の斜辺
１０ａをファン４の取付け面から離すようにした以外は
図２に示す本発明の他の実施例と同様の構成となってお
り、同一構成要素には同一符号を付してある。また、そ
の同一構成要素の動作は本発明の他の実施例と同様であ
る。
【００３３】フィン１０の斜辺１０ａをファン４の取付
け面から離すようにし、ＬＳＩケース５の両端に夫々配
設されたフィン３と天板８とによって空間９を形成する
ことで、ファン４が送り込む風がフィン３，１０と天板
８とによって形成されるダクトに均等に流れるようにな
る。よって、ファン４が送り込む風がフィン３，１０に
均等に当たるので、フィン３，１０からの放熱を平均化
させて冷却能力を高めることができる。
け面から離すようにし、ＬＳＩケース５の両端に夫々配
設されたフィン３と天板８とによって空間９を形成する
ことで、ファン４が送り込む風がフィン３，１０と天板
８とによって形成されるダクトに均等に流れるようにな
る。よって、ファン４が送り込む風がフィン３，１０に
均等に当たるので、フィン３，１０からの放熱を平均化
させて冷却能力を高めることができる。
【００３４】図４は本発明のさらに別の実施例の縦断面
図である。図において、本発明のさらに別の実施例はフ
ィン１１，１２の排気側のベース面２からの高さがファ
ン４の取付け面におけるベース面２からの高さよりも低
くなるようにした以外は図３に示す本発明の別の実施例
と同様の構成となっており、同一構成要素には同一符号
を付してある。また、その同一構成要素の動作は本発明
の別の実施例と同様である。
図である。図において、本発明のさらに別の実施例はフ
ィン１１，１２の排気側のベース面２からの高さがファ
ン４の取付け面におけるベース面２からの高さよりも低
くなるようにした以外は図３に示す本発明の別の実施例
と同様の構成となっており、同一構成要素には同一符号
を付してある。また、その同一構成要素の動作は本発明
の別の実施例と同様である。
【００３５】フィン１１，１２の排気側のベース面２か
らの高さがファン４の取付け面におけるベース面２から
の高さよりも低くなるようにすることで、ヒートシンク
１の排気側の通風路断面積を小さくすることができ、フ
ァン４が送り込む風の通過風速が上がるとともに、ファ
ン４が送り込む風がベース面２に衝突しやすくなる。
らの高さがファン４の取付け面におけるベース面２から
の高さよりも低くなるようにすることで、ヒートシンク
１の排気側の通風路断面積を小さくすることができ、フ
ァン４が送り込む風の通過風速が上がるとともに、ファ
ン４が送り込む風がベース面２に衝突しやすくなる。
【００３６】この場合、上記と同様に、ファン４が送り
込む風が空間９によってフィン１１，１２と天板１３と
によって形成されるダクトに均等に流れるとともに、ベ
ース面２に衝突しやすくなる。よって、ファン４が送り
込む風がフィン１１，１２に均等に当たるとともに、ベ
ース面２に衝突しやすくなるので、フィン１１，１２か
らの放熱を平均化させるとともに、冷却能力を高めるこ
とができる。
込む風が空間９によってフィン１１，１２と天板１３と
によって形成されるダクトに均等に流れるとともに、ベ
ース面２に衝突しやすくなる。よって、ファン４が送り
込む風がフィン１１，１２に均等に当たるとともに、ベ
ース面２に衝突しやすくなるので、フィン１１，１２か
らの放熱を平均化させるとともに、冷却能力を高めるこ
とができる。
【００３７】このように、半導体素子６を搭載するＬＳ
Ｉケース５の放熱面上に固定されるヒートシンク１のフ
ィン３各々にベース面２との間で鋭角をなす斜辺３ａを
設け、この斜辺３ａにファン４を取付けることによっ
て、ファン４が送り込む風をベース面２に衝突させやす
くするとともに、排気の流れを一方向とすることができ
る。よって、発熱量が高くない半導体素子を冷却するた
めの風が流されている場合でも周囲の風の流れを乱すこ
となく、高い冷却能力を保つことができる。
Ｉケース５の放熱面上に固定されるヒートシンク１のフ
ィン３各々にベース面２との間で鋭角をなす斜辺３ａを
設け、この斜辺３ａにファン４を取付けることによっ
て、ファン４が送り込む風をベース面２に衝突させやす
くするとともに、排気の流れを一方向とすることができ
る。よって、発熱量が高くない半導体素子を冷却するた
めの風が流されている場合でも周囲の風の流れを乱すこ
となく、高い冷却能力を保つことができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体素子を搭載するＬＳＩケースの放熱面上に固定され
るヒートシンクのベース面との間で鋭角をなす斜辺を半
導体素子を冷却するための複数のフィン各々に設け、こ
の複数のフィン各々の斜辺にＬＳＩケース周辺の空気を
ベース面に吹き付けるファンを取付けることによって、
発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風が流さ
れている場合でも周囲の風の流れを乱すことなく、高い
冷却能力を保つことができるという効果がある。
導体素子を搭載するＬＳＩケースの放熱面上に固定され
るヒートシンクのベース面との間で鋭角をなす斜辺を半
導体素子を冷却するための複数のフィン各々に設け、こ
の複数のフィン各々の斜辺にＬＳＩケース周辺の空気を
ベース面に吹き付けるファンを取付けることによって、
発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風が流さ
れている場合でも周囲の風の流れを乱すことなく、高い
冷却能力を保つことができるという効果がある。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例の縦断面図、（ｂ）
は本発明の一実施例の平面図、（ｃ）は本発明の一実施
例の正面図である。
は本発明の一実施例の平面図、（ｃ）は本発明の一実施
例の正面図である。
【図２】（ａ）は本発明の他の実施例の縦断面図、
（ｂ）は本発明の他の実施例の平面図、（ｃ）は本発明
の他の実施例の正面図である。
（ｂ）は本発明の他の実施例の平面図、（ｃ）は本発明
の他の実施例の正面図である。
【図３】本発明の別の実施例の縦断面図である。
【図４】本発明のさらに別の実施例の縦断面図である。
【図５】（ａ）は従来例の縦断面図、（ｂ）は従来例の
平面図である。
平面図である。
１ ヒートシンク ２ ベース面 ３，１０〜１２ フィン ３ａ，１０ａ，１１ａ，１２ａ 斜辺 ４ ファン ５ ＬＳＩケース ６ 半導体素子 ８，１３ 天板 ９ 空間
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するＬＳＩケースの放
熱面上に固定されるヒートシンクと、 前記半導体素子を冷却するために前記ヒートシンク上に
前記放熱面に対して垂直方向に取付けられかつ各々前記
ヒートシンクのベース面との間で鋭角をなす斜辺を含む
複数の板状のフィンと、 前記複数のフィン各々の斜辺に取付けられかつ前記ＬＳ
Ｉケース周辺の空気を前記ベース面に吹き付けるファン
とを有することを特徴とする半導体素子の冷却構造。 - 【請求項２】 前記ベース面に対向する前記フィンの辺
上に取付けられかつ前記ベース面及び前記複数のフィン
各々とによって前記ファンが吹き付ける空気の通風路を
形成する天板を含むことを特徴とする請求項１記載の半
導体素子の冷却構造。 - 【請求項３】 前記複数のフィンのうちの前記ベース面
の両端部に配置された第１及び第２のフィン間に取付け
られた複数のフィン各々の前記斜辺を前記ファンの取付
け面から予め設定された距離だけ離すよう構成したこと
を特徴とする請求項２記載の半導体素子の冷却構造。 - 【請求項４】 前記通風路の排気側の断面積が前記ファ
ンの取付け面の断面積よりも小さくなるよう構成したこ
とを特徴とする請求項２または請求項３記載の半導体素
子の冷却構造。 - 【請求項５】 前記ヒートシンクは、前記通風路の排気
側を前記ＬＳＩケース周辺の空気の流れの風下側に配設
したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか
記載の半導体素子の冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8119411A JP2760341B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 半導体素子の冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8119411A JP2760341B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 半導体素子の冷却構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307034A JPH09307034A (ja) | 1997-11-28 |
| JP2760341B2 true JP2760341B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
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