JP2760321B2 - 酸化物薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物薄膜の製造方法Info
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- JP2760321B2 JP2760321B2 JP7198823A JP19882395A JP2760321B2 JP 2760321 B2 JP2760321 B2 JP 2760321B2 JP 7198823 A JP7198823 A JP 7198823A JP 19882395 A JP19882395 A JP 19882395A JP 2760321 B2 JP2760321 B2 JP 2760321B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x
酸化物薄膜を基板上に製造するための製造方法に関す
る。
酸化物薄膜を基板上に製造するための製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜（Ｌ
ｎはＴｂを除くランタノイド元素またはＹ）を例えばシ
リコン等の半導体基板上に成長する方法は従来から種々
提案されており、例えば特開平４−３６５３８３号公報
に記載の技術がある。しかしながら、このように形成し
ようとする薄膜と異なる材料の基板上に薄膜を成長する
過程においては、前記酸化物薄膜材料と異なる組成を有
するＢａとＣｕを含む析出物の核が前記基板と薄膜の界
面で形成され、薄膜よりも速く成長する。そこで、薄膜
成長後に前記析出物が薄膜表面よりも突出されるのを防
ぐため、成膜方法及び成膜条件を工夫することにより、
薄膜中の前記析出物の密度を低減化し、前記析出物のサ
イズを小さくした薄膜の製造方法として次の文献に開示
された技術が知られている。
ｎはＴｂを除くランタノイド元素またはＹ）を例えばシ
リコン等の半導体基板上に成長する方法は従来から種々
提案されており、例えば特開平４−３６５３８３号公報
に記載の技術がある。しかしながら、このように形成し
ようとする薄膜と異なる材料の基板上に薄膜を成長する
過程においては、前記酸化物薄膜材料と異なる組成を有
するＢａとＣｕを含む析出物の核が前記基板と薄膜の界
面で形成され、薄膜よりも速く成長する。そこで、薄膜
成長後に前記析出物が薄膜表面よりも突出されるのを防
ぐため、成膜方法及び成膜条件を工夫することにより、
薄膜中の前記析出物の密度を低減化し、前記析出物のサ
イズを小さくした薄膜の製造方法として次の文献に開示
された技術が知られている。
【０００３】文献１：アプライド・フィジックス・レタ
ーズ（Ａｐｐｌｉｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ），６３（８），１９９３，ｐｐ．１１４６−１１４
８。
ーズ（Ａｐｐｌｉｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ），６３（８），１９９３，ｐｐ．１１４６−１１４
８。
【０００４】文献２：ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ），
３３（１），１９９４，ｐｐ．Ｌ２０−Ｌ２３。
・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ），
３３（１），１９９４，ｐｐ．Ｌ２０−Ｌ２３。
【０００５】文献３：ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ），
３３（３），１９９４，ｐｐ．Ｌ４１７−Ｌ４２０。
・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ），
３３（３），１９９４，ｐｐ．Ｌ４１７−Ｌ４２０。
【０００６】これらの文献に開示の技術によれば、蒸発
源と基板の距離を調整するか、傾斜基板を使用するか、
あるいは薄膜成長中の酸素雰囲気を最適化することによ
り、前記酸化物薄膜材料と異なる材料の基板上に、前記
析出物の少ない薄膜を連続した１回の成膜工程で形成し
ている。
源と基板の距離を調整するか、傾斜基板を使用するか、
あるいは薄膜成長中の酸素雰囲気を最適化することによ
り、前記酸化物薄膜材料と異なる材料の基板上に、前記
析出物の少ない薄膜を連続した１回の成膜工程で形成し
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の技術では、ある程度前記析出物の低減を図ることは可
能であるが、成膜時の条件がより狭いものとなるため、
薄膜中の前記析出物を完全に除去することは困難であっ
た。また、薄膜を連続した１回の成膜工程で形成するた
め、薄膜形成の初期段階で発生した析出物の核を除去す
ることができなかった。さらに、前記析出物の成長する
速さが薄膜の成長する速さよりも速いため、析出物が薄
膜表面より突出していた。
の技術では、ある程度前記析出物の低減を図ることは可
能であるが、成膜時の条件がより狭いものとなるため、
薄膜中の前記析出物を完全に除去することは困難であっ
た。また、薄膜を連続した１回の成膜工程で形成するた
め、薄膜形成の初期段階で発生した析出物の核を除去す
ることができなかった。さらに、前記析出物の成長する
速さが薄膜の成長する速さよりも速いため、析出物が薄
膜表面より突出していた。
【０００８】
【発明の目的】本発明の目的は、前記した析出物がな
く、表面の平坦なＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜の
製造方法を提供することにある。
く、表面の平坦なＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜の
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法の製造
工程を図１に示す。先ず、同図（ａ）のように、ＬｎＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜２を、この酸化物薄膜と異
なる材料の基板１の表面上に（００１）面が主たる膜面
に平行になるように形成する。このとき、形成された薄
膜中にＢａとＣｕを含む析出物３が析出される。次い
で、同図（ｂ）のように、この析出物をエッチング除去
する。しかる上で、同図（ｃ）のように、前記酸化物薄
膜２の上に（００１）面が主たる膜面に平行をなしたＬ
ｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜４を形成する。
工程を図１に示す。先ず、同図（ａ）のように、ＬｎＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜２を、この酸化物薄膜と異
なる材料の基板１の表面上に（００１）面が主たる膜面
に平行になるように形成する。このとき、形成された薄
膜中にＢａとＣｕを含む析出物３が析出される。次い
で、同図（ｂ）のように、この析出物をエッチング除去
する。しかる上で、同図（ｃ）のように、前記酸化物薄
膜２の上に（００１）面が主たる膜面に平行をなしたＬ
ｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜４を形成する。
【００１０】この場合、最初に形成するＬｎＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x 酸化物薄膜２は、形成しようとする最終膜厚よ
りも薄く形成し、析出物３をエッチング除去した後にそ
の最終膜厚に達するまでＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物
薄膜４を形成することが好ましい。
3 Ｏ7-x 酸化物薄膜２は、形成しようとする最終膜厚よ
りも薄く形成し、析出物３をエッチング除去した後にそ
の最終膜厚に達するまでＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物
薄膜４を形成することが好ましい。
【００１１】例えば、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄
膜２，４を形成する方法としては蒸着法が採用でき、析
出物をエッチングする方法としてはフッ酸水溶液におけ
るウェットエッチング法が採用できる。また、析出物を
エッチングした後、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
２の表面をエッチング法により清浄化することが好まし
い。
膜２，４を形成する方法としては蒸着法が採用でき、析
出物をエッチングする方法としてはフッ酸水溶液におけ
るウェットエッチング法が採用できる。また、析出物を
エッチングした後、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
２の表面をエッチング法により清浄化することが好まし
い。
【００１２】
【作用】本発明では、最終膜厚より薄く前記酸化物薄膜
を形成した後、薄膜中に生じた析出物をエッチングする
ことにより、薄膜中の析出物の核を除去されるため、そ
の後にＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を再成長する
ことにより、ほぼ基板全面に覆われる酸化物薄膜上には
析出物が形成されず、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物の
みが成長する。
を形成した後、薄膜中に生じた析出物をエッチングする
ことにより、薄膜中の析出物の核を除去されるため、そ
の後にＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を再成長する
ことにより、ほぼ基板全面に覆われる酸化物薄膜上には
析出物が形成されず、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物の
みが成長する。
【００１３】また、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物は＜
００１＞に垂直な方向に成長し易いため、析出物のエッ
チングされてできた凹部は再成長の際、ＬｎＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x 酸化物により優先的に埋め込まれる。したがっ
て、薄膜中から前記析出物は取り除かれ、その際に生じ
る凹部もＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物により埋め込ま
れるため、前記析出物のない、表面の平坦なＬｎＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜が形成される。
００１＞に垂直な方向に成長し易いため、析出物のエッ
チングされてできた凹部は再成長の際、ＬｎＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x 酸化物により優先的に埋め込まれる。したがっ
て、薄膜中から前記析出物は取り除かれ、その際に生じ
る凹部もＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物により埋め込ま
れるため、前記析出物のない、表面の平坦なＬｎＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜が形成される。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例を説明する。なお、以
下の実施例ではランタノイド元素ＬｎとしてＹ，Ｐｒを
適用した例を示している。
下の実施例ではランタノイド元素ＬｎとしてＹ，Ｐｒを
適用した例を示している。
【００１５】（実施例１）図１（ａ）を参照して、真空
蒸着槽を１０-6Ｔｏｒｒまでターボ分子ポンプによって
排気した。薄膜を成長させる蒸着基板１として、表面を
研磨したＳｒＴｉＯ3 単結晶を、その表面（１５ｍｍ
φ）が（１００）面となるようにして用い、これをＳｉ
Ｃヒータにより７６０℃まで加熱し、この温度に保持し
た。しかる後、真空蒸着槽内を１０-1Ｔｏｒｒのガス圧
の酸素で満たした。
蒸着槽を１０-6Ｔｏｒｒまでターボ分子ポンプによって
排気した。薄膜を成長させる蒸着基板１として、表面を
研磨したＳｒＴｉＯ3 単結晶を、その表面（１５ｍｍ
φ）が（１００）面となるようにして用い、これをＳｉ
Ｃヒータにより７６０℃まで加熱し、この温度に保持し
た。しかる後、真空蒸着槽内を１０-1Ｔｏｒｒのガス圧
の酸素で満たした。
【００１６】蒸発源にはＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 多結晶焼
結体を用い、その表面にＫｒＦエキシマパルスレーザを
集光させて蒸発させ、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜を基板
上に蒸着した。蒸着終了後は、１気圧の酸素雰囲気中で
１時間かけて室温まで冷却した。この結果、膜厚５０ｎ
ｍのＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜２を得た。この薄膜の反
射電子線回折像をとり、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の（００
１）面が膜面に平行をなしてエピタキシャルに成長して
いることを確認した。また、走査型電子顕微鏡により膜
中に析出物３が存在しており、同時に蛍光Ｘ線分析によ
りその析出物３がＢａとＣｕを含んでいることを確認し
た。
結体を用い、その表面にＫｒＦエキシマパルスレーザを
集光させて蒸発させ、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜を基板
上に蒸着した。蒸着終了後は、１気圧の酸素雰囲気中で
１時間かけて室温まで冷却した。この結果、膜厚５０ｎ
ｍのＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜２を得た。この薄膜の反
射電子線回折像をとり、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の（００
１）面が膜面に平行をなしてエピタキシャルに成長して
いることを確認した。また、走査型電子顕微鏡により膜
中に析出物３が存在しており、同時に蛍光Ｘ線分析によ
りその析出物３がＢａとＣｕを含んでいることを確認し
た。
【００１７】次いで、図１（ｂ）を参照して、得られた
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の薄膜２を４．９％のフッ酸水溶
液中で１分間超音波洗浄した。その結果、走査型電子顕
微鏡観察により、前記の析出物３のみがエッチング除去
されていることを確認した。次いで、薄膜２の清浄表面
を出すため、薄膜２の表面をＥＤＴＡ飽和水溶液中で３
０秒間超音波洗浄してウェットエッチングし、その後７
０℃の超純水中で２回洗浄した。
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の薄膜２を４．９％のフッ酸水溶
液中で１分間超音波洗浄した。その結果、走査型電子顕
微鏡観察により、前記の析出物３のみがエッチング除去
されていることを確認した。次いで、薄膜２の清浄表面
を出すため、薄膜２の表面をＥＤＴＡ飽和水溶液中で３
０秒間超音波洗浄してウェットエッチングし、その後７
０℃の超純水中で２回洗浄した。
【００１８】次いで、図１（ｃ）を参照して、同図
（ａ）で説明したのと同様の方法でＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x を前記薄膜２上に成長させ、全膜厚が１６０ｎｍの
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜４を得た。得られた薄膜４の
反射電子線回折像をとり、この再成長されたＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7-x 薄膜４も（００１）面が膜面に平行をなして
エピタキシャル成長していることを確認した。また、走
査型電子顕微鏡観察においては、前記析出物３は観察さ
れなかった。また、原子間力顕微鏡による薄膜表面の観
察により、析出物をエッチングした部分はＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x により埋め込まれており、表面が平坦であるこ
とを確認した。
（ａ）で説明したのと同様の方法でＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x を前記薄膜２上に成長させ、全膜厚が１６０ｎｍの
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜４を得た。得られた薄膜４の
反射電子線回折像をとり、この再成長されたＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7-x 薄膜４も（００１）面が膜面に平行をなして
エピタキシャル成長していることを確認した。また、走
査型電子顕微鏡観察においては、前記析出物３は観察さ
れなかった。また、原子間力顕微鏡による薄膜表面の観
察により、析出物をエッチングした部分はＹＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x により埋め込まれており、表面が平坦であるこ
とを確認した。
【００１９】（実施例２）この実施例では、析出物をエ
ッチング除去した後に、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜２の
清浄表面を出すためにドライエッチング法を用いている
点が実施例１と異なっている。すなわち、実施例１と同
様の方法で膜厚１００ｎｍのＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜
２を得た後、走査型電子顕微鏡により析出物３が存在し
ていることを確認し、次いで、実施例１と同様の方法で
析出物３をエッチングし、走査型電子顕微鏡で確認し
た。そして、加速電圧５００Ｖ、入射角８５°の条件で
５分２０秒アルゴンイオンミリングしてＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-x 薄膜２の表面の清浄化を行っている。さらに、清
浄化したＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜２の表面の結晶性を
回復させるため、１気圧の酸素雰囲気で６００℃、５時
間熱処理を施した。
ッチング除去した後に、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜２の
清浄表面を出すためにドライエッチング法を用いている
点が実施例１と異なっている。すなわち、実施例１と同
様の方法で膜厚１００ｎｍのＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜
２を得た後、走査型電子顕微鏡により析出物３が存在し
ていることを確認し、次いで、実施例１と同様の方法で
析出物３をエッチングし、走査型電子顕微鏡で確認し
た。そして、加速電圧５００Ｖ、入射角８５°の条件で
５分２０秒アルゴンイオンミリングしてＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-x 薄膜２の表面の清浄化を行っている。さらに、清
浄化したＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜２の表面の結晶性を
回復させるため、１気圧の酸素雰囲気で６００℃、５時
間熱処理を施した。
【００２０】次いで、実施例１と同様にＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-x を前記薄膜２上に成長させ、全膜厚が３９０ｎｍ
のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜４を得た。得られた薄膜４
を走査型電子顕微鏡により観察し、析出物のない薄膜と
なっていることを確認した。また、原子間力顕微鏡によ
る観察により、析出物を選択的にエッチングした部分は
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x により埋め込まれており、表面が
平坦であることを確認した。
Ｏ7-x を前記薄膜２上に成長させ、全膜厚が３９０ｎｍ
のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜４を得た。得られた薄膜４
を走査型電子顕微鏡により観察し、析出物のない薄膜と
なっていることを確認した。また、原子間力顕微鏡によ
る観察により、析出物を選択的にエッチングした部分は
ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x により埋め込まれており、表面が
平坦であることを確認した。
【００２１】（実施例３）蒸発源にＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 多結晶焼結体を用い、実施例１と同様の方法で膜厚
５０ｎｍのＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜２を得た。その
後、走査型電子顕微鏡により析出物３が存在しているこ
とを確認し、ついで実施例１と同様の方法で析出物３を
エッチングし、走査型電子顕微鏡で確認した。次いで、
薄膜２の清浄表面を出すため、薄膜２の表面をＥＤＴＡ
飽和水溶液中で３０秒間超音波洗浄してウェットエッチ
ングし、その後７０℃の超純水中で２回洗浄した。
7-x 多結晶焼結体を用い、実施例１と同様の方法で膜厚
５０ｎｍのＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜２を得た。その
後、走査型電子顕微鏡により析出物３が存在しているこ
とを確認し、ついで実施例１と同様の方法で析出物３を
エッチングし、走査型電子顕微鏡で確認した。次いで、
薄膜２の清浄表面を出すため、薄膜２の表面をＥＤＴＡ
飽和水溶液中で３０秒間超音波洗浄してウェットエッチ
ングし、その後７０℃の超純水中で２回洗浄した。
【００２２】次いで、実施例１と同様にＰｒＢａ2 Ｃｕ
3 Ｏ7-x を前記薄膜２上に成長させ、全膜厚が１６０ｎ
ｍのＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜４を得た。得られた薄
膜４を走査型電子顕微鏡により観察し、析出物のない薄
膜となっていることを確認した。また、原子間力顕微鏡
による観察により、析出物をエッチングした部分はＰｒ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x により埋め込まれており、表面が平
坦であることを確認した。
3 Ｏ7-x を前記薄膜２上に成長させ、全膜厚が１６０ｎ
ｍのＰｒＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜４を得た。得られた薄
膜４を走査型電子顕微鏡により観察し、析出物のない薄
膜となっていることを確認した。また、原子間力顕微鏡
による観察により、析出物をエッチングした部分はＰｒ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x により埋め込まれており、表面が平
坦であることを確認した。
【００２３】なお、前記実施例ではＬｎとしてＹ，Ｐｒ
を用いた例を示しているが、Ｔｂを除くランタノイド元
素の酸化物薄膜を形成する場合にも本発明を同様に適用
できることは言うまでもない。
を用いた例を示しているが、Ｔｂを除くランタノイド元
素の酸化物薄膜を形成する場合にも本発明を同様に適用
できることは言うまでもない。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を形成した後、薄膜
中のＢａとＣｕを含む析出物をエッチングすることによ
り、薄膜中の析出物の核を除去し、その後に薄膜の表面
上にＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を再成長してい
るので、最終的に形成される薄膜上には析出物が形成さ
れず、表面の平坦なＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
を製造することが可能となる。
ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を形成した後、薄膜
中のＢａとＣｕを含む析出物をエッチングすることによ
り、薄膜中の析出物の核を除去し、その後に薄膜の表面
上にＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を再成長してい
るので、最終的に形成される薄膜上には析出物が形成さ
れず、表面の平坦なＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
を製造することが可能となる。
【００２５】特に、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
を（００１）面が主たる膜面に平行になるように基板上
に形成し、かつ再成長においても（００１）面が主たる
膜面に平行をなしたＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
を成長することにより、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物
が＜００１＞に垂直な方向に成長し易いため、エッチン
グにより生じた凹部は再成長の際にＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 酸化物により優先的に埋め込まれ、表面の平坦化が
実現される。
を（００１）面が主たる膜面に平行になるように基板上
に形成し、かつ再成長においても（００１）面が主たる
膜面に平行をなしたＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
を成長することにより、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物
が＜００１＞に垂直な方向に成長し易いため、エッチン
グにより生じた凹部は再成長の際にＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7-x 酸化物により優先的に埋め込まれ、表面の平坦化が
実現される。
【００２６】また、再成長の前に先に形成した酸化物薄
膜の表面を清浄することで、再成長する薄膜をエピタキ
シャル成長することが可能となり、エピタキシャル薄膜
を得ることが可能とされる。
膜の表面を清浄することで、再成長する薄膜をエピタキ
シャル成長することが可能となり、エピタキシャル薄膜
を得ることが可能とされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を工程順に示す断面図であ
る。
る。
１ ＳｒＴｉＯ3 基板 ２ ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜 ３ ＢａとＣｕを含む析出物 ４ 再成長されたＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ３０Ｂ 29/22 ５０１ Ｃ３０Ｂ 29/22 ５０１Ｃ // Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｋ 14/28 14/28 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 28/00 - 30/00 C23F 1/04 C23F 1/30 C23F 4/00 C30B 29/22 501 C23C 14/08 C23C 14/28 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
（ＬｎはＴｂを除くランタノイド元素またはＹ）を、前
記酸化物薄膜と異なる材料の基板上に（００１）面が主
たる膜面に平行になるように形成する工程と、形成され
た薄膜中に析出したＢａとＣｕを含む析出物をエッチン
グ除去する工程と、さらにその上に（００１）面が主た
る膜面に平行をなしたＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化
物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄膜の製造方
法。 - 【請求項２】ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を
形成しようとする最終膜厚よりも薄く形成し、析出物を
エッチング除去した後に前記最終膜厚に達するまでＬｎ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を再度形成する請求
項１の酸化物薄膜の製造方法。 - 【請求項３】ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜を基
板上に成長し、フッ酸水溶液中において析出物をエッチ
ング除去し、再度ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜
を成長する請求項１または２の酸化物薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 析出物をエッチングした後、ＬｎＢａ2
Ｃｕ3 Ｏ7-x 酸化物薄膜の表面をエッチング法により
清浄化する請求項１ないし３の酸化物薄膜の製造方法。 - 【請求項５】ＬｎＢａ 2 Ｃｕ 3 Ｏ 7-x 酸化物薄膜を
基板上に形成する工程と、析出物をウエットエッチング
する工程と、再度ＬｎＢａ 2 Ｃｕ 3 Ｏ 7-x 酸化物薄
膜を形成する ことを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。 - 【請求項６】前記ウエットエッチングとしてフッ酸水溶
液を用いることを特徴とする請求項５記載の酸化物膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198823A JP2760321B2 (ja) | 1995-04-15 | 1995-08-03 | 酸化物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-113975 | 1995-04-15 | ||
| JP11397595 | 1995-04-15 | ||
| JP7198823A JP2760321B2 (ja) | 1995-04-15 | 1995-08-03 | 酸化物薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH093659A JPH093659A (ja) | 1997-01-07 |
| JP2760321B2 true JP2760321B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=26452833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7198823A Expired - Lifetime JP2760321B2 (ja) | 1995-04-15 | 1995-08-03 | 酸化物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760321B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6169196B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-07-26 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 表層超電導体の製造方法および表層超電導体 |
| JP6440731B2 (ja) | 2014-05-13 | 2018-12-19 | エテル・ソシエテ・アノニム | 電子的構成要素実装システム |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0772337B2 (ja) * | 1988-10-27 | 1995-08-02 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH0788568B2 (ja) * | 1988-10-27 | 1995-09-27 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH0623438B2 (ja) * | 1988-10-27 | 1994-03-30 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導体の製造方法 |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP7198823A patent/JP2760321B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH093659A (ja) | 1997-01-07 |
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