JP2755142B2

JP2755142B2 - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JP2755142B2
Application number: JP32603993A
Authority: JP
Inventors: 秀治折原
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1993-11-30
Filing date: 1993-11-30
Publication date: 1998-05-20
Anticipated expiration: 2013-05-20
Also published as: JPH07153025A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドにかか
り、更に具体的には、記録媒体と摺動させて使用するＶ
ＴＲなどの薄膜磁気ヘッドの先端部分における磁気飽和
に対する改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば
特開平３−５８３０８号に開示されたものがある。図１
０には、かかる従来例の薄膜磁気ヘッドが示されてい
る。同図中（Ａ）は平面図，（Ｂ）は（Ａ）の＃Ａ−＃
Ａ線に沿って矢印方向に見た断面図、同図（Ｃ）は磁気
コアの部分を示す斜視図である。以下の説明では、便宜
上薄膜磁気ヘッドの媒体対向面側を前，その反対側を
後，基板側を下，その反対側を上とそれぞれ表現する。

【０００３】これらの図において、基板１０上には絶縁
膜１２，１４が形成されており、絶縁膜１４には下コア
１６が形成されている。この下コア１６上には、前部中
間コア１８，２０，後部中間コア２２，２４がそれぞれ
形成されている。

【０００４】そして、前部中間コア１８，２０の間には
絶縁膜による磁気ギャップ２６が形成されており、更に
後部中間コア２２，２４を巻回するようにコイル２８が
形成されている。前部中間コア２０，後部中間コア２４
上には絶縁膜３０中に上コア３２が形成されている。コ
イル２８はリード線３４に接続されている。同図（Ａ）
では、絶縁膜３０は省略されている。

【０００５】このような薄膜磁気ヘッドを同図（Ａ）の
平面から見ると、上下コア１６，３２の形状はそれらの
後側（同図の右側）では広がっているが、コア先端部
（同図の左側）になるほど絞り込まれており、最終的に
は信号記録のトラック幅と略同一となる。幅が絞り込ま
れてトラック幅と同じになる位置を変曲点Ｐとすると、
この変曲点Ｐと前部中間コア１８，２０との後縁とは略
一致している。また、変曲点Ｐから前方の部分では、上
下コア１６，３２，前部中間コア１８，２０がほぼ同一
の面積となっている。

【０００６】更に、同図（Ｂ）の断面からみると、コア
厚みは、媒体対向面から変曲点Ｐに至る寿命寸法（ギャ
ップ深さ）Ｌの範囲では、上下コア１６，３２に前部中
間コア１８，２０を加えた厚みとなっている。同図
（Ｄ）には、他の従来例の断面が示されている。この図
は、前記従来例の前部中間コアから後部中間コアに至る
部分に相当し、基板１０上の下コア１６上には、非磁性
層による磁気ギャップ２６，絶縁層４０，４２が形成さ
れている。絶縁層４２にはコイル２８が形成されてお
り、その上に上コア３２，保護膜４４が形成されてい
る。この従来例の平面図は、同図（Ａ）とほぼ同様であ
る。

【０００７】同図（Ｂ）と（Ｄ）を比較すると、同図
（Ｂ）のものは、薄膜磁気ヘッドの磁気回路が上下のコ
アの他にそれらを接続する中間コアによって構成されて
おり、同図（Ｄ）よりも全体が絶縁層によって平坦に構
成されている。このため、フォトリソグラフィなどの薄
膜技術による各部のパターン形成を良好に行うことがで
き、優れた磁気特性を得ることができる。

【０００８】ところで、このような薄膜磁気ヘッドをＨ
ＤＤ（Hard Disk Drive）に利用する場合には、ディス
クと常に接触しない状態で使用されるため、薄膜磁気ヘ
ッドの先端が磨耗することがない。従って、寿命寸法Ｌ
を、加工精度限界まで短くすることができる。具体的に
は１μｍ程度とすることができる。しかし、ＶＴＲなど
のように、薄膜磁気ヘッドを記録媒体に接触させて使用
する場合、使用による摩耗を考慮すると、先端の寿命寸
法Ｌは５〜１０μｍ，あるいはそれ以上の長さを必要と
する。

【０００９】また、最近の磁気記録システムでは、記録
密度の向上を図るために記録媒体の保磁力Ｈｃが高くな
ってきており、磁気ヘッドにはそれに対応する大きな記
録能力が要求されるに至っている。このためには、磁気
ヘッドのコアに飽和磁束密度Ｂｓの高い材料を使用する
とともに、その磁性材料の能力を最大限に引き出すこと
ができる構造が必要である。

【００１０】しかし、従来の薄膜磁気ヘッドの構造の場
合、記録能力をコアの磁性材料の能力の最大にまで引き
出すためには、上下コアの厚みを寿命寸法以上の厚みと
する必要がある。この理由を、図１１を参照して説明す
る。同図には、上述した従来の薄膜磁気ヘッドの前部分
が拡大して示されている。ここで、同図（Ｂ）に矢印で
示すように、磁束が上コア３２から先端を通って下コア
１６に流れる場合を想定する。

【００１１】上コア３２の磁束は、コアの広い部分（同
図（Ａ）の扇状の部分）から先端の狭い部分に集まり、
変曲点Ｐの部分を通って先端に流れる。そして、トラッ
ク幅Ｔｒの先端部分では、前部中間コア２０，磁気ギャ
ップ２６，前部中間コア１８を通って下コア１６に流
れ、更に下コア１６の後部へと戻る。このとき、先端の
磁気ギャップ２６で漏れる磁束によって媒体（図示せ
ず）に信号が記録される。

【００１２】このような薄膜磁気ヘッドにおける最大の
記録能力は、磁気ギャップ２６を挟んでトラックを形成
する変曲点Ｐより先端のコアの部分に、磁性体の飽和磁
束密度Ｂｓまで磁束を流したときである。このときの磁
束の量は、トラック幅Ｔｒ，寿命寸法Ｌに対し、Ｔｒ×Ｌ×Ｂｓ ……………………………………………………（１）となる。

【００１３】一方、変曲点Ｐの部分を流れる磁気飽和が
生じない最大磁束は、上下コア１６，３２の厚みをｔと
すると、Ｔｒ×ｔ×Ｂｓ ……………………………………………………（２）である。

【００１４】磁気飽和が生じないようにするためには、
両式が一致するはずである。従って、上下コア厚みｔが
寿命寸法Ｌより短い場合、（１）式＞（２）式となっ
て、変曲点Ｐの部分で磁気飽和が生ずることになる。こ
のため、磁気ギャップ２６の部分には、最大能力の磁束
密度が供給されなくなる。この場合の供給量は、飽和磁
束密度Ｂｓのｔ／Ｌとなる。よって、上下コア厚みｔを
寿命寸法Ｌよりも大きくしなければ、磁性体の最大能力
に相当する記録能力を引き出すことはできない。このよ
うな理由から、上下コア厚みｔとしては、５〜１０μｍ
以上が必要となる。

【００１５】しかし、５μｍ以上のコア厚みｔを形成す
ることには、多くの問題がある。まず、加工上の問題が
ある。上下コア１６，３２は、スパッタリングなどで成
膜した磁性膜をエッチング加工したり、あるいはフレー
ムメッキといった工程で形成されるが、コア厚みｔが大
きくなると形状の精度が悪くなる。また、磁気記録のト
ラック幅Ｔｒは、記録密度の向上に伴って１０μｍ前後
から数μｍと狭くなる傾向になり、このような狭トラッ
クのコアを形成することは、コア厚みｔが大きいもので
は困難であり、生産性も極端に悪化する。

【００１６】更に、磁気コアは、通常金属磁性体を使用
するため渦電流損失がある。最近のＶＴＲなどでは、性
能向上のため使用する周波数も５ＭＨｚから１０ＭＨｚ
以上となっており、特にディジタルＶＴＲやＨＤＴＶで
は２０ＭＨｚ以上の周波数を使用する。このため、コア
厚みｔを大きくすることによって渦電流損失も多くな
り、実用的に支障を来すことになる。

【００１７】このような不都合を改善するため、特願平
５−１２７８２１号として出願されたものがある。図１
２には、この先行技術の薄膜磁気ヘッドが示されてお
り、同図（Ａ）は断面，（Ｂ）はコア部分の斜視図であ
る。また、同図（Ｃ）は本技術と前記従来例のコア部分
平面を比較したものである。これらの図に示すように、
この先行技術では、磁気ギャップ２６を挟んで形成され
ている前部中間コア１８，２０は、その後縁が寿命寸法
Ｌ＝０の略変曲点Ｐより後側に延長されている。他の構
成部分は前記従来例と同様である。

【００１８】この先行技術によれば、前部中間コア１
８，２０の後部とトラックを形成する先端との繋ぎ目部
分での磁気飽和は改善される。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
先行技術においては、後部に延長した前部中間コア１
８，２０の間隔が、ヘッド先端の磁気ギャップ２６と同
じ厚みとなっている。このため、かかる隙間部分で漏れ
磁束が生じ、先端の磁気ギャップ２６に供給される磁束
の量が減少することになる。また、この漏れ磁束を低減
するために前部中間コア１８，２０の延長部分を短くす
ると、今度は磁気飽和の恐れが生ずる。

【００２０】本発明は、これらの点に着目したもので、
前記先行技術を更に改良して、磁気飽和や漏れ磁束の発
生を良好に低減するとともに、磁性材料の能力を最大限
に引き出して効率的な磁気記録，再生を行うことができ
る薄膜磁気ヘッドを提供することを、その目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、上コア，下コア，前部中間コア，後部中
間コアによって磁気回路が平坦に構成されており、前記
前部中間コア間には磁気ギャップが形成され、前記上コ
ア，前記下コアの前記前部中間コアに接する第１の部分
の幅はトラック幅と略同一であり、前記上コア，前記下
コアの前記前部中間コアに接しない第２の部分の幅は前
記トラック幅より大であり、前記上コア，前記下コアの
前記第１の部分は前記中間コアの後縁となる略変曲点を
介して前記第２の部分に連続している薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記前部中間コアの後縁を上コア又は、下コア
の略変曲点よりも前記後部中間コア側に延長するととも
に、前記前部中間コアの延長部分に磁気ギャップよりも
厚い、非磁性体からなるスペーサを形成したことを特徴
とする。

【００２２】他の発明によれば、前記薄膜磁気ヘッドに
おいて、トラック幅Ｔｒ，上下一方のコア厚みｔｕ，一
方の中間コア厚みｔｍ，一方の中間コアに相当するスペ
ーサ厚みｔｓに対して、中間コアの延長部分の概略の長
さＬｂは、Ｌｂ≧Ｔｒ／２−０．２ｔｕ²／（ｔｍ−ｔｓ）＋ｔｕに設定される。

【００２３】

【作用】本発明によれば、２層の前部中間コアの後縁
は、上下コアの変曲点より後側に延長される。これによ
って、変曲点付近における磁気飽和が防止される。ま
た、延長された２層の中間コアの間に、先端の磁気ギャ
ップより厚い非磁性体によるスペーサが形成される。こ
れによって、中間コアの延長部分における磁束の漏れが
低減される。これらにより、寿命寸法が長くても、十分
な記録能力が得られるようになる。また、他の発明によ
れば、延長部分の長さを規定することで、磁気飽和が防
止されるとともに、材料の性能を最大限に引き出すこと
ができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施
例について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１には、本実施例にかかる薄膜磁気ヘッドの主要部が
示されている。同図中、（Ａ）は断面図，（Ｂ）はコア
部分の平面図である。これらの図に示すように、磁気ギ
ャップ７０を挟んで形成されている前部中間コア５６，
７２はその後端が寿命寸法０の位置即ち変曲点Ｐより後
側に延長され、その延長された部分の中間コア間に非磁
性材料によるスペーサ６５が形成されている。そして、
前部中間コア５６，７２の延長部分の長さは、後述する
条件を満たすように設定されている。

【００２５】なお、スペーサは、同図（Ｃ）に６６で示
すように、前部中間コア５６のみに設けてもよいし、逆
に、前部中間コア７２のみに設けてもよい（図示せ
ず）。このように一方の中間コアのみに設けるようにす
れば、後述するように製造工程を簡略化することができ
る。いずれにしても、技術的効果は同図（Ａ）のものと
同様である。

【００２６】次に、図２〜図６を参照しながら、前記従
来例の製造方法の例を説明する。まず、基板５０上に絶
縁層５２，下コア５４を所定の厚みに形成し、表面を平
坦化する（図２（Ａ）参照）。この工程を具体的に示す
と、図４（Ａ）〜（Ｄ），あるいは同図（Ｘ）〜（Ｚ）
のようになる。

【００２７】第１番目の方法から説明すると、基板５０
上に軟磁性膜５３を形成するとともに（図４（Ａ）参
照）、これをエッチングなどによりコア形状のパターン
の下コア５４とする（図４（Ｂ）参照）。次に、下コア
５４を含む基板５０の主面上に絶縁膜５１を所定の厚み
に形成し（図４（Ｃ）参照）、コアパターン５４上に堆
積した絶縁膜５１を研磨により除去して表面を平坦化す
る（図４（Ｄ）参照）。これによって、絶縁膜５２と下
コア５４を得る。

【００２８】次に、第２番目の方法について説明する
と、基板５０上に絶縁膜５１を形成するとともに（図４
（Ｘ）参照）、これにコア形状の溝５５を形成する（図
４（Ｙ）参照）。そして、この溝５５を含む基板５０の
主面上に軟磁性膜５３を形成するとともに（図４（Ｚ）
参照）、絶縁膜５２上に堆積した軟磁性膜５３を研磨に
より除去して表面を平坦化する（図４（Ｄ）参照）。こ
れによって、溝５５中に残った軟磁性膜５３を下コア５
４とする。

【００２９】次に、図２に戻って、絶縁膜５２，下コア
５４の上に、前記図４と同様の方法で前部中間コア５
６，後部中間コア５８，絶縁膜６０をそれぞれ形成する
（図２（Ｂ）参照）。そして、前部中間コア５６及び絶
縁膜６０の境界表面に、非磁性層を埋め込み形成するた
めの溝６２をエッチングにより形成する（図２（Ｃ）参
照）。更に、絶縁膜６０に、コイルを埋め込み形成する
ための多数の溝６４をエッチングにより形成する（同図
（Ｄ）参照）。以上のようにして形成した溝６２，６４
に、Ｃｕなどの金属材料を埋め込むとともに、主面を平
坦となるように研磨除去し、非磁性体によるスペーサ６
６及びコイル６８を形成する（同図（Ｅ）参照）。

【００３０】次に、基板５０の主面上であって、後部中
間コアの形成領域を除いた部分に絶縁材料によるギャッ
プ材７０を所定の厚さだけ形成する（図２（Ｆ）参
照）。また、図２（Ｂ）と同様の方法で、前部中間コア
７２，後部中間コア７４，及び絶縁膜７６を主面上にそ
れぞれ形成する（図３（Ｇ）参照）。そして、図２
（Ｄ），（Ｅ）と同様の方法で、２層目のコイル７８を
形成する（図３（Ｈ）参照）。

【００３１】次に、前部中間コア７２と後部中間コア７
４の形成領域を除いた部分に絶縁膜８０を所定の厚さ形
成するとともに、図２（Ａ）と同様の方法で上コア８２
を形成する（図３（Ｉ）参照）。また、絶縁膜８０にコ
イル７８に接続するリード線８４を形成する（図３
（Ｊ）参照）。そして、基板上に多数形成された各磁気
ヘッド素子のチップを切断し、所定のギャップ深さ（寿
命寸法）となるように研磨などの方法で媒体対向面を加
工して、図１（Ｃ）に示す本実施例の薄膜磁気ヘッドが
得られる。

【００３２】なお、図１（Ａ）の薄膜磁気ヘッドを得る
場合は、図２（Ｆ）の工程の次に、図５に示すスペーサ
６７を形成する工程を行うようにすればよい。このスペ
ーサ６７と図２（Ｅ）で形成したスペーサ６６によって
図１（Ａ）のスペーサ６５が得られる。スペーサ６７
は、例えば図４（Ａ），（Ｂ）に示した工程で製造でき
る。

【００３３】次に、図６を参照しながら、他の製造方法
について説明する。上述した製造方法の例では、スペー
サ６６としてコイル６８と同一の材料を用いたが、この
例では異なる材料，例えば非磁性絶縁材料を用いてスペ
ーサ９０が形成される。

【００３４】上述した図２（Ｃ）の工程までは前記製造
方法の工程と同様である。そしてその次に、溝６２を含
む基板５０の主面上に、例えばＳｉＯ₂などの非磁性絶
縁材料の膜を形成し、更に不要部分を研磨除去して平坦
に形成する（図６（Ａ）参照）。このようにしてスペー
サ９０を埋め込み形成した後、コイルを埋め込み形成す
るための多数の溝９２を、絶縁膜６０にエッチングによ
り形成する（同図（Ｂ）参照）。そして、これらの溝９
２に、Ｃｕなどのコイル材料を埋め込むとともに、主面
を平坦となるように研磨除去し、コイル６８を形成する
（同図（Ｃ）参照）。以後、図２（Ｆ）の工程に続く。

【００３５】次に、前記図１の他に図７〜図９を参照し
ながら、前記実施例の作用について説明する。コイル６
８，７８に対する通電によって生ずる磁束は、ヘッド後
部からヘッド先端の方に流れる。このとき、図１（Ａ）
に示すように、磁束の一部αが、変曲点Ｐよりも前の位
置で前部中間コア７２の延長部分に流れ込み、その後ヘ
ッド先端に導かれる。残りの磁束βは、従来通り、上コ
ア８２中を先端方向に流れ、その後前部中間コア７２か
ら磁気ギャップ７０へと流れる。

【００３６】このように、上述した従来技術では変曲点
Ｐの部分で磁気飽和していたものが、本実施例によれ
ば、変曲点Ｐ付近における断面積が増大したことにより
磁気飽和が低減されるようになる。具体的には、前部中
間コア５６，７２の厚みからスペーサ６５の厚み相当を
差し引いた分だけ断面積が増大しており、その分多くの
磁束を通すことができる。

【００３７】また、本実施例では、スペーサ６５（又は
６６）が形成されているため、変曲点Ｐの部分より後方
において前部中間コア５６，７２の間隔が大きくなって
いる。このため、前部中間コア５６，７２の延長部分に
おける漏れ磁束が良好に低減されてほとんどなくなり、
効率の低下が防止される。

【００３８】具体的な寸法について説明すると、例え
ば、各コア５４，５６，７２，８２の厚みがいずれも５
μｍであるとし、磁気ギャップ７０が０．２μｍ，スペ
ーサ６５の厚みが２μｍであるとする。このような寸法
の場合、ヘッド先端に流れる磁束は、従来と比較して、（上コアの厚み＋中間コアの延長部分の厚み）／上コアの厚み＝｛５＋（５−２）｝／５＝８／５＝１．６ ………（３）となり、６０％ほど多くすることができる。すなわち、
前記（１），（２）式を参照すれば明らかなように、寿
命寸法Ｌが８μｍ以内であればコア部分の磁性材料の能
力の最大の記録能力を得ることができる。また、スペー
サ６５の間隔は磁気ギャップ７０の１０倍もあるため、
このスペーサ部分における漏れ磁束の程度は直ギャップ
部分に対して１／１０に減少する。

【００３９】このように、本実施例の薄膜磁気ヘッドに
よれば、記録や再生の効率を落とすことなく、長い寿命
寸法でも充分な記録能力を得ることが可能となる。次
に、前部中間コア５６，７２の延長部分の適切な長さに
ついて検討する。図７には、前記実施例における前部中
間コア７２と上コア８２の部分が拡大して示されてい
る。同図においては、以下の説明の理解を容易にするた
め、スペーサ６５のヘッド先端側部分がテーパ状ではな
く垂直状としている。同図において、前部中間コア７２
の延長部分７２Ａの長さＬｂがある程度以下であると、
上コア８２であって中間コア７２の延長部分７２Ａ上部
に位置する部分，つまり磁束が上コア８２からヘッド先
端部分に流れ込もうとする磁束流入領域ＥＣで、再び磁
気飽和が発生する恐れがある。

【００４０】逆に、中間コア７２の延長部分７２Ａがあ
まり長いと、二層の前部中間コア５６，７２間のスペー
サ６５の部分で漏れる磁束も多くなるとともに、コイル
６８，７８とコア先端との距離も長くなって効率が低下
するようになる。このような理由から、中間コア７２の
延長部分７２Ａとしては、上コア８２の磁束流入領域Ｅ
Ｃにおける磁気飽和が起こらない程度であって、かつ、
ヘッド先端まで最短となる長さが最適ということにな
る。なお、これらの点は、下コア５４と前部中間コア５
６との関係においても同様であるので、以下、上コア８
２と前部中間コア７２を代表して説明することとする。

【００４１】次に、図８，図９を参照しながら、中間コ
ア７２の延長部分７２Ａの長さＬｂの最適値を求めるた
め、上コア８２の磁束流入領域ＥＣに流れ込む磁束につ
いて考察する。図８には、前記磁束流入領域ＥＣの部分
が抜き出して示されている。また、図９には、磁束流入
領域ＥＣの側面が示されている。

【００４２】ヘッド後部からヘッド先端側に流入する磁
束は、必ずこの磁束流入領域ＥＣの部分を通る。まず、
同領域ＥＣの後側のＣ１面に流れ込む磁束について検討
する。Ｃ１面の下に位置する中間コア７２の延長部分７
２Ａの厚みは、中間コア７２の厚みｔｍからスペーサ６
５の厚みの半分であるｔｓを引いたｔｍ−ｔｓとなる。
そこで、Ｃ１面のｔｍ−ｔｓの部分［ａｂｃｄ］から流
入した磁束が［ａｄｅｆ］の部分を通って中間コア７２
に直接流れ込むものとする（図９，矢印ＦＡ参照）。

【００４３】次に、磁束流入領域ＥＣのＣ１面の残りの
上の部分［ｂｇｈｃ］に流れ込む磁束は、この［ｂｇｈ
ｃ］の面積をそのままＣ３面に移動した領域を通って、
Ｃ３面の［ｉｊｋｌ］から上コア８２の先端に流れ込む
ものとする（図９，矢印ＦＢ参照）。なお、［ｉｊｋ
ｌ］の厚みは、上コア８２の厚みをｔｕとすると、ｔｕ
−（ｔｍ−ｔｓ）となる。

【００４４】すると、Ｃ３面の残りの上の部分［ｉｊｎ
ｍ］から流出する磁束は、Ｃ２，Ｃ４面から流入する磁
束であるということになる。Ｃ２，Ｃ４面においては，
上述したＣ１面から流入した磁束が通る部分［ｇｐｊｋ
ｆａｂ］，［ｈｏｉｌｅｄｃ］からは磁束が流れ込めな
いため、残りの［ｎｊｐｇ］，［ｍｉｏｈ］の部分から
磁束が流入することになる（図９，矢印ＦＣ参照）。こ
こで、磁束の流出面積よりも流入面積の方が大きけれ
ば、この磁束流入領域ＥＣにおける磁気飽和が防止され
る。すなわち、Ｃ３面の残りの上の部分［ｉｊｎｍ］の
１／２の面積よりも、残りの側面［ｎｊｐｇ］，［ｍｉ
ｏｈ］の面積の方が大きければよい。

【００４５】次に、この面積の関係を図９を参照して求
める。同図において、１／４円ａｇｓの面積は、上コア
厚みｔｕに対し、ｔｕ²・π／４である。［ｇｑｒｐ］
の面積は、［ｒｐｓ］の面積が小さいのでこの部分を無
視すると、ｔｕ²−ｔｕ²・π／４＝０．２ｔｕ²とな
る。線分ｎｑはＬｂ−ｔｕ，線分ｎｊはｔｍ−ｔｓであ
る。このため、［ｎｊｐｇ］の面積Ｓ１は、Ｓ１＝（Ｌｂ−ｔｕ）（ｔｍ−ｔｓ）＋０．２ｔｕ² ………………（４）

【００４６】この面積Ｓ１が図８における上コア先端上
部の［ｉｊｎｍ］の面積の１／２より大きければ、磁束
流入領域ＥＣの部分における磁気飽和は生じない。先端
の［ｉｊｎｍ］の面積はＴｒ・（ｔｍ−ｔｓ）であるの
で、Ｔｒ・（ｔｍ−ｔｓ）／２≦Ｓ１＝（Ｌｂ−ｔｕ）（ｔｍ−ｔｓ）＋０．２ｔｕ² ………………（５）となる。

【００４７】この条件から磁気飽和が生じない中間コア
７２の延長部分７２Ａの長さＬｂを求めると、Ｌｂ≧Ｔｒ／２−０．２ｔｕ²／（ｔｍ−ｔｓ）＋ｔｕ ……………（６）となる。従って、最短寸法としては、Ｌｂ＝Ｔｒ／２−０．２ｔｕ²／（ｔｍ−ｔｓ）＋ｔｕ ……………（７）となる。

【００４８】これが、最適で効率よく最大の磁束をヘッ
ド先端に流すことができる中間コア７２の延長部分７２
Ａの寸法である。上述した具体的な寸法条件でこの長さ
を導くと、トラック幅Ｔｒ＝１４μｍの場合、Ｌｂ≒１
０μｍとなる。

【００４９】＜他の実施例＞なお、本発明は、何ら上記
実施例に限定されるものではなく、例えば次のようなも
のも含まれる。（１）前記実施例ではコイルが２段に巻回されている
が、例えば１段とするなど必要に応じて適宜変更してよ
い。前記実施例に示した形状，寸法なども一例であり、
必要に応じて適宜変更してよい。（２）本発明は、ＶＴＲの磁気ヘッドが好適な例である
が、媒体と接触するような場合であれば、ＤＡＴ，ＦＤ
Ｄなど各種のものに適用可能である。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による薄膜
磁気ヘッドによれば、次のような効果がある。（１）前部中間コアを後方に延長するとともに、延長部
分に磁気ギャップよりも厚みのあるスペーサを形成する
こととしたので、磁気飽和や漏れ磁束の発生を良好に低
減することができる。（２）中間コアの延長部分の長さを最適値に規定するこ
ととしたので、磁性材料の能力を最大限に引き出して効
率的な磁気記録，再生を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例の主要部
を示す構成図である。

【図２】前記実施例の製造プロセスを示す説明図であ
る。

【図３】前記実施例の製造プロセスを示す説明図であ
る。

【図４】前記実施例の製造プロセスの一部を詳細に示す
説明図である。

【図５】前記実施例の他の製造プロセスの主要工程を示
す説明図である。

【図６】前記実施例の他の製造プロセスの主要工程を示
す説明図である。

【図７】前記実施例の磁束流入領域を示す説明図であ
る。

【図８】前記磁束流入領域の作用を示す説明図である。

【図９】前記磁束流入領域の側面を示す説明図である。

【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す説明図で
ある。

【図１１】前記従来技術の作用を示す説明図である。

【図１２】前記従来技術を改良した先行技術を示す説明
図である。

【符号の説明】

５０…基板５４…下コア５６，７２…前部中間コア５８，７４…後部中間コア６５，６６，６７，９０…スペーサ６８，７８…コイル７０…磁気ギャップ７２Ａ…延長部分８２…上コアＥＣ…磁束流入領域Ｌ…寿命寸法Ｌｂ…延長部分の長さｔｍ…中間コア厚みｔｓ…スペーサ厚みｔｕ…上コア厚みＰ…変曲点

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】上コア，下コア，前部中間コア，後部中
間コアによって磁気回路が平坦に構成されており、前記
前部中間コア間には磁気ギャップが形成され、前記上コ
ア，前記下コアの前記前部中間コアに接する第１の部分
の幅はトラック幅と略同一であり、前記上コア，前記下
コアの前記前部中間コアに接しない第２の部分の幅は前
記トラック幅より大であり、前記上コア，前記下コアの
前記第１の部分は前記中間コアの後縁となる略変曲点を
介して前記第２の部分に連続している薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記前部中間コアの後縁を上コア又は、下コアの略変曲
点よりも前記後部中間コア側に延長するとともに、前記
前部中間コアの延長部分に磁気ギャップよりも厚い、非
磁性体からなるスペーサを形成したことを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。
【請求項２】請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、トラック幅Ｔｒ，上下コアの一方の厚みｔｕ，一方
の中間コア厚みｔｍ，一方の中間コアに相当するスペー
サ厚みｔｓに対して、中間コアの延長部分の概略の長さ
Ｌｂを、Ｌｂ≧Ｔｒ／２−０．２ｔｕ^２／（ｔｍ−ｔｓ）＋ｔｕとしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。