JP2754972B2 - Icの低温ハンドリング装置 - Google Patents

Icの低温ハンドリング装置

Info

Publication number
JP2754972B2
JP2754972B2 JP3234069A JP23406991A JP2754972B2 JP 2754972 B2 JP2754972 B2 JP 2754972B2 JP 3234069 A JP3234069 A JP 3234069A JP 23406991 A JP23406991 A JP 23406991A JP 2754972 B2 JP2754972 B2 JP 2754972B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitrogen gas
temperature
thermostat
low
entrance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3234069A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0552904A (ja
Inventor
昭人 田邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP3234069A priority Critical patent/JP2754972B2/ja
Publication of JPH0552904A publication Critical patent/JPH0552904A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2754972B2 publication Critical patent/JP2754972B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、IC(集積回路)の低
温選別工程において、自動的にICの電気的測定を行う
ためのICテストシステムに関し、特に、低温測定を行
うICのハンドリング装置(以下、低温ハンドラと称
す)に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の低温ハンドラにおいて
は、恒温槽出入口の着霜を防ぐために、恒温槽出入口の
恒温槽内側に物理的シャッターを、恒温槽出入口の中間
位置に窒素ガスシャッターをそれぞれ設置し、更に恒温
槽出入口の中間位置から外側にかけてヒータを敷設する
ことで対応していた。
【0003】また、恒温槽内の着霜については、先に挙
げた物理的シャッターをICの供給・収納時には開く必
要があり、このときに外気が恒温槽内に流入すると問題
となるが、これに対しては、先の窒素ガスシャッターと
恒温槽内の圧力を外気より高くすることで対応してい
た。
【0004】次に、従来例の低温ハンドラを図10の概
略平面図により説明する。まず、供給部ローダ1にIC
の入ったトレー2が収納され、供給・収納トランスファ
5に取付けられたハンド部7のチャッキング部6によ
り、ICを1個チャッキングし供給・収納ステージ8ま
で搬送し、そこに置く。
【0005】一方、供給部ローダ1の一番上のトレー2
が空となると、供給・収納トランスファ5のチャッキン
グ部6によりチャッキングし、空トレー待機部ローダ・
アンローダ3まで搬送し、そこに収納する。
【0006】次に、恒温槽トランスファ9に取付けられ
たハンド部11のチャッキング部10により供給・収納
ステージ8にあるICをチャッキングし、恒温槽出入口
12を遮断している恒温槽出入口シャッター13を開い
た後、先にチャッキングしたICをターンテーブル15
まで搬送し、そこに置く。
【0007】この後、中継ステージ22に測定済のIC
がある場合、恒温槽トランスファ9のチャッキング部1
0により、そこにあるICを吸着し、供給・収納ステー
ジ8まで搬送し、そこに置く。恒温槽トランスファ9の
ハンド部11が恒温槽41外に待避すると、恒温槽出入
口シャッター13が恒温槽出入口12を再び遮断する。
【0008】ここで、恒温槽出入口12の着霜対策の説
明を行うと、恒温槽出入口12の内側に設けた物理的シ
ャッター13と恒温槽出入口12の中間位置に設けた窒
素ガス(露点温度が−60℃以下であれば、乾燥空気で
代用する場合もある)供給口29a,29bより供給さ
れる窒素ガスによる窒素ガスシャッターにより恒温槽4
1内の冷気と外気とを分離すると共に、恒温槽出入口1
2の中間位置から外側にかけて設けたヒータ14a,1
4bによる加熱によって、恒温槽出入口12の着霜を防
止している。
【0009】次に、ターンテーブル15に置かれたIC
は、冷却されながら、図示されていない駆動機構によ
り、インデックス送りされ、元の位置まで戻ってくる。
尚、ICは、テーンテーブル15上を一周する間に所定
の温度まで冷却される。
【0010】一方、外部より供給される液体窒素を液体
窒素供給口27より恒温槽41内に取り入れ、液体窒素
が気化するときの気化熱を利用し、恒温槽41内のエア
を冷却し、これを撹拌用ファン30により撹拌し、恒温
槽41内を均一に冷却する構造となっている。また、窒
素ガス供給口28より恒温槽41内に窒素ガスを取り入
れ、恒温槽41内の圧力を外気より高くなるようにし
て、恒温槽出入口シャッター13が開かれたとき、恒温
槽41内に外気が流入しない構造にし、恒温槽41内の
着霜防止も行っている。
【0011】次に、測定部トランスファ16に取付けら
れたハンド部18のチャッキング部17によりターンテ
ーブル15にあるICをチャッキングし、ICソケット
(測定部)21まで搬送し、そこに置く。コンタクト機
構19に取付けられたプッシャー部20により、ICソ
ケット21上のICとICソケット21(ICソケット
21は、図示されていない測定器と電気的に接続されて
いる)との接触を取り、この状態で、図示されていない
測定器によりICの電気的測定を行う。
【0012】測定が終了すると、プッシャー部20が上
昇し、測定部トランスファ16のチャッキング部17に
より、ICソケット21上の測定済のICをチャッキン
グし、中継ステージ22まで搬送し、そこに置く。それ
から、測定部トランスファ16は再び、ターンテーブル
15上のICをチャッキングし、ICソケット21まで
搬送し、そこに置く。
【0013】中継ステージ22に置かれたICは、恒温
槽トランスファ9のチャッキング部10が供給・収納ス
テージ8上のICをターンテーブル15にセットした後
で、中継ステージ22上にあるICをチャッキングし、
供給・収納ステージ8まで搬送し、そこに置く。
【0014】次に、供給・収納ステージ8に置かれたI
Cは、供給・収納トランスファ5のチャッキング部6に
よりチャッキングされ、測定結果に基づき、良品収納部
アンローダ23上のトレー24又は不良品収納部アンロ
ーダ25上のトレー26に分類収納される。
【0015】一方、良品収納部アンローダ23の一番上
のトレー24、又は不良品収納部アンローダ25の一番
上のトレーが満杯となると、供給・収納トランスファ5
のチャッキング部6により、空トレー待機部ローダ・ア
ンローダ3の一番上の空トレー4をチャッキングし満杯
となったアンローダ部に空トレーをセットする。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の低温ハ
ンドラで、恒温槽出入口及び恒温槽内の着霜を完全に防
止するためには、高圧力で、かつ多量の窒素ガスが必要
である。
【0017】これに対応すると、ICの低温測定時に多
量の窒素ガスが消費されると共に、恒温槽内に多量の窒
素ガスが供給されるので、これを冷却するために多量の
液体窒素も必要となり、ICの選別コストが極めて高い
ものになるという欠点がある。
【0018】また、恒温槽内へのICの供給・収納時に
は、恒温槽出入口の物理的シャッターを開く必要があ
り、このとき、多量の冷気が恒温槽出入口より排出さ
れ、ICのローダ部,アンローダ部にこの冷気が及び、
水滴等の付着が発生し、ローダ部,アンローダ部の動作
異常を引き起こしたり、ICの外観不良を引き起こした
りするという欠点もある。
【0019】一方、高圧力で、かつ多量の窒素ガスを使
用できない場合(一般には、この条件で使用されてい
る)には、恒温槽出入口が外気の影響を受け、物理的シ
ャッターが着霜により正常に動作しなくなったり、恒温
槽出入口の物理的シャッターが開いているときに外気が
恒温槽内に及び、恒温槽内に着霜が発生し測定不能にな
ったりして、長時間の使用が不可能(−55℃の低温測
定においては、連続運転で6時間が限度である)とな
り、実際の低温測定においては、恒温槽内の乾燥(恒温
槽内を一旦高温状態にして乾燥させる)が定期的に必要
となり、ロス時間が発生し、低温測定での稼働率が悪く
なり、ひいては生産性が落ちるという欠点があった。
【0020】本発明の目的は、前記課題を解決したIC
の低温ハンドリング装置を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るICの低温ハンドリング装置において
は、恒温槽内への製品の供給・収納を行う恒温槽出入口
を遮断するシャッター機構をもつICの低温ハンドリン
グ装置であって、前記恒温槽出入口を遮断する恒温槽の
内側に設けた第1のシャッター機構と、前記恒温槽出入
口を遮断する恒温槽の外側に設けた第2のシャッター機
構と、恒温槽内への製品の供給・収納を行うハンド部に
設けた前記出入口を遮断可能な遮断ブロックと、前記恒
温槽出入口に接続して設け該出入口の断面形状と同一の
中空をもつ中空ブロックと、第1のシャッター機構と第
2のシャッター機構と恒温槽出入口とにより形成される
第1の閉空間に対する窒素ガス供給機能及び窒素ガス排
出機能をもつ手段と、第2のシャッター機構と前記ハン
ド部の遮断ブロックと前記中空ブロックとにより形成さ
れる第2の閉空間に対する窒素ガス供給機能及び窒素ガ
ス排出機能をもつ手段と、恒温槽内の圧力を一定に保つ
機能をもつ手段とを有するものである。
【0022】また、前記第1の閉空間に対する窒素ガス
供給機能をもつ手段は、供給する窒素ガスを高温窒素ガ
スと低温窒素ガスとに切換え可能な機能を有するもので
ある。
【0023】また、第1のシャッター機構と第2のシャ
ッター機構との開閉動作を、第1の閉空間と第2の閉空
間をそれぞれ形成するときの恒温槽内への製品の供給・
収納を行うハンド部の停止位置の検出機能により行うも
のである。
【0024】
【作用】本発明では、恒温槽と外部とが常に遮断される
構造とし、恒温槽内への製品・収納時における恒温槽内
への外気の流入及び恒温槽内から冷気が外部に直接排出
されることがない構造としたものである。
【0025】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面により説明す
る。
【0026】(実施例1)図1は、本発明の実施例1の
概略平面図である。
【0027】図において、本実施例では、従来の低温ハ
ンドラに対して異なる点は、恒温槽出入口12の物理的
シャッターを恒温槽出入口12の内側だけでなく、外側
にも設けた点、恒温槽トランスファ9のハンド部11に
恒温槽出入口12を遮断できる遮断ブロック11aを設
けた点、恒温槽出入口12に接続して恒温槽出入口12
の断面形状と同一の中空を持つ中空ブロック42を設け
た点、恒温槽出入口12に対する窒素ガスの供給を低温
窒素ガス(冷却ユニット31より得る)と高温窒素ガス
(加熱ユニット32より得る)とに切換える電磁弁34
を設けた点、中空ブロック42内に対する窒素ガス供給
口29aを設けた点、恒温槽出入口12内又は中空ブロ
ック11a内に閉空間が形成されたときに閉空間内が所
定圧力以上となると外部に対してリークできるリーク弁
を設けた点及び恒温槽41内を一定圧力に保つ圧力調整
ユニットを設けた点にある。
【0028】図2は、図1中の恒温槽41内に設けた冷
却ユニット31内の概略図を示し、配管61a,61b
がスパイラル状に設けられており、外部より供給される
窒素ガスをこの中に流すことにより、低温の窒素ガスを
得ることができる。
【0029】また、冷却ユニット31内には2本の配管
61a,61bがあるが、この内の右側の1本が恒温槽
出入口12内に対する低温窒素ガスの供給用配管61
b、左側の1本が恒温槽41内の圧力を高めるための低
温窒素ガス供給用配管61aである。
【0030】恒温槽41内に供給する窒素ガスを低温と
するのは、外部より供給する窒素ガスによって、恒温槽
41内の温度が上がり、恒温槽41内に対する液体窒素
の供給量が増えるのを防ぐためである。
【0031】図3は、図1中の恒温槽41外に設けた加
熱ユニット32内の概略図を示し、配管62がスパイラ
ル状に設けられており、この配管62の表面を面ヒータ
63が覆い、加熱を行っている。
【0032】加熱ユニット32に対して外部より窒素ガ
スを供給すると、高温窒素ガスを得ることができ、これ
を恒温槽出入口12内に対する高温窒素ガス供給用に用
いる。
【0033】図4は、図1中の圧力調整ユニット33の
概略図を示し、恒温槽41内の圧力を検出する圧力メー
タ64、恒温槽41内の圧力が所定以上となると、外部
に対してリークするリーク弁65、リークした冷気をス
パイラル配管66(配管の表面を面ヒータ67で覆うこ
とにより、冷気を室温に戻してから外部へ排出する[排
出部が着霜しないようにするため])。このユニット3
3内で冷気が流れる配管類は着霜対策として断熱剤68
で覆われている。
【0034】図5は、図1中のリーク弁35,36を示
し、恒温槽出入口12内と中空ブロック42内の圧力が
閉空間を形成したときに所定圧力以上になると、外部に
対してリークできるリーク弁69を内蔵している。
【0035】そして、恒温槽出入口12用に使用するも
のには、リーク弁69の周りをヒータブロック70が覆
い、恒温槽出入口12内より冷気が排出される場合、室
温に戻してから外部へ排出する(排出部が着霜しないよ
うにするため)。
【0036】図6は、恒温槽出入口12の周り及び恒温
槽41内の圧力を一定に保つ制御ブロック図である。
【0037】図7は、恒温槽出入口12の周りを示し、
恒温槽トランスファ9が、恒温槽出入口シャッター13
bと中空ブロック42と恒温槽トランスファ9ハンド部
11の遮断ブロック11aとで閉空間を形成したときの
停止位置を示し(図6において、恒温槽トランスファ9
の停止位置検出センサー72bがONされる)、図8は
恒温槽トランスファ9が、恒温槽出入口シャッター13
aと恒温槽出入口12と恒温槽トランスファ9のハンド
部11の遮断ブロック11aとで閉空間を形成したとき
の停止位置を示す(図6において、恒温槽トランスファ
9の停止位置検出センサー72aがONされる)。
【0038】次に、本低温のハンドラの動作説明を行
う。まず、供給部ローダ1にICの入ったトレー2が収
納され、供給・収納トランスファ5に取付けられたハン
ド部7のチャッキング部6により、ICを1個チャッキ
ングし、供給・収納ステージ8まで搬送し、そこに置
く。
【0039】一方、供給部ローダ1の一番上のトレー2
が空になると、供給・収納トランスファ5のチャッキン
グ部6によりチャッキングし、空トレー待機部ローダ・
アンローダ3まで搬送し、そこに収納する。
【0040】次に、恒温槽トランスファ9に取付けられ
たハンド部11のチャッキング部10により供給・収納
ステージ8にあるICをチャッキングし、図7に示す位
置まで恒温槽トランスファ9が移動する。
【0041】このとき、中空ブロック42内に閉空間が
形成されると共に、恒温槽トランスファ9の停止位置検
出センサー72bがONされ、これにより窒素ガスON
/OFF電磁弁74がONされ、窒素ガス供給口29a
より、窒素ガスが中空ブロック42内の閉空間に対して
供給され、この閉空間内を窒素ガスに置き換えると共に
IC100の乾燥も併せて行う。
【0042】そして、この閉空間内の湿度検出センサー
78が所定湿度を検出すると、窒素ガスの供給が停止さ
れ、次いで、シャッター駆動用シリンダー用電磁弁73
bがONすることにより、恒温槽出入口シャッター13
bが開かれる。
【0043】次に、恒温槽トランスファ9は、図8に示
す位置まで移動する。このとき、恒温槽出入口12内に
閉空間が形成されると共に、恒温槽トランスファ9の停
止位置検出センサー72aがONされ、これにより高温
/低温窒素ガス切換え電磁弁34がONされ、冷却ユニ
ット31より供給される低温窒素ガスを恒温槽出入口1
2内の閉空間に対して供給され、この閉空間内を低窒素
ガスに置き換える。
【0044】そして、この閉空間内の温度検出センサー
の検出温度及び湿度検出センサーの検出湿度が所定温度
及び湿度に達すると、低温窒素ガスの供給が停止され、
シャッター駆動用シリンダー用電磁弁73aがONする
ことにより、恒温槽出入口シャッター13aが開かれる
(恒温槽出入口シャッター13aが開かれている間は、
常に恒温槽出入口12が恒温槽トランスファ9のハンド
部11の遮断ブロック11aにより遮断されている)。
【0045】それから、恒温槽トランスファ9のチャッ
キング部10がチャッキングしているICをターンテー
ブル15まで搬送し、そこに置く。この後、中継ステー
ジ22に測定済のICがある場合、恒温槽トランスファ
9のチャッキング部10により、そこにあるICを吸着
し、図8に示す位置まで恒温槽トランスファ9が移動す
る。
【0046】このとき、恒温槽トランスファ9の停止位
置検出センサー72aがONされ、これにより恒温槽出
入口シャッター13aが閉じられ、高温/低温窒素ガス
切換え電磁弁34がONされ、加熱ユニット32より供
給される高温窒素ガスが恒温槽出入口12内の閉空間に
対して供給され、この閉空間内を高温窒素ガスに置き換
えると共にIC100の乾燥も併せて行う。
【0047】そして、この閉空間内の温度検出センサー
の検出温度及び湿度検出センサーの検出湿度が所定温度
及び湿度に達すると、高温窒素ガスの供給が停止され
る。
【0048】次に、恒温槽トランスファ9が図7の位置
まで移動する。このとき、恒温槽トランスファ9の停止
位置検出センサー72bがONされ、これにより恒温槽
出入口シャッター13bが閉じられ、中空ブロック42
内に閉空間が形成される。
【0049】それから、窒素ガスON/OFF電磁弁7
4がONされ、窒素ガス供給口29aより、窒素ガスが
中空ブロック42内の閉空間に対して供給され、この閉
空間内を窒素ガスに置き換える。
【0050】そして、この閉空間内の湿度検出センサー
78が所定湿度を検出すると、窒素ガスの供給が停止さ
れ、恒温槽トランスファ9のチャッキング部10がチャ
ッキングしているICを供給・収納ステージ8まで搬送
し、そこに置く。
【0051】次に、ターンテーブル15に置かれたIC
は、冷却しながら、図示されていない駆動機構により、
インデックス送りされ、元の位置まで戻ってくる。尚、
ICは、ターンテーブル15上を一周する間に所定の温
度まで冷却される。
【0052】一方、外部より供給される液体窒素を液体
窒素供給口27より恒温槽41内に取り入れ、液体窒素
が気化するときの気化熱を利用し、恒温槽41内のエア
を冷却し、これを撹拌用ファン30により撹拌し、恒温
槽41内を均一に冷却する構造となっている。
【0053】また、恒温槽トランスファ9のハンド部1
1の遮断ブロック11aが恒温槽41内に出入りすると
きに恒温槽41内の圧力が変化するが、圧力が上昇した
場合は、圧力調整ユニット33内のリーク弁65が外気
に対して、余分な圧力分をリークし、所定圧力を保つ。
【0054】一方、圧力が低下した場合は、圧力調整ユ
ニット33内の圧力メータ64により低下した圧力を検
出し、これにより、窒素ガス供給ON/OFF電磁弁7
9をONし、冷却ユニット31より低温窒素ガスが恒温
槽41内に供給され低下した圧力分を補うと、再び、低
温窒素ガスの供給は停止される。
【0055】次に、測定部トランスファ16に取付けら
れたハンド部18のチャッキング部17によりターンテ
ーブル15にあるICをチャッキングし、ICソケット
(測定部)21まで搬送し、そこに置く。そして、コン
タクト機構19に取付けられたプッシャー部20によ
り、ICソケット21上のICとICソケット21(I
Cソケット21は、図示されていない測定器と電気的に
接続されている)との接触を取り、この状態で、図示さ
れていない測定器によりICの電気的測定を行う。
【0056】測定が終了すると、プッシャー部20が上
昇し、測定部トランスファ16のチャッキング部17に
より、ICソケット21上の測定済のICをチャッキン
グし、中継ステージ22まで搬送し、そこに置く。それ
から、測定部トランスファ16は再び、ターンテーブル
15上のICをチャッキングし、ICソケット21まで
搬送し、そこに置く。
【0057】中継ステージ22に置かれたICは、恒温
槽トランスファ9のチャッキング部10が供給・収納ス
テージ8上のICをターンテーブル15にセットした後
で、中継ステージ22上にあるICをチャッキングし、
供給・収納ステージ8まで搬送し、そこに置く。
【0058】次に、供給・収納ステージ8に置かれたI
Cは、供給・収納トランスファ5のチャッキング部6に
よりチャッキングされ、測定結果に基づき、良品収納部
アンローダ23上のトレー24又は不良品収納部アンロ
ーダ25上のトレー26に分類収納される。
【0059】一方、良品収納部アンローダ23の一番上
のトレー24、又は不良品収納部アンローダ25の一番
上のトレー26が満杯となると、供給・収納トランスフ
ァ5のチャッキング部6により、空トレー待機部ローダ
・アンローダ3の一番上の空トレー4をチャッキングし
満杯となったアンローダ部に空トレーをセットする。
【0060】(実施例2)図9は、本発明の実施例2に
おける恒温槽出入口12の周り及び恒温槽41内の圧力
を一定に保つ制御ブロック図である。
【0061】本実施例において、実施例1との違いは、
恒温槽出入口シャッター13a,13bの開閉タイミン
グを温度センサーと湿度センサーにより行っていた所を
恒温槽トランスファ9の停止位置センサー72a,72
bがONされてからの時間により、制御するようにした
ものである。
【0062】
【発明の効果】以上のように本発明は、恒温槽と外部と
が常に遮断される構造とし、恒温槽内への製品の供給・
収納時における恒温槽内への外気の流入及び恒温槽内か
らの冷気が外部に直接排出されることがない構造とする
ことにより、恒温槽内及び恒温槽出入口の着霜を完全に
防止することができ、長時間安定した低温測定ができる
ので、低温測定における稼働率が上がり、低温測定の生
産性を向上させることができるという効果がある。
【0063】また、恒温槽内への製品供給時の製品の乾
燥及び恒温槽内からの製品の収納時の製品の乾燥を行う
ことにより、低温測定した製品の露結を防止できるの
で、低温測定した製品の外観不良を防止できるという効
果もある。
【0064】更に、恒温槽出入口の恒温槽内と外部とに
囲まれた閉空間の容積を小さくすると共に恒温槽内の圧
力を上げる窒素ガスを低温にして供給することにより、
恒温槽出入口と恒温槽内に対して供給する窒素ガスの使
用量及び恒温槽内の冷却を行う液体窒素の使用量を少な
くすることができるので、低温測定での生産コストを低
く押さえることができるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1を示す概略平面図である。
【図2】図1中の冷却ユニットの概略図である。
【図3】図1中の加熱ユニットの概略図である。
【図4】図1中の圧力調整ユニットの概略図である。
【図5】図1中のリーク弁を示す図である。
【図6】恒温槽出入口の周りと恒温槽内の圧力を一定に
保つ制御ブロック図である。
【図7】第2の閉空間が中空ブロック内で形成される概
略平面図である。
【図8】第1の閉空間が恒温槽出入口内で形成される概
略平面図である。
【図9】本発明の実施例2における恒温槽出入口の周り
と恒温槽内の圧力を一定に保つ制御ブロック図である。
【図10】従来例の概略平面図である。
【符号の説明】
1 供給部ローダ 2 トレー 3 空トレー待機部ローダ・アンローダ 4 トレー 5 供給・収納トランスファ 6 チャッキング部 7 ハンド部 8 供給・収納ステージ 9 恒温槽トランスファ 10 チャッキング部 11 ハンド部 11b 遮蔽ブロック 12 恒温槽出入口 13 恒温槽出入口シャッター 13a 恒温槽出入口シャッター 13b 恒温槽出入口シャッター 14a,14b ヒータ 15 ターンテーブル 16 測定トランスファ 17 チャッキング部 18 ハンド部 19 コンタクト機構 20 プッシャー部 21 ICソケット 22 中継ステージ 23 良品収納部アンローダ 24 トレー 25 不良品収納部アンローダ 26 トレー 27 液体窒素供給口 28,29a,29b,29c 窒素ガス供給口 30 撹拌用ファン 31 冷却ユニット 32 加熱ユニット 33 圧力調整ユニット 34 高温/低温窒素ガス切換え電磁弁 35,36 リーク弁 40 ハンドラベース 41 恒温槽 42 中空ブロック 61a,61b,62 配管 63 面ヒータ 64 圧力メータ 65 リーク弁 66 配管 67 面ヒータ 68 断熱材 69 リーク弁 70 加熱ブロック(又はブロック) 71 制御部 72a,72b 停止位置検出センサー 73a,73b シャッター駆動用シリンダー 74a,74b シリンダー用電磁弁 75,79 膣素ガスON/OFF電磁弁 76 温度検出センサー 77,78 湿度検出センサー 100 IC

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 恒温槽内への製品の供給・収納を行う恒
    温槽出入口を遮断するシャッター機構をもつICの低温
    ハンドリング装置であって、 前記恒温槽出入口を遮断する恒温槽の内側に設けた第1
    のシャッター機構と、 前記恒温槽出入口を遮断する恒温槽の外側に設けた第2
    のシャッター機構と、 恒温槽内への製品の供給・収納を行うハンド部に設けた
    前記出入口を遮断可能な遮断ブロックと、 前記恒温槽出入口に接続して設け該出入口の断面形状と
    同一の中空をもつ中空ブロックと、 第1のシャッター機構と第2のシャッター機構と恒温槽
    出入口とにより形成される第1の閉空間に対する窒素ガ
    ス供給機能及び窒素ガス排出機能をもつ手段と、第2の
    シャッター機構と前記ハンド部の遮断ブロックと前記中
    空ブロックとにより形成される第2の閉空間に対する窒
    素ガス供給機能及び窒素ガス排出機能をもつ手段と、 恒温槽内の圧力を一定に保つ機能をもつ手段とを有する
    ことを特徴とするICの低温ハンドリング装置。
  2. 【請求項2】 前記請求項1に記載のICの低温ハンド
    リング装置において、 前記第1の閉空間に対する窒素ガス供給機能をもつ手段
    は、供給する窒素ガスを高温窒素ガスと低温窒素ガスと
    に切換え可能な機能を有することを特徴とするICの低
    温ハンドリング装置。
  3. 【請求項3】 前記請求項1,2に記載のICの低温ハ
    ンドリング装置において、 第1のシャッター機構と第2のシャッター機構との開閉
    動作を、第1の閉空間と第2の閉空間をそれぞれ形成す
    るときの恒温槽内への製品の供給・収納を行うハンド部
    の停止位置の検出機能により行うことを特徴とするIC
    の低温ハンドリング装置。
JP3234069A 1991-08-21 1991-08-21 Icの低温ハンドリング装置 Expired - Fee Related JP2754972B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3234069A JP2754972B2 (ja) 1991-08-21 1991-08-21 Icの低温ハンドリング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3234069A JP2754972B2 (ja) 1991-08-21 1991-08-21 Icの低温ハンドリング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0552904A JPH0552904A (ja) 1993-03-02
JP2754972B2 true JP2754972B2 (ja) 1998-05-20

Family

ID=16965108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3234069A Expired - Fee Related JP2754972B2 (ja) 1991-08-21 1991-08-21 Icの低温ハンドリング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2754972B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004354341A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Denso Corp 環境試験装置及び環境試験方法
JP4645373B2 (ja) * 2005-09-07 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 電子部品の温度制御装置並びにハンドラ装置
JP5225238B2 (ja) * 2009-09-03 2013-07-03 高分子計器株式会社 硬度測定装置および方法
JP5071531B2 (ja) * 2010-07-08 2012-11-14 セイコーエプソン株式会社 電子部品の温度制御装置並びにハンドラ装置
JP2012185184A (ja) * 2012-07-02 2012-09-27 Seiko Epson Corp 電子部品の温度制御装置並びにハンドラ装置
JP2012208132A (ja) * 2012-07-31 2012-10-25 Seiko Epson Corp 電子部品の温度制御装置並びにハンドラ装置
JP5404899B1 (ja) * 2012-12-06 2014-02-05 株式会社上野精機長野 部品検査装置
JP6361346B2 (ja) 2014-07-17 2018-07-25 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置および電子部品検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0552904A (ja) 1993-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4582473B2 (ja) 恒温液循環装置
US7641384B2 (en) Thermal analysis system and method of drying the same
JP2754972B2 (ja) Icの低温ハンドリング装置
KR101975007B1 (ko) 반도체 설비 냉각용 냉각 시스템
US6845628B2 (en) Method and apparatus for temperature control in a refrigeration device
WO2005064659A1 (ja) 基板処理システムのための温度調節方法および基板処理システム
US20210092798A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Gas Box
JP2012079940A (ja) 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
CN106653661A (zh) 一种热处理设备工艺门冷却系统及冷却方法
JPH04238273A (ja) Icの低温ハンドリング装置
JP2876891B2 (ja) Icの低温ハンドリング装置
US20220310420A1 (en) Cooling method, a method of manufacturing a semiconductor device and a non-transitory computer-readable recording medium
JPH05157676A (ja) 冷熱湿度衝撃試験機
JP7165771B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JPH07135182A (ja) 熱処理装置
CN105810544A (zh) 离子注入设备的冷却单元
US20040154537A1 (en) Diffusion furnace used for manufacturing integrated circuits and method for cooling the diffusion furnace
CN108335998B (zh) 基板处理装置和基板的冷却方法
JP3042495B2 (ja) 半導体試験装置
JP5269107B2 (ja) 冷却装置を含んだウエハー検査システム
TWI812182B (zh) 晶圓檢查裝置、晶圓檢查方法以及探針台
KR102162575B1 (ko) 테스트핸들러
JP3851444B2 (ja) 熱処理装置
JP4093975B2 (ja) 熱真空試験装置
JP2005055011A (ja) チラー装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees