JP2747168B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方法を用いた発光装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方法を用いた発光装置Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方法を用いた発
光装置に関し、特に発光を安定化できるとともに、素子
の歩留まり向上を図れるようにしたものに関する。
ッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方法を用いた発
光装置に関し、特に発光を安定化できるとともに、素子
の歩留まり向上を図れるようにしたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（以下、
ＥＬ素子という）は、自己発光のため視認性が高く、ま
た完全固体素子であるため耐衝撃性に優れている。した
がって、現在、無機，有機化合物を用いたさまざまなＥ
Ｌ素子が提案され、実用化が図られている。これらの素
子のうち、特に、有機ＥＬ素子は印加電圧を大幅に低下
できることから、各種材料を用いた素子の研究開発が進
められている。
ＥＬ素子という）は、自己発光のため視認性が高く、ま
た完全固体素子であるため耐衝撃性に優れている。した
がって、現在、無機，有機化合物を用いたさまざまなＥ
Ｌ素子が提案され、実用化が図られている。これらの素
子のうち、特に、有機ＥＬ素子は印加電圧を大幅に低下
できることから、各種材料を用いた素子の研究開発が進
められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、有機ＥＬ素子
の場合、発光動作が安定しないとともに、劣化が著しい
という問題点があり、実用化の障害となっていた。本発
明者は、この劣化の原因究明を続けた結果、有機ＥＬ素
子の動作が不安定となる要因の一つは、発光時に電極構
成金属が発光層を含む有機単層部又は有機多層部へ混入
して、対向する電極間に導電性のパス（導電ルート）を
形成するためであることを突き止めた。図１２には、発
光が不安定となった有機ＥＬ素子について素子深さ方向
の成分比（構成原子比）を計測したグラフが示されてい
る。この測定結果から明らかなように、陰極の構成金属
であるマグネシウム原子が有機単層部又は有機多層部か
ら陽極に向けて混入しており、この混入したマグネシウ
ム原子によって対向する電極間に導電性のパスが形成さ
れてしまう。
の場合、発光動作が安定しないとともに、劣化が著しい
という問題点があり、実用化の障害となっていた。本発
明者は、この劣化の原因究明を続けた結果、有機ＥＬ素
子の動作が不安定となる要因の一つは、発光時に電極構
成金属が発光層を含む有機単層部又は有機多層部へ混入
して、対向する電極間に導電性のパス（導電ルート）を
形成するためであることを突き止めた。図１２には、発
光が不安定となった有機ＥＬ素子について素子深さ方向
の成分比（構成原子比）を計測したグラフが示されてい
る。この測定結果から明らかなように、陰極の構成金属
であるマグネシウム原子が有機単層部又は有機多層部か
ら陽極に向けて混入しており、この混入したマグネシウ
ム原子によって対向する電極間に導電性のパスが形成さ
れてしまう。
【０００４】本発明は、このような従来の技術が有する
課題を解決するために提案されたものであり、素子内に
導電性パスが形成されるのを抑制でき、輝度低下を抑え
られるるとともに、発光駆動中の素子の消光を防止で
き、さらに素子の歩留まりを簡便に向上できる有機エレ
クトロルミネッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方
法を用いた発光装置を提供することを目的とする。
課題を解決するために提案されたものであり、素子内に
導電性パスが形成されるのを抑制でき、輝度低下を抑え
られるるとともに、発光駆動中の素子の消光を防止で
き、さらに素子の歩留まりを簡便に向上できる有機エレ
クトロルミネッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方
法を用いた発光装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に請求項１記載の有機ＥＬ素子の駆動方法は、陽極と陰
極の間に有機化合物からなる発光層を含む有機単層部又
は有機多層部を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子を、陽極と陰極間に加えられる基本駆動波形によって
駆動する発光駆動方法において、上記基本駆動波形に対
して、この基本駆動波形のピーク値よりも大きなピーク
値を持つパルス波形列を重ね合わせた発光駆動波形によ
って上記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する
ようにものである。
に請求項１記載の有機ＥＬ素子の駆動方法は、陽極と陰
極の間に有機化合物からなる発光層を含む有機単層部又
は有機多層部を有する有機エレクトロルミネッセンス素
子を、陽極と陰極間に加えられる基本駆動波形によって
駆動する発光駆動方法において、上記基本駆動波形に対
して、この基本駆動波形のピーク値よりも大きなピーク
値を持つパルス波形列を重ね合わせた発光駆動波形によ
って上記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する
ようにものである。
【０００６】また、請求項２に記載の有機ＥＬ素子の駆
動方法は、上記パルス波形列のピーク値が上記基本駆動
波形のピーク値の２倍以上の大きさであるとともに、１
つのパルス波形のパルス印加時間が１秒以内である発光
駆動波形によって上記有機エレクトロルミネッセンス素
子を駆動するものである。
動方法は、上記パルス波形列のピーク値が上記基本駆動
波形のピーク値の２倍以上の大きさであるとともに、１
つのパルス波形のパルス印加時間が１秒以内である発光
駆動波形によって上記有機エレクトロルミネッセンス素
子を駆動するものである。
【０００７】また、請求項３に記載の発光装置は、陽極
と陰極の間に有機化合物からなる発光層を含む有機単層
部又は有機多層部を有し、陽極と陰極間に基本駆動波形
が加えられて発光される有機エレクトロルミネッセンス
素子と、上記基本駆動波形に対して、この基本駆動波形
のピーク値よりも大きなピーク値を持つパルス波形列を
重ね合わせた発光駆動波形を発生し、この発光駆動波形
を上記陽極と陰極間に印加して上記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を発光させる発光駆動源とを備える構成
としてある。
と陰極の間に有機化合物からなる発光層を含む有機単層
部又は有機多層部を有し、陽極と陰極間に基本駆動波形
が加えられて発光される有機エレクトロルミネッセンス
素子と、上記基本駆動波形に対して、この基本駆動波形
のピーク値よりも大きなピーク値を持つパルス波形列を
重ね合わせた発光駆動波形を発生し、この発光駆動波形
を上記陽極と陰極間に印加して上記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を発光させる発光駆動源とを備える構成
としてある。
【０００８】また、請求項４に記載の発光装置は、陽極
と陰極の間に有機化合物からなる発光層を含む有機単層
部又は有機多層部を有し、陽極と陰極間に基本駆動波形
が加えられて発光される有機エレクトロルミネッセンス
素子と、上記基本駆動波形に対して、この基本駆動波形
のピーク値よりも２倍以上の大きなピーク値を持つパル
ス波形列が重ね合わされるとともに、１つのパルス波形
のパルス印加時間が１秒以内である発光駆動波形を発生
し、この発光駆動波形を上記陽極と陰極間に印加して有
機エレクトロルミネッセンス素子を発光させる発光駆動
源とを備える構成としてある。
と陰極の間に有機化合物からなる発光層を含む有機単層
部又は有機多層部を有し、陽極と陰極間に基本駆動波形
が加えられて発光される有機エレクトロルミネッセンス
素子と、上記基本駆動波形に対して、この基本駆動波形
のピーク値よりも２倍以上の大きなピーク値を持つパル
ス波形列が重ね合わされるとともに、１つのパルス波形
のパルス印加時間が１秒以内である発光駆動波形を発生
し、この発光駆動波形を上記陽極と陰極間に印加して有
機エレクトロルミネッセンス素子を発光させる発光駆動
源とを備える構成としてある。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、陽極と陰極の間に有機化合物からなる発光層を含む
有機単層部又は有機多層部を有する有機ＥＬ素子を特定
の駆動波形によって発光駆動させるものである。ここ
で、有機ＥＬ素子は、例えばガラス板、透明プラスチッ
ク板、石英板などからなる基板上に形成される。
は、陽極と陰極の間に有機化合物からなる発光層を含む
有機単層部又は有機多層部を有する有機ＥＬ素子を特定
の駆動波形によって発光駆動させるものである。ここ
で、有機ＥＬ素子は、例えばガラス板、透明プラスチッ
ク板、石英板などからなる基板上に形成される。
【００１０】また、陽極または陰極を構成する電極材料
としては、金、アルミニウム、インジウム、マグネシウ
ム、銅などの金属、これらの金属の合金または混合物、
特開昭６３−２９５６９５号の公報に記載された合金、
混合物電極、あるいはＩＴＯ（インジウムチンオキサイ
ド；酸化インジウムと酸化スズの混合酸化物）、ＳｎＯ
2 （酸化第２スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などの透明電
極材料などが用いられる。この場合、陽極には仕事関数
の大きな金属または電気導電性化合物を用いるのが好ま
しく、陰極には仕事関数の小さな金属または電気導電性
化合物を用いるのが好ましい。これらの電極の少なくと
も一方は、透光性を得るために透明または半透明電極と
する。また、電極の厚さは１０ｎｍ〜１μｍとし、特に
光透過率を高める観点から２００ｎｍ以下の厚さとする
のがよい。電極は、蒸着法やスパッタリング法などの公
知の方法によって形成できる。
としては、金、アルミニウム、インジウム、マグネシウ
ム、銅などの金属、これらの金属の合金または混合物、
特開昭６３−２９５６９５号の公報に記載された合金、
混合物電極、あるいはＩＴＯ（インジウムチンオキサイ
ド；酸化インジウムと酸化スズの混合酸化物）、ＳｎＯ
2 （酸化第２スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などの透明電
極材料などが用いられる。この場合、陽極には仕事関数
の大きな金属または電気導電性化合物を用いるのが好ま
しく、陰極には仕事関数の小さな金属または電気導電性
化合物を用いるのが好ましい。これらの電極の少なくと
も一方は、透光性を得るために透明または半透明電極と
する。また、電極の厚さは１０ｎｍ〜１μｍとし、特に
光透過率を高める観点から２００ｎｍ以下の厚さとする
のがよい。電極は、蒸着法やスパッタリング法などの公
知の方法によって形成できる。
【００１１】有機単層部又は有機多層部は、少なくとも
有機化合物からなる発光層を有し、構成態様としては、
発光層のみからなるもの（この場合、有機単層部）、発
光層と正孔注入層とからなるもの、電子輸送層と発光層
とからなるもの、電子輸送層と発光層と正孔注入層とか
らなるもの、改善層と発光層と正孔注入層とからなるも
の（特願平３−１０４２８４号公報に記載）、これらの
機能を有する材料を混合したもの、あるいは高分子に分
散したものなどを挙げることができる。なお、積層構成
の場合、この有機多層部の構成順序は電極の極性により
逆となってもよい。また、輸送層、注入層は無機半導体
であってもよい。
有機化合物からなる発光層を有し、構成態様としては、
発光層のみからなるもの（この場合、有機単層部）、発
光層と正孔注入層とからなるもの、電子輸送層と発光層
とからなるもの、電子輸送層と発光層と正孔注入層とか
らなるもの、改善層と発光層と正孔注入層とからなるも
の（特願平３−１０４２８４号公報に記載）、これらの
機能を有する材料を混合したもの、あるいは高分子に分
散したものなどを挙げることができる。なお、積層構成
の場合、この有機多層部の構成順序は電極の極性により
逆となってもよい。また、輸送層、注入層は無機半導体
であってもよい。
【００１２】発光層は、注入機能、輸送機能および発光
機能を有している。ここで、注入機能とは電界印加時に
陽極または正孔注入層から正孔を注入可能とする機能で
あり、陰極または電子注入層から電子を注入可能とする
機能である。また、輸送機能とは正孔および電子を電界
の力で輸送（移動）させる機能である。さらに、発光機
能とは正孔と電子の再結合の場を提供して、発光させる
機能である。
機能を有している。ここで、注入機能とは電界印加時に
陽極または正孔注入層から正孔を注入可能とする機能で
あり、陰極または電子注入層から電子を注入可能とする
機能である。また、輸送機能とは正孔および電子を電界
の力で輸送（移動）させる機能である。さらに、発光機
能とは正孔と電子の再結合の場を提供して、発光させる
機能である。
【００１３】この場合、正孔注入性と電子注入性の能力
に違いがあってもよい。発光層の厚さは、５ｎｍ〜５μ
ｍの範囲とするのが好ましい。正孔注入層と電子注入層
は必ずしも設ける必要はないが、発光性能の向上のため
には設けるのが望ましい。この正孔注入層は、より低い
電界で正孔を発光層中に輸送する材料で形成される。こ
こで、正孔の移動度は、１０4 〜１０6 ｖ／cmの電界の
もとで、少なくとも１０-6cm2 ／v・secの値を有するの
が望ましい。また、電子注入層は、より低い電界で電子
を発光層に輸送する材料で形成される。
に違いがあってもよい。発光層の厚さは、５ｎｍ〜５μ
ｍの範囲とするのが好ましい。正孔注入層と電子注入層
は必ずしも設ける必要はないが、発光性能の向上のため
には設けるのが望ましい。この正孔注入層は、より低い
電界で正孔を発光層中に輸送する材料で形成される。こ
こで、正孔の移動度は、１０4 〜１０6 ｖ／cmの電界の
もとで、少なくとも１０-6cm2 ／v・secの値を有するの
が望ましい。また、電子注入層は、より低い電界で電子
を発光層に輸送する材料で形成される。
【００１４】なお、このような構成からなる有機ＥＬ素
子の作製方法は特に制限されるものではなく、蒸着法を
用いれば、この蒸着法だけによって有機ＥＬ素子を作製
することができ、設備を簡単化できる点や生産時間を短
縮できる点で有利である。
子の作製方法は特に制限されるものではなく、蒸着法を
用いれば、この蒸着法だけによって有機ＥＬ素子を作製
することができ、設備を簡単化できる点や生産時間を短
縮できる点で有利である。
【００１５】また、この有機ＥＬ素子は陽極と陰極間に
電圧を印加して、エージングを行なったものであっても
よい。ここで、エージングとは、電圧を印加すること
で、リーク電流を発生する領域を除去するとともに、素
子内に溜まった正孔や電子を除去する処理をいう（特開
平４−１４７９４号公報を参照）。これにより有機ＥＬ
素子の安定動作が図れる。本発明に用いられる有機ＥＬ
素子は、必ずしもこのエージングを行なったものである
必要はないが、素子の動作安定性の観点からはエージン
グを行なうのが望ましい。
電圧を印加して、エージングを行なったものであっても
よい。ここで、エージングとは、電圧を印加すること
で、リーク電流を発生する領域を除去するとともに、素
子内に溜まった正孔や電子を除去する処理をいう（特開
平４−１４７９４号公報を参照）。これにより有機ＥＬ
素子の安定動作が図れる。本発明に用いられる有機ＥＬ
素子は、必ずしもこのエージングを行なったものである
必要はないが、素子の動作安定性の観点からはエージン
グを行なうのが望ましい。
【００１６】本発明による駆動方法および発光装置は、
上述した構成からなる有機ＥＬ素子を以下に述べるよう
な駆動波形によって発光させるものである。有機ＥＬ素
子の駆動方法には、これまで直流定電圧駆動または直流
定電流駆動（以下、直流駆動という）、交流電圧駆動ま
たは交流電流駆動（以下、交流駆動という）、パルス電
圧駆動またはパルス電流駆動（以下、パルス駆動とい
う）、またはその他の駆動法（例えば、特願平２−２５
８６９５号公報に記載）などが知られている。以下、こ
れらの従来の駆動法に基づく駆動波形を「基本駆動波
形」という。
上述した構成からなる有機ＥＬ素子を以下に述べるよう
な駆動波形によって発光させるものである。有機ＥＬ素
子の駆動方法には、これまで直流定電圧駆動または直流
定電流駆動（以下、直流駆動という）、交流電圧駆動ま
たは交流電流駆動（以下、交流駆動という）、パルス電
圧駆動またはパルス電流駆動（以下、パルス駆動とい
う）、またはその他の駆動法（例えば、特願平２−２５
８６９５号公報に記載）などが知られている。以下、こ
れらの従来の駆動法に基づく駆動波形を「基本駆動波
形」という。
【００１７】本発明では、図１ないし図８に示すように
それぞれの基本駆動波形Ｗ１に対して、この基本駆動波
形Ｗ１のピーク値（直流駆動の場合はその一定値）Ｌ１
よりも大きいピーク値を持ち、かつパルス印加時間（パ
ルス幅ｔ１）が１秒以内のパルス波形Ｗ２を重ね合わせ
た駆動波形によって有機ＥＬ素子を発光駆動させる。こ
の駆動波形として好ましくは、基本駆動波形Ｗ１のピー
ク値Ｌ１の２倍以上のピーク値（Ｌ２で示す）を持ち、
印加時間が１秒以内のパルス波形Ｗ２を重ね合わせた波
形とするのがよい。なお、素子の劣化を防ぐためには、
パルス波形Ｗ２の最大印加レベルを基本駆動波形Ｗ１の
ピーク値Ｌ１の１０倍以下とするのがよい。図中、Ｌ３
はＬ１の１０倍に相当するレベルを示す。
それぞれの基本駆動波形Ｗ１に対して、この基本駆動波
形Ｗ１のピーク値（直流駆動の場合はその一定値）Ｌ１
よりも大きいピーク値を持ち、かつパルス印加時間（パ
ルス幅ｔ１）が１秒以内のパルス波形Ｗ２を重ね合わせ
た駆動波形によって有機ＥＬ素子を発光駆動させる。こ
の駆動波形として好ましくは、基本駆動波形Ｗ１のピー
ク値Ｌ１の２倍以上のピーク値（Ｌ２で示す）を持ち、
印加時間が１秒以内のパルス波形Ｗ２を重ね合わせた波
形とするのがよい。なお、素子の劣化を防ぐためには、
パルス波形Ｗ２の最大印加レベルを基本駆動波形Ｗ１の
ピーク値Ｌ１の１０倍以下とするのがよい。図中、Ｌ３
はＬ１の１０倍に相当するレベルを示す。
【００１８】ここで、図１は直流駆動の基本駆動波形Ｗ
１に上記パルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示し、図
２はパルス駆動の基本駆動波形Ｗ１に上記パルス波形Ｗ
２を重畳した駆動波形を示す。なお、図中矢印Ｐ方向は
発光に対して正方向の印加電圧または電流の向きを示
す。また、図３は矩形波による交流駆動の基本駆動波形
Ｗ１に上記パルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示し、
図４はサイン波によるパルス駆動の基本駆動波形Ｗ１に
上記パルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示す。また、
図５はサイン波による交流駆動の基本駆動波形Ｗ１に上
記パルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示す。また、図
６乃至図８は直流駆動の基本駆動波形Ｗ１に対して一定
のパルス波形ではなく、レベルまたは／およびパルス幅
ｔ１の異なるパルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示
し、図８では基本駆動波形Ｗ１に対してさらに反転した
パルス波形Ｗ２が重畳されている。
１に上記パルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示し、図
２はパルス駆動の基本駆動波形Ｗ１に上記パルス波形Ｗ
２を重畳した駆動波形を示す。なお、図中矢印Ｐ方向は
発光に対して正方向の印加電圧または電流の向きを示
す。また、図３は矩形波による交流駆動の基本駆動波形
Ｗ１に上記パルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示し、
図４はサイン波によるパルス駆動の基本駆動波形Ｗ１に
上記パルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示す。また、
図５はサイン波による交流駆動の基本駆動波形Ｗ１に上
記パルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示す。また、図
６乃至図８は直流駆動の基本駆動波形Ｗ１に対して一定
のパルス波形ではなく、レベルまたは／およびパルス幅
ｔ１の異なるパルス波形Ｗ２を重畳した駆動波形を示
し、図８では基本駆動波形Ｗ１に対してさらに反転した
パルス波形Ｗ２が重畳されている。
【００１９】これらの図に示すように、本発明による駆
動波形では、基本駆動波形Ｗ１のピーク値Ｌ１の２倍以
上１０倍以下のピーク値（Ｌ２からＬ３の範囲）を持
ち、かつ印加時間（ｔ１）が１秒以下のパルス波形Ｗ２
が、基本駆動波形Ｗ１を印加してから印加終了までの間
に、少なくとも１回重畳されている。なお、基本駆動波
形Ｗ１に重畳されるパルス波形Ｗ２は矩形波やサイン波
ばかりでなく、三角波などであってもよい。
動波形では、基本駆動波形Ｗ１のピーク値Ｌ１の２倍以
上１０倍以下のピーク値（Ｌ２からＬ３の範囲）を持
ち、かつ印加時間（ｔ１）が１秒以下のパルス波形Ｗ２
が、基本駆動波形Ｗ１を印加してから印加終了までの間
に、少なくとも１回重畳されている。なお、基本駆動波
形Ｗ１に重畳されるパルス波形Ｗ２は矩形波やサイン波
ばかりでなく、三角波などであってもよい。
【００２０】ここで、基本駆動波形Ｗ１に重ね合わされ
るパルス波形Ｗ２を上述したような条件に限定したの
は、基本駆動波形Ｗ１だけによる印加では切断できない
電極間の導通性領域（リークパス）がＬ１の２倍以上の
パルスの印加により切断できることが、オージェ電子分
光法により測定した膜厚方向での成分比率を解析するこ
とで判明したことによる。図９には、この成分比率の測
定結果が示されており、従来存在していた電極金属（こ
の例ではマグネシウム原子）の混入による導電性パス
が、パルス波形Ｗ２を重畳することで切断され消失して
いることがわかる。また、パルス波形Ｗ２の最大印加レ
ベルをＬ１の１０倍以下としたのは、通常の基本発光条
件は電圧が数ｖであり、電流密度が数ｍＡ・ｃｍ-2であ
って、この１０倍を超えるパルス波形を印加すること
は、素子の劣化を促進することになるからである。さら
に、パルス波形Ｗ２の印加時間幅ｔ１を１秒以内とした
のは、長時間の印加によって素子本体を劣化させ、輝度
低下を招くとともに、発光を不安定化させる要因となる
からである。また高輝度発光させることは使用者に対し
て不快感を与えることになり、この悪影響をできるだけ
小さくでき、しかも動作の不安定化を回復可能な印加時
間の条件として、パルス幅ｔ１を１秒以内に設定した。
るパルス波形Ｗ２を上述したような条件に限定したの
は、基本駆動波形Ｗ１だけによる印加では切断できない
電極間の導通性領域（リークパス）がＬ１の２倍以上の
パルスの印加により切断できることが、オージェ電子分
光法により測定した膜厚方向での成分比率を解析するこ
とで判明したことによる。図９には、この成分比率の測
定結果が示されており、従来存在していた電極金属（こ
の例ではマグネシウム原子）の混入による導電性パス
が、パルス波形Ｗ２を重畳することで切断され消失して
いることがわかる。また、パルス波形Ｗ２の最大印加レ
ベルをＬ１の１０倍以下としたのは、通常の基本発光条
件は電圧が数ｖであり、電流密度が数ｍＡ・ｃｍ-2であ
って、この１０倍を超えるパルス波形を印加すること
は、素子の劣化を促進することになるからである。さら
に、パルス波形Ｗ２の印加時間幅ｔ１を１秒以内とした
のは、長時間の印加によって素子本体を劣化させ、輝度
低下を招くとともに、発光を不安定化させる要因となる
からである。また高輝度発光させることは使用者に対し
て不快感を与えることになり、この悪影響をできるだけ
小さくでき、しかも動作の不安定化を回復可能な印加時
間の条件として、パルス幅ｔ１を１秒以内に設定した。
【００２１】次に、上述した本発明による駆動方法を用
いた発光装置の構成を図１０および図１１に基づいて説
明する。有機ＥＬ素子１は、陽極１ａと陰極１ｃとの間
に有機単層部又は有機多層部１ｂを挟み込んだ構成とな
っている。図１０に示す発光装置では、基本駆動波形発
生回路２で上記基本駆動波形Ｗ１が作られ、パルス波発
生回路３で上記パルス波形Ｗ２が作られる。これら基本
駆動波形Ｗ１とパルス波形Ｗ２は、波形合成回路をなす
演算増幅器４に送られて、基本駆動波形Ｗ１にパルス波
形Ｗ２が重ね合わされ、駆動波形が作られる。この駆動
波形が有機ＥＬ素子１の陽極１ａと陰極１ｃ間に印加さ
れ、有機ＥＬ素子１が発光駆動される。ここで、基本駆
動波形発生回路２、パルス波発生回路３および演算増幅
器４は、発光駆動源を構成している。
いた発光装置の構成を図１０および図１１に基づいて説
明する。有機ＥＬ素子１は、陽極１ａと陰極１ｃとの間
に有機単層部又は有機多層部１ｂを挟み込んだ構成とな
っている。図１０に示す発光装置では、基本駆動波形発
生回路２で上記基本駆動波形Ｗ１が作られ、パルス波発
生回路３で上記パルス波形Ｗ２が作られる。これら基本
駆動波形Ｗ１とパルス波形Ｗ２は、波形合成回路をなす
演算増幅器４に送られて、基本駆動波形Ｗ１にパルス波
形Ｗ２が重ね合わされ、駆動波形が作られる。この駆動
波形が有機ＥＬ素子１の陽極１ａと陰極１ｃ間に印加さ
れ、有機ＥＬ素子１が発光駆動される。ここで、基本駆
動波形発生回路２、パルス波発生回路３および演算増幅
器４は、発光駆動源を構成している。
【００２２】また、図１１に示す発光装置では、フォト
ダイオードなどからなる受光素子５が有機ＥＬ素子１の
一部に取り付けられており、この受光素子５の検出出力
がトリガ回路６を介してパルス波発生回路３にフィード
バックされる。この発光装置では、基本駆動波形Ｗ１で
有機ＥＬ素子１を駆動したときの発光輝度が、あるしき
い値以下となったことが、受光素子５からの出力によっ
て検出されると、トリガ回路６からパルス波発生回路３
に上記パルス波形Ｗ２を発生させるためのトリガ信号が
出力される。これにより演算増幅器４では、基本駆動波
形発生回路２からの基本駆動波形Ｗ１に、パルス波発生
回路３からのパルス波形Ｗ２が重ね合わされ、重畳後の
駆動波形によって有機ＥＬ素子１が駆動される。このよ
うに有機ＥＬ素子１の発光輝度を検出して受光系出力を
フィードバックすることで、輝度が低下した有機ＥＬ素
子２の動作を回復させることができ、安定に発光動作を
継続できる。
ダイオードなどからなる受光素子５が有機ＥＬ素子１の
一部に取り付けられており、この受光素子５の検出出力
がトリガ回路６を介してパルス波発生回路３にフィード
バックされる。この発光装置では、基本駆動波形Ｗ１で
有機ＥＬ素子１を駆動したときの発光輝度が、あるしき
い値以下となったことが、受光素子５からの出力によっ
て検出されると、トリガ回路６からパルス波発生回路３
に上記パルス波形Ｗ２を発生させるためのトリガ信号が
出力される。これにより演算増幅器４では、基本駆動波
形発生回路２からの基本駆動波形Ｗ１に、パルス波発生
回路３からのパルス波形Ｗ２が重ね合わされ、重畳後の
駆動波形によって有機ＥＬ素子１が駆動される。このよ
うに有機ＥＬ素子１の発光輝度を検出して受光系出力を
フィードバックすることで、輝度が低下した有機ＥＬ素
子２の動作を回復させることができ、安定に発光動作を
継続できる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明による実施例を説明する。実施例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法により１００ｎｍの厚さで製膜したものを透
明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピルア
ルコール中にて５分間洗浄後に、純水中で５分間超音波
洗浄を行ない、さらにＵＶオゾン洗浄を５分間行なっ
た。このＵＶオゾン洗浄には、（株）サムコインターナ
ショナル研究所製の装置を用いた。この透明支持基板を
市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダ
に固定して、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ´
−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル
〔１，１´−ビフェニル〕−４，４´−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに
４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニル）ビフェ
ニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１
０-4Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤ入りの上記ボー
トを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度
０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、
膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜した。このときの基板
温度は室温であった。これを真空槽から取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＰＶＢ
ｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボ
ート温度が２４０℃であり、蒸着速度は０．１〜０．３
ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これを真空槽から
取り出して、上記発光層の上にステンレススチール製の
マスクを設置し、再び基板ホルダに固定した。次に、モ
リブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アリミ
ニウム（Ａｌｑ3 ）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着し
た。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシ
ウムリボンを１ｇ入れ、また違うタングステン製のバス
ケットに銀ワイヤを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、
真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ3 の
入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ3 を０．０
１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。
さらに、銀を０．０１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗
加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネ
シウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上
記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上
に１５０ｎｍの厚さで積層蒸着し、対向電極とした。こ
の素子を乾燥窒素中にて、０ｖから１０ｖ、０ｖから−
１０ｖへ０．５ｖ間隔で５秒ずつで印加し、エージング
を行なった。
Ｏを蒸着法により１００ｎｍの厚さで製膜したものを透
明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピルア
ルコール中にて５分間洗浄後に、純水中で５分間超音波
洗浄を行ない、さらにＵＶオゾン洗浄を５分間行なっ
た。このＵＶオゾン洗浄には、（株）サムコインターナ
ショナル研究所製の装置を用いた。この透明支持基板を
市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダ
に固定して、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ´
−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル
〔１，１´−ビフェニル〕−４，４´−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに
４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニル）ビフェ
ニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１
０-4Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤ入りの上記ボー
トを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度
０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、
膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜した。このときの基板
温度は室温であった。これを真空槽から取り出すことな
く、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＰＶＢ
ｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボ
ート温度が２４０℃であり、蒸着速度は０．１〜０．３
ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これを真空槽から
取り出して、上記発光層の上にステンレススチール製の
マスクを設置し、再び基板ホルダに固定した。次に、モ
リブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アリミ
ニウム（Ａｌｑ3 ）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着し
た。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシ
ウムリボンを１ｇ入れ、また違うタングステン製のバス
ケットに銀ワイヤを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、
真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ3 の
入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ3 を０．０
１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。
さらに、銀を０．０１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗
加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネ
シウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上
記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上
に１５０ｎｍの厚さで積層蒸着し、対向電極とした。こ
の素子を乾燥窒素中にて、０ｖから１０ｖ、０ｖから−
１０ｖへ０．５ｖ間隔で５秒ずつで印加し、エージング
を行なった。
【００２４】この素子を１０個作製し、乾燥窒素中にて
初期輝度を１００ｃｄ・ｍ-2、定電流値（Ｌ１）を７ｍ
Ａ・ｃｍ-2に設定した基本駆動波形Ｗ１により発光駆動
した。そして１０秒ごとにパルス幅ｔ１が０．５秒、電
流ピーク値が２０ｍＡ・ｃｍ-2のパルス電流（パルス波
形Ｗ２）を重畳印加した（図１参照）。この駆動により
２０日間１０個の素子は全て発光を維持し、全ての素子
で輝度１０ｃｄ・ｍ-2以上の発光を確認した。
初期輝度を１００ｃｄ・ｍ-2、定電流値（Ｌ１）を７ｍ
Ａ・ｃｍ-2に設定した基本駆動波形Ｗ１により発光駆動
した。そして１０秒ごとにパルス幅ｔ１が０．５秒、電
流ピーク値が２０ｍＡ・ｃｍ-2のパルス電流（パルス波
形Ｗ２）を重畳印加した（図１参照）。この駆動により
２０日間１０個の素子は全て発光を維持し、全ての素子
で輝度１０ｃｄ・ｍ-2以上の発光を確認した。
【００２５】比較例１ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度１００ｃｄ・ｍ-2、定電流値７ｍＡ・ｃｍ-2に設定し
た基本駆動波形Ｗ１だけで発光駆動した。この駆動で、
２０日後に４個の素子は完全に消光した（輝度０ｃｄ・
ｍ-2）。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度１００ｃｄ・ｍ-2、定電流値７ｍＡ・ｃｍ-2に設定し
た基本駆動波形Ｗ１だけで発光駆動した。この駆動で、
２０日後に４個の素子は完全に消光した（輝度０ｃｄ・
ｍ-2）。
【００２６】実施例２ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、駆動周
波数が５０Ｈｚでデューティ比５０％、ピーク電圧値
（Ｌ１）が１０ｖ、初期輝度を１００ｃｄ・ｍ-2に設定
した基本駆動波形Ｗ１により発光駆動した。そして、１
００秒ごとにパルス幅ｔ１が０．０１秒、ピーク電圧値
が２５ｖのパルス電圧（パルス波形Ｗ２）を重畳印加し
た（図４参照）。この駆動により、２０日間１０個の素
子は全て発光を維持した（輝度１０ｃｄ・ｍ-2以上）。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、駆動周
波数が５０Ｈｚでデューティ比５０％、ピーク電圧値
（Ｌ１）が１０ｖ、初期輝度を１００ｃｄ・ｍ-2に設定
した基本駆動波形Ｗ１により発光駆動した。そして、１
００秒ごとにパルス幅ｔ１が０．０１秒、ピーク電圧値
が２５ｖのパルス電圧（パルス波形Ｗ２）を重畳印加し
た（図４参照）。この駆動により、２０日間１０個の素
子は全て発光を維持した（輝度１０ｃｄ・ｍ-2以上）。
【００２７】比較例２ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、駆動周
波数が５０Ｈｚでデューティ比５０％、ピーク電圧値が
１０ｖ、初期輝度を１００ｃｄ・ｍ-2に設定した基本駆
動波形Ｗ１だけで発光駆動した。この駆動で、２０日後
に３個の素子は完全に消光した。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、駆動周
波数が５０Ｈｚでデューティ比５０％、ピーク電圧値が
１０ｖ、初期輝度を１００ｃｄ・ｍ-2に設定した基本駆
動波形Ｗ１だけで発光駆動した。この駆動で、２０日後
に３個の素子は完全に消光した。
【００２８】実施例３ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度が１００ｃｄ・ｍ-2、駆動周波数が５０Ｈｚで振幅値
（Ｌ１）を１０ｖに設定した基本駆動波形Ｗ１により交
流発光駆動した。そして１分ごとにパルス幅（ｔ１）が
０．１秒で、ピーク電圧値が２５ｖのパルス電圧（パル
ス波形Ｗ２）を重畳印加した。この駆動により、２０日
間１０個の素子は全て発光を維持した（輝度１０ｃｄ・
ｍ-2以上）。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度が１００ｃｄ・ｍ-2、駆動周波数が５０Ｈｚで振幅値
（Ｌ１）を１０ｖに設定した基本駆動波形Ｗ１により交
流発光駆動した。そして１分ごとにパルス幅（ｔ１）が
０．１秒で、ピーク電圧値が２５ｖのパルス電圧（パル
ス波形Ｗ２）を重畳印加した。この駆動により、２０日
間１０個の素子は全て発光を維持した（輝度１０ｃｄ・
ｍ-2以上）。
【００２９】比較例３ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度が１００ｃｄ・ｍ-2、駆動周波数が５０Ｈｚで振幅値
を１０ｖに設定した基本駆動波形Ｗ１だけで交流発光駆
動した。この駆動で、２０日後に３個の素子は完全に消
光した。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度が１００ｃｄ・ｍ-2、駆動周波数が５０Ｈｚで振幅値
を１０ｖに設定した基本駆動波形Ｗ１だけで交流発光駆
動した。この駆動で、２０日後に３個の素子は完全に消
光した。
【００３０】実施例４ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度が１００ｃｄ・ｍ-2、定電流値（Ｌ１）を７ｍＡ・ｃ
ｍ-2に設定した基本駆動波形Ｗ１により発光駆動した。
そして、１０秒から１０分の任意の時間間隔で、パルス
幅ｔ１が０．０１秒から１秒の任意の時間パルス幅であ
って電流ピーク値が１５ｍＡ・ｃｍ-2のパルス電流（パ
ルス波形Ｗ２）を重畳印加した（図７参照）。この駆動
により、２０日間１０個の素子は全て発光を維持した
（輝度１０ｃｄ・ｍ-2以上）。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度が１００ｃｄ・ｍ-2、定電流値（Ｌ１）を７ｍＡ・ｃ
ｍ-2に設定した基本駆動波形Ｗ１により発光駆動した。
そして、１０秒から１０分の任意の時間間隔で、パルス
幅ｔ１が０．０１秒から１秒の任意の時間パルス幅であ
って電流ピーク値が１５ｍＡ・ｃｍ-2のパルス電流（パ
ルス波形Ｗ２）を重畳印加した（図７参照）。この駆動
により、２０日間１０個の素子は全て発光を維持した
（輝度１０ｃｄ・ｍ-2以上）。
【００３１】比較例４ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度１００ｃｄ・ｍ-2、定電流値７ｍＡ・ｃｍ-2に設定し
た基本駆動波形Ｗ１だけで発光駆動した。この駆動で、
２０日後に４個の素子は完全に消光した。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度１００ｃｄ・ｍ-2、定電流値７ｍＡ・ｃｍ-2に設定し
た基本駆動波形Ｗ１だけで発光駆動した。この駆動で、
２０日後に４個の素子は完全に消光した。
【００３２】実施例５ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度が１００ｃｄ・ｍ-2、定電圧値（Ｌ１）を８．５ｖに
設定した基本駆動波形Ｗ１により発光駆動した。そし
て、１０秒から１０分の任意の時間間隔で、パルス幅ｔ
１が０．０１秒から１秒の任意の時間パルス幅であって
電圧ピーク値が２０ｖのパルス電圧（パルス波形Ｗ２）
を重畳印加した（図７参照）。この駆動により、２０日
間１０個の素子は全て発光を維持した（輝度１０ｃｄ・
ｍ-2以上）。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度が１００ｃｄ・ｍ-2、定電圧値（Ｌ１）を８．５ｖに
設定した基本駆動波形Ｗ１により発光駆動した。そし
て、１０秒から１０分の任意の時間間隔で、パルス幅ｔ
１が０．０１秒から１秒の任意の時間パルス幅であって
電圧ピーク値が２０ｖのパルス電圧（パルス波形Ｗ２）
を重畳印加した（図７参照）。この駆動により、２０日
間１０個の素子は全て発光を維持した（輝度１０ｃｄ・
ｍ-2以上）。
【００３３】比較例５ 実施例１と同じ素子構成であり、エージングを行なった
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度１００ｃｄ・ｍ-2、定電圧値８．５ｖの基本駆動波形
Ｗ１だけで発光駆動した。この駆動で、２０日後に４個
の素子は完全に消光した。
素子１０個を実施例１と同様に乾燥窒素中にて、初期輝
度１００ｃｄ・ｍ-2、定電圧値８．５ｖの基本駆動波形
Ｗ１だけで発光駆動した。この駆動で、２０日後に４個
の素子は完全に消光した。
【００３４】なお、初期輝度および２０日間発光駆動後
の輝度の測定は、市販の輝度計（ミノルタ（株）製ＣＳ
−１００）により行なった。
の輝度の測定は、市販の輝度計（ミノルタ（株）製ＣＳ
−１００）により行なった。
【００３５】本発明は上述した実施例に限定されず、要
旨の範囲内で種々の変更実施が可能である。
旨の範囲内で種々の変更実施が可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
本駆動波形に対してこの基本波形のピーク値を超えるパ
ルス波形を重畳して有機ＥＬ素子を発光駆動するように
したので、電極間に導電性パスが形成されなくなり、発
光動作の安定化が図れる。これにより発光駆動中の素子
の輝度低下と消光を抑えることができ、長期間安定に素
子を発光させることができる。また、有機ＥＬ素子の歩
留まりの向上を図ることができる。
本駆動波形に対してこの基本波形のピーク値を超えるパ
ルス波形を重畳して有機ＥＬ素子を発光駆動するように
したので、電極間に導電性パスが形成されなくなり、発
光動作の安定化が図れる。これにより発光駆動中の素子
の輝度低下と消光を抑えることができ、長期間安定に素
子を発光させることができる。また、有機ＥＬ素子の歩
留まりの向上を図ることができる。
【図１】基本駆動波形が直流の場合における本発明によ
る発光駆動波形を示す波形図である。
る発光駆動波形を示す波形図である。
【図２】基本駆動波形が正方向のパルス波形の場合にお
ける本発明による発光駆動波形を示す波形図である。
ける本発明による発光駆動波形を示す波形図である。
【図３】基本駆動波形が矩形波の交流波形の場合におけ
る本発明による発光駆動波形を示す波形図である。
る本発明による発光駆動波形を示す波形図である。
【図４】基本駆動波形が正方向のサイン波形の場合にお
ける本発明による発光駆動波形を示す波形図である。
ける本発明による発光駆動波形を示す波形図である。
【図５】基本駆動波形が交流波形の場合における本発明
による発光駆動波形を示す波形図である。
による発光駆動波形を示す波形図である。
【図６】基本駆動波形が直流の場合における本発明によ
る発光駆動波形を示す波形図である。
る発光駆動波形を示す波形図である。
【図７】基本駆動波形が直流の場合における本発明によ
る発光駆動波形の他の例を示す波形図である。
る発光駆動波形の他の例を示す波形図である。
【図８】基本駆動波形が直流の場合における本発明によ
る発光駆動波形のさらに他の例を示す波形図である。
る発光駆動波形のさらに他の例を示す波形図である。
【図９】本発明を適用した有機ＥＬ素子の深さ方向の成
分比を測定した結果を示す特性図である。
分比を測定した結果を示す特性図である。
【図１０】本発明による発光装置の一実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図１１】本発明による他の実施例の発光装置を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図１２】従来の有機ＥＬ素子の深さ方向の成分比を測
定した結果を示す特性図である。
定した結果を示す特性図である。
１ 有機エレクトロルミネッセンス素子 １ａ 陽極 １ｂ 有機単層部又は有機多層部 １ｃ 陰極 ２ 基本駆動波形発生回路 ３ パルス波発生回路 ４ 演算増幅器 ５ 受光素子 ６ トリガ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/08 H05B 33/14
Claims (4)
- 【請求項１】 陽極と陰極の間に有機化合物からなる発
光層を含む有機単層部又は有機多層部を有する有機エレ
クトロルミネッセンス素子を、陽極と陰極間に加えられ
る基本駆動波形によって駆動する発光駆動方法におい
て、 上記基本駆動波形に対して、この基本駆動波形のピーク
値よりも大きなピーク値を持つパルス波形列を重ね合わ
せた発光駆動波形によって、上記有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を駆動することを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子の駆動方法。 - 【請求項２】 上記パルス波形列のピーク値が上記基本
駆動波形のピーク値の２倍以上の大きさであるととも
に、１つのパルス波形のパルス印加時間が１秒以内であ
ることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の駆動方法。 - 【請求項３】 陽極と陰極の間に有機化合物からなる発
光層を含む有機単層部又は有機多層部を有し、陽極と陰
極間に基本駆動波形が加えられて発光される有機エレク
トロルミネッセンス素子と、 上記基本駆動波形に対して、この基本駆動波形のピーク
値よりも大きなピーク値を持つパルス波形列を重ね合わ
せた発光駆動波形を発生し、この発光駆動波形を上記陽
極と陰極間に印加して、上記有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を発光させる発光駆動源とを備えることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項４】 陽極と陰極の間に有機化合物からなる発
光層を含む有機単層部又は有機多層部を有し、陽極と陰
極間に基本駆動波形が加えられて発光される有機エレク
トロルミネッセンス素子と、 上記基本駆動波形に対して、この基本駆動波形のピーク
値よりも２倍以上の大きなピーク値を持つパルス波形列
が重ね合わされるとともに、１つのパルス波形のパルス
印加時間が１秒以内である発光駆動波形を発生し、この
発光駆動波形を上記陽極と陰極間に印加して有機エレク
トロルミネッセンス素子を発光させる発光駆動源とを備
えることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136324A JP2747168B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方法を用いた発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136324A JP2747168B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方法を用いた発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05307996A JPH05307996A (ja) | 1993-11-19 |
| JP2747168B2 true JP2747168B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=15172567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4136324A Expired - Fee Related JP2747168B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法およびこの駆動方法を用いた発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747168B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021568A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスの駆動回路 |
| WO2000015009A1 (fr) * | 1998-09-02 | 2000-03-16 | Seiko Epson Corporation | Source lumineuse et dispositif d'affichage |
| JP4508522B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 投写型表示装置 |
| JP4936160B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2012-05-23 | パナソニック株式会社 | 点灯装置及び照明装置 |
| WO2011145448A1 (ja) * | 2010-05-17 | 2011-11-24 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 照明装置および調光方法 |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP4136324A patent/JP2747168B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05307996A (ja) | 1993-11-19 |
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