JP2738196B2 - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、内燃機関を備えた自動
車等の走行加速度を測定または検出するための加速度セ
ンサに関する。
車等の走行加速度を測定または検出するための加速度セ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７〜図１７は従来の加速度センサの構
成を示している。以下この従来例の構成について説明す
る。図において、１０７はサブ基台であり、その表面中
央部に位置決め穴１４０を有する環状突起１０８が形成
されている。１０１は振動板であり、その中央部がサブ
基台１０７の環状突起１０８に溶接により固定されてい
る。１０２は振動板１０１の上面に固定されたセンサ出
力用の圧電セラミック素子である。この圧電セラミック
素子１０２は、中央部に丸穴１０６を、表面全体にプラ
ス電極１３２を、裏面全体にマイナス電極１３９を有す
る。振動板１０１の中央部の表面に形成された環状ビー
ド１４１の外周に圧電セラミック素子１０２の中央部の
丸穴１０６を嵌め込んだ状態でマイナス電極１３９が振
動板１０１の表面に導通して接着されている。
成を示している。以下この従来例の構成について説明す
る。図において、１０７はサブ基台であり、その表面中
央部に位置決め穴１４０を有する環状突起１０８が形成
されている。１０１は振動板であり、その中央部がサブ
基台１０７の環状突起１０８に溶接により固定されてい
る。１０２は振動板１０１の上面に固定されたセンサ出
力用の圧電セラミック素子である。この圧電セラミック
素子１０２は、中央部に丸穴１０６を、表面全体にプラ
ス電極１３２を、裏面全体にマイナス電極１３９を有す
る。振動板１０１の中央部の表面に形成された環状ビー
ド１４１の外周に圧電セラミック素子１０２の中央部の
丸穴１０６を嵌め込んだ状態でマイナス電極１３９が振
動板１０１の表面に導通して接着されている。
【０００３】圧電セラミック素子１０３は、前記圧電セ
ラミック素子１０２と同一の形状を有し、同様に中央部
に丸穴１３３を、表面全体にプラス電極１３４を、裏面
全体にマイナス電極１３５を有している。振動板１０１
の中央部の裏面に形成された環状ビード１４２の外周に
圧電セラミック素子１０３の中央部の丸穴１３３を嵌め
込んだ状態で、圧電セラミック素子１０３は表面のプラ
ス電極１３４を振動板１０１の裏面に導通して接着され
ている。
ラミック素子１０２と同一の形状を有し、同様に中央部
に丸穴１３３を、表面全体にプラス電極１３４を、裏面
全体にマイナス電極１３５を有している。振動板１０１
の中央部の裏面に形成された環状ビード１４２の外周に
圧電セラミック素子１０３の中央部の丸穴１３３を嵌め
込んだ状態で、圧電セラミック素子１０３は表面のプラ
ス電極１３４を振動板１０１の裏面に導通して接着され
ている。
【０００４】振動板１０１は、図１４および図１５に示
すように、金属円板の中央部にサブ基台１０７の位置決
め穴１４０と同径の位置決め穴１４４を有し、その回り
に同心円状に環状ビード１４１および１４２が、それぞ
れ表面および裏面に径を順次大きくして形成されてい
る。また振動板１０１は、図１６および図１７に示すよ
うに、その周縁に上向きのフランジ１４５を形成して加
速度センサの出力アップをした例もある。
すように、金属円板の中央部にサブ基台１０７の位置決
め穴１４０と同径の位置決め穴１４４を有し、その回り
に同心円状に環状ビード１４１および１４２が、それぞ
れ表面および裏面に径を順次大きくして形成されてい
る。また振動板１０１は、図１６および図１７に示すよ
うに、その周縁に上向きのフランジ１４５を形成して加
速度センサの出力アップをした例もある。
【０００５】図７〜図９において、表面のほぼ中央部に
環状突起１０８を有するサブ基台１０７はピン１０９、
１１０と共に基台１１１に一体成形されている。この環
状突起１０８に固定された振動板１０１の表面に導通接
着された圧電セラミック素子１０２のプラス電極１３２
と、振動板１０１の裏面に導通接着された圧電セラミッ
ク素子１０３のマイナス電極１３５は、それぞれリード
フレーム１１３、１１４および回路基板１１５を介して
センサ出力用ターミナル１１６へと接続されている。１
１７、１１８はそれぞれリードフレーム１１３、１１４
と圧電セラミック素子１０２および圧電セラミック素子
１０３との半田付け部を示している。１１９は回路基板
１１５の電源供給用ターミナルであり、１２０はグラン
ド用ターミナルであり、それぞれ回路基板１１５に接続
されている。ターミナル１１６、１１９、１２０は、い
ずれもコネクタ１２１に一体成形されている。１２２は
回路基板１１５を支持するためのピンである。１２３は
金属シールドケースであり、コネクタ１２１および固定
部１２４と一体成形された外部ケース１２５および基台
１１１と接着などにより固定されている。１２６は金属
シールドケース１２３に圧入固定され、外部ケース１２
５と溶接部１２７で接着固定された上部ケースである。
１２８は振動板１０１から切り起しで形成された端子で
あり、半田付け部１２９などの手段によって、リードフ
レーム１３０に接続されている。
環状突起１０８を有するサブ基台１０７はピン１０９、
１１０と共に基台１１１に一体成形されている。この環
状突起１０８に固定された振動板１０１の表面に導通接
着された圧電セラミック素子１０２のプラス電極１３２
と、振動板１０１の裏面に導通接着された圧電セラミッ
ク素子１０３のマイナス電極１３５は、それぞれリード
フレーム１１３、１１４および回路基板１１５を介して
センサ出力用ターミナル１１６へと接続されている。１
１７、１１８はそれぞれリードフレーム１１３、１１４
と圧電セラミック素子１０２および圧電セラミック素子
１０３との半田付け部を示している。１１９は回路基板
１１５の電源供給用ターミナルであり、１２０はグラン
ド用ターミナルであり、それぞれ回路基板１１５に接続
されている。ターミナル１１６、１１９、１２０は、い
ずれもコネクタ１２１に一体成形されている。１２２は
回路基板１１５を支持するためのピンである。１２３は
金属シールドケースであり、コネクタ１２１および固定
部１２４と一体成形された外部ケース１２５および基台
１１１と接着などにより固定されている。１２６は金属
シールドケース１２３に圧入固定され、外部ケース１２
５と溶接部１２７で接着固定された上部ケースである。
１２８は振動板１０１から切り起しで形成された端子で
あり、半田付け部１２９などの手段によって、リードフ
レーム１３０に接続されている。
【０００６】図９において、１５１は貫通コンデンサで
あり、この貫通コンデンサ１５１の外側の面は金属シー
ルドケース１２３に半田付けされ、内側の面はターミナ
ル１１６、１１９に半田付けされている。
あり、この貫通コンデンサ１５１の外側の面は金属シー
ルドケース１２３に半田付けされ、内側の面はターミナ
ル１１６、１１９に半田付けされている。
【０００７】次に、上記従来の加速度センサの動作につ
いて説明する。自動車等の走行により発生した加速度
が、外部ケース１２５、基台１１１およびサブ基台１０
７を介して振動板１０１に伝えられて、振動板１０１に
歪みが発生する。この振動板１０１の歪みは、圧電セラ
ミック素子１０２および１０３に引張力と圧縮力とを交
互に与えるため、圧電セラミック素子１０２および１０
３に電荷が発生する。この電荷は、回路基板１１５のイ
ンピーダンス変換回路で電圧に変換され、必要な帯域お
よび最適な出力レベルになるようにフィルタ回路および
増幅回路を通って出力される。
いて説明する。自動車等の走行により発生した加速度
が、外部ケース１２５、基台１１１およびサブ基台１０
７を介して振動板１０１に伝えられて、振動板１０１に
歪みが発生する。この振動板１０１の歪みは、圧電セラ
ミック素子１０２および１０３に引張力と圧縮力とを交
互に与えるため、圧電セラミック素子１０２および１０
３に電荷が発生する。この電荷は、回路基板１１５のイ
ンピーダンス変換回路で電圧に変換され、必要な帯域お
よび最適な出力レベルになるようにフィルタ回路および
増幅回路を通って出力される。
【０００８】このように、上記従来の加速度センサで
も、自動車等における加速度の測定または検出をするこ
とができる。
も、自動車等における加速度の測定または検出をするこ
とができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の加速度センサでは、金属シールドケースと貫通コン
デンサの半田接合の際に、貫通コンデンサの浮きおよび
傾きが発生するために、加速度センサの内部の気密を保
つことが困難となり、金属シールドケースの外側からの
流体が侵入し、加速度センサとして信頼性が劣化すると
いう問題があった。
来の加速度センサでは、金属シールドケースと貫通コン
デンサの半田接合の際に、貫通コンデンサの浮きおよび
傾きが発生するために、加速度センサの内部の気密を保
つことが困難となり、金属シールドケースの外側からの
流体が侵入し、加速度センサとして信頼性が劣化すると
いう問題があった。
【００１０】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
であり、外部からの液体の侵入を防ぎ気密性を確保する
ことにより、加速度センサとしての信頼性を向上させる
ことのできる優れた加速度センサを提供することを目的
とするものである。
であり、外部からの液体の侵入を防ぎ気密性を確保する
ことにより、加速度センサとしての信頼性を向上させる
ことのできる優れた加速度センサを提供することを目的
とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、金属シールドケースの貫通コンデンサ保
持部をラッパ状の絞り加工し、半田付けする際に発生す
るガスや膨脹した空気を外部に逃がす通気口を設け、金
属シールドケースと貫通コンデンサの外周を接合するリ
ング状になった第１の半田の溶融温度を、ターミナルと
貫通コンデンサの内周を接合するリング状になった第２
の半田の溶融温度よりも低くするようにしたものであ
る。
成するために、金属シールドケースの貫通コンデンサ保
持部をラッパ状の絞り加工し、半田付けする際に発生す
るガスや膨脹した空気を外部に逃がす通気口を設け、金
属シールドケースと貫通コンデンサの外周を接合するリ
ング状になった第１の半田の溶融温度を、ターミナルと
貫通コンデンサの内周を接合するリング状になった第２
の半田の溶融温度よりも低くするようにしたものであ
る。
【００１２】
【作用】したがって、本発明によれば、第１の半田が溶
融すると、金属シールドケースの絞り部の形状がラッパ
状になっているために、金属シールドケースと貫通コン
デンサの外周面との隙間に溶けた半田が流れ込みやすく
なり、第１の半田が第２の半田よりも先に溶融すること
により、また、半田付けする際に発生するガスや膨脹し
た空気を外部に逃がす溝および穴を設けることにより、
貫通コンデンサの上面に位置した第２の半田の自重によ
って貫通コンデンサが金属シールドケースの絞り部に確
実に規制され、貫通コンデンサが傾いたり浮いたりする
ことがなく正しい姿勢で半田付けされる。さらに、貫通
コンデンサの外周及び内周を気密状態に半田付けした後
に、ガス逃がし用の溝および穴を接着剤で密封すること
により、加速度感知部である圧電セラミック素子および
回路基板を確実に気密封止することができるため、特性
の安定した極めて信頼性の高い加速度センサを得ること
ができる。
融すると、金属シールドケースの絞り部の形状がラッパ
状になっているために、金属シールドケースと貫通コン
デンサの外周面との隙間に溶けた半田が流れ込みやすく
なり、第１の半田が第２の半田よりも先に溶融すること
により、また、半田付けする際に発生するガスや膨脹し
た空気を外部に逃がす溝および穴を設けることにより、
貫通コンデンサの上面に位置した第２の半田の自重によ
って貫通コンデンサが金属シールドケースの絞り部に確
実に規制され、貫通コンデンサが傾いたり浮いたりする
ことがなく正しい姿勢で半田付けされる。さらに、貫通
コンデンサの外周及び内周を気密状態に半田付けした後
に、ガス逃がし用の溝および穴を接着剤で密封すること
により、加速度感知部である圧電セラミック素子および
回路基板を確実に気密封止することができるため、特性
の安定した極めて信頼性の高い加速度センサを得ること
ができる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１〜図３は本発明の一実施例における
加速度センサの構成を示し、図１は同センサの図２のＢ
−Ｂ線に沿う断面図であり、図３は同センサの図２のＡ
−Ａ線に沿う断面図である。図４は振動板の平面図およ
び断面図である。
して説明する。図１〜図３は本発明の一実施例における
加速度センサの構成を示し、図１は同センサの図２のＢ
−Ｂ線に沿う断面図であり、図３は同センサの図２のＡ
−Ａ線に沿う断面図である。図４は振動板の平面図およ
び断面図である。
【００１４】図１〜図５において、７はサブ基台であ
り、中央部には環状突起８を有し、ピン９、１０、２２
と共に基台１１に一体成形されている。１はサブ基台７
の環状突起８に固定された振動板であり、中央部には位
置決め穴５８を有し、表面にはセンサ出力用の圧電サラ
ミック素子２が、裏面には圧電サラミック素子３がそれ
ぞれ固定されている。圧電サラミック素子２は裏面のマ
イナス電極が振動板１の表面に導通接着されている。圧
電サラミック素子３は表面のプラス電極が振動板１の裏
面に導通接着されている。圧電サラミック素子２のセン
サ出力用プラス電極１２と圧電サラミック素子３のマイ
ナス電極は、それぞれリードフレーム１３、１４および
回路基板１５を介してセンサ出力用ターミナル１６に接
続されている。１７、１８はそれぞれリードフレーム１
３、１４と圧電サラミック素子２、３との半田付け部を
示している。
り、中央部には環状突起８を有し、ピン９、１０、２２
と共に基台１１に一体成形されている。１はサブ基台７
の環状突起８に固定された振動板であり、中央部には位
置決め穴５８を有し、表面にはセンサ出力用の圧電サラ
ミック素子２が、裏面には圧電サラミック素子３がそれ
ぞれ固定されている。圧電サラミック素子２は裏面のマ
イナス電極が振動板１の表面に導通接着されている。圧
電サラミック素子３は表面のプラス電極が振動板１の裏
面に導通接着されている。圧電サラミック素子２のセン
サ出力用プラス電極１２と圧電サラミック素子３のマイ
ナス電極は、それぞれリードフレーム１３、１４および
回路基板１５を介してセンサ出力用ターミナル１６に接
続されている。１７、１８はそれぞれリードフレーム１
３、１４と圧電サラミック素子２、３との半田付け部を
示している。
【００１５】３０はリードフレームであり、振動板１に
設けられた位置決め用環状突起５の内側の溶接部２８に
て振動板１に固定されている。１９は回路基板１５の電
源供給用ターミナルであり、２０はグランド用ターミナ
ルであり、それぞれ回路基板１５に接続されている。タ
ーミナル１６、１９、２０はいずれもコネクタ２１に一
体成形せれている。２２は回路基板１５を支持するピン
である。２３は金属シールドケースであり、ターミナル
１６、１９、２０がそれぞれ貫通する部分にはラッパ状
の絞り部７１、７２、７３が形成されており、また底部
にはガス逃がし穴３８が設けられている。２５はコネク
タ２１および固定部２４と一体成形された外部ケースで
あり、絞り部７１、７２、７３とガス逃がし穴３８とを
結ぶガス逃がし溝３７が設けられている。２６は上部ケ
ースであり、金属シールドケース２３と溶接部２７で固
定されている。
設けられた位置決め用環状突起５の内側の溶接部２８に
て振動板１に固定されている。１９は回路基板１５の電
源供給用ターミナルであり、２０はグランド用ターミナ
ルであり、それぞれ回路基板１５に接続されている。タ
ーミナル１６、１９、２０はいずれもコネクタ２１に一
体成形せれている。２２は回路基板１５を支持するピン
である。２３は金属シールドケースであり、ターミナル
１６、１９、２０がそれぞれ貫通する部分にはラッパ状
の絞り部７１、７２、７３が形成されており、また底部
にはガス逃がし穴３８が設けられている。２５はコネク
タ２１および固定部２４と一体成形された外部ケースで
あり、絞り部７１、７２、７３とガス逃がし穴３８とを
結ぶガス逃がし溝３７が設けられている。２６は上部ケ
ースであり、金属シールドケース２３と溶接部２７で固
定されている。
【００１６】２９はターミナル１６と貫通コンデンサ４
との半田付け部であり、３４はターミナル１９と貫通コ
ンデンサ３６との半田付け部であり、３３、３５はそれ
ぞれ金属シールドケース２３と貫通コンデンサ４、３６
との半田付け部であり、３２はターミナル２０と金属シ
ールドケース２３との半田付け部である。
との半田付け部であり、３４はターミナル１９と貫通コ
ンデンサ３６との半田付け部であり、３３、３５はそれ
ぞれ金属シールドケース２３と貫通コンデンサ４、３６
との半田付け部であり、３２はターミナル２０と金属シ
ールドケース２３との半田付け部である。
【００１７】次に、上記実施例のターミナル１６、１
９、２０の半田付け方法について図５と共に説明する。
図５（Ａ）において、絞り部７１には貫通コンデンサ３
６およびワッシャー半田６６、６７が装着され、絞り部
７２にはワッシャー半田６３が装着され、絞り部７３に
は貫通コンデンサ４およびワッシャー半田６４、６５が
装着されている。ここで、ワッシャー半田６５、６７の
融点はワッシャー半田６４、６６の融点よりも低い温度
に設定されているものである。この状態で所定の温度に
設定されたリフロー炉を通すと、図５（Ｂ）に示すよう
に、融点の低いワッシャー半田６５、６７のみが先に溶
融する。これにより、絞り部７１と貫通コンデンサ３６
および絞り部７３と貫通コンデンサ４が全周にわたって
半田付けされる。このとき図２に示すように、ガス逃が
し溝３７およびガス逃がし穴３８を介して半田が溶融す
るときに発生するガスを容易に外部に逃がすことができ
る。また、ワッシャー半田６４、６６がそれぞれ貫通コ
ンデンサ４、３６を下方に押し付ける役目を果たすこと
により、貫通コンデンサ３６、４は傾いたり浮いたりす
ることなく、気密状態にそれぞれ絞り部７１、７３に半
田付けされる。さらに、リフロー炉を通る間に周囲温度
が上昇して、図５（Ｃ）に示すように、ワッシャー半田
６３、６４、６６が溶融する。これにより、ターミナル
１６、１９と貫通コンデンサ４、３６およびターミナル
２０と絞り部７２が全周にわたって気密状態に半田付け
される。
９、２０の半田付け方法について図５と共に説明する。
図５（Ａ）において、絞り部７１には貫通コンデンサ３
６およびワッシャー半田６６、６７が装着され、絞り部
７２にはワッシャー半田６３が装着され、絞り部７３に
は貫通コンデンサ４およびワッシャー半田６４、６５が
装着されている。ここで、ワッシャー半田６５、６７の
融点はワッシャー半田６４、６６の融点よりも低い温度
に設定されているものである。この状態で所定の温度に
設定されたリフロー炉を通すと、図５（Ｂ）に示すよう
に、融点の低いワッシャー半田６５、６７のみが先に溶
融する。これにより、絞り部７１と貫通コンデンサ３６
および絞り部７３と貫通コンデンサ４が全周にわたって
半田付けされる。このとき図２に示すように、ガス逃が
し溝３７およびガス逃がし穴３８を介して半田が溶融す
るときに発生するガスを容易に外部に逃がすことができ
る。また、ワッシャー半田６４、６６がそれぞれ貫通コ
ンデンサ４、３６を下方に押し付ける役目を果たすこと
により、貫通コンデンサ３６、４は傾いたり浮いたりす
ることなく、気密状態にそれぞれ絞り部７１、７３に半
田付けされる。さらに、リフロー炉を通る間に周囲温度
が上昇して、図５（Ｃ）に示すように、ワッシャー半田
６３、６４、６６が溶融する。これにより、ターミナル
１６、１９と貫通コンデンサ４、３６およびターミナル
２０と絞り部７２が全周にわたって気密状態に半田付け
される。
【００１８】ターミナル１６、１９、２０が半田付けさ
れた後に、図２に示す基台１１が金属シールドケース２
３に接着固定される。この際に、金属シールドケース２
３に設けられたガス逃がし穴３８は接着剤で封印され
る。これにより、金属シールドケース２３の外側の空気
と内側の空気を完全に遮断し、金属シールドケース２３
の外側からの流体の侵入を完全に防ぐことができる。こ
のため、加速度感知部である圧電セラミック素子および
回路基板を確実に気密封止することができるため、特性
の安定した極めて信頼性の高い加速度センサを得ること
ができる。
れた後に、図２に示す基台１１が金属シールドケース２
３に接着固定される。この際に、金属シールドケース２
３に設けられたガス逃がし穴３８は接着剤で封印され
る。これにより、金属シールドケース２３の外側の空気
と内側の空気を完全に遮断し、金属シールドケース２３
の外側からの流体の侵入を完全に防ぐことができる。こ
のため、加速度感知部である圧電セラミック素子および
回路基板を確実に気密封止することができるため、特性
の安定した極めて信頼性の高い加速度センサを得ること
ができる。
【００１９】上記実施例における加速度センサが車両に
装着された場合の動作については、従来の加速度センサ
と同一であるので説明は省略する。
装着された場合の動作については、従来の加速度センサ
と同一であるので説明は省略する。
【００２０】なお、図６はリードピン型の加速度センサ
における第２の実施例を示している。金属シールドケー
ス５０のリードピン４５、４６がそれぞれ貫通する部分
にはラッパ状の絞り部７４、７５が形成されており、ま
た底部にはガス逃がし穴５８およびガス逃がし穴５９が
設けられている。第１の実施例と同様にして、貫通コン
デンサ５４を気密状態に半田付けした後に、ガス逃がし
穴５８およびガス逃がし穴５９を接着剤で封印すること
により、第１の実施例と同様の作用効果が得られるもの
である。
における第２の実施例を示している。金属シールドケー
ス５０のリードピン４５、４６がそれぞれ貫通する部分
にはラッパ状の絞り部７４、７５が形成されており、ま
た底部にはガス逃がし穴５８およびガス逃がし穴５９が
設けられている。第１の実施例と同様にして、貫通コン
デンサ５４を気密状態に半田付けした後に、ガス逃がし
穴５８およびガス逃がし穴５９を接着剤で封印すること
により、第１の実施例と同様の作用効果が得られるもの
である。
【００２１】
【発明の効果】本発明は上記実施例より明らかなよう
に、金属シールドケースの底面にある絞り部をラッパ状
に加工することにより、絞り部と貫通コンデンサの外周
のすきまに半田が流れ込み易くなり、貫通コンデンサ外
周の第１の半田の方が貫通コンデンサ内周の第２の半田
より溶融温度が低く早く解けるために、第１の半田の方
が解ける際に第２の半田が重りの役目を果たし、貫通コ
ンデンサが傾いたり浮いたりすることがなく正しい姿勢
で半田付けすることができるという効果を有する。
に、金属シールドケースの底面にある絞り部をラッパ状
に加工することにより、絞り部と貫通コンデンサの外周
のすきまに半田が流れ込み易くなり、貫通コンデンサ外
周の第１の半田の方が貫通コンデンサ内周の第２の半田
より溶融温度が低く早く解けるために、第１の半田の方
が解ける際に第２の半田が重りの役目を果たし、貫通コ
ンデンサが傾いたり浮いたりすることがなく正しい姿勢
で半田付けすることができるという効果を有する。
【００２２】さらに、半田付けする際に発生するガスや
膨脹した空気を外部に逃がす溝および穴を設けることに
より、貫通コンデンサの外周を確実に気密状態に半田付
けすることができる。
膨脹した空気を外部に逃がす溝および穴を設けることに
より、貫通コンデンサの外周を確実に気密状態に半田付
けすることができる。
【００２３】また、貫通コンデンサの外周及び内周を気
密状態に半田付けした後に、ガス逃がし用の溝および穴
を接着剤で密封し、金属シールドケースの外側の空気と
内側の空気を完全に遮断したものであり、金属シールド
ケースの外側からの流体の侵入を完全に防ぐことができ
ることにより、加速度感知部である圧電セラミック素子
および回路基板を確実に気密封止することができるた
め、特性の安定した極めて信頼性の高い加速度センサを
得ることができる。
密状態に半田付けした後に、ガス逃がし用の溝および穴
を接着剤で密封し、金属シールドケースの外側の空気と
内側の空気を完全に遮断したものであり、金属シールド
ケースの外側からの流体の侵入を完全に防ぐことができ
ることにより、加速度感知部である圧電セラミック素子
および回路基板を確実に気密封止することができるた
め、特性の安定した極めて信頼性の高い加速度センサを
得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例における加速度センサの
側断面図
側断面図
【図２】同第１の実施例における加速度センサの正面断
面図
面図
【図３】同第１の実施例における加速度センサの上面図
【図４】同実施例における振動板の上面図および側面図
【図５】同実施例における貫通コンデンサの半田付け状
態を示す説明図
態を示す説明図
【図６】同第２の実施例における加速度センサの正面断
面図
面図
【図７】従来の加速度センサの上面図
【図８】従来の加速度センサの正面断面図
【図９】従来の加速度センサの側断面図
【図１０】従来の他の加速度センサの上面図
【図１１】従来の他の加速度センサの側断面図
【図１２】従来の加速度センサの圧電セラミック素子の
上面図
上面図
【図１３】従来の加速度センサの圧電セラミック素子の
上面図
上面図
【図１４】従来の加速度センサの振動板の上面図
【図１５】従来の加速度センサの振動板の側面図
【図１６】従来の加速度センサの振動板の上面図
【図１７】従来の加速度センサの振動板の側面図
１ 振動板 ２ 圧電セラミック ３ 圧電セラミック ４ 貫通コンデンサ １６ センサ出力用ターミナル １９ 電源供給用ターミナル ２０ グランド用ターミナル ２３ 金属シールドケース ３６ 貫通コンデンサ ３７ ガス逃がし溝 ３８ ガス逃がし穴 ７１ 絞り部 ７２ 絞り部 ７３ 絞り部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 紀行 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目３番 １号 松下通信工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−269363（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−157763（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−27872（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 表面中央部に環状突起を有するサブ基台
が電気的に絶縁される形で一体成形された基台と、中央
部が前記環状突起に固定された振動板と、前記振動板の
表裏両面に正負電極を互いに対向させて導通接着させた
２枚の圧電セラミック素子と、前記圧電セラミック素子
の電極にそれぞれ接続されたリード端子と、前記リード
端子からの信号を処理する回路基板と、前記圧電セラミ
ック素子と前記回路基板をシールドする金属ケースと、
前記回路基板からの信号を出力するターミナルと、前記
ターミナルに貫通し前記金属シールドケースに固定され
た貫通コンデンサとを備えた加速度センサにおいて、金
属シールドケースと貫通コンデンサの外周を接合する第
１の半田の溶融温度をターミナルと貫通コンデンサの内
周を接合する第２の半田の溶融温度よりも低くして、前
記貫通コンデンサを前記金属ケースおよび前記ターミナ
ルに固定して内部の気密性を保持することを特徴とする
加速度センサ。 - 【請求項２】 貫通コンデンサを金属シールドケースに
半田付けする際に発生するガスや膨脹した空気を外部に
逃がすための通気口を有することを特徴とする請求項１
記載の加速度センサ。 - 【請求項３】 金属シールドケースの貫通コンデンサ保
持部をラッパ状に絞り加工したことを特徴とする請求項
１記載の加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP823492A JP2738196B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP823492A JP2738196B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196633A JPH05196633A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2738196B2 true JP2738196B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=11687468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP823492A Expired - Fee Related JP2738196B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738196B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5028598B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2012-09-19 | 株式会社アミテック | 検出用回路を組み込んだ位置検出装置 |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP823492A patent/JP2738196B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05196633A (ja) | 1993-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |