JP2737156B2 - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JP2737156B2 JP2737156B2 JP63140004A JP14000488A JP2737156B2 JP 2737156 B2 JP2737156 B2 JP 2737156B2 JP 63140004 A JP63140004 A JP 63140004A JP 14000488 A JP14000488 A JP 14000488A JP 2737156 B2 JP2737156 B2 JP 2737156B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- gold
- semiconductor chip
- forming method
- electrode
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体チップのアルミニウム電極にバンプ
を形成する方法に関するものである。
を形成する方法に関するものである。
従来の技術 従来のバンプ形成方法を第２図に基づいて説明する。
半導体チップ101のアルミニウム電極102が配置された
一面上に、アルミニウム電極102との接着性の良好なチ
タン薄膜103を形成し、その上にパラジウム薄膜104を、
その上に金の薄膜105を順次真空蒸着やスパッタリング
によって形成する。次にこれらの薄膜上にレジスト膜を
形成するとともに、フォトリソグラフィによってアルミ
ニウム電極102上のレジスト膜を除去し、前記薄膜103,1
04,105を共通電極として金メッキを行うことにより金か
らなる山形のバンプ106を形成する。その後前記レジス
ト膜を除去するとともに、前記金バンプ106上にレジス
ト膜を形成し、金バンプ106以外の部分の前記各薄膜10
3,104,105を除去して、半導体チップ101のアルミニウム
電極102に金バンプ106を形成していた。
一面上に、アルミニウム電極102との接着性の良好なチ
タン薄膜103を形成し、その上にパラジウム薄膜104を、
その上に金の薄膜105を順次真空蒸着やスパッタリング
によって形成する。次にこれらの薄膜上にレジスト膜を
形成するとともに、フォトリソグラフィによってアルミ
ニウム電極102上のレジスト膜を除去し、前記薄膜103,1
04,105を共通電極として金メッキを行うことにより金か
らなる山形のバンプ106を形成する。その後前記レジス
ト膜を除去するとともに、前記金バンプ106上にレジス
ト膜を形成し、金バンプ106以外の部分の前記各薄膜10
3,104,105を除去して、半導体チップ101のアルミニウム
電極102に金バンプ106を形成していた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような方法では金バンプを形成
するために金の下地として３層の金属膜が必要であり、
製造プロセスが複雑であった。
するために金の下地として３層の金属膜が必要であり、
製造プロセスが複雑であった。
また、不良品のICへもバンプが形成されるため、金の
損失が大であった。
損失が大であった。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するため本発明のバンプ形成方法で
は、別の基板上に形成したバンプをツールに押しあてて
一旦転写し、このバンプをツールにて半導体チップのア
ルミニウム電極等のバンプを形成すべき電極に直接接合
することを特徴とするものである。
は、別の基板上に形成したバンプをツールに押しあてて
一旦転写し、このバンプをツールにて半導体チップのア
ルミニウム電極等のバンプを形成すべき電極に直接接合
することを特徴とするものである。
作用 本発明のバンプ形成方法によれば、別の基板上に形成
した寸法のそろったバンプをツールに一旦転写した後に
半導体チップのアルミニウム電極等に直接接合するた
め、複雑なバンプ形成プロセスがなくなるとともに、品
種が変わっても接合位置のデータ変更だけで対応でき
る。また、良品の半導体チップだけにバンプを形成でき
る。
した寸法のそろったバンプをツールに一旦転写した後に
半導体チップのアルミニウム電極等に直接接合するた
め、複雑なバンプ形成プロセスがなくなるとともに、品
種が変わっても接合位置のデータ変更だけで対応でき
る。また、良品の半導体チップだけにバンプを形成でき
る。
実 施 例 以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明の工程概略図である。絶縁基板である
ガラス基板201のエッジ部周辺201aを除く一主面201bにC
u,Ti,Ptなどからなる導電膜202を形成したのち、ポジタ
イプのフォトレジスト203をスピンコーティングした
後、露光，現像等の処理を行なって所定の開口部204を
前記フォトレジスト203に形成する。つぎに、その開口
部204に金バンプ205を電気メッキで形成したのち、前記
フォトレジスト203をアセトン等で除去する。その後、
超音波ホーン206の先端に取付けられた前記金バンプ205
より小さな穴207をルビー製キャピラリー208を金バンプ
205に押しあてて、金バンプ205をキャピラリー208の穴2
07に転写した後に、半導体チップ209のアルミニウム電
極210に超音波圧着等の手段で接合して半導体チップ209
のアルミニウム電極210上に金バンプ205を形成する。
ガラス基板201のエッジ部周辺201aを除く一主面201bにC
u,Ti,Ptなどからなる導電膜202を形成したのち、ポジタ
イプのフォトレジスト203をスピンコーティングした
後、露光，現像等の処理を行なって所定の開口部204を
前記フォトレジスト203に形成する。つぎに、その開口
部204に金バンプ205を電気メッキで形成したのち、前記
フォトレジスト203をアセトン等で除去する。その後、
超音波ホーン206の先端に取付けられた前記金バンプ205
より小さな穴207をルビー製キャピラリー208を金バンプ
205に押しあてて、金バンプ205をキャピラリー208の穴2
07に転写した後に、半導体チップ209のアルミニウム電
極210に超音波圧着等の手段で接合して半導体チップ209
のアルミニウム電極210上に金バンプ205を形成する。
以上のように本発明によれば、別の基板に形成した金
バンプ205をキャピラリー208で転写して直接半導体チッ
プ209のアルミニウム電極210に接合することによって、
金バンプ形成の工程を簡単にすることができる。なお、
キャピラリー208の材質はルビーとしたが、セラミック
や金属でもよい。またバンプ205はCu,Ag等でもよい。さ
らに、半導体チップ209のアルミニウム電極210の代わり
に厚膜ハイブリッドICの厚膜電極でもよい。
バンプ205をキャピラリー208で転写して直接半導体チッ
プ209のアルミニウム電極210に接合することによって、
金バンプ形成の工程を簡単にすることができる。なお、
キャピラリー208の材質はルビーとしたが、セラミック
や金属でもよい。またバンプ205はCu,Ag等でもよい。さ
らに、半導体チップ209のアルミニウム電極210の代わり
に厚膜ハイブリッドICの厚膜電極でもよい。
発明の効果 以上のように本発明は別の基板に形成したバンプをツ
ールに転写し、このツールにて直接バンプを形成すべき
電極に接合することによって、バリアメタル層なしに直
接バンプを半導体チップのアルミニウム電極等の電極に
形成することができるとともに、良品の半導体チップの
みにバンプ形成をすることができる。また、バリアメタ
ル層がないことから、バンプと電極との接続抵抗を下げ
ることができる。更には、品種の変更に対してはフォト
マスクの変更がいらない等、大なる効果を発揮する。
ールに転写し、このツールにて直接バンプを形成すべき
電極に接合することによって、バリアメタル層なしに直
接バンプを半導体チップのアルミニウム電極等の電極に
形成することができるとともに、良品の半導体チップの
みにバンプ形成をすることができる。また、バリアメタ
ル層がないことから、バンプと電極との接続抵抗を下げ
ることができる。更には、品種の変更に対してはフォト
マスクの変更がいらない等、大なる効果を発揮する。
第１図は本発明の一実施例におけるバンプ形成方法の工
程の概略図、第２図は従来のバンプ形成方法の工程概略
図である。 201……ガラス基板、202……導電膜、203……フォトレ
ジスト、204……開口部、205……金バンプ、206……超
音波ホーン、207……穴、208……キャピラリ、209……
半導体チップ、210……アルミニウム電極。
程の概略図、第２図は従来のバンプ形成方法の工程概略
図である。 201……ガラス基板、202……導電膜、203……フォトレ
ジスト、204……開口部、205……金バンプ、206……超
音波ホーン、207……穴、208……キャピラリ、209……
半導体チップ、210……アルミニウム電極。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に導電膜を形成する工程と、前
記導電膜に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に一定
間隔でバンプを形成すべき電極より小さな開口部を形成
し、この開口部に電気メッキによってバンプを形成する
工程と、前記バンプをツール先端に押しあてて転写し、
このバンプをツールにてバンプを形成すべき電極に直接
接合する工程とを有するバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140004A JP2737156B2 (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140004A JP2737156B2 (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01308054A JPH01308054A (ja) | 1989-12-12 |
| JP2737156B2 true JP2737156B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=15258694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63140004A Expired - Lifetime JP2737156B2 (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737156B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290957A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP63140004A patent/JP2737156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01308054A (ja) | 1989-12-12 |
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