JP2723788B2 - 気密封止型半導体装置用パッケージ - Google Patents
気密封止型半導体装置用パッケージInfo
- Publication number
- JP2723788B2 JP2723788B2 JP5251252A JP25125293A JP2723788B2 JP 2723788 B2 JP2723788 B2 JP 2723788B2 JP 5251252 A JP5251252 A JP 5251252A JP 25125293 A JP25125293 A JP 25125293A JP 2723788 B2 JP2723788 B2 JP 2723788B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- glass
- melting
- cap
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気密封止型半導体装置用
パッケージに関し、特に低融点ガラスを封止材として用
いてパッケージ基板とキャップとを気密封止する気密封
止型半導体装置用パッケージに関する。
パッケージに関し、特に低融点ガラスを封止材として用
いてパッケージ基板とキャップとを気密封止する気密封
止型半導体装置用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の気密封止型半導体装置用パッケー
ジは、例えば特公昭６２−１２２２４２号公報に記載さ
れている。図６を参照すると、この気密封止型半導体装
置用パッケージは、複数層のセラミック部材の組み合せ
によりキャビティ空間１０が形成されたパッケージ基板
１とキャップ２と低融点ガラス３とダム部材１２とを備
え、パッケージ基板１は、四角形の平板状グリーンシー
トからなる、底基板１ｃとその上に中央部がくり抜かれ
た形状の枠部材１ｂとが配置され、さらにその上に枠部
材１ａをそれぞれ積層して所定の温度で同時焼結するこ
とにより得られるとしている。
ジは、例えば特公昭６２−１２２２４２号公報に記載さ
れている。図６を参照すると、この気密封止型半導体装
置用パッケージは、複数層のセラミック部材の組み合せ
によりキャビティ空間１０が形成されたパッケージ基板
１とキャップ２と低融点ガラス３とダム部材１２とを備
え、パッケージ基板１は、四角形の平板状グリーンシー
トからなる、底基板１ｃとその上に中央部がくり抜かれ
た形状の枠部材１ｂとが配置され、さらにその上に枠部
材１ａをそれぞれ積層して所定の温度で同時焼結するこ
とにより得られるとしている。
【０００３】このパッケージは、枠部材１ａの最上部の
封止代上に被着された低融点ガラス３の中に枠状のダム
部材１２が埋設されているため、これが障害物となって
溶融された低融点ガラス３が流動しにくい状態となり、
内圧が増加して低融点ガラス３が外部方向に押圧されて
も、封止部分にブローホールが開口されことを防止でき
機密信頼性が高いとしている。
封止代上に被着された低融点ガラス３の中に枠状のダム
部材１２が埋設されているため、これが障害物となって
溶融された低融点ガラス３が流動しにくい状態となり、
内圧が増加して低融点ガラス３が外部方向に押圧されて
も、封止部分にブローホールが開口されことを防止でき
機密信頼性が高いとしている。
【０００４】また、他の従来例が特開昭６２−１５４７
６３号公報に記載されている。図７を参照すると、この
機密封止型半導体装置は、パッケージ基板１（１ａ，１
ｂ，１ｃ）とキャップ２と低融点ガラス３および３’と
高融点ガラス４と半導体素子５とを備え、基板１の溝部
に半導体素子５が固定され、キャップ２の裏面周端部の
内側に低融点ガラス３を、中側に高融点ガラス４を、外
側に低融点ガラス３’をそれぞれ塗布している。この構
成により、封止時にキャビティ内からガスが発生しても
中側の高融点ガラスによりガスを押しとどめ、外側では
低融点ガラスが良好に漏れ広がる。したがってブローホ
ールが防止され、漏れ性の問題を改良し封着強度を向上
させたとしている。
６３号公報に記載されている。図７を参照すると、この
機密封止型半導体装置は、パッケージ基板１（１ａ，１
ｂ，１ｃ）とキャップ２と低融点ガラス３および３’と
高融点ガラス４と半導体素子５とを備え、基板１の溝部
に半導体素子５が固定され、キャップ２の裏面周端部の
内側に低融点ガラス３を、中側に高融点ガラス４を、外
側に低融点ガラス３’をそれぞれ塗布している。この構
成により、封止時にキャビティ内からガスが発生しても
中側の高融点ガラスによりガスを押しとどめ、外側では
低融点ガラスが良好に漏れ広がる。したがってブローホ
ールが防止され、漏れ性の問題を改良し封着強度を向上
させたとしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の気密封
止型半導体装置用パッケージは、通常はパッケージ基板
およびキャップを中心位置が同一になるようにクリップ
等により固定した後、ベーク炉において封止を行なう。
例えば、ベーク炉に投入する前のパッケージの断面図を
示す図４、およびこのパッケージをベーク炉で封止を行
なった後の状態の断面図を示した図５を参照すると、こ
れらの図に付した構成要素の符号は前述した図６および
図７の符号と対応させてある。上述した封入工程におい
て、ベーク温度の上昇にともない低融点ガラス８の軟
化、あるいはキャビティ内の空気圧の上昇、およびクリ
ップの加圧によりガラスの流れ出しやパッケージ基板と
キャップの中心位置ずれが生じ、ひいては低融点ガラス
８の軟化によりパッケージの周辺部からはみ出すガラス
の突起１１が発生する。
止型半導体装置用パッケージは、通常はパッケージ基板
およびキャップを中心位置が同一になるようにクリップ
等により固定した後、ベーク炉において封止を行なう。
例えば、ベーク炉に投入する前のパッケージの断面図を
示す図４、およびこのパッケージをベーク炉で封止を行
なった後の状態の断面図を示した図５を参照すると、こ
れらの図に付した構成要素の符号は前述した図６および
図７の符号と対応させてある。上述した封入工程におい
て、ベーク温度の上昇にともない低融点ガラス８の軟
化、あるいはキャビティ内の空気圧の上昇、およびクリ
ップの加圧によりガラスの流れ出しやパッケージ基板と
キャップの中心位置ずれが生じ、ひいては低融点ガラス
８の軟化によりパッケージの周辺部からはみ出すガラス
の突起１１が発生する。
【０００６】このため、ソケット実装ができないという
欠点がある。上述した従来例では、いずれもパッケージ
基板とキャップとの中心位置ずれに対する防止対策がな
されていないので、このガラスの突起が発生するのは避
けられない。
欠点がある。上述した従来例では、いずれもパッケージ
基板とキャップとの中心位置ずれに対する防止対策がな
されていないので、このガラスの突起が発生するのは避
けられない。
【０００７】また、図７に示したパッケージでは、ガラ
ス部材が低融点ガラス、高融点ガラス、低融点ガラスと
３列になっているので、通常の印刷技術を用いたガラス
実装技術では０．５ｍｍの３列倍、すなわち１．５ｍｍ
以上の封止代が必要となり、現状では１．０ｍｍ程度が
限界であるから実装は困難である。
ス部材が低融点ガラス、高融点ガラス、低融点ガラスと
３列になっているので、通常の印刷技術を用いたガラス
実装技術では０．５ｍｍの３列倍、すなわち１．５ｍｍ
以上の封止代が必要となり、現状では１．０ｍｍ程度が
限界であるから実装は困難である。
【０００８】本発明の目的は、上述した従来の欠点に鑑
みなされたものであり、ベーク炉における加熱によって
低融点ガラスが融解して気密封止するパッケージ基板お
よびキャップからなる気密封止型半導体装置用パッケー
ジにおいて、封止時におけるパッケージ基板とキャップ
との中心位置ずれ、およびガラス封止材の軟化によるガ
ラス突起の発生を防止した気密封止型半導体装置用パッ
ケージを提供することにある。
みなされたものであり、ベーク炉における加熱によって
低融点ガラスが融解して気密封止するパッケージ基板お
よびキャップからなる気密封止型半導体装置用パッケー
ジにおいて、封止時におけるパッケージ基板とキャップ
との中心位置ずれ、およびガラス封止材の軟化によるガ
ラス突起の発生を防止した気密封止型半導体装置用パッ
ケージを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の気密封止型半導
体装置用パッケージの特徴は、低融点ガラスを封止材と
して用い、前記封止材によって封止される部分に前記封
止材の流動を阻止する障害物が埋設され、パッケージ基
板およびキャップを気密封止する気密封止型半導体装置
用パッケージにおいて、前記封止材用低融点ガラスが前
記キャップ内面外周部の封止代の内側寄りに、前記パッ
ケージのキャップの中心位置のずれを阻止する位置ずれ
防止用および前記障害物用の高融点ガラスが前記パッケ
ージ基板の封止代の外側寄りに、半円柱状の形状をもた
せて、かつ互の位置が所定のずれ幅をもって、それぞれ
被着されて実装したことにある。
体装置用パッケージの特徴は、低融点ガラスを封止材と
して用い、前記封止材によって封止される部分に前記封
止材の流動を阻止する障害物が埋設され、パッケージ基
板およびキャップを気密封止する気密封止型半導体装置
用パッケージにおいて、前記封止材用低融点ガラスが前
記キャップ内面外周部の封止代の内側寄りに、前記パッ
ケージのキャップの中心位置のずれを阻止する位置ずれ
防止用および前記障害物用の高融点ガラスが前記パッケ
ージ基板の封止代の外側寄りに、半円柱状の形状をもた
せて、かつ互の位置が所定のずれ幅をもって、それぞれ
被着されて実装したことにある。
【００１０】本発明の気密封止型半導体装置用パッケー
ジの他の特徴は、低融点ガラスを封止材として用い、前
記封止材によって封止される部分に前記封止材の流動を
阻止する障害物が埋設され、パッケージ基板およびキャ
ップを気密封止する気密封止型半導体装置用パッケージ
において、前記パッケージのキャップの中心位置のずれ
を阻止する位置ずれ防止用および前記障害物用の高融点
ガラスが前記キャップ内面外周部の封止代の外側寄り
に、前記封止材用低融点ガラスが前記パッケージ基板の
封止代の内側寄りに、半円柱状の形状をもたせて、かつ
互の位置が所定のずれ幅をもって、それぞれ被着されて
実装したことにある。
ジの他の特徴は、低融点ガラスを封止材として用い、前
記封止材によって封止される部分に前記封止材の流動を
阻止する障害物が埋設され、パッケージ基板およびキャ
ップを気密封止する気密封止型半導体装置用パッケージ
において、前記パッケージのキャップの中心位置のずれ
を阻止する位置ずれ防止用および前記障害物用の高融点
ガラスが前記キャップ内面外周部の封止代の外側寄り
に、前記封止材用低融点ガラスが前記パッケージ基板の
封止代の内側寄りに、半円柱状の形状をもたせて、かつ
互の位置が所定のずれ幅をもって、それぞれ被着されて
実装したことにある。
【００１１】また、前記所定のずれ幅は、前記位置ずれ
防止用高融点ガラスをそのガラス幅より小さい略半分の
幅だけ前記封止材用低融点ガラスの外側寄りにずらし、
残りの部分は相対する位置が重なるように被着された幅
とすることができる。
防止用高融点ガラスをそのガラス幅より小さい略半分の
幅だけ前記封止材用低融点ガラスの外側寄りにずらし、
残りの部分は相対する位置が重なるように被着された幅
とすることができる。
【００１２】
【実施例】本発明の気密封止型半導体装置用パッケージ
は、封止材の低融点ガラスと、この封止材の流動を防止
するダム（障害物）の役割をもち、かつキャップの中心
位置ずれ防止用の高融点ガラスとをパッケージ基板およ
びキャップに独立した形で実装している。さらに、低融
点ガラスは高融点ガラスよりもＬ／２からＬ（ガラス
幅）分の距離をもたせて内側に配置し、低融点ガラスお
よび高融点ガラスをそれぞれの融点においてパッケージ
基板またはキャップに実装し、かつ各単体でこのガラス
を一時的に融かすメルト処理を行ない、各ガラスを表面
張力により丸味をつけた点が従来例と相違する。
は、封止材の低融点ガラスと、この封止材の流動を防止
するダム（障害物）の役割をもち、かつキャップの中心
位置ずれ防止用の高融点ガラスとをパッケージ基板およ
びキャップに独立した形で実装している。さらに、低融
点ガラスは高融点ガラスよりもＬ／２からＬ（ガラス
幅）分の距離をもたせて内側に配置し、低融点ガラスお
よび高融点ガラスをそれぞれの融点においてパッケージ
基板またはキャップに実装し、かつ各単体でこのガラス
を一時的に融かすメルト処理を行ない、各ガラスを表面
張力により丸味をつけた点が従来例と相違する。
【００１３】次に、本発明の実施例について図面を参照
しがら説明する。
しがら説明する。
【００１４】図１は第１の実施例を示すベーク炉に投入
する前のパッケージの縦断面図である。同図を参照する
と、この気密封止型半導体装置用パッケージは、パッケ
ージ枠１ａ、内部配線１ｂ、およびパッケージベース１
ｃからなるパッケージ基板１と、パッケージのキャップ
２と、低融点ガラス３と、高融点ガラス４と、半導体素
子５と、マウント材６と、樹脂コート７と、封止代８ａ
および８ｂと、ボンディング線９とを備える。
する前のパッケージの縦断面図である。同図を参照する
と、この気密封止型半導体装置用パッケージは、パッケ
ージ枠１ａ、内部配線１ｂ、およびパッケージベース１
ｃからなるパッケージ基板１と、パッケージのキャップ
２と、低融点ガラス３と、高融点ガラス４と、半導体素
子５と、マウント材６と、樹脂コート７と、封止代８ａ
および８ｂと、ボンディング線９とを備える。
【００１５】さらに、パッケージ基板１上の外周部に沿
って高融点ガラス４が被着され、この外周部と接着され
るキャップ２の裏面側の封止代８ａの内縁部に沿って低
融点ガラス３が被着される。これら高融点ガラス４と低
融点ガラス３とはそれぞれ半円柱状の形状をもたせ、か
つ互の位置関係は、高融点ガラス４が低融点ガラス３の
外側寄りになる。この状態でキャップ２とパッケージ基
板１とが接着されることによって、パッケージベース１
ｃに設けられたキャビティ内１０に、マウント材６を介
して接着された半導体素子５が気密封止されるセラミッ
クまたはサーディップ型半導体装置である。
って高融点ガラス４が被着され、この外周部と接着され
るキャップ２の裏面側の封止代８ａの内縁部に沿って低
融点ガラス３が被着される。これら高融点ガラス４と低
融点ガラス３とはそれぞれ半円柱状の形状をもたせ、か
つ互の位置関係は、高融点ガラス４が低融点ガラス３の
外側寄りになる。この状態でキャップ２とパッケージ基
板１とが接着されることによって、パッケージベース１
ｃに設けられたキャビティ内１０に、マウント材６を介
して接着された半導体素子５が気密封止されるセラミッ
クまたはサーディップ型半導体装置である。
【００１６】パッケージ基板１ｃは、例えばセラミック
が用いられ、このパッケージベース１ｃに装着される半
導体素子５は、メモリ装置あるいはマイクロコンピュー
タ等の論理回路で構成された装置である。これらの半導
体素子５のペレット周辺部には信号の入出力用パッドが
設けられている。これらのパッドおよびパッケージベー
ス上に装着された内部配線１ｂが、例えば、Ａｕ等の金
属ワイヤ線によってボンディング接続されて半導体素子
５の入出力信号が外部に取り出され、あるいは外部から
供給される。内部配線１ｂは、例えばスクリーン印刷等
により行なわれる。以上のように半導体素子５が装着さ
れたパッケージ基板１はキャップ２が接着され封止され
る。
が用いられ、このパッケージベース１ｃに装着される半
導体素子５は、メモリ装置あるいはマイクロコンピュー
タ等の論理回路で構成された装置である。これらの半導
体素子５のペレット周辺部には信号の入出力用パッドが
設けられている。これらのパッドおよびパッケージベー
ス上に装着された内部配線１ｂが、例えば、Ａｕ等の金
属ワイヤ線によってボンディング接続されて半導体素子
５の入出力信号が外部に取り出され、あるいは外部から
供給される。内部配線１ｂは、例えばスクリーン印刷等
により行なわれる。以上のように半導体素子５が装着さ
れたパッケージ基板１はキャップ２が接着され封止され
る。
【００１７】すなわち、図１を参照すると、枠状の印刷
パターンを用いて低融点ガラス３を封止台８ａ上に被着
させたキャップ２と、前述した印刷パターンの枠よりも
ガラス幅の１倍ないし２倍程度大きな枠状の印刷パター
ンにより高融点ガラス４を封止代８ｂ上に被着させたパ
ッケージ基板とを準備する。また、それぞれの低融点ガ
ラス３および高融点ガラス４は、パッケージ基板および
キャップを合せる前にメルト処理を行ない、表面張力に
よりガラス表面に丸味をもたせて半円柱状にする。この
パッケージ基板およびキャップをクリップではさみ、ト
レーによりベーク炉に挿入して封止処理を行なう。
パターンを用いて低融点ガラス３を封止台８ａ上に被着
させたキャップ２と、前述した印刷パターンの枠よりも
ガラス幅の１倍ないし２倍程度大きな枠状の印刷パター
ンにより高融点ガラス４を封止代８ｂ上に被着させたパ
ッケージ基板とを準備する。また、それぞれの低融点ガ
ラス３および高融点ガラス４は、パッケージ基板および
キャップを合せる前にメルト処理を行ない、表面張力に
よりガラス表面に丸味をもたせて半円柱状にする。この
パッケージ基板およびキャップをクリップではさみ、ト
レーによりベーク炉に挿入して封止処理を行なう。
【００１８】このベーク炉に挿入して封止した状態のパ
ッケージの断面図を示した図２を参照すると、この図に
付した構成要素の符号は図１の構成要素の符号と同一で
ある。再び同図を参照すると、このベーク炉による封止
処理の結果、高温度により軟化した低融点ガラス３は、
半円柱状の高融点ガラス４を包み込んだ状態になり気密
封止が完了する。
ッケージの断面図を示した図２を参照すると、この図に
付した構成要素の符号は図１の構成要素の符号と同一で
ある。再び同図を参照すると、このベーク炉による封止
処理の結果、高温度により軟化した低融点ガラス３は、
半円柱状の高融点ガラス４を包み込んだ状態になり気密
封止が完了する。
【００１９】ここで樹脂コート上の封止代８ｂ上に被着
された半円柱状の高融点ガラス４の幅をＬとし、キャッ
プ２の封止代８ａ上に被着された半円柱状の低融点ガラ
ス３の縁端部からキャップ外周縁部までの間隔をΔＬと
する。この高融点ガラスの低融点ガラス３に対する被着
位置のずれ量をこのΔＬに合せてＬ／２より大きく、Ｌ
より小さい範囲に設定することにより、高融点ガラスが
ダムの役割りを果し、溶融した低融点ガラス３は半円柱
状の高融点ガラス４の表面丸味に沿って流れ、かつ表面
張力により流動が阻止される方向に作用するのでパッケ
ージ枠１ａをはみ出すガラス突起を生じることがない。
またパッケージ基板にキャップをかぶせる場合に円柱状
の低融点ガラスと円柱状の高融点ガラスがかみ合うので
中心位置のずれが防止できる。
された半円柱状の高融点ガラス４の幅をＬとし、キャッ
プ２の封止代８ａ上に被着された半円柱状の低融点ガラ
ス３の縁端部からキャップ外周縁部までの間隔をΔＬと
する。この高融点ガラスの低融点ガラス３に対する被着
位置のずれ量をこのΔＬに合せてＬ／２より大きく、Ｌ
より小さい範囲に設定することにより、高融点ガラスが
ダムの役割りを果し、溶融した低融点ガラス３は半円柱
状の高融点ガラス４の表面丸味に沿って流れ、かつ表面
張力により流動が阻止される方向に作用するのでパッケ
ージ枠１ａをはみ出すガラス突起を生じることがない。
またパッケージ基板にキャップをかぶせる場合に円柱状
の低融点ガラスと円柱状の高融点ガラスがかみ合うので
中心位置のずれが防止できる。
【００２０】次に、第２の実施例におけるベーク炉に挿
入する前のパッケージ断面図を示した図３を参照する
と、こ図に付した構成要素の符号も図１の構成要素の符
号と同一であるから構成の説明は省略する。
入する前のパッケージ断面図を示した図３を参照する
と、こ図に付した構成要素の符号も図１の構成要素の符
号と同一であるから構成の説明は省略する。
【００２１】この気密封止型半導体装置用パッケージ
は、枠状の印刷パターンを用いて低融点ガラス３を印刷
して封止代８ｂ上に施したパッケージ基板１と、この印
刷パターンの枠よりもガラス幅の１倍ないし２倍程度大
きな枠状の印刷パターンにより高融点ガラス４を印刷し
て封止代８ａ上に施したキャップ２とを準備する。
は、枠状の印刷パターンを用いて低融点ガラス３を印刷
して封止代８ｂ上に施したパッケージ基板１と、この印
刷パターンの枠よりもガラス幅の１倍ないし２倍程度大
きな枠状の印刷パターンにより高融点ガラス４を印刷し
て封止代８ａ上に施したキャップ２とを準備する。
【００２２】すなわち、第１の実施例の場合の半円柱状
の低融点ガラス３および半円柱状の高融点ガラス４の配
置がそれぞれ逆になっている。さらにキャップの樹脂コ
ート上の封止代８ａ上に被着された半円柱状の高融点ガ
ラス４の幅をＬとし、パッケージ１の封止代８ｂ上に被
着された半円柱状の低融点ガラス３の縁端部からキャッ
プ外周縁部までの間隔をΔＬとすると、この低融点ガラ
ス３の高融点ガラス４に対するずれ量をこのΔＬに合せ
てＬ／２より大きく、Ｌより小さい範囲に設定すること
により、この場合も第１の実施例同様に半円柱状の高融
点ガラスがダムの役割りを果し、半円柱状の高融点ガラ
ス４の表面丸味に沿って流れ出す溶融した低融点ガラス
３の流動が阻止される方向に作用するので、パッケージ
枠１ａをはみ出すガラス突起を生じることがない。また
パッケージ基板にキャップをかぶせる場合に円柱状の低
融点ガラスと円柱状の高融点ガラスがかみ合うので中心
位置のずれが防止できる。
の低融点ガラス３および半円柱状の高融点ガラス４の配
置がそれぞれ逆になっている。さらにキャップの樹脂コ
ート上の封止代８ａ上に被着された半円柱状の高融点ガ
ラス４の幅をＬとし、パッケージ１の封止代８ｂ上に被
着された半円柱状の低融点ガラス３の縁端部からキャッ
プ外周縁部までの間隔をΔＬとすると、この低融点ガラ
ス３の高融点ガラス４に対するずれ量をこのΔＬに合せ
てＬ／２より大きく、Ｌより小さい範囲に設定すること
により、この場合も第１の実施例同様に半円柱状の高融
点ガラスがダムの役割りを果し、半円柱状の高融点ガラ
ス４の表面丸味に沿って流れ出す溶融した低融点ガラス
３の流動が阻止される方向に作用するので、パッケージ
枠１ａをはみ出すガラス突起を生じることがない。また
パッケージ基板にキャップをかぶせる場合に円柱状の低
融点ガラスと円柱状の高融点ガラスがかみ合うので中心
位置のずれが防止できる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の気密封止
型半導体パッケージは、半円柱状の低融点ガラスおよび
半円柱状の高融点ガラスをパッケージ基板およびキャッ
プにそれぞれ独立して被着され、かつ低融点ガラスは高
融点ガラスよりも内側に被着され、かつこの高融点ガラ
スの被着位置を、低融点ガラスの外側縁端部に対して外
側寄りにガラス幅より小さい略半分の幅分ずらして被着
させる。さらに、それぞれのガラスに半円柱状の丸味を
つけたことにより、パッケージ基板にキャップをかぶせ
る場合に低融点ガラスと高融点ガラスがかみ合うので中
心位置のずれが防止できる。
型半導体パッケージは、半円柱状の低融点ガラスおよび
半円柱状の高融点ガラスをパッケージ基板およびキャッ
プにそれぞれ独立して被着され、かつ低融点ガラスは高
融点ガラスよりも内側に被着され、かつこの高融点ガラ
スの被着位置を、低融点ガラスの外側縁端部に対して外
側寄りにガラス幅より小さい略半分の幅分ずらして被着
させる。さらに、それぞれのガラスに半円柱状の丸味を
つけたことにより、パッケージ基板にキャップをかぶせ
る場合に低融点ガラスと高融点ガラスがかみ合うので中
心位置のずれが防止できる。
【００２４】また、上述した構成によるパッケージ基板
およびキャップをクリップではさみ、ベーク炉に挿入し
て封止処理を行なうと、ベーク炉内の高温処理によりパ
ッケージのキャビティ内の気圧上昇と、クリップの加圧
とにより低融点ガラスが融けて流れ出すが、半円柱状の
高融点ガラスがダムの役割りを果しているので外部への
低融点ガラスの流動を最小限にでき、したがってパッケ
ージ枠１ａをはみ出すガラス突起を生じることがない。
およびキャップをクリップではさみ、ベーク炉に挿入し
て封止処理を行なうと、ベーク炉内の高温処理によりパ
ッケージのキャビティ内の気圧上昇と、クリップの加圧
とにより低融点ガラスが融けて流れ出すが、半円柱状の
高融点ガラスがダムの役割りを果しているので外部への
低融点ガラスの流動を最小限にでき、したがってパッケ
ージ枠１ａをはみ出すガラス突起を生じることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例におけるベーク炉に挿入
する前のパッケージの断面図である。
する前のパッケージの断面図である。
【図２】図１に示したパッケージをベーク炉に挿入した
後の断面図である。
後の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例におけるベーク炉に挿入
する前のパッケージの断面図である。
する前のパッケージの断面図である。
【図４】従来例のパッケージをベーク炉に挿入する前の
断面図である。
断面図である。
【図５】従来例のパッケージをベーク炉に挿入した後の
断面図である。
断面図である。
【図６】従来例のパッケージでダムを設けたパッケージ
の例を示す断面図である。
の例を示す断面図である。
【図７】従来例のパッケージでガラス部材を３列に並べ
た例を示す断面図である。
た例を示す断面図である。
１ パッケージ基板 １ａ パッケージ枠 １ｂ 内部配線 １ｃ パッケージベース ２ キャップ ３ 低融点ガラス ４ 高融点ガラス ５ 半導体素子 ６ マウント材 ７ 樹脂コート ８ 封止代 ９ ボンディングワイヤ １０ キャビティ内 １１ ガラス突起 １２ ダム部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−231355（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−349962（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−74965（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−154763（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 低融点ガラスを封止材として用い、前記
封止材によって封止される部分に前記封止材の流動を阻
止する障害物が埋設され、パッケージ基板およびキャッ
プを気密封止する気密封止型半導体装置用パッケージに
おいて、前記封止材用低融点ガラスが前記キャップ内面
外周部の封止代の内側寄りに、前記パッケージのキャッ
プの中心位置のずれを阻止する位置ずれ防止用および前
記障害物用の高融点ガラスが前記パッケージ基板の封止
代の外側寄りに、半円柱状の形状をもたせて、かつ互の
位置が所定のずれ幅をもって、それぞれ被着されて実装
したことを特徴とする気密封止型半導体装置用パッケー
ジ。 - 【請求項２】 低融点ガラスを封止材として用い、前記
封止材によって封止される部分に前記封止材の流動を阻
止する障害物が埋設され、パッケージ基板およびキャッ
プを気密封止する気密封止型半導体装置用パッケージに
おいて、前記パッケージのキャップの中心位置のずれを
阻止する位置ずれ防止用および前記障害物用の高融点ガ
ラスが前記キャップ内面外周部の封止代の外側寄りに、
前記封止材用低融点ガラスが前記パッケージ基板の封止
代の内側寄りに、半円柱状の形状をもたせて、かつ互の
位置が所定のずれ幅をもって、それぞれ被着されて実装
したことを特徴とする気密封止型半導体装置用パッケー
ジ。 - 【請求項３】 前記所定のずれ幅は、前記位置ずれ防止
用高融点ガラスをそのガラス幅より小さい略半分の幅だ
け前記封止材用低融点ガラスの外側寄りにずらし、残り
の部分は相対する位置が重なるように被着された幅であ
ることを特徴とする請求項１または２記載の気密封止型
半導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5251252A JP2723788B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 気密封止型半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5251252A JP2723788B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 気密封止型半導体装置用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106460A JPH07106460A (ja) | 1995-04-21 |
| JP2723788B2 true JP2723788B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=17220007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5251252A Expired - Lifetime JP2723788B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 気密封止型半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723788B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3570103B1 (en) * | 2018-05-17 | 2020-07-01 | Axis AB | Camera arrangement and method for aligning a sensor board and an optics unit |
-
1993
- 1993-10-07 JP JP5251252A patent/JP2723788B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07106460A (ja) | 1995-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7102210B2 (en) | Lead frame, manufacturing method of the same, and semiconductor device using the same | |
| KR100342455B1 (ko) | 반도체장치및그제조방법 | |
| EP0104051B1 (en) | Noise protection for a packaged semiconductor device | |
| US20020020923A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2723788B2 (ja) | 気密封止型半導体装置用パッケージ | |
| KR19980071342A (ko) | 반도체 장치 | |
| JP3673047B2 (ja) | 固体イメージセンサ装置 | |
| JPH0922954A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100237912B1 (ko) | 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH0878560A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63205249A (ja) | 感熱記録ヘツド | |
| KR100360783B1 (ko) | 성형 패키지 | |
| JP3693450B2 (ja) | 固体イメージセンサ装置 | |
| JP3575310B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| US8101870B2 (en) | Method for manufacturing printed circuit board, printed circuit board, and electronic apparatus | |
| JPH02130947A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2823063B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2538423Y2 (ja) | 半導体用セラミックパッケージ | |
| JPS63136652A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JP6465484B2 (ja) | パッケージ用部品、電子部品および電子部品の製造方法 | |
| JPS635251Y2 (ja) | ||
| JPH08213499A (ja) | セラミック製パッケージ基体、セラミック製パッケージ及び前記パッケージ基体を用いた封着方法 | |
| JP2001358258A (ja) | Ｂｇａ型半導体装置 | |
| JPH0766309A (ja) | 電子部品用気密封止部材 | |
| JPH03169052A (ja) | パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971104 |