JP2538423Y2 - 半導体用セラミックパッケージ - Google Patents
半導体用セラミックパッケージInfo
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- JP2538423Y2 JP2538423Y2 JP1993014376U JP1437693U JP2538423Y2 JP 2538423 Y2 JP2538423 Y2 JP 2538423Y2 JP 1993014376 U JP1993014376 U JP 1993014376U JP 1437693 U JP1437693 U JP 1437693U JP 2538423 Y2 JP2538423 Y2 JP 2538423Y2
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- Japan
- Prior art keywords
- brazing
- ceramic substrate
- heat sink
- brazing material
- semiconductor
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、チップ搭載側とリード
ピン側が同一面にあるキャビティダウンタイプの半導体
用セラミックパッケージに関し、特に放熱板を有する半
導体用セラミックパッケージに関するものである。
ピン側が同一面にあるキャビティダウンタイプの半導体
用セラミックパッケージに関し、特に放熱板を有する半
導体用セラミックパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、チップ搭載用のマウント板と
放熱板とを一体化して、パッケージのキャビティ部にマ
ウント板を露出させるとともに、放熱板をパッケージに
ロウ付けした構造のキャビティダウンタイプの半導体用
セラミックパッケージは種々のものが知られている。図
３はこのような従来の半導体用セラミックパッケージの
一例の構造を示す図である。図３に示す例において、２
１はリードピン２２と開口よりなるキャビティ部２３と
を有するセラミック基板、２４はチップ搭載用のマウン
ト板、２５はマウント板２４と一体化された放熱板であ
り、マウント板２４はキャビティ部２３に露出するとと
もに、放熱板２５はセラミック基板２１にロウ材２６を
介してロウ付けされている。
放熱板とを一体化して、パッケージのキャビティ部にマ
ウント板を露出させるとともに、放熱板をパッケージに
ロウ付けした構造のキャビティダウンタイプの半導体用
セラミックパッケージは種々のものが知られている。図
３はこのような従来の半導体用セラミックパッケージの
一例の構造を示す図である。図３に示す例において、２
１はリードピン２２と開口よりなるキャビティ部２３と
を有するセラミック基板、２４はチップ搭載用のマウン
ト板、２５はマウント板２４と一体化された放熱板であ
り、マウント板２４はキャビティ部２３に露出するとと
もに、放熱板２５はセラミック基板２１にロウ材２６を
介してロウ付けされている。
【０００３】上述した構造の従来の半導体用セラミック
パッケージでは、セラミック基板２１が反っていない通
常の状態であれば、図３に示すように、セラミック基板
２１と放熱板２５とが接触する端部ａにおいて良好なロ
ウメニスカスが形成されるとともに、マウント板２４の
周囲ｂにおけるロウがチップ搭載面２７にはい上がらな
いように、供給するロウ材２６を供給することができ、
その結果良好な特性の半導体用セラミックパッケージを
得ることができる。
パッケージでは、セラミック基板２１が反っていない通
常の状態であれば、図３に示すように、セラミック基板
２１と放熱板２５とが接触する端部ａにおいて良好なロ
ウメニスカスが形成されるとともに、マウント板２４の
周囲ｂにおけるロウがチップ搭載面２７にはい上がらな
いように、供給するロウ材２６を供給することができ、
その結果良好な特性の半導体用セラミックパッケージを
得ることができる。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、何らか
の要因でセラミック基板２１が反った場合には、図４
（ａ）に示すように、セラミック基板２１と放熱板２５
とが接触する端部ａにおいて、銀等のロウ材２６の量が
セラミック基板２１の反りのため十分に得られず、図３
で示したような適切なロウメニスカスが形成できず、セ
ラミック基板２１と放熱板２５との間のロウ付け強度が
低下するとともに、この部分にロウボイドやピンホール
が発生して、めっき液のシミ出しにより変色してしまう
問題があった。
の要因でセラミック基板２１が反った場合には、図４
（ａ）に示すように、セラミック基板２１と放熱板２５
とが接触する端部ａにおいて、銀等のロウ材２６の量が
セラミック基板２１の反りのため十分に得られず、図３
で示したような適切なロウメニスカスが形成できず、セ
ラミック基板２１と放熱板２５との間のロウ付け強度が
低下するとともに、この部分にロウボイドやピンホール
が発生して、めっき液のシミ出しにより変色してしまう
問題があった。
【０００５】これらの問題を改善するためにロウ材２６
の量を増加させて、セラミック基板２１と放熱板２５と
が接触する端部ａのロウ材２６の量を適正化して、図３
で示したような適切なロウメニスカスを形成させること
も考えられるが、この場合はマウント板２４の周囲ｂに
ロウ材２６が過剰に供給されることとなるため、ロウ材
２６がマウント板２４のチップ搭載面２７にはい上が
り、チップ付性が劣化する問題があった。
の量を増加させて、セラミック基板２１と放熱板２５と
が接触する端部ａのロウ材２６の量を適正化して、図３
で示したような適切なロウメニスカスを形成させること
も考えられるが、この場合はマウント板２４の周囲ｂに
ロウ材２６が過剰に供給されることとなるため、ロウ材
２６がマウント板２４のチップ搭載面２７にはい上が
り、チップ付性が劣化する問題があった。
【０００６】本考案の目的は上述した課題を解消して、
セラミック基板と放熱板との間のロウ材の量を適正に制
御することができる半導体用セラミックパッケージを提
供しようとするものである。
セラミック基板と放熱板との間のロウ材の量を適正に制
御することができる半導体用セラミックパッケージを提
供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本考案の半導体用セラミ
ックパッケージは、チップ搭載用のマウント板と放熱板
とを一体化して、セラミック基板のキャビティ部にマウ
ント板を露出させるとともに、放熱板をセラミック基板
にロウ付けした構造の半導体用セラミックパッケージに
おいて、前記放熱板とセラミック基板との間のロウ付け
部にロウ流れ防止ダムを形成し、ロウ付け部を放熱板外
周部と放熱板内部に分割したことを特徴とするものであ
る。
ックパッケージは、チップ搭載用のマウント板と放熱板
とを一体化して、セラミック基板のキャビティ部にマウ
ント板を露出させるとともに、放熱板をセラミック基板
にロウ付けした構造の半導体用セラミックパッケージに
おいて、前記放熱板とセラミック基板との間のロウ付け
部にロウ流れ防止ダムを形成し、ロウ付け部を放熱板外
周部と放熱板内部に分割したことを特徴とするものであ
る。
【０００８】
【作用】上述した構成において、放熱部とセラミック基
板との間のロウ付け部に設けたロウ流れ防止ダムが、ロ
ウ付け部を放熱板外周部と放熱板内部に分割しているた
め、セラミック基板の反りに応じて例えば放熱板外周部
のロウ付け部にはロウ材の供給量を多くするとともに、
放熱板内部のロウ付け部にはロウ材の供給量を少なくす
ることにより、セラミック基板と放熱板とが接触する端
部において適切なロウメニスカスを形成でき、同時にマ
ウント板の周囲のロウ材のはい上がりも防止できる。
板との間のロウ付け部に設けたロウ流れ防止ダムが、ロ
ウ付け部を放熱板外周部と放熱板内部に分割しているた
め、セラミック基板の反りに応じて例えば放熱板外周部
のロウ付け部にはロウ材の供給量を多くするとともに、
放熱板内部のロウ付け部にはロウ材の供給量を少なくす
ることにより、セラミック基板と放熱板とが接触する端
部において適切なロウメニスカスを形成でき、同時にマ
ウント板の周囲のロウ材のはい上がりも防止できる。
【０００９】
【実施例】図１は本考案の半導体用セラミックパッケー
ジの一例の構成を示す図である。図１に示す本考案の半
導体用セラミックパッケージ１１において、１はリード
ピン２と開口よりなるキャビティ部３とを有するセラミ
ック基板、４はチップ搭載用のマウント板、５はマウン
ト板４と一体化された放熱板であり、マウント板４はキ
ャビティ部３に露出するとともに、放熱板５はセラミッ
ク基板１にロウ材６を介してロウ付けされていて、これ
らの構成は従来例と同様である。本考案の半導体用セラ
ミックパッケージ１１において特徴的なのは、放熱板５
とセラミック基板１との間のロウ材６からなるロウ付け
部に、ロウ流れ防止ダム７を設け、ロウ付け部を放熱板
５の外周部と放熱板５の内部に分割している点である。
ジの一例の構成を示す図である。図１に示す本考案の半
導体用セラミックパッケージ１１において、１はリード
ピン２と開口よりなるキャビティ部３とを有するセラミ
ック基板、４はチップ搭載用のマウント板、５はマウン
ト板４と一体化された放熱板であり、マウント板４はキ
ャビティ部３に露出するとともに、放熱板５はセラミッ
ク基板１にロウ材６を介してロウ付けされていて、これ
らの構成は従来例と同様である。本考案の半導体用セラ
ミックパッケージ１１において特徴的なのは、放熱板５
とセラミック基板１との間のロウ材６からなるロウ付け
部に、ロウ流れ防止ダム７を設け、ロウ付け部を放熱板
５の外周部と放熱板５の内部に分割している点である。
【００１０】上述した構造の本考案の半導体用セラミッ
クパッケージ１１において、図１に示したようにセラミ
ック基板１の外周側にのみ反りが発生している場合のロ
ウ材６の供給量の制御は以下の通りになる。まず、ロウ
流れ防止ダム７の外側の放熱板５の外周部には、銀等か
らなるロウ材６の供給量を反りの大きさに合わせて増加
させ、放熱板５の外周部のロウ付け部のロウ材６の供給
量を適正化させる。同様に、セラミック基板１の反りの
無いロウ流れ防止ダム７の内側の放熱板５の内部では、
供給するロウ材６の量を減少させ、マウント板４の周囲
からのロウ材６のはい上がりを防止する。
クパッケージ１１において、図１に示したようにセラミ
ック基板１の外周側にのみ反りが発生している場合のロ
ウ材６の供給量の制御は以下の通りになる。まず、ロウ
流れ防止ダム７の外側の放熱板５の外周部には、銀等か
らなるロウ材６の供給量を反りの大きさに合わせて増加
させ、放熱板５の外周部のロウ付け部のロウ材６の供給
量を適正化させる。同様に、セラミック基板１の反りの
無いロウ流れ防止ダム７の内側の放熱板５の内部では、
供給するロウ材６の量を減少させ、マウント板４の周囲
からのロウ材６のはい上がりを防止する。
【００１１】このようにして、放熱板５の外周部と内部
とのロウ材６を分離してロウ付けし、各部分に独立して
必要適正量のロウ材６を供給できるよう制御することに
より、セラミック基板１と放熱板５とが接触する端部に
おいて適切なロウメニスカスを形成でき、同時にマウン
ト板４の周囲のロウ材６のはい上がりも防止できる。な
お、上述した例は一例であって、例えばセラミック基板
１の内部に反りが発生している場合は、同様にして放熱
板５の内部のロウ材６の供給量を反りに応じて多くすれ
ば、本考案が達成できることはいうまでもない。また、
反りの全く無いセラミック基板１についても、同様にロ
ウ材６の供給量を制御することにより、良好な半導体用
セラミックパッケージを得ることができることはいうま
でもない。
とのロウ材６を分離してロウ付けし、各部分に独立して
必要適正量のロウ材６を供給できるよう制御することに
より、セラミック基板１と放熱板５とが接触する端部に
おいて適切なロウメニスカスを形成でき、同時にマウン
ト板４の周囲のロウ材６のはい上がりも防止できる。な
お、上述した例は一例であって、例えばセラミック基板
１の内部に反りが発生している場合は、同様にして放熱
板５の内部のロウ材６の供給量を反りに応じて多くすれ
ば、本考案が達成できることはいうまでもない。また、
反りの全く無いセラミック基板１についても、同様にロ
ウ材６の供給量を制御することにより、良好な半導体用
セラミックパッケージを得ることができることはいうま
でもない。
【００１２】本考案において、ロウ流れ防止ダム７を設
けるには、図２（ａ）に示すように、まず放熱板５の外
側と内側に厚みの異なるロウ材6 を分離して形成すると
ともに、セラミック基板１のロウ材６との接触面にメタ
ライズによりロウ付けパターン（ベタパターン）１３を
印刷し、さらにその上のロウ流れ防止ダム７の部分に絶
縁層パターン１４を印刷して、放熱板５とセラミック基
板１を準備する。次に、準備した放熱板５とセラミック
基板１とをロウ付けパターン１３が間に入るように重ね
た後、所定の温度で加熱してロウ付けを行うことによ
り、ロウ流れ防止ダム７を形成することができる。
けるには、図２（ａ）に示すように、まず放熱板５の外
側と内側に厚みの異なるロウ材6 を分離して形成すると
ともに、セラミック基板１のロウ材６との接触面にメタ
ライズによりロウ付けパターン（ベタパターン）１３を
印刷し、さらにその上のロウ流れ防止ダム７の部分に絶
縁層パターン１４を印刷して、放熱板５とセラミック基
板１を準備する。次に、準備した放熱板５とセラミック
基板１とをロウ付けパターン１３が間に入るように重ね
た後、所定の温度で加熱してロウ付けを行うことによ
り、ロウ流れ防止ダム７を形成することができる。
【００１３】ロウ流れ防止ダム７を形成する箇所は、放
熱板５の外周端より内側の任意の箇所で良いが、２分割
した両側に必要量のロウ材６を供給するスペースが必要
である。また、ロウ流れ防止ダム７のサイズは、幅５０
μm 以上が好ましく、またロウ流れ防止ダム７は放熱板
５のロウ付け部全域に渡り施すことが好ましいが、全域
でなく部分的に設けてもセラミック基板１の反りの状態
によっては十分な場合があり部分的施しても良い。
熱板５の外周端より内側の任意の箇所で良いが、２分割
した両側に必要量のロウ材６を供給するスペースが必要
である。また、ロウ流れ防止ダム７のサイズは、幅５０
μm 以上が好ましく、またロウ流れ防止ダム７は放熱板
５のロウ付け部全域に渡り施すことが好ましいが、全域
でなく部分的に設けてもセラミック基板１の反りの状態
によっては十分な場合があり部分的施しても良い。
【００１４】また、本考案において、ロウ流れ防止ダム
７を設ける他の実施例は、図２（ｂ）に示すように、ま
ずロウ流れ防止ダム７の部分に放熱板突起部１５を必要
に応じて形成し、その外側と内側に厚みの異なるロウ材
６を分離して接着するとともに、セラミック基板１のロ
ウ材６との接触面にメタライズによりロウ付けパターン
１３を、放熱板突起部１５の部分を除いて印刷して、放
熱板５とセラミック基板１とをロウ付けパターン１３が
間に入るように重ねた後、所定の温度で加温してロウ付
けすることにより、ロウ流れ防止ダム７を形成すること
ができる。
７を設ける他の実施例は、図２（ｂ）に示すように、ま
ずロウ流れ防止ダム７の部分に放熱板突起部１５を必要
に応じて形成し、その外側と内側に厚みの異なるロウ材
６を分離して接着するとともに、セラミック基板１のロ
ウ材６との接触面にメタライズによりロウ付けパターン
１３を、放熱板突起部１５の部分を除いて印刷して、放
熱板５とセラミック基板１とをロウ付けパターン１３が
間に入るように重ねた後、所定の温度で加温してロウ付
けすることにより、ロウ流れ防止ダム７を形成すること
ができる。
【００１５】
【考案の効果】以上の説明から明らかなように、本考案
によれば、放熱部とセラミック基板との間のロウ付け部
にロウ流れ防止ダムを設けたため、ロウ付け部を放熱板
外周部と放熱板内部に分割でき、セラミック基板の反り
に応じて例えば放熱板外周部のロウ付け部にはロウ材の
供給量を多くするとともに、放熱板内部のロウ付け部に
はロウ材の供給量を少なくすることにより、セラミック
基板と放熱板とが接触する端部において適切なロウメニ
スカスを形成でき、同時にマウント板の周囲のロウ材の
はい上がりも防止できる。
によれば、放熱部とセラミック基板との間のロウ付け部
にロウ流れ防止ダムを設けたため、ロウ付け部を放熱板
外周部と放熱板内部に分割でき、セラミック基板の反り
に応じて例えば放熱板外周部のロウ付け部にはロウ材の
供給量を多くするとともに、放熱板内部のロウ付け部に
はロウ材の供給量を少なくすることにより、セラミック
基板と放熱板とが接触する端部において適切なロウメニ
スカスを形成でき、同時にマウント板の周囲のロウ材の
はい上がりも防止できる。
【図１】本考案の半導体用パッケージの一例の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】本考案の半導体用パッケージのロウ付け時の状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図３】従来の半導体用パッケージの一例の構成を示す
図である。
図である。
【図４】従来の半導体用パッケージの問題点を説明する
ための図である。
ための図である。
１ セラミック基板 ２ リードピン ３ キャビティ部 ４ マウント板 ５ 放熱板 ６ ロウ材 １１ 半導体用パッケージ
Claims (1)
- 【請求項１】 チップ搭載用のマウント板と放熱板とを
一体化して、セラミック基板のキャビティ部にマウント
板を露出させるとともに、放熱板をセラミック基板にロ
ウ付けした構造の半導体用セラミックパッケージにおい
て、前記放熱板とセラミック基板との間のロウ付け部に
ロウ流れ防止ダムを形成し、ロウ付け部を放熱板外周部
と放熱板内部に分割したことを特徴とする半導体用セラ
ミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993014376U JP2538423Y2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 半導体用セラミックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993014376U JP2538423Y2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 半導体用セラミックパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0672246U JPH0672246U (ja) | 1994-10-07 |
| JP2538423Y2 true JP2538423Y2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=11859336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993014376U Expired - Fee Related JP2538423Y2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 半導体用セラミックパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538423Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3774327B2 (ja) * | 1998-10-21 | 2006-05-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP1993014376U patent/JP2538423Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0672246U (ja) | 1994-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |