JP2723457B2 - グロー放電発光分光分析装置および分析方法 - Google Patents
グロー放電発光分光分析装置および分析方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、試料をスパッタリン
グしながら、発生した光を分析するグロー放電発光分光
分析装置および分析方法に関するものである。
グしながら、発生した光を分析するグロー放電発光分光
分析装置および分析方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】気体圧力が４〜１０Torr程度のアルゴン
（Ａｒ）雰囲気中で、二つの電極間に直流または高周波
の高電圧を印加すると、グロー放電が起こり、Ａｒイオ
ンが生成される。生成したＡｒイオンは高電界で加速さ
れ、陰極表面に衝突し、そこに存在する物質をたたき出
す。この現象をスパッタリングと呼ぶが、スパッタされ
た粒子（原子、分子、イオン）はプラズマ中で励起さ
れ、基底状態に戻る際にその元素に固有の波長の光を放
出する。この発光を分光器で分光して元素を同定する分
析法が、グロー放電発光分光分析方法と呼ばれている。
（Ａｒ）雰囲気中で、二つの電極間に直流または高周波
の高電圧を印加すると、グロー放電が起こり、Ａｒイオ
ンが生成される。生成したＡｒイオンは高電界で加速さ
れ、陰極表面に衝突し、そこに存在する物質をたたき出
す。この現象をスパッタリングと呼ぶが、スパッタされ
た粒子（原子、分子、イオン）はプラズマ中で励起さ
れ、基底状態に戻る際にその元素に固有の波長の光を放
出する。この発光を分光器で分光して元素を同定する分
析法が、グロー放電発光分光分析方法と呼ばれている。
【０００３】上述のグロー放電発光分光分析方法を具現
化した分析装置におけるグロー放電管として、図５に示
すような中空陽極型のグリムグロー放電管１が一般的に
用いられている。このグリムグロー放電管１は、陰極と
なる支持ブロック２と陽極ブロック３とが、絶縁物であ
るテフロンワッシャ４を介して接合されている。陽極ブ
ロック３は、アルゴンガス供給孔３ａと、第１および第
２真空排気孔３ｂ，３ｃとを有しおり、管内Ｖがアルゴ
ンの希ガス雰囲気（４〜１０Torr）とされている。陽極
ブロック３には、中空陽極管３ｄが一体形成されてお
り、この陽極管３ｄは、テフロンワッシャ４を貫通し
て、試料５の表面５ａに近接している。この試料５は、
Ｏリング６を介し支持ブロック２に気密状態で押し付け
られている。
化した分析装置におけるグロー放電管として、図５に示
すような中空陽極型のグリムグロー放電管１が一般的に
用いられている。このグリムグロー放電管１は、陰極と
なる支持ブロック２と陽極ブロック３とが、絶縁物であ
るテフロンワッシャ４を介して接合されている。陽極ブ
ロック３は、アルゴンガス供給孔３ａと、第１および第
２真空排気孔３ｂ，３ｃとを有しおり、管内Ｖがアルゴ
ンの希ガス雰囲気（４〜１０Torr）とされている。陽極
ブロック３には、中空陽極管３ｄが一体形成されてお
り、この陽極管３ｄは、テフロンワッシャ４を貫通し
て、試料５の表面５ａに近接している。この試料５は、
Ｏリング６を介し支持ブロック２に気密状態で押し付け
られている。
【０００４】このグリムグロー放電管１は、陽極ブロッ
ク３と支持ブロック２との間に電源部９により高電圧を
印加してグロー放電を発生させるとともに、一般に銅か
らなる支持ブロック２を通じ試料５に負電圧を印加し、
グロー放電の発生により生成されるアルゴンの陽イオン
を試料５の表面５ａに衝突させて、試料５をスパッタリ
ングするものである。また、冷却液Ｋを、支持ブロック
２の冷却液導入路２ａからジャケット２ｂ内に導入して
冷却液排出路２ｃまで送給して、支持ブロック２および
支持ブロック２を介し試料５と中空陽極管３ｄを冷却し
ている。
ク３と支持ブロック２との間に電源部９により高電圧を
印加してグロー放電を発生させるとともに、一般に銅か
らなる支持ブロック２を通じ試料５に負電圧を印加し、
グロー放電の発生により生成されるアルゴンの陽イオン
を試料５の表面５ａに衝突させて、試料５をスパッタリ
ングするものである。また、冷却液Ｋを、支持ブロック
２の冷却液導入路２ａからジャケット２ｂ内に導入して
冷却液排出路２ｃまで送給して、支持ブロック２および
支持ブロック２を介し試料５と中空陽極管３ｄを冷却し
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のグロ
ー放電発光分光分析装置は、試料５の表面５ａを、支持
ブロック２に埋設されたＯリング６で真空シールして支
持ブロック２に押し付けて、その試料５により中空陽極
管３ｄを収納する支持ブロック２の内方空間を閉塞し、
この内方空間を真空引きするようになっているので、分
析対象となる試料５は、Ｏリング６の全周に接合できる
大きな外径を有するとともに、表面５ａが平面となった
形状のものとなる。そのため、Ｏリング６の径よりも径
の小さい線材等は、支持ブロック２に対しこれの内方空
間を閉塞するよう押し付けられないことから、分析対象
の試料とはなり難い。この線材等の分析を行う場合、図
６（ａ）示すように、試料台８内に、多数本の線形試料
７を表面が気密状になるよう密着状態に並べて収容し、
この試料台８をＯリング６を介し支持ブロック２に気密
状態に押し付けている。
ー放電発光分光分析装置は、試料５の表面５ａを、支持
ブロック２に埋設されたＯリング６で真空シールして支
持ブロック２に押し付けて、その試料５により中空陽極
管３ｄを収納する支持ブロック２の内方空間を閉塞し、
この内方空間を真空引きするようになっているので、分
析対象となる試料５は、Ｏリング６の全周に接合できる
大きな外径を有するとともに、表面５ａが平面となった
形状のものとなる。そのため、Ｏリング６の径よりも径
の小さい線材等は、支持ブロック２に対しこれの内方空
間を閉塞するよう押し付けられないことから、分析対象
の試料とはなり難い。この線材等の分析を行う場合、図
６（ａ）示すように、試料台８内に、多数本の線形試料
７を表面が気密状になるよう密着状態に並べて収容し、
この試料台８をＯリング６を介し支持ブロック２に気密
状態に押し付けている。
【０００６】しかしながら、多数本の線形試料７を試料
台８内に横に並べるので、１回の分析に多数本の試料７
を要する欠点がある。一方、図６（ｂ）に示すような丸
棒の表面にめっき層７ａおよび被覆層７ｂが２層に被覆
された線形試料７におけるめっき層７ａの分析を行う場
合、全周面にわたり均一に且つ径方向に向け均等にスパ
ッタリングして、被覆層７ｂのスパッタリングの終了後
にめっき層７ａをスパッタリングする必要がある。とこ
ろが、図６（ａ）に示す線形試料７の取り付けでは、線
形試料７の中心軸が中空陽極管３ｄの中心軸に対し直交
方向に配置されているため、線形試料７における中空陽
極管３ｄとの対向面が水平にスパッタリングされてい
き、例えば、スパッタリングが図６（ｂ）に二点鎖線で
示す位置に達したときには、１層目のめっき層７ａと２
層目の被覆層７ｂとが同時にスパッタリングされるの
で、めっき層７ａの分析が不可能となる。
台８内に横に並べるので、１回の分析に多数本の試料７
を要する欠点がある。一方、図６（ｂ）に示すような丸
棒の表面にめっき層７ａおよび被覆層７ｂが２層に被覆
された線形試料７におけるめっき層７ａの分析を行う場
合、全周面にわたり均一に且つ径方向に向け均等にスパ
ッタリングして、被覆層７ｂのスパッタリングの終了後
にめっき層７ａをスパッタリングする必要がある。とこ
ろが、図６（ａ）に示す線形試料７の取り付けでは、線
形試料７の中心軸が中空陽極管３ｄの中心軸に対し直交
方向に配置されているため、線形試料７における中空陽
極管３ｄとの対向面が水平にスパッタリングされてい
き、例えば、スパッタリングが図６（ｂ）に二点鎖線で
示す位置に達したときには、１層目のめっき層７ａと２
層目の被覆層７ｂとが同時にスパッタリングされるの
で、めっき層７ａの分析が不可能となる。
【０００７】そこで本発明は、分析に必要な試料の本数
を最小限に押さえ、かつ線形試料の表面のめっき層等の
分析を正確に行えるグロー放電発光分光分析装置および
分析方法を提供することを目的とするものである。
を最小限に押さえ、かつ線形試料の表面のめっき層等の
分析を正確に行えるグロー放電発光分光分析装置および
分析方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決しようとするための手段】上記目的を達成
するために、本発明に係るグロー放電発光分光分析装置
は、陽極管を有する陽極ブロックと、上記陽極管を収納
する内方空間を有する支持ブロックと、この支持ブロッ
クの内方空間を真空引きする減圧手段と、線形試料を上
記陽極管の中空部に挿入されるように立設状態で取り付
け可能として上記支持ブロックにシール部材を介して押
し付けられる試料台と、上記陽極ブロックと試料台との
間に電圧を印加してグロー放電を発生させる給電手段と
を備えている。本発明に係るグロー放電発光分光分析方
法は、陽極管を収納する支持ブロックの内方空間を真空
引きし、上記陽極管を有する陽極ブロックと試料台との
間に電圧を印加してグロー放電を発生させて、上記陽極
管の中空部に挿入されるように立設状態で上記試料台に
取り付けられた線形試料の負グロー領域内に存在する部
分をスパッタリングさせる。
するために、本発明に係るグロー放電発光分光分析装置
は、陽極管を有する陽極ブロックと、上記陽極管を収納
する内方空間を有する支持ブロックと、この支持ブロッ
クの内方空間を真空引きする減圧手段と、線形試料を上
記陽極管の中空部に挿入されるように立設状態で取り付
け可能として上記支持ブロックにシール部材を介して押
し付けられる試料台と、上記陽極ブロックと試料台との
間に電圧を印加してグロー放電を発生させる給電手段と
を備えている。本発明に係るグロー放電発光分光分析方
法は、陽極管を収納する支持ブロックの内方空間を真空
引きし、上記陽極管を有する陽極ブロックと試料台との
間に電圧を印加してグロー放電を発生させて、上記陽極
管の中空部に挿入されるように立設状態で上記試料台に
取り付けられた線形試料の負グロー領域内に存在する部
分をスパッタリングさせる。
【０００９】
【作用】上記構成において、線形試料を試料台に立設状
態に取り付け、線形試料を陽極管の中空部に挿入して試
料台をシール部材を介して支持ブロックに押し付けるこ
とにより、分析に必要な例えば単一の線形試料を極めて
容易に取り付けることができる。線形試料の分析対象部
を、陽極管の中空部における負グロー領域内に配置する
と、負グロー領域の高いプラズマ密度によって、線形試
料の負グロー領域に存在する部分のみが、全周面にわた
り径方向内方に向かって均一にスパッタリングされるの
で、線形試料の表面を被覆するめっき層等の分析を正確
に行うことができる。
態に取り付け、線形試料を陽極管の中空部に挿入して試
料台をシール部材を介して支持ブロックに押し付けるこ
とにより、分析に必要な例えば単一の線形試料を極めて
容易に取り付けることができる。線形試料の分析対象部
を、陽極管の中空部における負グロー領域内に配置する
と、負グロー領域の高いプラズマ密度によって、線形試
料の負グロー領域に存在する部分のみが、全周面にわた
り径方向内方に向かって均一にスパッタリングされるの
で、線形試料の表面を被覆するめっき層等の分析を正確
に行うことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面を
参照しながら説明する。本発明の一実施例に係るグロー
放電発光分光分析装置は、図１に示すように、グロー放
電を利用したスパッタリングにより元素に固有の波長の
光を発生するグリムグロー放電管１０から放出されて、
その窓板１３を透過した光Ｌが、分光器１５に入射す
る。分光器１５は、入射スリット１４、この入射スリッ
ト１４から入射した光Ｌを波長に応じて異った回折角度
で回折する分光器１６、回折光を通過させる出射スリッ
ト１７および回折光の強度を測定する光電子増倍管１８
を備えている。
参照しながら説明する。本発明の一実施例に係るグロー
放電発光分光分析装置は、図１に示すように、グロー放
電を利用したスパッタリングにより元素に固有の波長の
光を発生するグリムグロー放電管１０から放出されて、
その窓板１３を透過した光Ｌが、分光器１５に入射す
る。分光器１５は、入射スリット１４、この入射スリッ
ト１４から入射した光Ｌを波長に応じて異った回折角度
で回折する分光器１６、回折光を通過させる出射スリッ
ト１７および回折光の強度を測定する光電子増倍管１８
を備えている。
【００１１】図２は図１の分析装置におけるグリムグロ
ー放電管１０の一例を示す。図２において、図５と同等
のものには同一の符号を付してある。相違する点は、試
料台１１にその表面１１ｂと直交する方向に保持孔１１
ａを設け、線材等の線形試料１２を上記保持孔１１ａに
挿入して立設したことである。この試料台１１は、試料
１２とは異なる分析対象外の既知の元素を有する導電性
材料からなり、シール材としてのＯリング６の全周部に
わたり接合できる表面を有する形状に形成されている。
たとえば、線形試料１２が、鉄（Ｆｅ）の丸棒の周面を
亜鉛（Ｚｎ）のめっき層で被覆したものである場合、試
料台１１は銅で形成される。
ー放電管１０の一例を示す。図２において、図５と同等
のものには同一の符号を付してある。相違する点は、試
料台１１にその表面１１ｂと直交する方向に保持孔１１
ａを設け、線材等の線形試料１２を上記保持孔１１ａに
挿入して立設したことである。この試料台１１は、試料
１２とは異なる分析対象外の既知の元素を有する導電性
材料からなり、シール材としてのＯリング６の全周部に
わたり接合できる表面を有する形状に形成されている。
たとえば、線形試料１２が、鉄（Ｆｅ）の丸棒の周面を
亜鉛（Ｚｎ）のめっき層で被覆したものである場合、試
料台１１は銅で形成される。
【００１２】次に、試料台１１に保持する線形試料１２
の長さの設定について、要部の拡大図を示した図３を参
照しながら説明する。グリムグロー放電管１０の放電時
における中空陽極管３ｄ内部のプラズマは、支持ブロッ
ク２の先端面に押し付けられる試料台１１の表面１１ｂ
に対し所定距離ｄ１だけ離間した位置から上方の同図に
２点鎖線で囲った一定空間に、プラズマ密度の高い負グ
ロー領域Ｍを形成することが知られている（例えば、N.
P.FERREIRA and H.G.C.HUMAN共著「A study ofthe dens
ity of sputtered atoms in the plasma of the modifi
ed Grimm-typeglow discharge source」、Spectrochim
Acta, Vol. 36B, No.3, p.215-229,1981年Pergamon Pre
ss社（英国）発刊、またはN.P.FERREIRA, J.A.STRAUSS
andH.G.C.HUMAN 共著「Development in glow discharge
emission spectromety」、Spectrochim Acta, Vol. 38
B, No.5/6, P.899-911, 1983年Pergamon Press社（英
国）発刊を参照）。
の長さの設定について、要部の拡大図を示した図３を参
照しながら説明する。グリムグロー放電管１０の放電時
における中空陽極管３ｄ内部のプラズマは、支持ブロッ
ク２の先端面に押し付けられる試料台１１の表面１１ｂ
に対し所定距離ｄ１だけ離間した位置から上方の同図に
２点鎖線で囲った一定空間に、プラズマ密度の高い負グ
ロー領域Ｍを形成することが知られている（例えば、N.
P.FERREIRA and H.G.C.HUMAN共著「A study ofthe dens
ity of sputtered atoms in the plasma of the modifi
ed Grimm-typeglow discharge source」、Spectrochim
Acta, Vol. 36B, No.3, p.215-229,1981年Pergamon Pre
ss社（英国）発刊、またはN.P.FERREIRA, J.A.STRAUSS
andH.G.C.HUMAN 共著「Development in glow discharge
emission spectromety」、Spectrochim Acta, Vol. 38
B, No.5/6, P.899-911, 1983年Pergamon Press社（英
国）発刊を参照）。
【００１３】そして、線形試料１２は、図３に示すよう
に、試料台１１からの突出長さＬを、先端部が負グロー
領域Ｍより僅かに上方に突出する大きさに設定してい
る。支持台１１の表面１１ｂから負グロー領域Ｍの下面
までの距離ｄ１は１〜１．５ｍｍであり、上面までの距
離ｄ２は、線形試料１２の径、中空陽極管３ｄの内径
ｂ、給電圧のような測定条件等により変化する。
に、試料台１１からの突出長さＬを、先端部が負グロー
領域Ｍより僅かに上方に突出する大きさに設定してい
る。支持台１１の表面１１ｂから負グロー領域Ｍの下面
までの距離ｄ１は１〜１．５ｍｍであり、上面までの距
離ｄ２は、線形試料１２の径、中空陽極管３ｄの内径
ｂ、給電圧のような測定条件等により変化する。
【００１４】つぎに、上記構成の動作を説明する。図２
の支持ブロック２と陽極ブロック３との間に、電源部９
により数百〜数千ボルトの高電圧を印加すると、グロー
放電を生じ、アルゴンの陽イオンが生成される。生成さ
れたＡｒイオンは、陰極である試料台１１に衝突して、
図３に一点鎖線Ａ１で示すように、試料台１１の表面１
１ｂをスパッタリングするとともに、線形試料１２にお
ける負グロー領域Ｍ内に存在する部分のめっき層を、周
囲の高いＡｒイオンのプラズマ密度により、一点鎖線Ａ
２で示すように全周面にわたり均一にスパッタリングす
る。このとき、線形試料１２の先端頂部に露出する鉄の
丸棒部分は、負グロー領域Ｍに存在しないので殆んどス
パッタリングされず、負グロー領域Ｍ内に存在する部分
のめっき層のみがスパッタリングされる。
の支持ブロック２と陽極ブロック３との間に、電源部９
により数百〜数千ボルトの高電圧を印加すると、グロー
放電を生じ、アルゴンの陽イオンが生成される。生成さ
れたＡｒイオンは、陰極である試料台１１に衝突して、
図３に一点鎖線Ａ１で示すように、試料台１１の表面１
１ｂをスパッタリングするとともに、線形試料１２にお
ける負グロー領域Ｍ内に存在する部分のめっき層を、周
囲の高いＡｒイオンのプラズマ密度により、一点鎖線Ａ
２で示すように全周面にわたり均一にスパッタリングす
る。このとき、線形試料１２の先端頂部に露出する鉄の
丸棒部分は、負グロー領域Ｍに存在しないので殆んどス
パッタリングされず、負グロー領域Ｍ内に存在する部分
のめっき層のみがスパッタリングされる。
【００１５】上述のように試料台１１の表面および線形
試料１２のめっき層からそれぞれたたき出されて剥離し
た原子は、Ａｒイオンまたは電子によって励起され、再
び基底状態に戻る際に元素固有の光を放出する。この光
Ｌは、窓板１３を透過し、図１の入射スリット１４を通
して、分光器１５の回析格子１６に向かう。この回析格
子１６は、所定の波長の光を回析させ、出射スリット１
７を通して、光電子増倍管１８に入射させる。光電子増
倍管１８は入射した光の強度を測定する。
試料１２のめっき層からそれぞれたたき出されて剥離し
た原子は、Ａｒイオンまたは電子によって励起され、再
び基底状態に戻る際に元素固有の光を放出する。この光
Ｌは、窓板１３を透過し、図１の入射スリット１４を通
して、分光器１５の回析格子１６に向かう。この回析格
子１６は、所定の波長の光を回析させ、出射スリット１
７を通して、光電子増倍管１８に入射させる。光電子増
倍管１８は入射した光の強度を測定する。
【００１６】一方、線形試料１２のめっき層は、上記Ａ
ｒイオンの衝突によりスパッタリングされ、その径つま
り層厚が時間の経過とともに徐々に小さくなる。こうし
て、上記測定強度をスパッタリング時間の経過とともに
測定して、分析元素の時間経過に対するスペクトルを得
て、このスペクトルから、周知の方法により線形試料１
２の径方向の深さに対する元素の濃度分布を得る。ここ
で、試料台１１を形成する元素は既知であって、その元
素を示す光の測定強度が除外されることにより、めっき
層のみの元素の分析を正確に行える。
ｒイオンの衝突によりスパッタリングされ、その径つま
り層厚が時間の経過とともに徐々に小さくなる。こうし
て、上記測定強度をスパッタリング時間の経過とともに
測定して、分析元素の時間経過に対するスペクトルを得
て、このスペクトルから、周知の方法により線形試料１
２の径方向の深さに対する元素の濃度分布を得る。ここ
で、試料台１１を形成する元素は既知であって、その元
素を示す光の測定強度が除外されることにより、めっき
層のみの元素の分析を正確に行える。
【００１７】なお、前述のように最初にめっき層のみを
スパッタリングするための線形試料１２の試料台１１か
らの突出長さＬは、突出した先端部が負グロー領域Ｍよ
りも上方に位置する大きさとする必要がある。実験結果
を示すと、線径が約１．５ｍｍの鉄のワイヤーの表面を
亜鉛メッキ層で被覆した線形試料１２を、内径が４ｍｍ
の中空陽極管３ｄでスパッタリングする場合、線形試料
１２の試料台１１からの突出長さＬを２〜３ｍｍ程度に
設定したところ、図４に示すような良好な結果を得られ
た。すなわち、スパッタリングの開始直後は、めっき層
の亜鉛（Ｚｎ）による光の発光強度のみが測定されてい
るだけで、鉄（Ｆｅ）による光の強度が全く測定されて
いないことから、線形試料（１２）の先端頂部に露出す
る鉄のワイヤーの切断部分が全くスパッタリングされて
いないことが明白であり、めっき層の分析が正確に行な
われていることがわかる。
スパッタリングするための線形試料１２の試料台１１か
らの突出長さＬは、突出した先端部が負グロー領域Ｍよ
りも上方に位置する大きさとする必要がある。実験結果
を示すと、線径が約１．５ｍｍの鉄のワイヤーの表面を
亜鉛メッキ層で被覆した線形試料１２を、内径が４ｍｍ
の中空陽極管３ｄでスパッタリングする場合、線形試料
１２の試料台１１からの突出長さＬを２〜３ｍｍ程度に
設定したところ、図４に示すような良好な結果を得られ
た。すなわち、スパッタリングの開始直後は、めっき層
の亜鉛（Ｚｎ）による光の発光強度のみが測定されてい
るだけで、鉄（Ｆｅ）による光の強度が全く測定されて
いないことから、線形試料（１２）の先端頂部に露出す
る鉄のワイヤーの切断部分が全くスパッタリングされて
いないことが明白であり、めっき層の分析が正確に行な
われていることがわかる。
【００１８】上記実施例では、丸棒を一層のめっき層で
被覆した線形試料１２のめっき層の分析について説明し
ているが、丸棒に例えばめっき層と被覆層とを２層に形
成した線形試料のめっき層の分析についても、最初に被
覆層のみがスパッタリングされて除外された後に、次の
めっき層のみのスパッタリングが行われるので、めっき
層の分析を支障無く行える。また、丸棒に限らず、角棒
や異形の棒状の線形試料のめっき層についても、周面か
ら内方へ向って均等にスパッタリングすることから、分
析を支障無く行える。
被覆した線形試料１２のめっき層の分析について説明し
ているが、丸棒に例えばめっき層と被覆層とを２層に形
成した線形試料のめっき層の分析についても、最初に被
覆層のみがスパッタリングされて除外された後に、次の
めっき層のみのスパッタリングが行われるので、めっき
層の分析を支障無く行える。また、丸棒に限らず、角棒
や異形の棒状の線形試料のめっき層についても、周面か
ら内方へ向って均等にスパッタリングすることから、分
析を支障無く行える。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
試料を取り付けた試料台を、試料を陽極管の中空部に挿
入した状態でシール部材を介して支持ブロックに押し付
ける構成としたので、線形試料を、たとえば試料台に設
けた保持孔１１ａに挿入するだけで試料台に立設状態に
取り付けることができるので、分析に必要な例えば単一
の線形試料の取付が極めて容易である。また、線形試料
の分析対象部を、陽極管の中空部における負グロー領域
内に配置する構成としたので、負グロー領域の高いプラ
ズマ密度によって、線形試料の負グロー領域に存在する
部分のみが、全周面にわたり径方向内方へ向って均等に
スパッタリングされるので、線形試料の表面を被覆する
めっき層等の分析を正確に行うことができる。
試料を取り付けた試料台を、試料を陽極管の中空部に挿
入した状態でシール部材を介して支持ブロックに押し付
ける構成としたので、線形試料を、たとえば試料台に設
けた保持孔１１ａに挿入するだけで試料台に立設状態に
取り付けることができるので、分析に必要な例えば単一
の線形試料の取付が極めて容易である。また、線形試料
の分析対象部を、陽極管の中空部における負グロー領域
内に配置する構成としたので、負グロー領域の高いプラ
ズマ密度によって、線形試料の負グロー領域に存在する
部分のみが、全周面にわたり径方向内方へ向って均等に
スパッタリングされるので、線形試料の表面を被覆する
めっき層等の分析を正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る分析装置の概略構成図
である。
である。
【図２】同上分析装置に係るグリムグロー放電管の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】同上放電管の要部の拡大図である。
【図４】同上分析装置による実測結果を示す特性図であ
る。
る。
【図５】従来の分析装置におけるグリムグロー放電管の
断面図である。
断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）はそれぞれ同上装置で線形試料
の分析を行う場合の一部の断面図および線形試料のスパ
ッタリングの状態を示す説明図である。
の分析を行う場合の一部の断面図および線形試料のスパ
ッタリングの状態を示す説明図である。
２…支持ブロック、３…陽極ブロック、３ｂ，３ｃ…真
空排気孔（減圧手段）、３ｄ…陽極管、６…Ｏリング
（シール部材）、９…電源部（給電手段）、１１…試料
台、１２…線形試料（試料）、Ｍ…負グロー領域。
空排気孔（減圧手段）、３ｄ…陽極管、６…Ｏリング
（シール部材）、９…電源部（給電手段）、１１…試料
台、１２…線形試料（試料）、Ｍ…負グロー領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−96086（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−87389（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−42454（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−188550（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−127562（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】 陽極管を有する陽極ブロックと、 上記陽極管を収納する内方空間を有する支持ブロック
と、 この支持ブロックの内方空間を真空引きする減圧手段
と、線形試料を上記陽極管の中空部に挿入されるように立設
状態で取り付け可能として 上記支持ブロックにシール部
材を介して押し付けられる試料台と、 上 記陽極ブロックと試料台との間に電圧を印加してグロ
ー放電を発生させる給電手段とを備えたグロー放電発光
分光分析装置。 - 【請求項２】 陽極管を収納する支持ブロックの内方空
間を真空引きし、 上記陽極管を有する陽極ブロックと試料台との間に電圧
を印加してグロー放電を発生させて、上記陽極管の中空
部に挿入されるように立設状態で上記試料台に取り付け
られた線形試料の負グロー領域内に存在する部分をスパ
ッタリングさせるグロー放電発光分光分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321120A JP2723457B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | グロー放電発光分光分析装置および分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321120A JP2723457B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | グロー放電発光分光分析装置および分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146238A JPH07146238A (ja) | 1995-06-06 |
| JP2723457B2 true JP2723457B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=18129045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5321120A Expired - Fee Related JP2723457B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | グロー放電発光分光分析装置および分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723457B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5296086A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-12 | Hitachi Ltd | Glow discharge tube for spectral analysis |
| JPS6142454U (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-19 | 川崎製鉄株式会社 | 表面分析用グロ−放電分光分析装置 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5321120A patent/JP2723457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07146238A (ja) | 1995-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |