JP2705618B2 - 窒化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化ケイ素焼結体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は摺動部材，ガスタービン
部材，宇宙産業などに有用な窒化ケイ素焼結体の製造方
法に関する。
部材，宇宙産業などに有用な窒化ケイ素焼結体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、窒化ケイ素は１０００℃を越す
高温においても高い強度を示し、軽量であって耐薬品
性，耐摩耗性及び熱衝撃性に優れた材料として知られて
いる。窒化ケイ素マトリックス中にウイスカを分散させ
た分散強化セラミックスは、モノリシックセラミックス
材料に比べ、強度，靭性，硬度、摩耗特性に優れている
（窯業協会誌，Ｖo1.９４，Ｎo.９，５５−５９，１９
８６）。
高温においても高い強度を示し、軽量であって耐薬品
性，耐摩耗性及び熱衝撃性に優れた材料として知られて
いる。窒化ケイ素マトリックス中にウイスカを分散させ
た分散強化セラミックスは、モノリシックセラミックス
材料に比べ、強度，靭性，硬度、摩耗特性に優れている
（窯業協会誌，Ｖo1.９４，Ｎo.９，５５−５９，１９
８６）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】通常ウイスカを出発原
料として使用するが、原料粉末の混合時にウイスカが破
損しやすい、混合粉末の成形時にウイスカが配向する、
ウイスカの人体への悪影響が懸念されているなどの問題
点がある（特開昭63−147866号公報）。
料として使用するが、原料粉末の混合時にウイスカが破
損しやすい、混合粉末の成形時にウイスカが配向する、
ウイスカの人体への悪影響が懸念されているなどの問題
点がある（特開昭63−147866号公報）。
【０００４】本発明の目的は、焼結過程に試料マトリッ
クス中にウイスカを均一に分散させることにより、高強
度，高靭性セラミックスを提供することにある。
クス中にウイスカを均一に分散させることにより、高強
度，高靭性セラミックスを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、窒素分圧が
１気圧よりも小さい雰囲気中で窒化処理することによ
り、ウィスカがマトリックス内に特定の方向に配向せ
ず、線径０.１ から５μｍ，アスペクト比５から１００
のＳｉ3Ｎ4ウィスカ，Ｓｉウィスカ，Ｓｉ2Ｎ2Ｏウィス
カ（繊維を含む）をマトリックス内に均一分散させ、更
に焼結中に窒素分圧が１気圧よりも低い雰囲気と、窒素
分圧が１気圧以上の雰囲気とに、焼結雰囲気を繰り返し
変化させることにより、試料外部へのウィスカの蒸発を
抑え、ウィスカの形状を柱状粒子から繊維状粒子まで制
御し、かつ緻密な焼結体を得る。前記ウィスカ生成量
は、５から３０体積％とする。５％未満では靭性向上の
効果が小さく、３０体積％を越えると強度低下をまねく
ためである。また、骨格となる窒化ケイ素は、結晶サイ
ズを４０μｍ以下とし、含有量は７０から９５体積％と
する。
１気圧よりも小さい雰囲気中で窒化処理することによ
り、ウィスカがマトリックス内に特定の方向に配向せ
ず、線径０.１ から５μｍ，アスペクト比５から１００
のＳｉ3Ｎ4ウィスカ，Ｓｉウィスカ，Ｓｉ2Ｎ2Ｏウィス
カ（繊維を含む）をマトリックス内に均一分散させ、更
に焼結中に窒素分圧が１気圧よりも低い雰囲気と、窒素
分圧が１気圧以上の雰囲気とに、焼結雰囲気を繰り返し
変化させることにより、試料外部へのウィスカの蒸発を
抑え、ウィスカの形状を柱状粒子から繊維状粒子まで制
御し、かつ緻密な焼結体を得る。前記ウィスカ生成量
は、５から３０体積％とする。５％未満では靭性向上の
効果が小さく、３０体積％を越えると強度低下をまねく
ためである。また、骨格となる窒化ケイ素は、結晶サイ
ズを４０μｍ以下とし、含有量は７０から９５体積％と
する。
【０００６】窒化ケイ素セラミックスのマトリックス中
にウィスカを生成するための雰囲気としては窒素のみの
雰囲気、窒素と不活性ガスの混合ガス、または窒素と還
元性ガスとの混合ガス雰囲気を適宜選択できる。
にウィスカを生成するための雰囲気としては窒素のみの
雰囲気、窒素と不活性ガスの混合ガス、または窒素と還
元性ガスとの混合ガス雰囲気を適宜選択できる。
【０００７】
【０００８】さらにウイスカ生成処理した後、焼結助剤
が作用する温度領域の高温まで加熱し、焼結体を緻密化
処理することにより高強度・高靭性のウイスカ強化セラ
ミックスを得ることができる。特に本発明では原料とし
てウイスカを混合したのではなく、焼結中にウイスカを
生成させているために、ウイスカへのダメージが少なく
高靭性化に寄与していると予想される。
が作用する温度領域の高温まで加熱し、焼結体を緻密化
処理することにより高強度・高靭性のウイスカ強化セラ
ミックスを得ることができる。特に本発明では原料とし
てウイスカを混合したのではなく、焼結中にウイスカを
生成させているために、ウイスカへのダメージが少なく
高靭性化に寄与していると予想される。
【０００９】ウイスカ生成材は、金属Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，
有機Ｓｉポリマのうち少なくとも１種とする。ウイスカ
生成材は、４０から１００mass％とする。
有機Ｓｉポリマのうち少なくとも１種とする。ウイスカ
生成材は、４０から１００mass％とする。
【００１０】さらに、マトリックス中にウイスカの発生
源になりやすい窒化ケイ素，炭化ケイ素，炭素などの添
加物（ここではウイスカ発生剤と呼ぶ）を混合すること
により、ウイスカの生成位置を限定し、またウイスカ生
成材とウイスカ発生剤の量比をコントロールすることに
より、生成ウイスカの大きさ及び分布密度をコントロー
ルする。ウイスカ発生剤は０から５０mass％とする。結
焼助剤は、窒化ケイ素の助剤として知られている酸化イ
ットリウム，酸化アルミニウム，希土類酸化物など一般
に知られているものが使用可能である。
源になりやすい窒化ケイ素，炭化ケイ素，炭素などの添
加物（ここではウイスカ発生剤と呼ぶ）を混合すること
により、ウイスカの生成位置を限定し、またウイスカ生
成材とウイスカ発生剤の量比をコントロールすることに
より、生成ウイスカの大きさ及び分布密度をコントロー
ルする。ウイスカ発生剤は０から５０mass％とする。結
焼助剤は、窒化ケイ素の助剤として知られている酸化イ
ットリウム，酸化アルミニウム，希土類酸化物など一般
に知られているものが使用可能である。
【００１１】本発明の自己強化セラミックスについて
は、ウイスカ生成処理後、ホットプレス，ＨＩＰだけで
なく無加圧でも焼結可能なため、成形方法は、射出成
形，プレス成形，鋳込み成形，ラバープレス成形，押出
し成形，金型粉末成形など形状と要求特性に応じて各種
成形方法が選択でき、複雑形状のセラミックス部品を得
ることができる。
は、ウイスカ生成処理後、ホットプレス，ＨＩＰだけで
なく無加圧でも焼結可能なため、成形方法は、射出成
形，プレス成形，鋳込み成形，ラバープレス成形，押出
し成形，金型粉末成形など形状と要求特性に応じて各種
成形方法が選択でき、複雑形状のセラミックス部品を得
ることができる。
【００１２】
【作用】本発明の方法によれば、任意の大きさ及び形状
の予備成形体を窒化させ、柱状粒子から繊維状までのウ
イスカを分散することができる。予備成形体の出発原料
は、４０μｍ以下の平均粒径を有するウイスカ生成材
（金属Ｓｉの粉末）及び４０μｍ以下の平均粒径を有す
る窒化ケイ素粉末を使用することが望ましい。
の予備成形体を窒化させ、柱状粒子から繊維状までのウ
イスカを分散することができる。予備成形体の出発原料
は、４０μｍ以下の平均粒径を有するウイスカ生成材
（金属Ｓｉの粉末）及び４０μｍ以下の平均粒径を有す
る窒化ケイ素粉末を使用することが望ましい。
【００１３】本発明において、ウイスカ生成材は原料粉
末成形体中に均一に分散させた状態になっており、その
ウイスカ生成材が１気圧より低い窒素分圧中で窒化ケイ
素ウイスカ，炭化ケイ素ウイスカ，酸窒化ケイ素ウイス
カとして成長する。通常これらのウイスカは窒化ケイ素
粒子を基体として成長するが、原料粉末にウイスカ発生
剤が混合されているときは、そこから優先的にウイスカ
が成長する。従って、ウイスカ発生剤の添加量により発
生するウイスカの分布密度が調節でき、また同時にウイ
スカ生成材の添加量によりウイスカ自身の大きさを調節
することが可能である。ここで窒化ケイ素粉末は、ウイ
スカ生成材である金属Ｓｉの反応焼結を制御する働きを
して、金属Ｓｉ粉末の窒化率を高め、焼結体の焼結密度
の向上にも寄与する。また本発明の工程では、焼結中に
ウイスカを生成させるため、原料にウイスカを用いる必
要がなくコスト面で有利であり、かつ作業者が直接ウイ
スカを取り扱う必要がないため安全である。
末成形体中に均一に分散させた状態になっており、その
ウイスカ生成材が１気圧より低い窒素分圧中で窒化ケイ
素ウイスカ，炭化ケイ素ウイスカ，酸窒化ケイ素ウイス
カとして成長する。通常これらのウイスカは窒化ケイ素
粒子を基体として成長するが、原料粉末にウイスカ発生
剤が混合されているときは、そこから優先的にウイスカ
が成長する。従って、ウイスカ発生剤の添加量により発
生するウイスカの分布密度が調節でき、また同時にウイ
スカ生成材の添加量によりウイスカ自身の大きさを調節
することが可能である。ここで窒化ケイ素粉末は、ウイ
スカ生成材である金属Ｓｉの反応焼結を制御する働きを
して、金属Ｓｉ粉末の窒化率を高め、焼結体の焼結密度
の向上にも寄与する。また本発明の工程では、焼結中に
ウイスカを生成させるため、原料にウイスカを用いる必
要がなくコスト面で有利であり、かつ作業者が直接ウイ
スカを取り扱う必要がないため安全である。
【００１４】本発明における複合セラミックスの焼結は
次のように進行すると考えられる。図１に説明図を示
す。成形体Ａでは窒化ケイ素粒子などのウイスカ発生剤
２および焼結助剤３の周囲にウイスカ生成材１が分散し
ている。焼結過程Ｂでは、減圧窒素雰囲気中でのウイス
カ生成材１の反応により生成したウイスカ５が特定の方
向に配向せずに成長する。最終段階Ｃでは、ウイスカ生
成材の反応が終了した段階で昇温し、焼結助剤３を利用
して窒化ケイ素の緻密化焼結を行うことにより、ウイス
カ分散強化セラミックスが得られる。
次のように進行すると考えられる。図１に説明図を示
す。成形体Ａでは窒化ケイ素粒子などのウイスカ発生剤
２および焼結助剤３の周囲にウイスカ生成材１が分散し
ている。焼結過程Ｂでは、減圧窒素雰囲気中でのウイス
カ生成材１の反応により生成したウイスカ５が特定の方
向に配向せずに成長する。最終段階Ｃでは、ウイスカ生
成材の反応が終了した段階で昇温し、焼結助剤３を利用
して窒化ケイ素の緻密化焼結を行うことにより、ウイス
カ分散強化セラミックスが得られる。
【００１５】
【実施例】（比較例１） ウイスカ生成材である平均粒径１μｍの金属Ｓｉ粉末
に、成形バインダとしてＰＶＢを３mass％添加し、ポッ
トミル中でエタノールを溶媒として２４時間混合し、乾
燥後粉砕して４２メッシュのふるいに通し、その粉末を
メカニカルプレスを用いて成形圧力２５０kgｆ／cm2 で
直径５０mm，厚さ５mmの成形体にした。この成形体から
成形助剤を除去した後、窒素ガスを１気圧まで導入し、
そして0.1,０.５，０.９，０.９５ 気圧窒素中まで減圧
し、１１００℃から１４００℃まで１０℃／ｈで加熱し
た。得られた焼結体の破面をＳＥＭで観察し、生成ウイ
スカの状態および生成量を調べた。０.９，０.９５気圧
では、径０.１ から１μｍ，アスペクト比５から２０の
針状のウイスカが均一に分散されていた。その生成量
は、０.９気圧では１５体積％、０.９５気圧では１０体
積％であった。得られた焼結体の破壊靭性値は、０.９
気圧では４.２ＭＰａ√ｍ 、０.９５ 気圧では３.８Ｍ
Ｐａ√ｍ であった。０.１，０.５窒素分圧の試料は、
図２に示すように、ウイスカの生成の様子はくもの巣が
張り付けているようであり、ウイスカの線径は約０.１
から０.５μｍくらいと細く、アスペクト比は約５０か
ら１００であった。０.５気圧での生成量は３０体積％
であった。０.１気圧の場合では、カーボン製の試料台
表面には、厚さ１mm程度のフェルト状の窒化ケイ素ウイ
スカが張り付いており、成形体中のウイスカ生成量２体
積％と少なくなるため、窒素雰囲気は０.５から０.９５
気圧が好ましい。比較のために、１気圧窒素中で同様に
焼結した結果、ウイスカ生成量は３体積％であり、破壊
靭性値は２.４ＭＰａ√ｍと、本発明品の方が靭性に優
れていることがわかった。
に、成形バインダとしてＰＶＢを３mass％添加し、ポッ
トミル中でエタノールを溶媒として２４時間混合し、乾
燥後粉砕して４２メッシュのふるいに通し、その粉末を
メカニカルプレスを用いて成形圧力２５０kgｆ／cm2 で
直径５０mm，厚さ５mmの成形体にした。この成形体から
成形助剤を除去した後、窒素ガスを１気圧まで導入し、
そして0.1,０.５，０.９，０.９５ 気圧窒素中まで減圧
し、１１００℃から１４００℃まで１０℃／ｈで加熱し
た。得られた焼結体の破面をＳＥＭで観察し、生成ウイ
スカの状態および生成量を調べた。０.９，０.９５気圧
では、径０.１ から１μｍ，アスペクト比５から２０の
針状のウイスカが均一に分散されていた。その生成量
は、０.９気圧では１５体積％、０.９５気圧では１０体
積％であった。得られた焼結体の破壊靭性値は、０.９
気圧では４.２ＭＰａ√ｍ 、０.９５ 気圧では３.８Ｍ
Ｐａ√ｍ であった。０.１，０.５窒素分圧の試料は、
図２に示すように、ウイスカの生成の様子はくもの巣が
張り付けているようであり、ウイスカの線径は約０.１
から０.５μｍくらいと細く、アスペクト比は約５０か
ら１００であった。０.５気圧での生成量は３０体積％
であった。０.１気圧の場合では、カーボン製の試料台
表面には、厚さ１mm程度のフェルト状の窒化ケイ素ウイ
スカが張り付いており、成形体中のウイスカ生成量２体
積％と少なくなるため、窒素雰囲気は０.５から０.９５
気圧が好ましい。比較のために、１気圧窒素中で同様に
焼結した結果、ウイスカ生成量は３体積％であり、破壊
靭性値は２.４ＭＰａ√ｍと、本発明品の方が靭性に優
れていることがわかった。
【００１６】（比較例２）比較例１ において、ウイスカ発生剤として平均粒径２μ
ｍの窒化ケイ素粉末を１０mass％添加し、同様に成形、
０.９ 気圧の窒素雰囲気中で焼結を行った。その結果、
図１のＢのようにウイスカ発生剤表面にウイスカ生成材
のＳｉ粉末から生成した窒化ケイ素ウイスカが生成して
いることが確認された。ウイスカの形状は実施例１とほ
とんど同じである。その結果、径０.５から２.５μｍ，
アスペクト比５から４０のＳｉ3Ｎ4およびＳｉ2Ｎ2Ｏウ
イスカ（柱状粒子含む）が均一にマトリックス中に１９
体積％分散できることがわかった。得られた焼結体の破
壊靭性値は、Single Edge Precracked Beam 法（ＳＥＰ
Ｂ法と記す）により測定した結果、４.６ＭＰａ√ｍで
あることがわかった。
ｍの窒化ケイ素粉末を１０mass％添加し、同様に成形、
０.９ 気圧の窒素雰囲気中で焼結を行った。その結果、
図１のＢのようにウイスカ発生剤表面にウイスカ生成材
のＳｉ粉末から生成した窒化ケイ素ウイスカが生成して
いることが確認された。ウイスカの形状は実施例１とほ
とんど同じである。その結果、径０.５から２.５μｍ，
アスペクト比５から４０のＳｉ3Ｎ4およびＳｉ2Ｎ2Ｏウ
イスカ（柱状粒子含む）が均一にマトリックス中に１９
体積％分散できることがわかった。得られた焼結体の破
壊靭性値は、Single Edge Precracked Beam 法（ＳＥＰ
Ｂ法と記す）により測定した結果、４.６ＭＰａ√ｍで
あることがわかった。
【００１７】また、同様にウイスカ発生剤として炭化ケ
イ素，炭素を分散させてもウイスカ発生剤表面にウイス
カ生成材のＳｉ粉末から生成した窒化ケイ素ウイスカが
生成していることが確認された。
イ素，炭素を分散させてもウイスカ発生剤表面にウイス
カ生成材のＳｉ粉末から生成した窒化ケイ素ウイスカが
生成していることが確認された。
【００１８】（比較例３） ウイスカ生成材である平均粒径０.５μｍ の金属Ｓｉ粉
末７０mass％，ウイスカ発生剤である平均粒径０.５μ
ｍ の炭化ケイ素粉末１０mass％，焼結助剤として酸化
イットリウム３mass％，酸化アルミニウム３mass％に、
成形バインダとしてＰＶＢを３mass％添加し、ポットミ
ル中でエタノールを溶媒として２４時間混合し、乾燥後
粉砕して４２メッシュのふるいに通し、その粉末をメカ
ニカルプレスを用いて成形圧力２５０kgｆ／cm2 で直径
５０mm，厚さ５mmの成形体にした。この成形体から成形
助剤を分散揮発させた後、窒素分圧０.１，０.５，０.
９，０.９５ を有する１０気圧のアルゴン雰囲気中で１
１００℃から１４００℃まで１０℃／ｈでウイスカ生成
処理を行った。その後１７５０℃まで加熱し緻密化処理
を行った。
末７０mass％，ウイスカ発生剤である平均粒径０.５μ
ｍ の炭化ケイ素粉末１０mass％，焼結助剤として酸化
イットリウム３mass％，酸化アルミニウム３mass％に、
成形バインダとしてＰＶＢを３mass％添加し、ポットミ
ル中でエタノールを溶媒として２４時間混合し、乾燥後
粉砕して４２メッシュのふるいに通し、その粉末をメカ
ニカルプレスを用いて成形圧力２５０kgｆ／cm2 で直径
５０mm，厚さ５mmの成形体にした。この成形体から成形
助剤を分散揮発させた後、窒素分圧０.１，０.５，０.
９，０.９５ を有する１０気圧のアルゴン雰囲気中で１
１００℃から１４００℃まで１０℃／ｈでウイスカ生成
処理を行った。その後１７５０℃まで加熱し緻密化処理
を行った。
【００１９】得られた焼結体の破面をＳＥＭで観察し、
生成ウイスカの状態および生成量を調べた。いずれも径
０.５ から３μｍ，アスペクト比５から２０のウイスカ
が均一に分散されていた。その生成量は、０.１ 気圧で
は３４体積％、０.５ 気圧では２７体積％，０.９気圧
では１６体積％，０.９５気圧では８体積％であった。
実施例１の減圧下に比較して成形体外部へのウイスカの
飛散が防止できることがわかった。得られた結焼体の破
壊靭性値は、ＳＥＰＢ法により測定した結果、０.１ 気
圧では１４ＭＰａ√ｍ、０.５気圧では１１ＭＰａ√
ｍ，０.９気圧では１０ＭＰａ√ｍ、０.９５ 気圧では
８ＭＰａ√ｍの特性を有することがわかった。
生成ウイスカの状態および生成量を調べた。いずれも径
０.５ から３μｍ，アスペクト比５から２０のウイスカ
が均一に分散されていた。その生成量は、０.１ 気圧で
は３４体積％、０.５ 気圧では２７体積％，０.９気圧
では１６体積％，０.９５気圧では８体積％であった。
実施例１の減圧下に比較して成形体外部へのウイスカの
飛散が防止できることがわかった。得られた結焼体の破
壊靭性値は、ＳＥＰＢ法により測定した結果、０.１ 気
圧では１４ＭＰａ√ｍ、０.５気圧では１１ＭＰａ√
ｍ，０.９気圧では１０ＭＰａ√ｍ、０.９５ 気圧では
８ＭＰａ√ｍの特性を有することがわかった。
【００２０】（比較例４）比較例３ において、ウイスカ生成材であるＳｉ粉末の代
わりにポリカルボシラン有機Ｓｉポリマを混合し、同様
に窒素分圧０.５ 気圧中でウイスカ生成処理，緻密化処
理の焼結を行った。その結果、径０.５ から５μｍ，ア
スペクト比５から２０のＳｉ3Ｎ4およびＳｉ2Ｎ2Ｏウイ
スカ（柱状粒子含む）が均一にマトリックス中に２９体
積％分散できることがわかった。得られた焼結体の破壊
靭性値は、ＳＥＰＢ法により測定した結果、１２ＭＰａ
√ｍであることがわかった。
わりにポリカルボシラン有機Ｓｉポリマを混合し、同様
に窒素分圧０.５ 気圧中でウイスカ生成処理，緻密化処
理の焼結を行った。その結果、径０.５ から５μｍ，ア
スペクト比５から２０のＳｉ3Ｎ4およびＳｉ2Ｎ2Ｏウイ
スカ（柱状粒子含む）が均一にマトリックス中に２９体
積％分散できることがわかった。得られた焼結体の破壊
靭性値は、ＳＥＰＢ法により測定した結果、１２ＭＰａ
√ｍであることがわかった。
【００２１】また、実施例３において、ウイスカ生成材
であるＳｉ粉末の代わりにＳiＯ2粉末を混合し、窒素ガ
スを含むＣＯ還元性ガス雰囲気中で同様に窒素分圧０.
５ 気圧中でウイスカ生成処理，緻密化処理の焼結を行
った。その結果、径０.５ から５μｍ，アスペクト比５
から２０のＳｉ3Ｎ4,Ｓｉ2Ｎ2Ｏ,ＳｉＣウイスカ（柱状
粒子含む）が均一にマトリックス中に２５体積％分散で
きることがわかった。得られた焼結体の破壊靭性値は、
ＳＥＰＢ法により測定した結果、１０ＭＰａ√ｍ有する
ことがわかった。
であるＳｉ粉末の代わりにＳiＯ2粉末を混合し、窒素ガ
スを含むＣＯ還元性ガス雰囲気中で同様に窒素分圧０.
５ 気圧中でウイスカ生成処理，緻密化処理の焼結を行
った。その結果、径０.５ から５μｍ，アスペクト比５
から２０のＳｉ3Ｎ4,Ｓｉ2Ｎ2Ｏ,ＳｉＣウイスカ（柱状
粒子含む）が均一にマトリックス中に２５体積％分散で
きることがわかった。得られた焼結体の破壊靭性値は、
ＳＥＰＢ法により測定した結果、１０ＭＰａ√ｍ有する
ことがわかった。
【００２２】（実施例１） ウイスカ生成材である平均粒径０.３μｍ の金属Ｓｉ粉
末４０mass％，ウイスカ発生剤である平均粒径０.５μ
ｍ の窒化ケイ素粉末５４mass％，焼結助剤として酸化
イットリウム３mass％，酸化アルミニウム３mass％に、
成形バインダとしてＰＶＢを３mass％添加し、ポットミ
ル中でエタノールを溶媒として２４時間混合し、乾燥後
粉砕して４２メッシュのふるいに通し、その粉末をメカ
ニカルプレスを用いて成形圧力２５０kgｆ／cm2 で直径
５０mm，厚さ５mmの成形体にした。この成形体から成形
助剤を分散揮発させた後、窒素分圧０.９ 気圧の減圧下
および１０気圧の加圧雰囲気下を５時間ごとにサイクル
的に変化させながら、1100℃から１４００℃まで１０℃
／ｈでウイスカ生成処理を行った。その後１７５０℃ま
で加熱し緻密化処理を行った。
末４０mass％，ウイスカ発生剤である平均粒径０.５μ
ｍ の窒化ケイ素粉末５４mass％，焼結助剤として酸化
イットリウム３mass％，酸化アルミニウム３mass％に、
成形バインダとしてＰＶＢを３mass％添加し、ポットミ
ル中でエタノールを溶媒として２４時間混合し、乾燥後
粉砕して４２メッシュのふるいに通し、その粉末をメカ
ニカルプレスを用いて成形圧力２５０kgｆ／cm2 で直径
５０mm，厚さ５mmの成形体にした。この成形体から成形
助剤を分散揮発させた後、窒素分圧０.９ 気圧の減圧下
および１０気圧の加圧雰囲気下を５時間ごとにサイクル
的に変化させながら、1100℃から１４００℃まで１０℃
／ｈでウイスカ生成処理を行った。その後１７５０℃ま
で加熱し緻密化処理を行った。
【００２３】得られた焼結体の破面をＳＥＭで観察し、
生成ウイスカの状態および生成量を調べた。径１から５
μｍ，アスペクト比５から２０のウイスカが均一に分散
されていた。その生成量は、２８体積％であった。得ら
れた焼結体の破壊靭性値は、ＳＥＰＢ法により測定した
結果１１ＭＰａ√ｍの特性を有することがわかった。
生成ウイスカの状態および生成量を調べた。径１から５
μｍ，アスペクト比５から２０のウイスカが均一に分散
されていた。その生成量は、２８体積％であった。得ら
れた焼結体の破壊靭性値は、ＳＥＰＢ法により測定した
結果１１ＭＰａ√ｍの特性を有することがわかった。
【００２４】
【発明の効果】本発明では焼結体中に生成したウイスカ
を分散強化とするため、特性のばらつきの少ない高靭性
セラミックスの作製が可能となる。これにより高温強
度，耐熱性，耐熱衝撃性，高靭性が必要なエンジンやタ
ービンなどの構造用部品をはじめ、航空，宇宙関係，鉄
鋼，海洋開発などの分野へのセラミックスの利用範囲が
拡大する。
を分散強化とするため、特性のばらつきの少ない高靭性
セラミックスの作製が可能となる。これにより高温強
度，耐熱性，耐熱衝撃性，高靭性が必要なエンジンやタ
ービンなどの構造用部品をはじめ、航空，宇宙関係，鉄
鋼，海洋開発などの分野へのセラミックスの利用範囲が
拡大する。
【図１】ウイスカ生成過程の説明図。
【図２】ウイスカ生成過程の説明図。
１…ウイスカ生成材、２…ウイスカ発生剤、３…焼結助
剤、４…空隙、５…ウイスカ。
剤、４…空隙、５…ウイスカ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金井 恒行 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (56)参考文献 特開 平７−33532（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−54678（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−54679（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−57964（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−57965（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−111968（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−44064（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】ウィスカ生成材を含む成形体を、 窒素分圧が１気圧よりも低い雰囲気と、 窒素分圧が１気圧以上の雰囲気とを、交互に少なくとも
１サイクル繰り返しながら、加熱する工程を含むことを
特徴とする窒化ケイ素焼結体の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記加熱する工程の
後、該加熱工程よりも高い温度で焼結体を緻密化処理す
る工程を施すことを特徴とする窒化ケイ素焼結体の製造
方法。 - 【請求項３】請求項１において、前記ウィスカ生成材が
金属Ｓｉ，ＳｉＯ 2 ，有機Ｓｉポリマのうちから選ばれ
た少なくとも１種であり、該ウィスカ生成材の成形体全
体にしめる割合が４０〜１００重量％であることを特徴
とする窒化ケイ素焼結体の製造方法。 - 【請求項４】請求項３において、前記成形体に、前記ウ
ィスカ生成材に加えて更に粒径１０μｍ以下のＳｉ
3 Ｎ 4 ，ＳｉＣ，Ｃ粒子から選ばれた少なくとも１種から
なるウィスカ発生剤を、前記成形体全体に対して５０重
量％以下添加することを特徴とする窒化ケイ素焼結体の
製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP7048099A JP2705618B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP7048099A JP2705618B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08245265A JPH08245265A (ja) | 1996-09-24 |
| JP2705618B2 true JP2705618B2 (ja) | 1998-01-28 |
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|---|---|---|---|
| JP7048099A Expired - Fee Related JP2705618B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5954679A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | 住友電気工業株式会社 | 繊維強化型窒化硅素焼結体の製造法 |
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| JPH0733532A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-03 | Hitachi Ltd | 繊維強化窒化珪素焼結体及びその製造法 |
-
1995
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