JP2690114B2 - 磁気ヘッド用鉄薄膜 - Google Patents
磁気ヘッド用鉄薄膜Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、記録媒体に磁気的に情報を記録すること
のできる記録ヘッドに使用するための磁気ヘッド用鉄薄
膜に関するものである。
のできる記録ヘッドに使用するための磁気ヘッド用鉄薄
膜に関するものである。
［従来の技術］ 記録媒体に磁気的に情報を記録し、その記録された情
報を再生するための磁気ヘッドが各種提案され、開発さ
れている。
報を再生するための磁気ヘッドが各種提案され、開発さ
れている。
ところで，この磁気ヘッドにあっては、ヘッドを構成
するコアとして例えば非磁性の基板上にスパッタリング
法や蒸着法などにより鉄を主成分とした薄膜を成長・形
成させた材料のものを使用することなどが知られてい
る。しかしながら、記録密度の向上に伴いヘッド材料と
してより飽和磁化の大きい材料が求められ、鉄薄膜が注
目されている。そして、鉄薄膜のコアを有する磁気ヘッ
ドを用いてできるだけ良好な記録再生特性を得るために
は、その基板上に成長・形成された鉄薄膜の膜面内印加
磁界による飽和磁歪λｓが零若しくはそれに近いような
特性となるようにすることが望ましいものである。
するコアとして例えば非磁性の基板上にスパッタリング
法や蒸着法などにより鉄を主成分とした薄膜を成長・形
成させた材料のものを使用することなどが知られてい
る。しかしながら、記録密度の向上に伴いヘッド材料と
してより飽和磁化の大きい材料が求められ、鉄薄膜が注
目されている。そして、鉄薄膜のコアを有する磁気ヘッ
ドを用いてできるだけ良好な記録再生特性を得るために
は、その基板上に成長・形成された鉄薄膜の膜面内印加
磁界による飽和磁歪λｓが零若しくはそれに近いような
特性となるようにすることが望ましいものである。
［発明が解決しようとする課題］ ところで，鉄薄膜の磁歪は、通常その結晶粒の格子面
の方向及び分布の仕方（以下結晶粒配列と称す）に大き
く依存することが知られているが、先に説明したような
方法によって、即ちスパッタリング法や蒸着法によって
鉄薄膜を成長・形成した場合には、磁歪制御を行うこと
ができなかったため、通常一般に零若しくは零近傍の飽
和磁歪λｓ（以下零値歪と略す）のものを形成すること
は困難であり、また仮に一度そのような零磁歪の結晶粒
配列のものができたとしてもそれと同じような零磁歪の
ものを再現性良く形成することは非常に困難である。
の方向及び分布の仕方（以下結晶粒配列と称す）に大き
く依存することが知られているが、先に説明したような
方法によって、即ちスパッタリング法や蒸着法によって
鉄薄膜を成長・形成した場合には、磁歪制御を行うこと
ができなかったため、通常一般に零若しくは零近傍の飽
和磁歪λｓ（以下零値歪と略す）のものを形成すること
は困難であり、また仮に一度そのような零磁歪の結晶粒
配列のものができたとしてもそれと同じような零磁歪の
ものを再現性良く形成することは非常に困難である。
このため、先のような方法で成長形成された鉄薄膜に
あっては、結晶粒配列が零磁歪となるように制御しなが
ら鉄薄膜を形成することは現実上非常に困難であり、通
常一般に飽和磁歪λｓがどうしても負になってしまうこ
とが多かった。
あっては、結晶粒配列が零磁歪となるように制御しなが
ら鉄薄膜を形成することは現実上非常に困難であり、通
常一般に飽和磁歪λｓがどうしても負になってしまうこ
とが多かった。
そこで、この発明は、上記した従来の欠点に鑑み、膜
面内磁界印加の際に零磁歪となる結晶粒配列を有するよ
うな磁気ヘッド用鉄薄膜を提供することを目的とするも
のである。
面内磁界印加の際に零磁歪となる結晶粒配列を有するよ
うな磁気ヘッド用鉄薄膜を提供することを目的とするも
のである。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明は、真空に近い低圧
雰囲気の基板上で成長・形成された磁気ヘッドに使用す
る鉄薄膜であって、鉄の純度が95at％以上であり、この
鉄薄膜の結晶構造が体心立方格子（BCC）で構成されて
いると共に、その鉄薄膜の結晶粒が前記基板面に対し格
子面（110）並びに格子面（200）が平行となるような方
向にそれぞれ成長した２種類の結晶粒配列のものから主
に構成され、かつ膜の内部応力が１×109dyn/cm2以下で
ある鉄薄膜において、CuKαをＸ線源としてその鉄薄膜
にＸ線を照射したときの前記格子面（200）及び（110）
からの回折ピーク強度の和に対する格子面（110）から
の回折ピーク強度比が0.035乃至0.5の範囲にあることを
特徴とするものである。
雰囲気の基板上で成長・形成された磁気ヘッドに使用す
る鉄薄膜であって、鉄の純度が95at％以上であり、この
鉄薄膜の結晶構造が体心立方格子（BCC）で構成されて
いると共に、その鉄薄膜の結晶粒が前記基板面に対し格
子面（110）並びに格子面（200）が平行となるような方
向にそれぞれ成長した２種類の結晶粒配列のものから主
に構成され、かつ膜の内部応力が１×109dyn/cm2以下で
ある鉄薄膜において、CuKαをＸ線源としてその鉄薄膜
にＸ線を照射したときの前記格子面（200）及び（110）
からの回折ピーク強度の和に対する格子面（110）から
の回折ピーク強度比が0.035乃至0.5の範囲にあることを
特徴とするものである。
［作用］ この発明の磁気ヘッド用鉄薄膜によれば、Ｘ線回折を
行い、格子面（200）及び（110）からの回折ピーク強度
の和に対する格子面（110）からの回折ピーク強度比が
0.035乃至0.5の範囲にあることを確認するだけで、零磁
歪の結晶粒配列となっていることが確認できるため、確
実な磁歪制御を行ないながら鉄薄膜を成長・形成させる
ことが可能となる。
行い、格子面（200）及び（110）からの回折ピーク強度
の和に対する格子面（110）からの回折ピーク強度比が
0.035乃至0.5の範囲にあることを確認するだけで、零磁
歪の結晶粒配列となっていることが確認できるため、確
実な磁歪制御を行ないながら鉄薄膜を成長・形成させる
ことが可能となる。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例について添付図面を参照し
ながら説明する。第１図は、この発明にかかる磁気ヘッ
ド用鉄薄膜を基板上に成長・形成させたときの状態を示
す概略断面図、第２図は、この発明にかかる磁気ヘッド
用鉄薄膜を構成する鉄の結晶構造を示す模式図、第３図
及び第４図は、それぞれこの発明にかかる磁気ヘッド用
鉄薄膜の面格子（110）及び面格子（200）を示す説明
図、第５図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を
製造するためのイオンビームスパッタリング装置を示す
概略構成図、第６図は、この発明にかかる磁気ヘッド用
鉄薄膜を製造するときの加速電圧並びにこの発明にかか
る磁気ヘッド用鉄薄膜を試料として回折するときのブラ
ッグ倍角度と回折強度との相関関係を示すグラフ、第７
図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を製造する
ときの加速電圧と飽和磁歪との相関関係を示すグラフ、
第８図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜をＸ線
回折したときの回折ピーク強度比と飽和磁歪との関係を
示すグラフ、第９図は、この発明にかかる磁気ヘッド用
鉄薄膜を試料としてＸ線回折するためのＸ線回折装置に
示す構成図、第10図は、この発明にかかる磁気ヘッド用
鉄薄膜にＸ線を照射したときのブラッグ角度を示す説明
図である。
ながら説明する。第１図は、この発明にかかる磁気ヘッ
ド用鉄薄膜を基板上に成長・形成させたときの状態を示
す概略断面図、第２図は、この発明にかかる磁気ヘッド
用鉄薄膜を構成する鉄の結晶構造を示す模式図、第３図
及び第４図は、それぞれこの発明にかかる磁気ヘッド用
鉄薄膜の面格子（110）及び面格子（200）を示す説明
図、第５図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を
製造するためのイオンビームスパッタリング装置を示す
概略構成図、第６図は、この発明にかかる磁気ヘッド用
鉄薄膜を製造するときの加速電圧並びにこの発明にかか
る磁気ヘッド用鉄薄膜を試料として回折するときのブラ
ッグ倍角度と回折強度との相関関係を示すグラフ、第７
図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を製造する
ときの加速電圧と飽和磁歪との相関関係を示すグラフ、
第８図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜をＸ線
回折したときの回折ピーク強度比と飽和磁歪との関係を
示すグラフ、第９図は、この発明にかかる磁気ヘッド用
鉄薄膜を試料としてＸ線回折するためのＸ線回折装置に
示す構成図、第10図は、この発明にかかる磁気ヘッド用
鉄薄膜にＸ線を照射したときのブラッグ角度を示す説明
図である。
第１図中、鉄薄膜１は基板２上に成長・形成されてお
り、その結晶構造は第２図に示すように立方体を構成す
る各頂点位置並びに中心部分に９個の鉄（Fe）原子３が
配設された構成となっている。そして、これらの結晶が
多数個まとまって形成される結晶粒は、基板２面に対し
て格子面（110）（第３図参照）並びに格子面（200）
（第４図参照）が平行となるような方向にそれぞれ成長
した二種類のものから主に構成されている。尚、図中符
号ａは磁界Ｈの印加方向を示している。鉄薄膜１は、こ
の実施側にあってはイオンビームスパッタリング法によ
って形成されており、膜面内磁界印加による飽和磁歪λ
ｓが零磁歪（但しここで電磁歪とは先に説明したように
｜λs|≦１×10-6のことを意味するものとする）の結晶
構造のものが得られており、この電磁歪の結晶構造が形
成されたことを後に詳しく説明するＸ線回折によって確
認することができる。尚、この鉄薄膜１の形成手段とし
ては、同様の結晶構造が得られるものであればよく、例
えば通常のスパッタ法、真空蒸着法等でも勿論可能であ
る。
り、その結晶構造は第２図に示すように立方体を構成す
る各頂点位置並びに中心部分に９個の鉄（Fe）原子３が
配設された構成となっている。そして、これらの結晶が
多数個まとまって形成される結晶粒は、基板２面に対し
て格子面（110）（第３図参照）並びに格子面（200）
（第４図参照）が平行となるような方向にそれぞれ成長
した二種類のものから主に構成されている。尚、図中符
号ａは磁界Ｈの印加方向を示している。鉄薄膜１は、こ
の実施側にあってはイオンビームスパッタリング法によ
って形成されており、膜面内磁界印加による飽和磁歪λ
ｓが零磁歪（但しここで電磁歪とは先に説明したように
｜λs|≦１×10-6のことを意味するものとする）の結晶
構造のものが得られており、この電磁歪の結晶構造が形
成されたことを後に詳しく説明するＸ線回折によって確
認することができる。尚、この鉄薄膜１の形成手段とし
ては、同様の結晶構造が得られるものであればよく、例
えば通常のスパッタ法、真空蒸着法等でも勿論可能であ
る。
次に、この実施例にかかる鉄薄膜１のイオンビームス
パッタリング法を用いた一製造方法について説明する。
パッタリング法を用いた一製造方法について説明する。
第５図はイオンビームスパッタリング放に使用するイ
オンビームスパッタリング装置を示すものであり、この
イオンビームスパッタリング装置は、イオン源４から供
給するイオンとしてアルゴン（Ar+）が用いられてお
り、またターゲット５には鉄材が使用されている。尚、
図中符号６はアルゴンイオン（Ar+）を加速させるため
の加速電圧が印加されたグリッド、７は真空状態近くま
で減圧されたチェンバーである。そして、この実施例の
イオンビームスパッタリング装置は、例えばアルゴンガ
ス圧が２〜５×10-4Torrの低圧状態のチェンバー７内に
おいてイオン源から供給されるアルゴンイオン（Ar+）
を例えば1KVに加速電圧が印加されたグリッド６によっ
て加速してターゲット５に向けて打ち出すようになって
いる。そして、このアルゴンイオン（Ar+）が高速状態
でターゲット５に衝突すると、そのターゲット５である
鉄材から鉄原子（Fe）が気体中に飛散してその近傍の基
板上に付着・堆積するようになっている。このようにし
て、このイオンビームスパッタリング装置を用いると、
基板２上に鉄原子が堆積しながら一定の結晶構造、即ち
先に説明した基板２面に対し平行な格子面として主に
（110）並びに（200）が形成されるような状態で鉄薄膜
１が成長・形成されていく。
オンビームスパッタリング装置を示すものであり、この
イオンビームスパッタリング装置は、イオン源４から供
給するイオンとしてアルゴン（Ar+）が用いられてお
り、またターゲット５には鉄材が使用されている。尚、
図中符号６はアルゴンイオン（Ar+）を加速させるため
の加速電圧が印加されたグリッド、７は真空状態近くま
で減圧されたチェンバーである。そして、この実施例の
イオンビームスパッタリング装置は、例えばアルゴンガ
ス圧が２〜５×10-4Torrの低圧状態のチェンバー７内に
おいてイオン源から供給されるアルゴンイオン（Ar+）
を例えば1KVに加速電圧が印加されたグリッド６によっ
て加速してターゲット５に向けて打ち出すようになって
いる。そして、このアルゴンイオン（Ar+）が高速状態
でターゲット５に衝突すると、そのターゲット５である
鉄材から鉄原子（Fe）が気体中に飛散してその近傍の基
板上に付着・堆積するようになっている。このようにし
て、このイオンビームスパッタリング装置を用いると、
基板２上に鉄原子が堆積しながら一定の結晶構造、即ち
先に説明した基板２面に対し平行な格子面として主に
（110）並びに（200）が形成されるような状態で鉄薄膜
１が成長・形成されていく。
ところで、この鉄薄膜１が先のような特定の結晶粒配
列を有するように形成されるための条件として、この実
施例にあっては成膜速度を15〜30Å/min、アルゴンガス
圧を２〜５×10-4Torrと設定した時に加速電圧（Vacc）
を第６図に通すように1KVとして設定しているが、特に
この条件に限定されるものではなく、成膜速度及びアル
ゴンガス圧を一定条件に適宜設定した場合その時の最適
な加速電圧（Vacc）を選択すればよく、この加速電圧
（Vacc）の最適値については次に説明するＸ線回折によ
って決定することができる。尚、加速電圧（Vacc）につ
いては、例えば先の実施例のような条件の場合において
第７図に伝すように電磁歪、即ち｜λs|≦１×10-6のよ
うな範囲となるようにその加速電圧（Vacc）を0.36KV〜
0.53KV程度に収めてあればよい。
列を有するように形成されるための条件として、この実
施例にあっては成膜速度を15〜30Å/min、アルゴンガス
圧を２〜５×10-4Torrと設定した時に加速電圧（Vacc）
を第６図に通すように1KVとして設定しているが、特に
この条件に限定されるものではなく、成膜速度及びアル
ゴンガス圧を一定条件に適宜設定した場合その時の最適
な加速電圧（Vacc）を選択すればよく、この加速電圧
（Vacc）の最適値については次に説明するＸ線回折によ
って決定することができる。尚、加速電圧（Vacc）につ
いては、例えば先の実施例のような条件の場合において
第７図に伝すように電磁歪、即ち｜λs|≦１×10-6のよ
うな範囲となるようにその加速電圧（Vacc）を0.36KV〜
0.53KV程度に収めてあればよい。
次に、先のような条件を含む各種条件のもとで成長・
形成された後に、適当な熱処理により内部応力が１×10
9dyn/cm2以下となった鉄薄膜１に膜面内磁界を印加した
時の飽和磁歪λｓについて調べた実験データである第８
図等をもとにして、鉄薄膜１が零磁歪の結晶粒配列を有
するか否かをＸ線回折ピーク強度比によって確認するこ
とができるということを説明する。尚、この実験用に使
用するＸ線回折装置としては、例えば第９図に通すよう
な従来から公知のものが用いられており、このＸ線回折
装置にはＸ線源８としてCuKα線が用いられている。ま
た図中符号９は回折されたCuKα線をカウントするため
のカウンタである。Ｘ線回折装置によって先の条件で成
長・形成された鉄薄膜１を回折実験すると、その強度に
ついては、格子面（110）が基板２面に対して平行な結
晶粒配列を持つ場合（以下第１結晶粒配列と呼ぶ）には
第10図に示すブラッグ角θの２倍の角度（以下ブラッグ
倍角２θと呼ぶ）がおよそ44.7度の時にその格子面でブ
ラッグ反射されて観測されるＸ線がピークとなり、また
格子面（200）が基板２面に対して平行な結晶粒子配列
を待つ場合（以下第２結晶粒配列と呼ぶ）にはブラッグ
倍角２θがおよそ65度の時にピークとなることが判って
いる。したがって、これらの２種類のブラッグ倍角２θ
の時に回折線の強度がピークとなるようであれば、第
１、第２の結晶粒配列のものが形成されていることがま
ず確認できるが、第７図から判るように、第１結晶粒配
列のものは飽和磁歪λｓが特定の負の数値を有する（即
ち、膜面内磁界を印加すると縮小する）ものであり、一
方第２結晶粒配列のものは、飽和磁歪λｓが特定の正の
数値を有する（即ち、膜面内磁界を印加すると伸長す
る）ものであり、これら双方を加算した時に丁度零磁歪
になっているかどうかはこれだけでは確認出来ない。
形成された後に、適当な熱処理により内部応力が１×10
9dyn/cm2以下となった鉄薄膜１に膜面内磁界を印加した
時の飽和磁歪λｓについて調べた実験データである第８
図等をもとにして、鉄薄膜１が零磁歪の結晶粒配列を有
するか否かをＸ線回折ピーク強度比によって確認するこ
とができるということを説明する。尚、この実験用に使
用するＸ線回折装置としては、例えば第９図に通すよう
な従来から公知のものが用いられており、このＸ線回折
装置にはＸ線源８としてCuKα線が用いられている。ま
た図中符号９は回折されたCuKα線をカウントするため
のカウンタである。Ｘ線回折装置によって先の条件で成
長・形成された鉄薄膜１を回折実験すると、その強度に
ついては、格子面（110）が基板２面に対して平行な結
晶粒配列を持つ場合（以下第１結晶粒配列と呼ぶ）には
第10図に示すブラッグ角θの２倍の角度（以下ブラッグ
倍角２θと呼ぶ）がおよそ44.7度の時にその格子面でブ
ラッグ反射されて観測されるＸ線がピークとなり、また
格子面（200）が基板２面に対して平行な結晶粒子配列
を待つ場合（以下第２結晶粒配列と呼ぶ）にはブラッグ
倍角２θがおよそ65度の時にピークとなることが判って
いる。したがって、これらの２種類のブラッグ倍角２θ
の時に回折線の強度がピークとなるようであれば、第
１、第２の結晶粒配列のものが形成されていることがま
ず確認できるが、第７図から判るように、第１結晶粒配
列のものは飽和磁歪λｓが特定の負の数値を有する（即
ち、膜面内磁界を印加すると縮小する）ものであり、一
方第２結晶粒配列のものは、飽和磁歪λｓが特定の正の
数値を有する（即ち、膜面内磁界を印加すると伸長す
る）ものであり、これら双方を加算した時に丁度零磁歪
になっているかどうかはこれだけでは確認出来ない。
そこで、この発明者が格子面（200）及び（110）での
回折による回折ピーク強度の和Ｉ（200）＋Ｉ（110）と
格子面（110）での回折による回折ピーク強度（110）と
の比、即ちＩ（110）／（Ｉ（200）＋Ｉ（110））を実
験的に調べてみたところ、第８図に示すように飽和磁歪
λｓについては線形一次の関係があること判った。これ
によって、これら双方の回折ピーク強度比Ｉ（110）／
（Ｉ（200）＋Ｉ（110））を調べることから、先のよう
な第１、第２結晶粒配列を主な構成要素として形成され
た鉄薄膜１が零磁歪を有するか否かを確認することが可
能となる。即ち、第８図から例えば先のような条件で結
晶・成長させた鉄薄膜１であって、CuKα線をＸ線源と
した時のＸ線解折により回折ピーク強度比が0.035乃至
0.5の範囲に収められていることが確認できれば、その
鉄薄膜１は膜面内磁界印加の際に零磁歪となっているこ
とが判る。
回折による回折ピーク強度の和Ｉ（200）＋Ｉ（110）と
格子面（110）での回折による回折ピーク強度（110）と
の比、即ちＩ（110）／（Ｉ（200）＋Ｉ（110））を実
験的に調べてみたところ、第８図に示すように飽和磁歪
λｓについては線形一次の関係があること判った。これ
によって、これら双方の回折ピーク強度比Ｉ（110）／
（Ｉ（200）＋Ｉ（110））を調べることから、先のよう
な第１、第２結晶粒配列を主な構成要素として形成され
た鉄薄膜１が零磁歪を有するか否かを確認することが可
能となる。即ち、第８図から例えば先のような条件で結
晶・成長させた鉄薄膜１であって、CuKα線をＸ線源と
した時のＸ線解折により回折ピーク強度比が0.035乃至
0.5の範囲に収められていることが確認できれば、その
鉄薄膜１は膜面内磁界印加の際に零磁歪となっているこ
とが判る。
したがって、この実施例にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜
は、予め特定の条件で鉄薄膜を形成した後適当な熱処理
により膜の内部応力を１×109dyn/cm2以下とした鉄薄膜
を試料としてＸ線回折を行い、その鉄薄膜は所定範囲の
回折ピーク強度比にあることを確認するだけで膜内磁界
印加の際に零磁歪になっていることが容易に判定でき
る。
は、予め特定の条件で鉄薄膜を形成した後適当な熱処理
により膜の内部応力を１×109dyn/cm2以下とした鉄薄膜
を試料としてＸ線回折を行い、その鉄薄膜は所定範囲の
回折ピーク強度比にあることを確認するだけで膜内磁界
印加の際に零磁歪になっていることが容易に判定でき
る。
［効果］ 以上説明したように、この発明の磁気ヘッド用鉄薄膜
は、体心立方格子（BCC）で構成され、基板面に対して
格子面（110）並びに格子面（200）が平行となるような
結晶粒配列を有し、膜の内部応力が１×109dyn/cm2以下
である鉄薄膜を、CuKαをＸ線源としてその鉄薄膜がＸ
線を照射したときの格子面（200）及び（110）からの回
折ピーク強度の和に対する格子面（110）からの回折ピ
ーク強度比が0.035乃至0.5の範囲にあるよう構成したか
ら、予め特定の条件で鉄薄膜を形成した後適当な熱処理
により膜の内部応力を１×109dyn/cm2以下とした鉄薄膜
を試料としてＸ線回折を行い、格子面（200）及び（11
0）からの回折ピーク強度の和に対する格子面（110）か
らの回折ピーク強度比が所定範囲にあることを確認する
だけで、第１、第２結晶粒配列を主な構成要素として形
成された鉄薄膜が、膜面内磁界印加の際に零磁歪を有す
ることを容易に確認することができ、これにより磁歪を
確実に制御しながら鉄薄膜を成長・形成させ、零磁歪の
結晶粒配列を得ることができ、磁気ヘッド材料として使
用したときの記録再生特性を向上させることができる等
の優れた効果を奏する。
は、体心立方格子（BCC）で構成され、基板面に対して
格子面（110）並びに格子面（200）が平行となるような
結晶粒配列を有し、膜の内部応力が１×109dyn/cm2以下
である鉄薄膜を、CuKαをＸ線源としてその鉄薄膜がＸ
線を照射したときの格子面（200）及び（110）からの回
折ピーク強度の和に対する格子面（110）からの回折ピ
ーク強度比が0.035乃至0.5の範囲にあるよう構成したか
ら、予め特定の条件で鉄薄膜を形成した後適当な熱処理
により膜の内部応力を１×109dyn/cm2以下とした鉄薄膜
を試料としてＸ線回折を行い、格子面（200）及び（11
0）からの回折ピーク強度の和に対する格子面（110）か
らの回折ピーク強度比が所定範囲にあることを確認する
だけで、第１、第２結晶粒配列を主な構成要素として形
成された鉄薄膜が、膜面内磁界印加の際に零磁歪を有す
ることを容易に確認することができ、これにより磁歪を
確実に制御しながら鉄薄膜を成長・形成させ、零磁歪の
結晶粒配列を得ることができ、磁気ヘッド材料として使
用したときの記録再生特性を向上させることができる等
の優れた効果を奏する。
第１図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を基板
上に成長・形成させたときの状態を示す概略断面図、第
２図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を構成す
る鉄の結晶構造を示す模式図、第３図及び第４図は、そ
れぞれこの発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜の面格子
（110）及び面格子（200）を示す説明図、第５図は、こ
の発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を製造するためのイ
オンビームスパッタリング装置を示す概略構成図、第６
図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を製造する
ときの加速電圧並びにこの発明にかかる磁気ヘッド用鉄
薄膜を試料として回折するときのブラッグ倍角度と回折
強度との相関関係を示すグラフ、第７図は、この発明に
かかる磁気ヘッド用鉄薄膜を製造するときの加速電圧と
飽和磁歪との相関関係を示すグラフ、第８図は、この発
明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜をＸ線回折したときの回
折ピーク強度比と飽和磁歪との関係を示すグラフ、第９
図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を試料とし
てＸ線回折するためのＸ線回折装置を示す構成図、第10
図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜にＸ線を照
射したときのブラッグ角度を示す説明図である。 ２……基板 １……鉄薄膜
上に成長・形成させたときの状態を示す概略断面図、第
２図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を構成す
る鉄の結晶構造を示す模式図、第３図及び第４図は、そ
れぞれこの発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜の面格子
（110）及び面格子（200）を示す説明図、第５図は、こ
の発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を製造するためのイ
オンビームスパッタリング装置を示す概略構成図、第６
図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を製造する
ときの加速電圧並びにこの発明にかかる磁気ヘッド用鉄
薄膜を試料として回折するときのブラッグ倍角度と回折
強度との相関関係を示すグラフ、第７図は、この発明に
かかる磁気ヘッド用鉄薄膜を製造するときの加速電圧と
飽和磁歪との相関関係を示すグラフ、第８図は、この発
明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜をＸ線回折したときの回
折ピーク強度比と飽和磁歪との関係を示すグラフ、第９
図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜を試料とし
てＸ線回折するためのＸ線回折装置を示す構成図、第10
図は、この発明にかかる磁気ヘッド用鉄薄膜にＸ線を照
射したときのブラッグ角度を示す説明図である。 ２……基板 １……鉄薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】真空に近い低圧雰囲気の基板上で成長・形
成された磁気ヘッドに使用する鉄薄膜であって、鉄の純
度が95at％以上であり、この鉄薄膜の結晶構造が体心立
方格子（BCC）で構成されていると共に、その鉄薄膜の
結晶粒が前記基板面に対し格子面（110）並びに格子面
（200）が平行となるような方向にそれぞれ成長した２
種類の結晶粒配列のものから主に構成され、かつ膜の内
部応力が１×109dyn/cm2以下である鉄薄膜において、Cu
KαをＸ線源としてその鉄薄膜にＸ線を照射したときの
前記格子面（200）及び（110）からの回折ピーク強度の
和に対する格子面（110）からの回折ピーク強度比が0.0
35乃至0.5の範囲にあることを特徴とする磁気ヘッド用
鉄薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24655888A JP2690114B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁気ヘッド用鉄薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24655888A JP2690114B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁気ヘッド用鉄薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294606A JPH0294606A (ja) | 1990-04-05 |
| JP2690114B2 true JP2690114B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17150203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24655888A Expired - Fee Related JP2690114B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁気ヘッド用鉄薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690114B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24655888A patent/JP2690114B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0294606A (ja) | 1990-04-05 |
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|---|---|---|---|
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