JP2687940B2 - A/d変換器 - Google Patents

A/d変換器

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JP2687940B2
JP2687940B2 JP7180728A JP18072895A JP2687940B2 JP 2687940 B2 JP2687940 B2 JP 2687940B2 JP 7180728 A JP7180728 A JP 7180728A JP 18072895 A JP18072895 A JP 18072895A JP 2687940 B2 JP2687940 B2 JP 2687940B2
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12Analogue/digital converters
    • H03M1/34Analogue value compared with reference values
    • H03M1/38Analogue value compared with reference values sequentially only, e.g. successive approximation type
    • H03M1/42Sequential comparisons in series-connected stages with no change in value of analogue signal

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はA/D変換器に関し、特
に電荷結合素子(CCD)を用いたA/D変換器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、電荷結合素子(CCD、Char
ge Coupled Device、以下、「CCD」と略記する)を
用いたA/D変換器の変換方式として、逐次比較方式
(逐次近似方式、sequential successive approximatio
n)が知られている。
【0003】図10に、この逐次比較型A/D変換器の
概略構成を示す。
【0004】NビットのA/D変換を行なう場合、アナ
ログ入力信号101と比較基準信号との比較をN回行な
い、MSB側(デジタル値の最も桁の高い側)から逐
次、デジタル値を求めていくものである。
【0005】図10を参照して、逐次変換方式のA/D
変換器は、変換途中のデジタル値(近似デジタル値)を
格納する逐次比較レジスタ(successive approximation
register:SAR)105と、逐次比較レジスタ(SA
R)105の出力値をもとに比較基準信号を発生するD/
A変換器(DAC)104と、入力信号と比較基準信号と
を比較するコンパレータ(比較器、CMP)103と、コ
ンパレータの出力から次の近似デジタル値を決める制御
回路106と、を備えている。
【0006】逐次比較方式は、1回のA/D変換(Nビ
ット)にN回の比較が必要とされるため、その間、入力
信号を一定に保つことが必要とされる。このため、S/
H回路(サンプルアンドホールド回路)102を備えてい
る。
【0007】3ビットの逐次比較型A/D変換器を例に
動作を説明すると、以下のようになる。アナログ入力信
号101の範囲を0〜7とする。また、コンパレータ(C
MP)103は“入力信号>比較信号”でデジタル値
“H”(論理値“1”に対応)、“入力信号<比較信
号”でデジタル値“L”(論理値“0”に対応)を出力
するものとする。
【0008】例えば、アナログ入力信号101が4.7で
ある場合には、1回目の比較でD/A変換器(DAC)
104は比較信号としてフルスケールの1/2である3.
5を出力し、コンパレータ(CMP)103では比較信号
(=3.5)と入力信号(=4.7)が比較され、4.
7>3.5であるため、コンパレータ(CMP)103に
より逐次比較レジスタ(SAR)105の3ビットの最上
位ビット(MSB)は“1”とされる。
【0009】2回目の比較で、D/A変換器(DAC)
104は、比較信号1.5か5.5を出力するが、この場
合、1回目の比較結果が“1”であるため、5.5を出
力し、コンパレータ(CMP)103では比較信号(=
5.5)と入力信号(=4.7)が比較され、4.7<
5.5であるため、コンパレータ(CMP)103により
逐次比較レジスタ105の3ビットの中位ビットは“0”
となる。
【0010】3回目の比較で、D/A変換器(DAC)
104は、比較信号0.5か2.5か4.5か6.5を出
力するが、この場合、1回目の比較結果が“1”、そし
て2回目の比較結果が“0”であるため、4.5を出力
し、コンパレータ(CMP)103では比較信号(=4.
5)と入力信号(=4.7)が比較され、4.7>4.
5であるから、コンパレータ(CMP)103により逐次
比較レジスタ(SAR)105の3ビットの最下位ビット
(LSB)は“1”となる。
【0011】この3回の比較結果から、3ビットのデジ
タルコードとしてMSB側からLSB側にデジタル符号
“101”が得られる。
【0012】さて、上記したA/D変換方式をもつNビ
ットのA/D変換器において、N個のコンパレータと、
デジタル値の各桁に対応する比較基準電圧を発生するN
個のD/A変換器と、入力信号を保持、転送シフトさ
せ、各コンパレータに供給するN段のパイプライン構造
の信号転送手段を用いてパイプライン動作を行うように
した場合、見かけの変換速度(スループット)は1回の
比較時間、すなわちD/A変換器の出力整定時間(セト
リング時間)とコンパレータの比較時間との和となり、
高速化される。
【0013】図11に、上記のパイプライン構造の信号
転送手段としてCCDを用いた逐次比較パイプライン型
A/D変換器の構成例を示す。この種のA/D変換器と
して、例えばUSP(米国特許番号)4,326,192(1982
年)がある。図11は3ビットのA/D変換器の構成例
である。
【0014】図11を参照して、アナログ入力信号は、
電荷信号として3段のCCDセルからなるCCDパイプ
ライン202により保持、転送され、その間に第1〜第3
のコンパレータ(CMP1〜CMP3)203-1〜203-3で
MSB側から順次比較される。
【0015】ある信号が比較されている間にも、アナロ
グ入力信号は次々とCCDパイプライン202にサンプリ
ング入力され、パイプライン動作する。
【0016】したがって、3ビットのA/D変換器の場
合、パイプライン動作なしでは1回のA/D変換に3回
の比較時間が必要であるが、パイプライン動作により見
かけ上、1回の比較時間で1回のA/D変換が行なわれ
スループットは3倍となる。
【0017】第1〜第3のD/A変換器(DAC1〜D
AC3)204-1〜204-3は、前段の比較結果をもとにして
各段の比較基準信号を生成する。
【0018】各段の比較結果(コンパレータ203-1、203
-2の出力)は、遅延回路(D)205、207により遅延さ
れ、次段の第2、第3のD/A変換器204-2、204-3にそ
れぞれ供給される。この遅延回路D205、207は、図10
の上記逐次比較レジスタ105に相当する。エンコード回
路208は比較結果を所望のデジタルコードに変換する。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図11
に示す従来のCCDを用いたA/D変換器には以下のよ
うな欠点があった。
【0020】まず、従来のA/D変換器をビデオ信号処
理等のような高速な応用に適用する場合、D/A変換器
のセトリング時間が十分とれなくなり、コンパレータが
十分高速であっても、A/D変換器として高速動作でき
ないという問題がある。
【0021】また、CCDで構成されたパイプラインが
長くなると、CCDの電荷転送効率が100%でないた
めに入力信号が正確に保持、転送されなくなり、A/D
変換器の誤差を生じ、これを補正することは極めて困難
であるという問題がある。
【0022】さらに、A/D変換器の誤差を小さくする
ためにCCDの電荷転送効率を100%に近づけようと
すると、製造プロセスが複雑になるという問題がある。
【0023】従って、本発明の目的は、上記問題点を解
消し、高速な変換速度(スループット)を有する、CC
Dを用いたA/D変換器を提供することにある。
【0024】また、本発明の目的はCCDの電荷転送効
率が100%でなくとも誤差を生じない高精度なA/D
変換器を提供することにある。
【0025】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、電荷信号に変換されたアナログ入力信号
を転送する所定段数の電荷結合素子からなる入力信号用
CCDパイプラインを備えると共に、電荷信号に変換さ
れた複数の比較基準電圧信号を転送するそれぞれ所定段
数の電荷結合素子からなる複数(=n個)の比較信号用
CCDパイプラインを備え、前記入力信号用CCDパイ
プラインの各段の出力信号を、第1〜第nの前記比較信
号用CCDパイプラインのそれぞれから前記入力信号用
CCDパイプラインの前記各段に対応して取り出される
出力信号と比較する複数の比較手段と、前記複数の比較
手段の出力信号に基づき所望の符号に変換する回路手段
と、を備えてなるA/D変換器を提供する。
【0026】また、本発明は、電荷信号に変換されたア
ナログ入力信号を転送する所定段数の電荷結合素子から
なる入力信号用CCDパイプラインを複数(=m個)並
設すると共に、電荷信号に変換された複数の比較基準電
圧信号を転送するそれぞれ所定段数の電荷結合素子から
なる複数(=n個)の比較信号用CCDパイプラインを
備え、前記複数(=n個)の比較信号用CCDパイプラ
インは、第1〜第mの前記入力信号用CCDパイプライ
ンにそれぞれ対応して複数の群に分割して配設され、第
1〜第mの前記入力信号用CCDパイプラインのそれぞ
れについて各段の出力信号を、前記入力信号用CCDパ
イプラインに対応する群に属する複数の前記比較信号用
CCDパイプラインのそれぞれから前記入力信号用CC
Dパイプラインの前記各段に対応して取り出される出力
信号と比較する複数の比較手段と、前記複数の比較手段
の出力信号に基づき所望の符号に変換する回路手段と、
を備えてなるA/D変換器を提供する。
【0027】本発明は、好ましくは、前記アナログ入力
信号と、前記複数の比較基準電圧信号を電荷注入素子を
介して前記入力信号用CCDパイプラインと、を前記複
数の比較信号用CCDパイプラインにそれぞれ入力する
ことを特徴とする。
【0028】そして、本発明は、好ましくは、前記入力
信号用CCDパイプラインの各段の出力と、前記複数の
比較信号用CCDパイプラインから取り出される出力と
をそれぞれ電荷信号検出手段を介して電圧信号として取
り出し、該電圧信号を前記比較手段に供給することを特
徴とする。
【0029】さらに、本発明は、好ましくは、前記複数
の比較手段の信号出力をそれぞれ所定時間遅延させる第
1の遅延手段と、前記比較手段の信号出力及び前記第1
の遅延手段により遅延された信号において、各段の段間
の信号論理値の変化点を検出する境界検出手段と、前記
境界検出手段の信号出力を遅延させる第2の遅延手段
と、前記遅延手段の出力を所望のコードに変換する符号
化手段と、を備えたことを特徴とする。
【0030】また、本発明は、2Nないし2N−1個の判
定量子化レベルを有するNビットのA/D変換器におい
て、2Nないし2N−1個以上の段のパイプライン構造を
もつ第1の電荷結合素子と、被測定量であるアナログ信
号を電荷信号に変換し、前記第1の電荷結合素子の入力
段に注入する第1の電荷注入手段と、2Nないし2N−1
個以上の段のパイプライン構造をもつ複数の第2の電荷
結合素子と、複数の比較基準信号を電荷信号に変換し、
前記第2の電荷結合素子の入力段にそれぞれ注入する複
数の第2の電荷注入手段と、前記第1の電荷結合素子の
パイプラインの各段の電荷の大きさを検出する複数の第
1の電荷信号検出手段と、前記第2の電荷結合素子のパ
イプラインの各段の電荷の大きさを検出する複数の第2
の電荷信号検出手段と、前記第1の電荷信号検出手段で
検出された各段の検出信号と前記第2の電荷信号検出手
段で検出された各段の検出信号とを比較し、その大小を
判定してデジタル信号を出力する複数の比較手段と、前
記複数の比較手段のデジタル信号出力をそれぞれ所定時
間遅延させる第1の遅延手段と、前記比較手段のデジタ
ル信号出力及び前記第1の遅延手段により遅延されたデ
ジタル信号において、各段の段間のデジタル信号の変化
点を検出する境界検出手段と、前記境界検出手段のデジ
タル信号出力を遅延させる第2の遅延手段と、前記遅延
手段のデジタル出力を所望のデジタルコードに変換する
エンコード手段と、を有することを特徴とするA/D変
換器を提供する。
【0031】そして、本発明は、2Nないし2N−1個の
判定量子化レベルを有するNビットのA/D変換器を2
M並列にしてなる(N+M)ビットのA/D変換器にお
いて、2Nないし2N−1個以上の段のパイプライン構造
をもつ第1の電荷結合素子と、2Nないし2N−1個以上
の段のパイプライン構造をもつ第2の電荷結合素子と、
を備え、前記第1の電荷結合素子と前記第2の電荷結合
素子とのパイプライン構造を2M個並設し、被測定量で
あるアナログ信号を電荷信号に変換し、前記複数の第1
の電荷結合素子の入力段にそれぞれ注入する第1の電荷
注入手段と、複数の比較基準信号を電荷信号に変換し、
前記複数の第2の電荷結合素子の入力段にそれぞれ注入
する複数の第2の電荷注入手段と、前記第1の電荷結合
素子のパイプラインの各段の電荷の大きさを検出する複
数の第1の電荷信号検出手段と、前記第2の電荷結合素
子のパイプラインの各段の電荷の大きさを検出する複数
の第2の電荷信号検出手段と、前記第1の電荷信号検出
手段で検出された各段の検出信号と前記第2の電荷信号
検出手段で検出された各段の検出信号とを比較し、その
大小を判定してデジタル信号を出力する複数の比較手段
と、前記複数の比較手段のデジタル信号出力を遅延させ
る第1の遅延手段と、前記複数の比較手段のデジタル信
号出力及び/または前記第1の遅延手段により遅延され
たデジタル信号において、各段の段間および各パイプラ
イン間の段間のデジタル信号の変化点を検出する境界検
出手段と、前記境界検出手段のデジタル信号出力を所定
時間遅延させる第2の遅延手段と、前記第2の遅延手段
のデジタル出力を所望のデジタルコードに変換するエン
コード手段と、を有することを特徴とする(N+M)ビ
ットA/D変換器を提供する。
【0032】
【作用】上記構成のもと、本発明の作用は以下のとおり
である。
【0033】本発明(請求項1、6)の発明の作用を以
下に説明する。
【0034】被測定量であるアナログ入力と、Nビット
のA/D変換処理で必要となる2Nないし2N−1個の比
較基準信号をCCDで保持、転送するために、信号を電
荷信号に変換してCCDの入力に注入する手段を有す
る。アナログ入力信号と同様に比較基準信号も同様の信
号変換と注入を行なうようにしたため、信号変換手段や
注入手段が非線形であっても正確な比較を行なうことが
できる。
【0035】NビットA/D変換器においては、2N
いし2N−1個以上の段を有するCCD(「CCDパイ
プライン」という)により、上記の入力信号は電荷信号
として転送され、パイプライン動作による2Nないし2N
−1回の比較が可能となる。
【0036】また、上記2Nないし2N−1個の比較基準
信号は、各比較基準信号毎にCCDパイプラインを有す
る。
【0037】したがって、入力信号用のCCDパイプラ
イン、比較基準信号の個数だけの比較基準信号用のCC
Dパイプラインが存在する。
【0038】電荷信号検出手段により、それぞれのCC
Dパイプラインの各段から信号をCCD外部に取り出す
ことができ、比較手段でそれらの信号間の大小比較が可
能になる。
【0039】このとき、入力信号と同様に比較基準信号
もCCDパイプラインを同じ段数だけ通過させるため、
CCDの転送損失による影響を入力信号と比較信号はほ
ぼ同様に受ける。その結果、同じ段数だけCCDパイプ
ラインを通過した入力信号と比較信号の比較を行なうこ
とにより、従来のA/D変換器において問題とされたC
CDの転送損失による誤差をなくすことができる。
【0040】サンプリングされた1つの入力信号はパイ
プライン動作により2Nないし2N−1回、比較手段で比
較されるため、その比較結果のデジタル信号出力同士を
同期させるために遅延手段を有する。
【0041】上記の同期されたデジタル信号出力によ
り、入力信号が隣接する2つの比較基準信号の間の大き
さであることを境界検出手段により検出し、さらにその
信号を遅延させる遅延手段と、所望のデジタルコードに
変換するためのエンコード手段を有する。
【0042】以上の構成によるA/D変換では、サンプ
リングされた1つのアナログ入力信号は2Nないし2N
1個のすべての比較基準信号とパイプライン動作で比較
され、前記従来例のようなD/A変換器が不要となる。
その結果、従来のA/D変換器に比べてD/A変換器の
セトリング時間がなくなり、より高速なスループットを
もつことができる。
【0043】また、以上の構成によるA/D変換では、
入力信号と同様に比較基準信号もCCDの転送損失を受
けるようにCCDパイプラインを通過させた後、比較を
するので転送効率が100%ではなくとも誤差を生じる
ことなく高精度なA/D変換器を実現できる。
【0044】次に、本発明(請求項2、7)の作用を以
下に説明する。
【0045】上記請求項1又は6記載の本発明に係るA
/D変換器において、ビット数nが大きくなるとパイプ
ライン段数は2nで大きくなる。その結果、比較手段の
デジタル信号出力を遅延させる遅延手段の単位遅延手段
はほぼ2n×2n/2=22n-1のオーダーで増大し、nが
大きくなるとハードウェア量が増大する。
【0046】そこで、(N+M)ビットA/D変換器を
実現するのに、NビットA/D変換器のパイプライン構
造を2M個並列にすると単位遅延手段のハードウェア量
をほぼ2N×2N/2×2M=22N+M-1のオーダーの増大
に抑えることが可能となり、並列化しない場合のハード
ウェア量2(N+M)×2(N+M)/2=22(N+M)-1のオーダー
の増大よりも小さいハードウェア量で済む。
【0047】また、上記のような並列構造において、パ
イプライン間で遅延手段を共有することにより単位遅延
手段のハードウェア量をほぼ2N×2N/2=22N−1の
増大に抑えることも可能で、並列化していない場合に比
べてはるかに小さいハードウェア量で済む。
【0048】
【実施例】図面を参照して、本発明の実施例を以下に説
明する。
【0049】なお、本発明の実施例の記載では、被測定
量であるアナログ信号、およびその信号がCCDパイプ
ラインにより転送される信号を「入力信号」ということ
にする。また、A/D変換のために比較する比較基準信
号、およびその信号がCCDパイプラインにより転送さ
れる信号を「比較信号」ということにする。
【0050】
【実施例1】図1は、本発明の一実施例を3ビット構成
のA/D変換器を例に示している。本発明が3ビット構
成に限定されるものでないことは勿論である。
【0051】本実施例は3ビット構成とされるため、オ
ーバーフロー検出またはアンダーフロー検出を含めた場
合には8個(=23)の量子化レベルを有し、それらを
検出しない場合には7個(=23−1)の量子化レベル
を有する。本実施例では7個の量子化レベルで説明す
る。この場合、CCDパイプライン(PL)12は7段の
CCDセル(PC)12-1〜12-7からなる。
【0052】アナログ入力信号は電荷注入手段(J)11
-1によりサンプリングされ、入力信号用CCDパイプラ
イン12に入力され、7段のパイプライン、すなわちCC
Dセル(PC)12-1〜12-7中を1段ずつ転送される。
【0053】同様に、第1〜第7の比較基準信号(re
f1、ref2、…ref7)16-1〜16-7もそれぞれの
電荷注入手段(J)11-2〜11-8によりサンプリングさ
れ、比較信号用CCDパイプライン18に入力され、7段
のパイプライン中を1段ずつ転送される。
【0054】本実施例では、第1〜第7の比較基準信号
(ref1、ref2、…ref7)16-1〜16-7は、r
ef1<ref2<…<ref7とする。
【0055】入力信号用CCDパイプライン12の各段12
-1〜12-7においては、CCD内を転送中の電荷信号を電
荷信号検出手段(S)13-1〜13-7により検出し、電荷信
号検出手段(S)13-1〜〜13-7の出力信号を各段に対応
する第1〜第7のコンパレータ(CMP)14-1〜14-7へ
それぞれ入力する。
【0056】一方、比較信号CCDパイプライン18にお
いては、第1の比較基準信号ref1用CCDパイプラ
インでは、1段目のCCDセル18a-1からの電荷信号出
力を電荷信号検出手段(S)15-1を介して1段目に対応
する第1のコンパレータ(CMP1)14-1へ入力し、第
2の比較基準信号ref2用CCDパイプラインでは2
段目のCCDセル18b-2からの電荷信号出力を電荷信号
検出手段(S)15-2を介して2段目に対応する第2のコ
ンパレータ(CMP2)14-2へ出力し、同様にして、第
7の比較基準信号ref7用CCDパイプラインでは7
段目のCCDセル18g-7からの電荷信号出力を電荷信号
検出手段(S)15-7を介して7段目に対応する第7のコ
ンパレータ(CMP7)14-7へ出力する。
【0057】このような構成としたことにより、サンプ
リングされた1つの入力信号は、1段目で第1の比較基
準信号ref1と比較され、2段目で第2の比較基準信
号ref2と比較され、同様にして最終段の7段目で第
7の比較基準信号ref7と比較されることと等価にな
る。
【0058】ここで、比較信号が、入力信号と同様のC
CDパイプラインを同じ段数だけ転送された後に入力信
号と比較されることが重要である。
【0059】本実施例においては、かかる構成により、
電荷注入手段やCCDパイプラインや電荷信号検出手段
の信号の入出力伝達特性が不明であっても、それらの特
性が単調性を有するならば、比較処理になんらの支障が
ないことになる。すなわち、CCDパイプラインの転送
効率等による誤差がA/D変換に影響しなくなる。
【0060】本実施例におけるA/D変換動作を以下に
説明する。
【0061】第1〜第7の比較基準信号ref1、re
f2、ref3…、ref7を例えば順に0.5、1.
5、2.5、…、6.5とし、アナログ入力信号の入力
範囲を0〜7とする。
【0062】また、簡単のため、電荷注入手段(J)11
-1〜11-8、CCDパイプライン12、18、電荷信号検出手
段(S)13-1〜13-7、15-1〜15-7の信号の入出力伝達特
性の利得を1とする。
【0063】さらに、第1〜第7のコンパレータ14-1〜
14-7は、“入力信号>比較信号”の時デジタル値“H”
(デジタル論理値“1”に対応)を出力し、“入力信号
<比較信号”の時デジタル値“L”(デジタル論理値
“0”に対応)、を出力するものとする。
【0064】ここで、例えば、入力信号が4.2である
場合を考える。
【0065】入力信号は、入力信号用CCDパイプライ
ン12の各段を4.2に対応する電荷信号として転送さ
れ、第1〜第7の比較基準信号からの各比較信号も比較
信号用CCDパイプライン18中を同様に転送される。
【0066】そして、入力信号は、1段目のコンパレー
タ(CMP1)14-1で“H”(4.2>0.5)、2段
目のコンパレータ(CMP2)14-2で“H”(4.2>
1.5)、3段目のコンパレータ(CMP3)14-3で
“H”(4.2>2.5)、4段目のコンパレータ(C
MP4)14-4で“H”(4.2>3.5)、5段目以降
のコンパレータ(CMP5)14-5以降ですべて“L”
(4.2<4.5、5.5、6.5)が出力される。
【0067】第1〜第7のコンパレータ(CMP1〜C
MP7)14-1〜14-7の出力を1段目から7段目へ順に並
べると、“HHHHLLL”となる。
【0068】これは、全並列型(フラシュ型)A/D変
換器でよく知られる「温度計コード」(thermometer co
de)である。
【0069】したがって、“H”と“L”の境界に入力
信号のレベルがあることが判定できるため、適当な境界
検出のためのデジタル回路(境界検出手段)とコード変
換のためのエンコード回路(エンコード手段)19によ
り、アナログ信号4.2に対応する温度計コードからデ
ジタルコード“100”(右端がMSB)を得ることが
できる。
【0070】ここで、実際には上記の比較動作はパイプ
ライン動作で行なわれるため、各段の第1〜第7のコン
パレータ14-1〜14-7の出力は時間的にずれて出力され
る。
【0071】そこで、時間的に同期された温度計コード
“HHHHLLL”を得るために、第1〜第7のコンパ
レータ14-1〜14-7の出力、または境界検出回路の出力を
所定の遅延回路(遅延手段)により遅延する。
【0072】次に、図1に示した本実施例の構成要素を
更に詳説する。
【0073】図2に、図1のCCDパイプライン12、18
を構成するCCDの構造の実施例として、従来からよく
知られたCCD構造を示す。
【0074】図2(A)は、電荷の転送方向と並行な方
向の断面を模式的に示す図であり、図2(B)は、電荷
の転送方向と垂直方向の断面を模式的に示す図である。
【0075】このCCDは1つのセル(単位転送段)あ
たり4つの転送電極を有し、P1〜P4の90度ずつ位
相のずれた4相のクロックを用いて電荷転送を行なうも
のである(4相駆動)。
【0076】図2(B)を参照して、高濃度P型領域p
+はチャネル阻止層(チャネル・ストッパ)26で、転送
電荷をこの間の領域に閉じ込めるためのものである。
【0077】この4相駆動の構造はよく使われている半
導体プロセス技術で容易に実現できる利点がある。本実
施例では、P型シリコン(Si)基板21、絶縁膜22、第
1の転送電極23、第2の転送電極24、p+拡散層(チャ
ネル阻止層)26からなるが、例えば、絶縁膜22として酸
化シリコン、第1、第2の転送電極23、24として金属や
ポリシリコンの電極を用いることができる。なお、本発
明におけるCCDは図2に示すものに限定されず、図2
に示す構成以外のCCD、例えばクロックの相数や電極
構造が相違するCCDも本発明のA/D変換器に用いる
ことができる。
【0078】また、CCDパイプラインの1段として上
記の1つのセルを用いるほかに、複数のセルを用いてパ
イプラインの1段を構成することもできる。これによ
り、1段を構成するセルのなかで、転送電極の下に電荷
信号がない状態のセルの電荷検出手段(例えば、後述の
センシング電極)のリセットを行なうことができ、電荷
信号にリセット・ノイズが混入することを防止できる。
【0079】図3に、CCDパイプラインの終端部の一
実施例を示す。CCDパイプラインの終端では転送され
てきた電荷は不要になることから、図3に示すようなゲ
ート電極GRと適当なリセット電位Vrにバイアスされ
たダイオードDRにより除去する。
【0080】図4に、外部のアナログ電圧信号をCCD
に電荷信号として入力するための電荷注入手段(図1の
電荷注入手段(J)11-1等)の一実施例を示す。
【0081】図4を参照して、電荷注入手段はCCDパ
イプラインの入力端ゲート電極G1と隣接する入力ゲー
ト電極GIと入力ダイオードDIからなる。入力信号V
inを入力ダイオードに入力し、入力ゲート電極GIに
その直下にチャネルを形成するように電圧Vgを与え、
入力ゲート電極GIの下に電位井戸を形成するように電
圧を与えると、入力ダイオードDIと入力ゲート電極G
I電極下の電位井戸の間に電流が流れ、CCDの入力端
G1の電位井戸に電荷が注入される。
【0082】図5に、電荷注入手段の別の実施例を示
す。
【0083】図5を参照して、CCDパイプラインの入
力端ゲート電極G1と隣接する入力ゲート電極GI2と
フローティング拡散層FDと入力ゲート電極GI1と入
力ダイオードDIからなる。
【0084】入力ダイオードDIには一定のバイアス電
圧VBを与えておき、入力信号Vinは入力ゲート電極
GI1に印加する。このとき、入力信号Vinに対応し
た電荷が、入力ダイオードDIからフローティング拡散
層FDへ注入され、さらに入力ゲート電極GI1の入力
電圧Vinと入力ゲート電極GI2のゲート電圧Vgの
差電圧に対応する電荷が、CCDパイプラインの入力端
ゲート電極G1下へ注入される。
【0085】なお、電荷信号を直接出力するような、C
CDイメージ・スキャナ等の素子の信号をA/D変換す
るに際しては、信号を電荷信号に変換してCCDパイプ
ラインの入力に注入する必要はなくなる。すなわち、こ
の場合、CCDイメージ・スキャナの出力信号電荷を直
接CCDパイプラインに入力することによりA/D変換
が行なわれる。
【0086】図6に、CCDパイプラインを転送中の電
荷信号をCCD外部に取り出す電荷信号検出手段(図1
の信号検出手段13-1、15-1等)の一実施例の構成を示
す。
【0087】図6(A)は電荷転送方向に沿った断面を
模式的に示す図であり、図6(B)は電荷転送方向に垂
直な断面を模式的に示す図である。
【0088】図6を参照して、電荷信号検出手段は、電
荷信号による電位変化を容量結合により検出するための
センシング電極Sを設けたもので、電荷信号を非破壊で
検出できる。すなわち、信号電荷があるセンシング電極
S下に入るとその電荷量の変化により基板61とセンシン
グ電極65の寄生容量を介してセンシング電極65に電荷が
誘起され、そのセンシング電極65の電位変化を検出す
る。
【0089】図6において、第1、第2の転送電極63、
64に適当なバイアス電圧を与えることによりセンシング
電極65の電位を制御することができ、センシング電極65
の電位を間接的にリセットすることもできる。また、C
CDパイプラインの1つの段に複数のセンシング電極を
設け、複数のセンシング電極からの検出信号の位相を合
わせて加算する構成とすることにより、検出感度(S/
N比)を改善することができる。
【0090】図7に、入力信号用CCDパイプラインと
比較信号用CCDパイプラインからの電荷検出信号同士
を比較する比較手段(図1のコンパレータ(CMP1)
14-1等)の一実施例を示す。
【0091】図7において、入力信号用CCDパイプラ
イン71(図1のCCDパイプライン12に対応)、比較信
号用CCDパイプライン72(図1のCCDパイプライン
18に対応)はいずれも電荷転送方向に対して垂直な断面
を模式的に示してある。
【0092】本実施例に係る比較手段では、図6に示し
た上記電荷信号検出手段の出力を第1、第2のソース・
フォロワ(SF1、SF2)70、70′によりバッファ
(増強)し、その出力を差動アンプ76により増幅してラ
ッチ回路77により相補デジタル出力Q、QBを得る。
【0093】第1、第2のスイッチSW1、SW2は、
センシング電極(S)75、75′をリセットすることと、
第1、第2のソース・フォロワ(SF1,SF2)70、
70′のオフセット電圧を容量C1、C2に充電しオフセ
ットをキャンセルするためのものである。
【0094】第3、第4のスイッチSW3、SW4は、
差動アンプ76に帰還をかけ、そのオフセットを容量C
1、C2、C3、C4に充電してオフセット・キャンセ
ルするためのオートゼロ動作に用いられる。
【0095】第5、第6のスイッチSW5、SW6は、
ラッチ回路77の入力をリセットするためのものである。
【0096】第1〜第6のスイッチSW1〜SW6は、
リセット時にはすべてオン状態(閉状態)とされ、比較
判定時にはすべてオフ状態(開状態)となる。
【0097】入力信号用CCDパイプライン71、比較信
号用CCDパイプライン72と比較回路は同一の集積回路
チップ上に作製することができる。
【0098】図8に、3ビットA/D変換器の遅延手
段、境界検出手段(図1の遅延回路、境界検出回路19)
の一構成例を示す。
【0099】図8を参照して、図1の第1〜第7のコン
パレータCMP1〜CMP7からの出力は、フリップフ
ロップDで遅延した後、境界検出回路82により温度計コ
ードの“H”と“L”の境界点が検出され、さらにフリ
ップフロップの遅延回路(シフトレジスタ)84により同
期をとった後、それぞれデジタル信号H1〜H6として
エンコード回路85に入力される。
【0100】図8では、境界検出回路82としてインバー
タと論理積ゲート(ANDゲート)を用いているが、排他
的論理和ゲート(EXORゲート)でもよい。
【0101】ある入力信号に対するコンパレータの出力
が時間Tずつ遅れて出力される。すなわち、CCDパイ
プラインの各段での遅延時間をTとすると、1つのフリ
ップフロップDの遅延単位時間はTとされる。
【0102】
【実施例2】図9に、本発明の2ビットA/D変換器を
2並列にして3ビットA/D変換器にした一実施例を示
す。
【0103】図9に示す本実施例においては、図面の作
製の都合と説明の簡単化のためにビット数と並列数を小
さくしているが、NビットA/D変換器を2M並列にし
て任意の(N+M)ビットA/D変換器を構成できる。
【0104】本実施例では、基準電圧(Vrt)92と基
準電圧(Vrb)93を抵抗ストリングR1〜R7で分圧
して対応するCCDパイプライン(PL11〜PL2
4)に比較基準信号として与えている。
【0105】この3ビットA/D変換器は、CCDパイ
プラインPL10〜PL14からなる第1の2ビットA
/D変換器と、CCDパイプラインPL20〜PL24
からなる第2の2ビットA/D変換器との並列構造から
構成されている。
【0106】アナログ入力電圧Vinと複数の比較基準
信号はそれぞれ対応する電荷注入手段Jより同時にすべ
てのCCDパイプラインにサンプリング入力される。
【0107】第1のA/D変換器は入力電圧範囲の上半
分のレンジをA/D変換し、第2のA/D変換器は入力
電圧範囲の下半分のレンジをA/D変換する。
【0108】第1、第2のA/D変換器の境界検出回路
は個別に設けられているが、後段の遅延回路は共通して
用いることにより遅延回路のハードウェア量を減らして
いる。なお、境界検出回路94は排他的論理和のデジタル
論理で実現されている。
【0109】エンコード回路95では、第5のコンパレー
タCMP5の出力結果を遅延させた信号により、上半分
のレンジとしてエンコード(コード変換)するか、下半
分のレンジとしてエンコードするかを決めている。
【0110】これらのA/D変換器回路は同一の集積回
路チップ上に作製することが可能であり、さらにCCD
イメージ・スキャナ等とも同一の集積回路チップ上に作
製することが可能である。
【0111】以上、本発明を上記実施例に即して説明し
たが、本発明は上記態様にのみ限定されず、本発明の原
理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。
【0112】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アナログ入力信号と比較基準信号を共にCCDパイプラ
インに入力する構成としたことにより、従来のCCDを
用いたA/D変換器よりも高速な変換速度(スループッ
ト)を有する。
【0113】また、本発明のA/D変換器は、CCDの
電荷転送効率が100%でなくとも高精度にA/D変換
が可能であり、特別な補正手段が不要であるという利点
を有する。
【0114】さらに、本発明によれば、並列構造とした
ことによりCCDパイプラインの段数を低減し、ハード
ウエアの増大を回避するという効果を有し、高スループ
ットを実現すると共に、さらに高分解能のA/D変換器
に好適であるという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】本発明におけるCCDパイプラインの一実施例
を示す図である。
【図3】本発明におけるCCDパイプラインの終端処理
の一実施例を示す図である。
【図4】本発明における電荷注入手段の一実施例を示す
図である。
【図5】本発明における電荷注入手段の別の実施例を示
す図である。
【図6】本発明における電荷信号検出手段の一実施例を
示す図である。
【図7】本発明における比較手段の一実施例を示す図で
ある。
【図8】本発明における遅延手段・境界検出手段の一実
施例を示す図である。
【図9】本発明に係るA/D変換器を並列構成してなる
実施例を示す図である。
【図10】従来例の変換方式を説明するための図であ
る。
【図11】CCDを用いた従来のA/D変換器の構成を
示す図である。
【符号の説明】
11-1〜11-8 電荷注入手段(J) 12 入力信号用CCDパイプライン(PL) 12-1〜12-7 電荷転送手段(パイプラインセル、PC) 13-1〜13-7 信号検出手段(S) 14-1〜14-7 比較手段(CMP1〜CMP7) 15-1〜15-7 信号検出手段(S) 16-1〜16-7 比較基準信号(ref1〜ref7) 18 比較信号用CCDパイプライン 18a-1〜18g-7 電荷転送手段(パイプラインセル、P
C) 19 遅延回路・境界検出回路・エンコード回路 CCD 電荷結合素子 p+/n+ 高濃度P型領域/高濃度N型領域 P1〜P4 CCD転送クロック信号 PL,PL10〜PL24 CCDパイプライン D 遅延回路、フリップフロップ H1〜H6 境界検出、遅延後のデジタル出力 R1〜R7 抵抗 Vin アナログ入力電圧 Vrt、Vrb 基準電圧 Vr リセット電位 VB バイアス電位 Vg ゲート電圧 ref1〜ref7 比較基準(参照)信号 GR、G1 ゲート電極 GI1〜GI2 入力ゲート電極 DR、DI ダイオード FD フローティング拡散層 SW1〜SW6 スイッチ C1〜C4 キャパシタ、コンデンサ SF1、SF2 ソース・フォロワ Q、QB 相補デジタル出力 “H”/“L” デジタル値“1”/“0” J 電荷注入手段 TM CCD終端部 S 電荷検出手段またはセンシング電極 LAT ラッチ回路 SAR 逐次比較レジスタ DAC、DAC1〜DAC3 D/A変換器

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電荷信号に変換されたアナログ入力信号を
    転送する所定段数の電荷結合素子からなる入力信号用C
    CDパイプラインを備えると共に、 電荷信号に変換された複数の比較基準電圧信号を転送す
    るそれぞれ所定段数の電荷結合素子からなる複数(=n
    個)の比較信号用CCDパイプラインを備え、 前記入力信号用CCDパイプラインの各段の出力信号
    を、第1〜第nの前記比較信号用CCDパイプラインの
    それぞれから前記入力信号用CCDパイプラインの前記
    各段に対応して取り出される出力信号と比較する複数の
    比較手段と、 前記複数の比較手段の出力信号に基づき所望の符号に変
    換する回路手段と、 を備えてなるA/D変換器。
  2. 【請求項2】電荷信号に変換されたアナログ入力信号を
    転送する所定段数の電荷結合素子からなる入力信号用C
    CDパイプラインを複数(=m個)並設すると共に、 電荷信号に変換された複数の比較基準電圧信号を転送す
    るそれぞれ所定段数の電荷結合素子からなる複数(=n
    個)の比較信号用CCDパイプラインを備え、 前記複数(=n個)の比較信号用CCDパイプライン
    は、第1〜第mの前記入力信号用CCDパイプラインに
    それぞれ対応して複数の群に分割して配設され、 第1〜第mの前記入力信号用CCDパイプラインのそれ
    ぞれについて各段の出力信号を、前記入力信号用CCD
    パイプラインに対応する群に属する複数の前記比較信号
    用CCDパイプラインのそれぞれから前記入力信号用C
    CDパイプラインの前記各段に対応して取り出される出
    力信号と比較する複数の比較手段と、 前記複数の比較手段の出力信号に基づき所望の符号に変
    換する回路手段と、 を備えてなるA/D変換器。
  3. 【請求項3】前記アナログ入力信号と、前記複数の比較
    基準電圧信号を電荷注入素子を介して前記入力信号用C
    CDパイプラインと、を前記複数の比較信号用CCDパ
    イプラインにそれぞれ入力することを特徴とする請求項
    1又は2記載のA/D変換器。
  4. 【請求項4】前記入力信号用CCDパイプラインの各段
    の出力と、前記複数の比較信号用CCDパイプラインか
    ら取り出される出力とをそれぞれ電荷信号検出手段を介
    して電圧信号として取り出し、該電圧信号を前記比較手
    段に供給することを特徴とする請求項1又は2記載のA
    /D変換器。
  5. 【請求項5】前記複数の比較手段の信号出力をそれぞれ
    所定時間遅延させる第1の遅延手段と、 前記比較手段の信号出力及び前記第1の遅延手段により
    遅延された信号において、各段の段間の信号論理値の変
    化点を検出する境界検出手段と、 前記境界検出手段の信号出力を遅延させる第2の遅延手
    段と、 前記遅延手段の出力を所望のコードに変換する符号化手
    段と、 を備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一に
    記載のA/D変換器。
  6. 【請求項6】2Nないし2N−1個の判定量子化レベルを
    有するNビットのA/D変換器において、 2Nないし2N−1個以上の段のパイプライン構造をもつ
    第1の電荷結合素子と、 被測定量であるアナログ信号を電荷信号に変換し、前記
    第1の電荷結合素子の入力段に注入する第1の電荷注入
    手段と、 2Nないし2N−1個以上の段のパイプライン構造をもつ
    複数の第2の電荷結合素子と、 複数の比較基準信号を電荷信号に変換し、前記第2の電
    荷結合素子の入力段にそれぞれ注入する複数の第2の電
    荷注入手段と、 前記第1の電荷結合素子のパイプラインの各段の電荷の
    大きさを検出する複数の第1の電荷信号検出手段と、 前記第2の電荷結合素子のパイプラインの各段の電荷の
    大きさを検出する複数の第2の電荷信号検出手段と、 前記第1の電荷信号検出手段で検出された各段の検出信
    号と前記第2の電荷信号検出手段で検出された各段の検
    出信号とを比較し、その大小を判定してデジタル信号を
    出力する複数の比較手段と、 前記複数の比較手段のデジタル信号出力をそれぞれ所定
    時間遅延させる第1の遅延手段と、 前記比較手段のデジタル信号出力及び前記第1の遅延手
    段により遅延されたデジタル信号において、各段の段間
    のデジタル信号の変化点を検出する境界検出手段と、 前記境界検出手段のデジタル信号出力を遅延させる第2
    の遅延手段と、 前記遅延手段のデジタル出力を所望のデジタルコードに
    変換するエンコード手段と、 を有することを特徴とするA/D変換器。
  7. 【請求項7】2Nないし2N−1個の判定量子化レベルを
    有するNビットのA/D変換器を2M並列にしてなる
    (N+M)ビットのA/D変換器において、 2Nないし2N−1個以上の段のパイプライン構造をもつ
    第1の電荷結合素子と、 2Nないし2N−1個以上の段のパイプライン構造をもつ
    第2の電荷結合素子と、を備え、 前記第1の電荷結合素子と前記第2の電荷結合素子との
    パイプライン構造を2M個並設し、 被測定量であるアナログ信号を電荷信号に変換し、前記
    複数の第1の電荷結合素子の入力段にそれぞれ注入する
    第1の電荷注入手段と、 複数の比較基準信号を電荷信号に変換し、前記複数の第
    2の電荷結合素子の入力段にそれぞれ注入する複数の第
    2の電荷注入手段と、 前記第1の電荷結合素子のパイプラインの各段の電荷の
    大きさを検出する複数の第1の電荷信号検出手段と、 前記第2の電荷結合素子のパイプラインの各段の電荷の
    大きさを検出する複数の第2の電荷信号検出手段と、 前記第1の電荷信号検出手段で検出された各段の検出信
    号と前記第2の電荷信号検出手段で検出された各段の検
    出信号とを比較し、その大小を判定してデジタル信号を
    出力する複数の比較手段と、 前記複数の比較手段のデジタル信号出力を遅延させる第
    1の遅延手段と、 前記複数の比較手段のデジタル信号出力及び/または前
    記第1の遅延手段により遅延されたデジタル信号におい
    て、各段の段間および各パイプライン間の段間のデジタ
    ル信号の変化点を検出する境界検出手段と、 前記境界検出手段のデジタル信号出力を所定時間遅延さ
    せる第2の遅延手段と、 前記第2の遅延手段のデジタル出力を所望のデジタルコ
    ードに変換するエンコード手段と、 を有することを特徴とする(N+M)ビットA/D変換
    器。
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