JP2683751B2 - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents

高周波用誘電体磁器組成物

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JP2683751B2 JP63167703A JP16770388A JP2683751B2 JP 2683751 B2 JP2683751 B2 JP 2683751B2 JP 63167703 A JP63167703 A JP 63167703A JP 16770388 A JP16770388 A JP 16770388A JP 2683751 B2 JP2683751 B2 JP 2683751B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高周波用誘電体磁器組成物に関し、特に高
周波用又は温度補償用として好適な高周波用誘電体磁器
組成物に関するものである。
〔従来の技術〕 従来、マイクロ波回路においてはフィルターの小型
化,固体発振器の周波数安定化,インピーダンス整合
用,コンデンサ等の目的に広く誘電体磁器材料が使用さ
れている。このようなマイクロ波領域に使用される誘電
体磁器材料としては、ある程度の高誘電率を有し、無負
荷Qが高く、かつ共振周波数温度係数が小さいことが要
求される。そして、このような用途に使用される誘電体
磁器材料としてBaO−TiO2−SnO2系の磁器組成物が知ら
れている(特開昭58−73908号公報)。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記BaO−TiO2−SnO2系の磁器組成物では、特別に不
純物の少ない高純度原料から造れば電気的特性の良好な
ものが得られるが、種々の不純物を比較的多く含む一般
の工業用原料から造ると、これらの不純物(主としてNb
2O5)のためにQ値(1/tanδ)や絶縁抵抗が低下し、実
用上充分な特性を安定的に得ることは難しいし、そうか
といって不純物の少ない高純度の原料は高価であり、従
来技術では安価な原料により電気的特性に優れた磁器組
成物を得ることは困難であった。
本発明は、上記従来の問題点を的確に解消した誘電体
磁器組成物を提供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、BaO,TiO2及びSnO2の3成分を有する誘電体
磁器組成物であって、これら主成分の組成式をBaO・x
〔(1−y)TiO2・ySnO2〕で表わしたときに、x,yがそ
れぞれモル比で4<x<4.5,0<y<0.10の条件を満た
し、かつ結晶構造としてBa2(Ti・Sn)4O9とBa(Ti・S
n)9O20を有する組成分100重量%に対し、副成分として
MnO及び/又はAl2O3を0.01〜2.0重量%添加含有するこ
とを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物である。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
出発原料として炭酸バリウム(BaCO3),酸化チタン
(TiO2),酸化スズ(SnO2),炭酸マンガン(MnC
O3),酸化アルミニウム(Al2O3)及び酸化ニオブ(Nb2
O5)を用い、各主成分及び副成分を酸化物としたときに
第1表の成分比率となるように秤量調合し、まず、これ
らをボールミルで20時間湿式混合した。この混合原料を
脱水,乾燥し、0.5t/cm2の圧力でプレスして仮成型し12
20℃で2時間仮焼成し、その後これをボールミルで20時
間湿式粉砕した。それから、これを脱水,乾燥したの
ち、バインダーを適当量加えて造粒し、直径12mm,長さ6
mmの円柱状に成型して1360℃で2時間焼成した。
こうして得られた磁器を直径10mm,長さ5mmの円柱状、
及び直径10mm,厚さ0.5mmの円板状に加工し、前者につい
ては電気的特性として比誘電率εr,無負荷Q及び共振周
波数温度係数TCfを測定し、後者については円板の上下
両面に電極を塗布し、絶縁抵抗(抵抗率ρ)を測定し
た。
なお、前記比誘電率εとQ値は誘電体共振器法によ
り25℃の温度条件下で測定し、前記TCfについては−40
〜+80℃における共振周波数の温度変化から求め、絶縁
抵抗については温度25℃の温度条件下で直流電圧25Vを
印加して測定した。
このように得られた結果を第1表に示す。
この表において試料番号に※を付したものは、本発明
範囲外のものであるが、試料番号1のものは、一般の工
業用原料に大抵の場合に含まれている不純物であるNb2O
5は勿論、MnO,Al2O3も含まれない高純度原料から造った
試料であり、試料番号2は、不純物を比較的多く含む一
般の工業用原料から造ったもので添加物としてMnOもAl2
O3も含まない場合であり、試料番号3,4,15,16,18,19,21
及び23は副成分としてMnO,Al2O3,不純物としてNb2O5
いずれか少なくとも一種を含むがx,yのいずれか一方、
あるいはMnO及び/又はAl2O3の添加含有量が本発明範囲
外となっているものである。
また、試料番号5〜14,17,20及び22は本発明範囲内の
ものであるが、17は高純度原料から造った、Nb2O5を含
まない主成分にMnO,Al2O3を添加した場合である。
上表から、本発明範囲内ではεr,Q,絶縁抵抗が大き
く、TCfの小さい磁器組成物が得られ、特に、不純物た
るNb2O5を含むものより優れた電気的特性を有するもの
となるだけでなく、これを含まない高価な高純度原料を
使用したものと同等又はこれより優れた電気的特性(Q,
絶縁抵抗)の磁器組成物が得られることがわかる(試料
番号17)。
次に、本発明組成範囲の限定理由を具体的に述べる。
xが4以下であるとTCfがプラス側に大きくなり過ぎ
(試料番号18,19)、xが4.5以上になるとQ値が低くな
る(試料番号21)。
yが0.10以上になるとεが小さくなり、Q値も低下
する(試料番号23)。
MnO及び/又はAl2O3の添加含有量が0.01重量%未満で
あるとQ及び絶縁抵抗が低下し(試料番号1〜4)、2.
0重量%を超えるとQが低下する(試料番号15,16)。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明のBaO−TiO2−SnO2系誘電
体磁器組成物では、高価な高純度原料を使用しなくて
も、安価な一般の工業用原料を使い、添加物としてMnO
及び/又はAl2O3を添加することにより、原料中の不純
物(主としてNb2O5)に起因するQ値や絶縁抵抗の低下
が改善され、しかも高純度原料を使用した場合を上回る
電気的特性が得られる効果がある。
したがって、本発明の誘電体磁器組成物は、高周波帯
(特にUHF〜SHF帯)において誘電率が高く、低損失で、
特性の温度変化が小さいことを要求される誘電体共振
器,誘電体基板,コンデンサ等に、具体的にはUHF〜SHF
帯無線通信機器や計測器等(自動車用電話,トランシー
バ,衛星通信機器,レーダー等)に広く応用できるもの
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−73908(JP,A) 特開 昭55−78520(JP,A) 特開 昭57−128019(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】BaO,TiO2及びSnO2の3成分を有する誘電体
    磁器組成物であって、これら主成分の組成式をBaO・x
    〔(1−y)TiO2・ySnO2〕で表わしたときに、x,yがそ
    れぞれモル比で4<x<4.5,0<y<0.10の条件を満た
    し、かつ結晶構造としてBa2(Ti・Sn)4O9とBa(Ti・S
    n)9O20を有する組成分100重量%に対し、副成分として
    MnO及び/又はAl2O3を0.01〜2.0重量%添加含有するこ
    とを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。
JP63167703A 1988-07-07 1988-07-07 高周波用誘電体磁器組成物 Expired - Lifetime JP2683751B2 (ja)

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