JP2679763B2 - 半導体ウエハーの製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体ウエハーの製造方法及び製造装置Info
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- JP2679763B2 JP2679763B2 JP62278417A JP27841787A JP2679763B2 JP 2679763 B2 JP2679763 B2 JP 2679763B2 JP 62278417 A JP62278417 A JP 62278417A JP 27841787 A JP27841787 A JP 27841787A JP 2679763 B2 JP2679763 B2 JP 2679763B2
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は複数の半導体ウエハーを複数のレテイクルで
順次露光する製造方法及び製造装置に関する。 従来の技術 レテイクル（網線）はレテイクルライブラリーとレテ
イクル移転台間を搬送アームによつて迅速に移動され
る。レテイクルは比較的長時間露光されるＣと比較的短
時間露光されるＡとＢとよりなる。Ａは移転台の極く近
くにその保持位置がある。回路レテイクルが露光される
と、その保持位置へ動かされる。搬送アーム用のＡ“駐
留”位置はレテイクルライブラリーと移転台間であつて
その移転台に比較的近いところにある。回路レテイクル
がその保持位置にあるとき、レテイクルＡ及びＢは移転
台からライブラリーへの、ライブラリーから駐留位置へ
の及び駐留位置から移転台への通路を横切る。継続する
ウエハーへの露光サイクルはBCA−ACB−BCA−ACBの順序
である。 実施例 半導体チツプはフオトレジストで半導体ウエハーデイ
スクをコーテングしそれをガラスに載せた“レテイク
ル”で搬送されるパターンに露光して形成される。この
工程が要求される丈の回数繰り返される。半導体ウエハ
ーの通常の製造では、レテイクル３個だけがウエハーに
露光される。これらのレテイクルはレテイクルA,B及び
Ｃで表わす。レテイクルＡは通常テストパターンから成
り、レテイクルＢは非露光レジストのクリーニング用で
あり、レテイクルＣはウエハーに載せる回路を含む。本
発明に関連する装置は各ウエハーを露光するための照明
スリツトを利用する。従つて実質的にはレテイクルＡ又
はＢによりは長時間レテイクルＣに対して露光が行われ
る。 ウエハー生産を最大限に量産するには、レテイクル変
更が迅速に行われることが重要である。レテイクル変更
は、レテイクルを真空チヤツクで確実に掴み移転台へ及
び移転台から、本発明を形成するものではない部分であ
る露光ステーシヨンへと運搬する。第１図は装填位置で
の移転台Ｔ、その移転台Ｔに近い保持位置Ｈ、露光の間
に貯蔵するためのレテイクルライブラリーＬ及び移転台
に載せる前に１時的に保持するための移転台に近い貯留
位置Ｐを例示する模式図である。矢印は装填、非装填サ
イクルでのレテイクルの軌跡を示す。 第２図及び第３図は本発明を実施する装置を示す。こ
の装置は、ピン14上に支えられたレテイクル12を保持す
るレテイクルライブラリー10からなる。レテイクルライ
ブラリー10はベアリング面20上のエアベアリング18で支
えられリニアモータ22で駆動されるエアベアリング台16
上に備けられる。このようにしてライブラリー10は軸Z,
X,Y沿いに動く、Ｚは第２図、第３図で矢印で示され
る。リフター24がライブラリーの下側に位置し、レテイ
クル12の１つをライブラリーピン14から持上げそして外
すのに働く。 ライブラリー10から離れてレテイクル移転台26は、ベ
アリング面32上の３つのエアベアリング30で支持された
台28の形状をなしている。台28から上方へ垂直に真空チ
ヤツク34が伸びており、その真空チヤツク34にはそれに
抵抗するようにレテイクルを支持するレテイクル支持ピ
ン36が設けてある。そのように支持されているレテイク
ルの端部の下には１対のリフター38がある。真空チヤツ
ク34に隣接しかつ平行にレテイクルの装填、非装填保持
アーム40が位置している。保持アーム40は可撓性の公知
の真空カツプをレテイクルを掴むべく設けている。アー
ム40は、軸Ｚに沿つて限られた範囲を動く屈曲組立体上
に搭載されている。この動きは図示していない従来のエ
アポツトの制御をうける。アーム40と屈曲組立体42とを
エアベアリング44上に載せることによつて更なる動きが
与えられる。 ライブラリー10と移転台26の間にはリニアモータ50が
それに沿つて動けるエアベアリングを支持するエアバー
46が伸びている。屈曲組立体52はエアベアリング48に担
持されそこから、やはり可撓性の真空カツプ56を備えて
いる搬送アーム54が吊下がつている。このタイプのカツ
プはエンゲルブレヒト及びラガンザの米国特許第4,530,
635に記載されている。可撓性組立体52の作用は、レテ
イクル12をつかみ配置する目的で軸Ｚ方向に装填、非装
填アーム54の制限動作を許容するにある。 ウエハー生産でよく用いられるレテイクル12はレテイ
クルライブラリー10のピン14の上におかれている。ライ
ブラリーは軸Ｚ沿いに動いて装填アーム54がレテイクル
やライブラリー10に当ることなくライブラリーに入るこ
とができるように位置している。エアベアリング48はＸ
軸沿いに動きライブラリー内の選定されたレテイクルに
隣接した搬送アーム54を位置づける。その後ライブラリ
ーは再度軸Ｚ沿いに動きアーム54をレテイクルを保持し
ている“溝”に入れる。リフター24は選んだレテイクル
をピン14から外して持上げ、搬送アーム54が屈曲組立体
52の手段によつて軸Ｚ沿いにその方向に移動される。ア
ーム54に担持された真空カツプ56が選ばれたレテイクル
の上に押しつけられ、真空が効き、アーム54はこれによ
りレテイクルをつかむ。その上にリフター24が下がつて
きてアーム54がＺ軸に沿つてひつこむ。レテイクルはす
でにライブラリー構造に触れず自由にライブラリーから
出られる。 搬送アーム54はそれからＸ軸沿いに、レテイクルを受
入れる装填、非装填の位置にある移転台26へと動かされ
る。エアで駆動される屈曲組立体52はアーム54をＺ軸沿
いにレテイクルが真空チヤツク34に接するまで移動させ
る。真空チヤツク34は真空と圧縮エアポートからなり、
このポートがレテイクルをチヤツク34に極く近くにチヤ
ツク面に沿つて摩擦なしに移動させる。リフター38はレ
テイクルに接触するように持上げられ、搬送アーム54へ
の真空が解放され、アームが引込められる。リフター38
がレテイクルをピン36の上へ降ろし真空チヤツク34が真
空状態になりレテイクルをチヤツクへ確実に付着させ
る。 次工程はレテイクルを使つて露光ステーシヨンでウエ
ハーを露光することである。移転台26は装填、非装填位
置から例示しない露光ステーシヨンへと移動する。露光
が終ると移転台は装填非装填位置へと戻る。選択された
レテイクルは前工程の逆にレテイクルライブラリーへと
戻る。交互にそれは保持アーム40へ装填される。保持ア
ーム40はエアベアリング上をＺ軸に沿つて移動しレテイ
クル12へ接近する。それはエア駆動される屈曲組立体42
によつて更に動かされエア圧が真空チヤツクに供給さ
れ、レテイクル12は実質的に摩擦のない状態でその表面
上を移動する。リフター38がレテイクルをその装填非装
填位置へと押しやりアーム40が更に進められ、真空カツ
プ56がレテイクルに接する。それから真空が形成され、
リフター38が引込み、レテイクルを真空チヤツク34に接
触せしめている真空が消される。保持アーム40が屈曲組
立体42によりＺ軸に沿つて引込められ、アームはエアベ
アリング44でＺ軸に沿つて更に移動され、搬送アーム54
によつて新しいレテイクルが装填される保持位置まで至
る。 以上説明したようにウエハーの通常の生産の間ではウ
エハーに露光されるレテイクルは３個だけである。ここ
ではレテイクルA,Bとして挙げられ、両方とも露光時間
は短く、回路レテイクルは実質的に時間が長い。ウエハ
ー生産能率を最高にするにはレテイクルを出来る丈迅速
に交換することが大節である。それを実現する方法を第
４図の上方に例示した順序を参照しながら説明する。 先ず、回路レテイクルＣが移転台26上にあり、その移
転台はウエハーがウエハーＩを露光するのに使われる露
光ステーシヨンに在る。レテイクルＡは駐留ステーシヨ
ンにある搬送アーム54上にある。保持アーム40は空であ
る。レテイクルＢはすでにウエハーＩを露光するのに使
われていてその時点でレテイクルライブラリーにストツ
クされている。以上の初期条件で次の工程が行われる。 ステツプ1:移転台26が回路レテイクルＣでウエハーＩを
露光し例示したように装填非装填位置へ戻る。 ステツプ2:保持アーム40がＺ軸沿いに移動し回路レテイ
クルＣを得る。 ステツプ3:保持アーム40がＺ軸沿いに保持位置へ引込
む。 ステツプ4:搬送アーム54がＸ軸沿いに、レテイクルＡと
共に装填非装填位置へ移動する。 ステツプ5:搬速アーム54がＺ軸沿いに移動しレテイクル
Ａを移転台26へ装填する。 ステツプ6:搬送アーム54がＺ軸沿いにレテイクルＡを丁
度飛び越すまで引込む。 本発明の実施例では以上のステツプ１−６を終らせて
レテイクルを交換する時間は３秒以上は掛からなかつ
た。 ステツプ7:移転台26がレテイクルＡを露光するため動
く。 ステツプ8:レテイクルA,B,CでのウエハーＩの露光が終
るとウエハーIIと交換される。 ステツプ9:移転台26がウエハーIIをレテイクルＡで露光
し装填非装填位置へ戻る。 ステツプ10:搬送アーム54がＺ軸沿いに移動しレテイク
ルＡを得る。 ステツプ11:搬送アーム54がＺ軸沿いにレテイクルＡと
共に引込む。 ステツプ12:レテイクルＡと共に搬送アーム54がＸ軸沿
いに駐留位置へ移動する。 ステツプ13:保持アーム40がレテイクルＣを移転台26へ
装填する。 ステツプ14:保持アーム40がＺ軸沿いに引込む。 ステツプ９−14を終らせレテイクルを交換するのに要
した総時間は３秒以上掛からない。 ステツプ15:移転台26がレテイクルＣでウエハーIIを露
光するため動く。 ステツプ16:移転台26がレテイクルＣでウエハーIIに露
光している間に、搬送アーム54がＸ軸に沿つて移動しラ
イブラリー10でレテイクルＡをレテイクルＢと交換し、
Ｘ軸に沿つてライブラリー10から駐留位置へと戻つてく
る。 このステツプ16を終らせるに要する時間は20秒を超え
ない。この時間中ウエハーIIはレテイクルＣに露光され
ているので、ライブラリーへ行つたり来たりのサイクル
時間には加えられない。 ステツプ17:移転台26がウエハーIIをレテイクルＣで露
光し、装填非装填位置へ戻つてくる。移転台26は上記で
説明したようにレテイクルＣを降ろす準備をする。 ステツプ18:保持アーム40はＺ軸沿いに移動してレテイ
クルＣを得る。 ステツプ19:保持アーム40はＺ軸沿いにその保持位置へ
と戻る。 ステツプ20:搬送アーム54はレテイクルＢと共に駐留位
置から装填非装填位置へとＸ軸沿いに動く。 ステツプ21:搬送アーム54はＺ軸沿いに移動しレテイク
ルＢを移転台26に装填する。 ステツプ22:搬送アーム54はレテイクルＢを丁度飛び越
える迄Ｚ軸沿いに引込む。 ステツプ17−22でレテイクルを交換するに要した総時
間は３秒以上ではない。 ステツプ23:移転台26が離れてレテイクルＢでのウエハ
ーIIへの露光が始まる。 ステツプ24:レテイクルＢでのウエハーIIへの露光が終
る。ウエハーIIがレテイクルA,B,Cで露光され、ウエハ
ーIIIに取替えられる。 ステツプ25:サイクルはステツプ９に戻る。移転台2626
はレテイクルＢでウエハーIIを露光し、装填非装填位置
へ戻る。 サイクルは続き、数多くのウエハーがレテイクルA,B
及びＣの露光をうける。露光サイクルはBCA−ACB−BCA
−ACBの順即ち、（ａ）最も長い露光時間のレテイクル
が先行され、最も短い露光時間のレテイクルが後に続
く、（ｂ）ウエハーを露光するのに最後に使われたレテ
イクルが後に続く露光されるウエハーの最初のレテイク
ルである。この技術によつて、レテイクルを変えるのに
要する時間が最小となる。 本発明の多くの利点が当業者に明瞭となるであろうと
信じられる。更に本発明の精神と範囲から逸脱すること
なく数多くの変形、変更がなさることも明らかである。
従つて上記の説明は限定であるよりは例示と解すべきで
ある。本発明は特許請求の範囲によつてのみ限定され
る。
順次露光する製造方法及び製造装置に関する。 従来の技術 レテイクル（網線）はレテイクルライブラリーとレテ
イクル移転台間を搬送アームによつて迅速に移動され
る。レテイクルは比較的長時間露光されるＣと比較的短
時間露光されるＡとＢとよりなる。Ａは移転台の極く近
くにその保持位置がある。回路レテイクルが露光される
と、その保持位置へ動かされる。搬送アーム用のＡ“駐
留”位置はレテイクルライブラリーと移転台間であつて
その移転台に比較的近いところにある。回路レテイクル
がその保持位置にあるとき、レテイクルＡ及びＢは移転
台からライブラリーへの、ライブラリーから駐留位置へ
の及び駐留位置から移転台への通路を横切る。継続する
ウエハーへの露光サイクルはBCA−ACB−BCA−ACBの順序
である。 実施例 半導体チツプはフオトレジストで半導体ウエハーデイ
スクをコーテングしそれをガラスに載せた“レテイク
ル”で搬送されるパターンに露光して形成される。この
工程が要求される丈の回数繰り返される。半導体ウエハ
ーの通常の製造では、レテイクル３個だけがウエハーに
露光される。これらのレテイクルはレテイクルA,B及び
Ｃで表わす。レテイクルＡは通常テストパターンから成
り、レテイクルＢは非露光レジストのクリーニング用で
あり、レテイクルＣはウエハーに載せる回路を含む。本
発明に関連する装置は各ウエハーを露光するための照明
スリツトを利用する。従つて実質的にはレテイクルＡ又
はＢによりは長時間レテイクルＣに対して露光が行われ
る。 ウエハー生産を最大限に量産するには、レテイクル変
更が迅速に行われることが重要である。レテイクル変更
は、レテイクルを真空チヤツクで確実に掴み移転台へ及
び移転台から、本発明を形成するものではない部分であ
る露光ステーシヨンへと運搬する。第１図は装填位置で
の移転台Ｔ、その移転台Ｔに近い保持位置Ｈ、露光の間
に貯蔵するためのレテイクルライブラリーＬ及び移転台
に載せる前に１時的に保持するための移転台に近い貯留
位置Ｐを例示する模式図である。矢印は装填、非装填サ
イクルでのレテイクルの軌跡を示す。 第２図及び第３図は本発明を実施する装置を示す。こ
の装置は、ピン14上に支えられたレテイクル12を保持す
るレテイクルライブラリー10からなる。レテイクルライ
ブラリー10はベアリング面20上のエアベアリング18で支
えられリニアモータ22で駆動されるエアベアリング台16
上に備けられる。このようにしてライブラリー10は軸Z,
X,Y沿いに動く、Ｚは第２図、第３図で矢印で示され
る。リフター24がライブラリーの下側に位置し、レテイ
クル12の１つをライブラリーピン14から持上げそして外
すのに働く。 ライブラリー10から離れてレテイクル移転台26は、ベ
アリング面32上の３つのエアベアリング30で支持された
台28の形状をなしている。台28から上方へ垂直に真空チ
ヤツク34が伸びており、その真空チヤツク34にはそれに
抵抗するようにレテイクルを支持するレテイクル支持ピ
ン36が設けてある。そのように支持されているレテイク
ルの端部の下には１対のリフター38がある。真空チヤツ
ク34に隣接しかつ平行にレテイクルの装填、非装填保持
アーム40が位置している。保持アーム40は可撓性の公知
の真空カツプをレテイクルを掴むべく設けている。アー
ム40は、軸Ｚに沿つて限られた範囲を動く屈曲組立体上
に搭載されている。この動きは図示していない従来のエ
アポツトの制御をうける。アーム40と屈曲組立体42とを
エアベアリング44上に載せることによつて更なる動きが
与えられる。 ライブラリー10と移転台26の間にはリニアモータ50が
それに沿つて動けるエアベアリングを支持するエアバー
46が伸びている。屈曲組立体52はエアベアリング48に担
持されそこから、やはり可撓性の真空カツプ56を備えて
いる搬送アーム54が吊下がつている。このタイプのカツ
プはエンゲルブレヒト及びラガンザの米国特許第4,530,
635に記載されている。可撓性組立体52の作用は、レテ
イクル12をつかみ配置する目的で軸Ｚ方向に装填、非装
填アーム54の制限動作を許容するにある。 ウエハー生産でよく用いられるレテイクル12はレテイ
クルライブラリー10のピン14の上におかれている。ライ
ブラリーは軸Ｚ沿いに動いて装填アーム54がレテイクル
やライブラリー10に当ることなくライブラリーに入るこ
とができるように位置している。エアベアリング48はＸ
軸沿いに動きライブラリー内の選定されたレテイクルに
隣接した搬送アーム54を位置づける。その後ライブラリ
ーは再度軸Ｚ沿いに動きアーム54をレテイクルを保持し
ている“溝”に入れる。リフター24は選んだレテイクル
をピン14から外して持上げ、搬送アーム54が屈曲組立体
52の手段によつて軸Ｚ沿いにその方向に移動される。ア
ーム54に担持された真空カツプ56が選ばれたレテイクル
の上に押しつけられ、真空が効き、アーム54はこれによ
りレテイクルをつかむ。その上にリフター24が下がつて
きてアーム54がＺ軸に沿つてひつこむ。レテイクルはす
でにライブラリー構造に触れず自由にライブラリーから
出られる。 搬送アーム54はそれからＸ軸沿いに、レテイクルを受
入れる装填、非装填の位置にある移転台26へと動かされ
る。エアで駆動される屈曲組立体52はアーム54をＺ軸沿
いにレテイクルが真空チヤツク34に接するまで移動させ
る。真空チヤツク34は真空と圧縮エアポートからなり、
このポートがレテイクルをチヤツク34に極く近くにチヤ
ツク面に沿つて摩擦なしに移動させる。リフター38はレ
テイクルに接触するように持上げられ、搬送アーム54へ
の真空が解放され、アームが引込められる。リフター38
がレテイクルをピン36の上へ降ろし真空チヤツク34が真
空状態になりレテイクルをチヤツクへ確実に付着させ
る。 次工程はレテイクルを使つて露光ステーシヨンでウエ
ハーを露光することである。移転台26は装填、非装填位
置から例示しない露光ステーシヨンへと移動する。露光
が終ると移転台は装填非装填位置へと戻る。選択された
レテイクルは前工程の逆にレテイクルライブラリーへと
戻る。交互にそれは保持アーム40へ装填される。保持ア
ーム40はエアベアリング上をＺ軸に沿つて移動しレテイ
クル12へ接近する。それはエア駆動される屈曲組立体42
によつて更に動かされエア圧が真空チヤツクに供給さ
れ、レテイクル12は実質的に摩擦のない状態でその表面
上を移動する。リフター38がレテイクルをその装填非装
填位置へと押しやりアーム40が更に進められ、真空カツ
プ56がレテイクルに接する。それから真空が形成され、
リフター38が引込み、レテイクルを真空チヤツク34に接
触せしめている真空が消される。保持アーム40が屈曲組
立体42によりＺ軸に沿つて引込められ、アームはエアベ
アリング44でＺ軸に沿つて更に移動され、搬送アーム54
によつて新しいレテイクルが装填される保持位置まで至
る。 以上説明したようにウエハーの通常の生産の間ではウ
エハーに露光されるレテイクルは３個だけである。ここ
ではレテイクルA,Bとして挙げられ、両方とも露光時間
は短く、回路レテイクルは実質的に時間が長い。ウエハ
ー生産能率を最高にするにはレテイクルを出来る丈迅速
に交換することが大節である。それを実現する方法を第
４図の上方に例示した順序を参照しながら説明する。 先ず、回路レテイクルＣが移転台26上にあり、その移
転台はウエハーがウエハーＩを露光するのに使われる露
光ステーシヨンに在る。レテイクルＡは駐留ステーシヨ
ンにある搬送アーム54上にある。保持アーム40は空であ
る。レテイクルＢはすでにウエハーＩを露光するのに使
われていてその時点でレテイクルライブラリーにストツ
クされている。以上の初期条件で次の工程が行われる。 ステツプ1:移転台26が回路レテイクルＣでウエハーＩを
露光し例示したように装填非装填位置へ戻る。 ステツプ2:保持アーム40がＺ軸沿いに移動し回路レテイ
クルＣを得る。 ステツプ3:保持アーム40がＺ軸沿いに保持位置へ引込
む。 ステツプ4:搬送アーム54がＸ軸沿いに、レテイクルＡと
共に装填非装填位置へ移動する。 ステツプ5:搬速アーム54がＺ軸沿いに移動しレテイクル
Ａを移転台26へ装填する。 ステツプ6:搬送アーム54がＺ軸沿いにレテイクルＡを丁
度飛び越すまで引込む。 本発明の実施例では以上のステツプ１−６を終らせて
レテイクルを交換する時間は３秒以上は掛からなかつ
た。 ステツプ7:移転台26がレテイクルＡを露光するため動
く。 ステツプ8:レテイクルA,B,CでのウエハーＩの露光が終
るとウエハーIIと交換される。 ステツプ9:移転台26がウエハーIIをレテイクルＡで露光
し装填非装填位置へ戻る。 ステツプ10:搬送アーム54がＺ軸沿いに移動しレテイク
ルＡを得る。 ステツプ11:搬送アーム54がＺ軸沿いにレテイクルＡと
共に引込む。 ステツプ12:レテイクルＡと共に搬送アーム54がＸ軸沿
いに駐留位置へ移動する。 ステツプ13:保持アーム40がレテイクルＣを移転台26へ
装填する。 ステツプ14:保持アーム40がＺ軸沿いに引込む。 ステツプ９−14を終らせレテイクルを交換するのに要
した総時間は３秒以上掛からない。 ステツプ15:移転台26がレテイクルＣでウエハーIIを露
光するため動く。 ステツプ16:移転台26がレテイクルＣでウエハーIIに露
光している間に、搬送アーム54がＸ軸に沿つて移動しラ
イブラリー10でレテイクルＡをレテイクルＢと交換し、
Ｘ軸に沿つてライブラリー10から駐留位置へと戻つてく
る。 このステツプ16を終らせるに要する時間は20秒を超え
ない。この時間中ウエハーIIはレテイクルＣに露光され
ているので、ライブラリーへ行つたり来たりのサイクル
時間には加えられない。 ステツプ17:移転台26がウエハーIIをレテイクルＣで露
光し、装填非装填位置へ戻つてくる。移転台26は上記で
説明したようにレテイクルＣを降ろす準備をする。 ステツプ18:保持アーム40はＺ軸沿いに移動してレテイ
クルＣを得る。 ステツプ19:保持アーム40はＺ軸沿いにその保持位置へ
と戻る。 ステツプ20:搬送アーム54はレテイクルＢと共に駐留位
置から装填非装填位置へとＸ軸沿いに動く。 ステツプ21:搬送アーム54はＺ軸沿いに移動しレテイク
ルＢを移転台26に装填する。 ステツプ22:搬送アーム54はレテイクルＢを丁度飛び越
える迄Ｚ軸沿いに引込む。 ステツプ17−22でレテイクルを交換するに要した総時
間は３秒以上ではない。 ステツプ23:移転台26が離れてレテイクルＢでのウエハ
ーIIへの露光が始まる。 ステツプ24:レテイクルＢでのウエハーIIへの露光が終
る。ウエハーIIがレテイクルA,B,Cで露光され、ウエハ
ーIIIに取替えられる。 ステツプ25:サイクルはステツプ９に戻る。移転台2626
はレテイクルＢでウエハーIIを露光し、装填非装填位置
へ戻る。 サイクルは続き、数多くのウエハーがレテイクルA,B
及びＣの露光をうける。露光サイクルはBCA−ACB−BCA
−ACBの順即ち、（ａ）最も長い露光時間のレテイクル
が先行され、最も短い露光時間のレテイクルが後に続
く、（ｂ）ウエハーを露光するのに最後に使われたレテ
イクルが後に続く露光されるウエハーの最初のレテイク
ルである。この技術によつて、レテイクルを変えるのに
要する時間が最小となる。 本発明の多くの利点が当業者に明瞭となるであろうと
信じられる。更に本発明の精神と範囲から逸脱すること
なく数多くの変形、変更がなさることも明らかである。
従つて上記の説明は限定であるよりは例示と解すべきで
ある。本発明は特許請求の範囲によつてのみ限定され
る。
【図面の簡単な説明】
第１図はレテイクルのフロー模式図、
第２図は本発明に使用できる装置の平面図、
第３図は第２図の装置の正面図、
第4,5図は本発明を実施する連続工程を例示する図、
第６図は第4,5図間の関係図である。
10……ライブラリー、12……レテイクル、18……ベアリ
ング、24……リフター、26……移転台、34……真空チヤ
ツク、38……リフター、40,54……アーム。
ング、24……リフター、26……移転台、34……真空チヤ
ツク、38……リフター、40,54……アーム。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．装填位置で３個のレテイクルを順次移転台へ装填
し、そのレテイクルの１個で複数の半導体ウエハーの各
個を順次露光させる半導体ウエハーの製造方法におい
て、前記レテイクルの１つが残りの２個のレテイクルよ
り実質的に長い露光時間を有する回路レテイクル（Ｃ）
であり、残りの２個のレテイクル（A,B）が通常、装填
位置から比較的離れたレテイクルライブラリーに貯蔵さ
れてなるものであって、レテイクルＣを装填位置に極く
近い保持位置に位置させ、レテイクルＡを移転台上に位
置させ、前記ライブラリーと装填位置との中間に駐留位
置を設け、レテイクルＡでウエハーを露光し、レテイク
ルＡを移転台から除き、レテイクルＣを移転台へ置き、
レテイクルＣで前記ウエハーを露光し、レテイクルＣの
露光時間中にレテイクルＡをライブラリーへ動かしそし
てレテイクルＢをライブラリーから駐留位置へ転移し、
レテイクルＣをその保持位置へ移動し、レテイクルＢを
移転台上に位置させ、レテイクルＢで前記ウエハーを露
光し、露光したウエハーを露光してないウエハーと取替
えて露光サイクルをBCA−ACB−BCA−ACBの順で継続する
ことを特徴とする、半導体ウエハーの製造方法。 ２．複数の半導体ウエハーの各個を３個のレテイクルで
順次露光する半導体ウエハーの製造方法において、前記
レテイクルの第１のレテイクルが第２、第３のレテイク
ルより長い露光時間を有し、前記第２、第３のレテイク
ルが順次露光するためにライブラリーから装填位置の移
転台へと移動されるものであって、前記第２、第３のレ
テイクルの一方のレテイクルを装填位置の移転台に位置
させ、前記第２、第３のレテイクルの他方のレテイクル
をライブラリーに位置させ、前記第１のレテイクルを装
填位置に極く近い保持位置に位置させ、前記移転台をそ
の上に載置された一方のレテイクルの少なくとも露光の
間だけは前記装填位置から離し、前記移転台及びレテイ
クルを前記装填位置に戻し、前記一方のレテイクルを移
転台から外してそれをライブラリーの方へ動かし、前記
第１のレテイクルをその保持位置から前記移転台へ装填
し、前記移転台を少なくとも第１のレテイクルの第１の
露光時間の間前記装填位置から離し、前記一方のレテイ
クルを前記第１の露光時間の間ライブラリーに再度位置
せしめ、前記第２、第３のレテイクルの他方のレテイク
ルをライブラリーから前記第１の露光時間中に中間の駐
留位置へ動かし、前記移転台と第１のレテイクルを前記
装填位置へ戻し、前記第１のレテイクルを前記移転台か
ら前記保持位置へ動かし、前記他方のレテイクルを前記
駐留位置から前記移転台に位置せしめ、前記移転台を前
記装填位置から少なくとも他方のレテイクルの露光時間
中離し、前記移転台と前記他方のレテイクルを前記装填
位置に戻し、露光されたウエハーを露光されていないウ
エハーと取換え、その後に露光サイクルを逆にして他方
のレテイクル、第１のレテイクル、一方のレテイクルの
順でウエハーを露光することを特徴とする、半導体ウエ
ハーの製造方法。 ３．複数の半導体ウエハーの各個を３個のレテイクルで
順次露光する半導体ウエハーの製造方法において、前記
レテイクルの第１のレテイクルが、第２、第３のレテイ
クルよりも実質的に長い露光時間を有し、前記第２、第
３のレテイクルが連続露光のために、ライブラリーの位
置から装填位置の移転台へ動かされるものであって、第
２のレテイクルが装填されている前記移転台を少なくと
も第２のレテイクルが露光している間の第２の露光時間
前記装填位置から離し、前記移転台と第２のレテイクル
を前記装填位置へ戻し、前記第２のレテイクルを前記移
転台から移動しそれを前記ライブラリーの位置へ動か
し、前記第１のレテイクルを前記装填位置に隣接する保
持位置から前記移転台へ装填し、前記移転台を少なくと
も第１のレテイクルが露光している間の第１の露光時間
前記装填位置から離し、第２のレテイクルを前記第１の
露光時間の間に前記ライブラリーの位置に位置せしめ、
前記第１の露光時間の間に前記第３のレテイクルを前記
ライブラリーの位置から該ライブラリーと前記装填位置
との間の駐留位置に移動させ、前記移転台と第１のレテ
イクルを装填位置へ戻し、前記第１のレテイクルを前記
移転台から前記保持位置へ移動させ、前記第３のレテイ
クルを前記駐留位置から前記移転台へ位置させ、前記移
転台を少なくとも第３のレテイクルが露光している間の
第３の露光時間前記装填位置から離し、前記移転台と前
記第３のレテイクルを前記装填位置へ戻し、露光された
ウエハーを非露光のウエハーと取替えて、その後に露光
サイクルを逆にして第３のレテイクル、第１のレテイク
ル、第２のレテイクルの順でウエハーを露光することを
特徴とする、半導体ウエハーの製造方法。 ４．複数の半導体ウエハーの各個を３個のレテイクルで
順次露光する半導体のウエハーの製造装置において、前
記レテイクルの第１のレテイクルが他の第２、第３のレ
テイクルより長い露光時間を有し、前記第２、第３のレ
テイクルが順次露光するためにライブラリーから装填位
置の移転台へと移動されるものであって、前記第２、第
３のレテイクルの一方のレテイクルを前記装填位置の前
記移転台へ乗せる手段と、前記第２、第３のレティクル
の他方のレテイクルをライブラリーに位置させる手段
と、前記第１のレテイクルを前記装填位置の前記移転台
へ若しくは該装填位置近くの保持位置へ位置せしめる手
段と、前記一方のレテイクルを前記装填位置の移転台か
ら、前記第１のレテイクルを移転台上に位置せしめよう
とする間にライブラリーに移動させる手段と、前記他方
のレテイクルを前記ライブラリーから、前記第１のレテ
イクルが移転台上にある間に前記ライブラリーと前記装
填位置との間の駐留位置へ移動させる手段と、前記他方
のレテイクルを、前記第１のレテイクルが保持位置にあ
るとき前記装填位置の移転台に駐留位置から移転する手
段とが設けられていることを特徴とする、半導体ウエハ
ーの製造装置。 ５．複数のフォトレジスト被覆半導体ウエハーを露光ス
テーションで３つのレテイクルによって露光する半導体
ウエハーの製造装置であって、レテイクルライブラリ
ー、前記レテイクルライブラリーから離れていて露光ス
テーションへ移動可能な移転台、前記移転台に関連して
レテイクルのための保持位置を与える保持アーム、及
び、駐留位置を有しかつレテイクルライブラリーと移転
台との間を移動する搬送アームが設けられており、比較
的長い露光時間を必要とする第１のレテイクルは第２の
レテイクルが露光されている間前記移転台の近くの保持
位置に保持されるようになっており、次いで第１のレテ
イクルが露光されている間に前記搬送アームが第２のレ
テイクルを第３のレテイクルと交換するために前記レテ
イクルライブラリーに向かって移動するようになってお
り、前記第３のレテイクルが前記第１のレテイクルの後
に続く露光のために待機する前記駐留位置に位置せしめ
られるようになっており、引き続く露光が最後に露光さ
れたレテイクルを次のフォトレジスト被覆半導体ウエハ
ーの露光のための最初に露光されるレテイクルとして用
いることによって連続的に繰り返して行われるようにな
っていることを特徴とする、フォトレジスト被覆半導体
ウエハーの製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US927202 | 1986-11-05 | ||
| US06/927,202 US4760429A (en) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | High speed reticle change system |
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|---|---|
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Family
ID=25454380
Family Applications (1)
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|---|---|
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| KR (1) | KR950012907B1 (ja) |
| CA (1) | CA1277443C (ja) |
| DE (1) | DE3787245T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6473157B2 (en) * | 1992-02-07 | 2002-10-29 | Nikon Corporation | Method of manufacturing exposure apparatus and method for exposing a pattern on a mask onto a substrate |
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-
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