JP2666038B2 - 和周波測定装置 - Google Patents
和周波測定装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶やＬＢ膜の
表面及び界面等の評価を行う和周波測定装置に関する。
表面及び界面等の評価を行う和周波測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の薄膜作成技術の進展に伴い、リア
ルタイムでその場観察が行える赤外分光測定技術の確立
が要望されている。例えば、有機金属を用いた原子層エ
ピタキシー技術においては、表面吸着種の赤外分光によ
るその場観察が成長層の制御性及び品質を向上させる鍵
を握っている。
ルタイムでその場観察が行える赤外分光測定技術の確立
が要望されている。例えば、有機金属を用いた原子層エ
ピタキシー技術においては、表面吸着種の赤外分光によ
るその場観察が成長層の制御性及び品質を向上させる鍵
を握っている。
【０００３】従来、赤外分光測定を行う装置として図３
に示すような和周波測定装置がある。この装置は、ＹＡ
Ｇレーザ３１、一対のＬｉＮｂＯ3 結晶３２、第１のカ
ットフィルタ３３、第１の集光レンズ３４、可変遅延回
路３５、第２の集光レンズ３６、スリット３７、第２の
カットフィルター３８、モノクロメーター３９、光電子
増倍管４０、及び複数の光学ミラー４１を有している。
なお、光学ミラー４１は、必要に応じて設ければ良いも
のなので以下の説明では、光学ミラー４１についての説
明を省略する。
に示すような和周波測定装置がある。この装置は、ＹＡ
Ｇレーザ３１、一対のＬｉＮｂＯ3 結晶３２、第１のカ
ットフィルタ３３、第１の集光レンズ３４、可変遅延回
路３５、第２の集光レンズ３６、スリット３７、第２の
カットフィルター３８、モノクロメーター３９、光電子
増倍管４０、及び複数の光学ミラー４１を有している。
なお、光学ミラー４１は、必要に応じて設ければ良いも
のなので以下の説明では、光学ミラー４１についての説
明を省略する。
【０００４】ＹＡＧレーザ３１は、パルス幅３５psec、
繰り返し周期１０Hzでパルス発振して波長１０６４nmの
光３０１を出射する。また、その第２高調波である波長
５３２nmの光３０２を出射する。
繰り返し周期１０Hzでパルス発振して波長１０６４nmの
光３０１を出射する。また、その第２高調波である波長
５３２nmの光３０２を出射する。
【０００５】ＹＡＧレーザ３１から出射された波長１０
６４nmの光３０１は、一対のＬｉＮｂＯ3 結晶３２に入
射する。一対のＬｉＮｂＯ3 結晶３２は、それぞれ光パ
ラメトリック発振・増幅を行い、波長１０６４nmの光３
０１を赤外光３０３に変換する。ここで、赤外光３０３
の波長は、一対のＬｉＮｂＯ3 結晶３２の光路に対する
角度を変更することにより調整できる。
６４nmの光３０１は、一対のＬｉＮｂＯ3 結晶３２に入
射する。一対のＬｉＮｂＯ3 結晶３２は、それぞれ光パ
ラメトリック発振・増幅を行い、波長１０６４nmの光３
０１を赤外光３０３に変換する。ここで、赤外光３０３
の波長は、一対のＬｉＮｂＯ3 結晶３２の光路に対する
角度を変更することにより調整できる。
【０００６】第１のカットフィルタ３３は、ＬｉＮｂＯ
3 結晶３２で赤外光に変換されなかった波長１０６４nm
の光を除去する。そして、赤外光３０３は、第１の集光
レンズ３４で照射面積０．１cm2 程度に集光されて試料
４２表面に照射される。
3 結晶３２で赤外光に変換されなかった波長１０６４nm
の光を除去する。そして、赤外光３０３は、第１の集光
レンズ３４で照射面積０．１cm2 程度に集光されて試料
４２表面に照射される。
【０００７】他方、ＹＡＧレーザ３１から出射された波
長５３２nmの光３０２は、可変遅延回路３５を通り、第
２の集光レンズ３６で照射面積０．１cm2 程度に集光さ
れて試料４２の表面に照射される。ここで、過変遅延回
路３５は、ＹＡＧレーザ３１から試料４２までの、波長
５３２nmの光３０２の光路長を調整するための回路であ
る。
長５３２nmの光３０２は、可変遅延回路３５を通り、第
２の集光レンズ３６で照射面積０．１cm2 程度に集光さ
れて試料４２の表面に照射される。ここで、過変遅延回
路３５は、ＹＡＧレーザ３１から試料４２までの、波長
５３２nmの光３０２の光路長を調整するための回路であ
る。
【０００８】試料４２上では、赤外光３０３及び波長５
３２nmの光３０２は、それぞれ反射されると共に、２つ
の光が合成されて和周波光３０４が発生する。スリット
３７は、赤外光３０３、波長５３２nmの光３０２、及び
和周波光３０４の反射角度の違いを利用して、和周波光
３０４のみを通過させ、赤外光３０３及び波長５３２nm
の光３０２の通過を阻止する。スリット３７を通過した
和周波光３０４は、第２のカットフィルター３８を通
り、モノクロメータ３９に入射する。なお、第２のカッ
トフィルターは、試料４２表面で散乱した波長５３２nm
の光を除去する。
３２nmの光３０２は、それぞれ反射されると共に、２つ
の光が合成されて和周波光３０４が発生する。スリット
３７は、赤外光３０３、波長５３２nmの光３０２、及び
和周波光３０４の反射角度の違いを利用して、和周波光
３０４のみを通過させ、赤外光３０３及び波長５３２nm
の光３０２の通過を阻止する。スリット３７を通過した
和周波光３０４は、第２のカットフィルター３８を通
り、モノクロメータ３９に入射する。なお、第２のカッ
トフィルターは、試料４２表面で散乱した波長５３２nm
の光を除去する。
【０００９】モノクロメータ３９は、入射された和周波
光３０４を中心とする狭い周波数帯の光を分離して光電
子増倍管４０へ出射する。光電子増倍管４０は、入射さ
れた光の強度を検出する。
光３０４を中心とする狭い周波数帯の光を分離して光電
子増倍管４０へ出射する。光電子増倍管４０は、入射さ
れた光の強度を検出する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の和周波測定装置
では、試料表面で和周波光を発生させるために、光路の
異なる２つの光を時間的、空間的に重ねなければならな
い。このため、光学系の調整が非常に困難であるという
問題点がある。例えば、パルス幅３５ｐ秒の光を用いた
場合は、２つの光の光路長の誤差が１mm程度しか許され
ない。
では、試料表面で和周波光を発生させるために、光路の
異なる２つの光を時間的、空間的に重ねなければならな
い。このため、光学系の調整が非常に困難であるという
問題点がある。例えば、パルス幅３５ｐ秒の光を用いた
場合は、２つの光の光路長の誤差が１mm程度しか許され
ない。
【００１１】また、検出精度の向上を図るには、和周波
光の強度を上げる必要があるが、レンズを用いて集光し
て試料に照射するようにすると、さらに２つの光の光路
長の調整精度を上げなければならないという問題点があ
る。
光の強度を上げる必要があるが、レンズを用いて集光し
て試料に照射するようにすると、さらに２つの光の光路
長の調整精度を上げなければならないという問題点があ
る。
【００１２】さらに、従来の和周波測定装置では、赤外
光の波長を変化させて分光測定を行おうとすると、試料
表面で発生する和周波光の出射方向が変化するので、和
周波光検出用の光学系を調整しなければならないという
問題点がある。
光の波長を変化させて分光測定を行おうとすると、試料
表面で発生する和周波光の出射方向が変化するので、和
周波光検出用の光学系を調整しなければならないという
問題点がある。
【００１３】所で、これらの問題点は、光路の異なる２
つの信号を用いなければ解消することができる。そこ
で、ＬｉＮｂＯ3 から出射される赤外光と、この赤外光
と同一光軸上に存在する赤外光に変換されなかった波長
１０６４nmの光を用いることが考えられる。
つの信号を用いなければ解消することができる。そこ
で、ＬｉＮｂＯ3 から出射される赤外光と、この赤外光
と同一光軸上に存在する赤外光に変換されなかった波長
１０６４nmの光を用いることが考えられる。
【００１４】しかしながら、ＬｉＮｂＯ3 から出射され
る赤外光に比べ、赤外光に変換されなかった波長１０６
４nmの光はその強度が２桁程度強く、単純にこの２つの
光を試料上に集光すると、試料が波長１０６４nmの光に
よってダメージを受けるという問題点がある。
る赤外光に比べ、赤外光に変換されなかった波長１０６
４nmの光はその強度が２桁程度強く、単純にこの２つの
光を試料上に集光すると、試料が波長１０６４nmの光に
よってダメージを受けるという問題点がある。
【００１５】また、ＬｉＮｂＯ3 から出射される赤外光
と赤外光に変換されなかった波長１０６４nmの光を用い
る方法では、ＬｉＮｂＯ3 内において発生する和周波光
が、測定の妨げになるという問題点もある。
と赤外光に変換されなかった波長１０６４nmの光を用い
る方法では、ＬｉＮｂＯ3 内において発生する和周波光
が、測定の妨げになるという問題点もある。
【００１６】本発明は、同一光軸上の赤外光と波長１０
６４nmの光とを用いた、簡素で調整の簡単な和周波測定
装置を提供することを目的とする。
６４nmの光とを用いた、簡素で調整の簡単な和周波測定
装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
光を発生する光源と、前記レーザ光の一部を該レーザー
光よりも波長の長い光に変換する波長変換手段とを備
え、前記レーザ光と前記波長の長い光とを試料に照射し
て和周波光を発生させ、その強度を測定する和周波測定
装置において、前記光源と前記波長変換手段との間に配
置され前記レーザ光を直線偏光させる偏光手段と、前記
波長変換手段から出射する前記レーザ光及び前記波長の
長い光を通過させ前記レーザ光と前記波長の長い光との
強度を平均化するロションプリズムと、該ロションプリ
ズムから出射する前記レーザ光及び前記波長の長い光を
通過させて前記試料に照射するとともに、前記レーザ光
と前記波長の長い光との和周波光を除去するＧａＡｓ単
結晶フィルタとを有することを特徴とする和周波測定装
置が得られる。
光を発生する光源と、前記レーザ光の一部を該レーザー
光よりも波長の長い光に変換する波長変換手段とを備
え、前記レーザ光と前記波長の長い光とを試料に照射し
て和周波光を発生させ、その強度を測定する和周波測定
装置において、前記光源と前記波長変換手段との間に配
置され前記レーザ光を直線偏光させる偏光手段と、前記
波長変換手段から出射する前記レーザ光及び前記波長の
長い光を通過させ前記レーザ光と前記波長の長い光との
強度を平均化するロションプリズムと、該ロションプリ
ズムから出射する前記レーザ光及び前記波長の長い光を
通過させて前記試料に照射するとともに、前記レーザ光
と前記波長の長い光との和周波光を除去するＧａＡｓ単
結晶フィルタとを有することを特徴とする和周波測定装
置が得られる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１に本発明の一実施例を説明する。本実施例の
和周波測定装置は、ＹＡＧレーザ１１、偏光回転子１
２、一対のＬｉＮｂＯ3 結晶１３、ロションプリズム１
４、ＧａＡｓ単結晶フィルタ１５、レンズ１６、モノク
ロメータ１７、光電子増倍管１８、及び遮光物１９を有
している。
する。図１に本発明の一実施例を説明する。本実施例の
和周波測定装置は、ＹＡＧレーザ１１、偏光回転子１
２、一対のＬｉＮｂＯ3 結晶１３、ロションプリズム１
４、ＧａＡｓ単結晶フィルタ１５、レンズ１６、モノク
ロメータ１７、光電子増倍管１８、及び遮光物１９を有
している。
【００１９】ＹＡＧレーザ１１は波長１０６４nmのパル
ス光を発生する。ＹＡＧレーザ１１から出射されたパル
ス光は偏光回転子１２へ入射する。偏光回転子１２は入
射した波長１０６４nmのパルス光を直線偏光させる。直
線偏光された波長１０６４nmの光は、一対のＬｉＮｂＯ
3 結晶１３へ入射する。
ス光を発生する。ＹＡＧレーザ１１から出射されたパル
ス光は偏光回転子１２へ入射する。偏光回転子１２は入
射した波長１０６４nmのパルス光を直線偏光させる。直
線偏光された波長１０６４nmの光は、一対のＬｉＮｂＯ
3 結晶１３へ入射する。
【００２０】一対のＬｉＮｂＯ3 結晶１３は、パラメト
リック発振・増幅を行い、入射した波長１０６４nmのパ
ルス光の一部をより波長の長い赤外光に変換する。な
お、これら一対のＬｉＮｂＯ3 結晶１３を図の矢印のよ
うに光路に対して互いに逆方向に傾けると、光路を変え
ること無く変換される光の波長を変更することができ
る。この一対のＬｉＮｂＯ3 結晶１３から出射した赤外
光及び変換されなかった波長１０６４nmの光は、ロショ
ンプリズム１４に入射する。
リック発振・増幅を行い、入射した波長１０６４nmのパ
ルス光の一部をより波長の長い赤外光に変換する。な
お、これら一対のＬｉＮｂＯ3 結晶１３を図の矢印のよ
うに光路に対して互いに逆方向に傾けると、光路を変え
ること無く変換される光の波長を変更することができ
る。この一対のＬｉＮｂＯ3 結晶１３から出射した赤外
光及び変換されなかった波長１０６４nmの光は、ロショ
ンプリズム１４に入射する。
【００２１】ロションプリズム１４は、ＭｇＦ2 製で、
同じくさび角を持つ二片の複屈折結晶くさびをはり合わ
せ、それらの光学軸が直交するようにした偏光プリズム
である。このロションプリズム１４は、ＬｉＮｂＯ3 結
晶１３から出射された赤外光のほとんどをそのまま直進
通過させる。また、波長１０６４nmの光のほとんどの部
分の進行方向を変え、一部を直進通過させる。これによ
って、ほぼ同じ強度を有する赤外光と波長１０６４nmの
光を同一光軸上に得ることができる。なお、進行方向を
変えられた波長１０６４nmの直線偏光したパルス光は、
遮光板１９によって遮られる。
同じくさび角を持つ二片の複屈折結晶くさびをはり合わ
せ、それらの光学軸が直交するようにした偏光プリズム
である。このロションプリズム１４は、ＬｉＮｂＯ3 結
晶１３から出射された赤外光のほとんどをそのまま直進
通過させる。また、波長１０６４nmの光のほとんどの部
分の進行方向を変え、一部を直進通過させる。これによ
って、ほぼ同じ強度を有する赤外光と波長１０６４nmの
光を同一光軸上に得ることができる。なお、進行方向を
変えられた波長１０６４nmの直線偏光したパルス光は、
遮光板１９によって遮られる。
【００２２】ロションプリズム１４によって同一光軸上
に取り出された赤外光と波長１０６４nmの直線偏光した
パルス光は、ＧａＡｓ単結晶フィルタ１５に入射する。
ＧａＡｓ単結晶フィルタ１５はロションプリズム１４か
らの光が（１００）面に垂直に入射するように配置され
ている。このＧａＡｓ単結晶フィルタ１５は、後述する
ように、分光測定に必要な光のみを透過し、その他の光
を阻止する。
に取り出された赤外光と波長１０６４nmの直線偏光した
パルス光は、ＧａＡｓ単結晶フィルタ１５に入射する。
ＧａＡｓ単結晶フィルタ１５はロションプリズム１４か
らの光が（１００）面に垂直に入射するように配置され
ている。このＧａＡｓ単結晶フィルタ１５は、後述する
ように、分光測定に必要な光のみを透過し、その他の光
を阻止する。
【００２３】ＧａＡｓ単結晶フィルタ１５を通過した光
は、レンズ１６で集光され試料２０表面に照射される。
試料２０表面では、和周波光が発生し、和周波光はモノ
クロメーター１７に入射する。モノクロメータ１７で分
光された光は光電子増倍管１８でその強度が検出され
る。
は、レンズ１６で集光され試料２０表面に照射される。
試料２０表面では、和周波光が発生し、和周波光はモノ
クロメーター１７に入射する。モノクロメータ１７で分
光された光は光電子増倍管１８でその強度が検出され
る。
【００２４】次に、図２を参照してロションプリズム１
４及びＧａＡｓ単結晶フィルタ１５の動作を詳述する。
図２では、光の進行方向をＸ軸、偏光回転子１２による
直線偏光の方向をＹ軸とする。また、ＬｉＮｂＯ3 １３
は、そのＣ軸（光学軸）が、Ｘ−Ｙ平面内に存在するよ
うに配置されているものとする。
４及びＧａＡｓ単結晶フィルタ１５の動作を詳述する。
図２では、光の進行方向をＸ軸、偏光回転子１２による
直線偏光の方向をＹ軸とする。また、ＬｉＮｂＯ3 １３
は、そのＣ軸（光学軸）が、Ｘ−Ｙ平面内に存在するよ
うに配置されているものとする。
【００２５】図２（ａ）に示すように、直線偏光した波
長１０６４nmの光ω1 は、ＬｉＮｂＯ3 １３内で、より
波長の長い２つの光、シグナル光ω2 及びアイドラー光
ω3に変換され、変換されなかった光ω1 の残りと共
に、ロションプリズム１４へ入射する。このときＬｉＮ
ｂＯ3 １３から出射されるシグナル光ω2 及びアイドラ
ー光ω3 は、Ｚ軸方向に直線偏光している。
長１０６４nmの光ω1 は、ＬｉＮｂＯ3 １３内で、より
波長の長い２つの光、シグナル光ω2 及びアイドラー光
ω3に変換され、変換されなかった光ω1 の残りと共
に、ロションプリズム１４へ入射する。このときＬｉＮ
ｂＯ3 １３から出射されるシグナル光ω2 及びアイドラ
ー光ω3 は、Ｚ軸方向に直線偏光している。
【００２６】ロションプリズム１４の入射側の複屈折結
晶くさびのＣ軸がＸ軸に平行、出射側の複屈折結晶くさ
びのＣ軸がＹ軸に平行だと仮定すると（２つの複屈折結
晶くさびのＣ軸がともに、シグナル光ω2 及びアイドラ
ー光ω3 の偏光方向に垂直とすると）、シグナル光ω2
及びアイドラー光ω3 は、ロションプリズム１４内を直
進する。一方、波長１０６４nmの光ω1 は、ロションプ
リズム１４内で屈折し、シグナル光ω2 及びアイドラー
光ω3 が出射する方向とは異なる方向へ出射する。ここ
で、ロションプリズム１４を光路を軸にして回転させる
と、直進する光の割合が変化する。例えば、ロションプ
リズム１４を約６°回転させると、波長１０６４nmの光
ω1 は、強度にして１％がロションプリズム１４内をＸ
軸方向へ直進する。逆に、シグナル光ω2 及びアイドラ
ー光ω3 は、強度にして１％がロションプリズム１４内
で屈折する（図２（ｂ）参照）。換言すれば、シグナル
光ω2 及びアイドラー光ω3 は強度にして９９％がロシ
ョンプリズム１４内をＸ軸方向へ直進する。これによっ
て、赤外光（シグナル光ω2 及びアイドラー光ω3）よ
りも強度が２桁も大きかった同一光軸上の波長１０６４
nmの光ω1 の強度を、赤外光と同程度にすることができ
る。
晶くさびのＣ軸がＸ軸に平行、出射側の複屈折結晶くさ
びのＣ軸がＹ軸に平行だと仮定すると（２つの複屈折結
晶くさびのＣ軸がともに、シグナル光ω2 及びアイドラ
ー光ω3 の偏光方向に垂直とすると）、シグナル光ω2
及びアイドラー光ω3 は、ロションプリズム１４内を直
進する。一方、波長１０６４nmの光ω1 は、ロションプ
リズム１４内で屈折し、シグナル光ω2 及びアイドラー
光ω3 が出射する方向とは異なる方向へ出射する。ここ
で、ロションプリズム１４を光路を軸にして回転させる
と、直進する光の割合が変化する。例えば、ロションプ
リズム１４を約６°回転させると、波長１０６４nmの光
ω1 は、強度にして１％がロションプリズム１４内をＸ
軸方向へ直進する。逆に、シグナル光ω2 及びアイドラ
ー光ω3 は、強度にして１％がロションプリズム１４内
で屈折する（図２（ｂ）参照）。換言すれば、シグナル
光ω2 及びアイドラー光ω3 は強度にして９９％がロシ
ョンプリズム１４内をＸ軸方向へ直進する。これによっ
て、赤外光（シグナル光ω2 及びアイドラー光ω3）よ
りも強度が２桁も大きかった同一光軸上の波長１０６４
nmの光ω1 の強度を、赤外光と同程度にすることができ
る。
【００２７】図２（ｂ）を参照すると、ＧａＡｓ結晶フ
ィルター１５には、波長１０６４nmの光ω1 、シグナル
光ω2 、及びアイドラー光ω3 が入射されている。とこ
ろが、実際にＧａＡｓ結晶フィルター１５に入射する光
の中には、波長１０６４nmの光ω1 の２倍波光、波長１
０６４nmの光ω1 とシグナル光ω2 との和周波光、及び
波長１０６４nmの光ω1 とアイドラー光ω3 との和周波
光等が含まれている。和周波測定を行う場合、普通、波
長２５００nm〜３８５０nmの範囲で波長可変なアイドラ
ー光ω3 を使用する。このアイドラー光ω3 と波長１０
６４nmの光ω1との和周波は、７４６nm〜８３３nmの範
囲で変化することになる。ここで、ＧａＡｓ結晶フィル
ター１５の（１００）面に対してロションプリズム１４
からの光が垂直に入射するように図２（ｂ）直交座標と
ＧａＡｓ結晶フィルター１５の結晶軸を一致させると、
ＧａＡｓ結晶フィルター１５は、波長１０６４nmの光ω
1及び波長２５００nm〜３８５０nmのアイドラー光ω3
を透過させ、和周波７４６nm〜８３３nmの光は阻止する
フィルターとして働く。また、ＧａＡｓの物性（２次の
非線形感受率）によって、ＧａＡｓ結晶フィルター１５
の内部では、Ｙ−Ｚ平面を偏光面とする波長１０６４nm
の光ω1 とアイドラー光ω3 との和周波の発生はない。
ィルター１５には、波長１０６４nmの光ω1 、シグナル
光ω2 、及びアイドラー光ω3 が入射されている。とこ
ろが、実際にＧａＡｓ結晶フィルター１５に入射する光
の中には、波長１０６４nmの光ω1 の２倍波光、波長１
０６４nmの光ω1 とシグナル光ω2 との和周波光、及び
波長１０６４nmの光ω1 とアイドラー光ω3 との和周波
光等が含まれている。和周波測定を行う場合、普通、波
長２５００nm〜３８５０nmの範囲で波長可変なアイドラ
ー光ω3 を使用する。このアイドラー光ω3 と波長１０
６４nmの光ω1との和周波は、７４６nm〜８３３nmの範
囲で変化することになる。ここで、ＧａＡｓ結晶フィル
ター１５の（１００）面に対してロションプリズム１４
からの光が垂直に入射するように図２（ｂ）直交座標と
ＧａＡｓ結晶フィルター１５の結晶軸を一致させると、
ＧａＡｓ結晶フィルター１５は、波長１０６４nmの光ω
1及び波長２５００nm〜３８５０nmのアイドラー光ω3
を透過させ、和周波７４６nm〜８３３nmの光は阻止する
フィルターとして働く。また、ＧａＡｓの物性（２次の
非線形感受率）によって、ＧａＡｓ結晶フィルター１５
の内部では、Ｙ−Ｚ平面を偏光面とする波長１０６４nm
の光ω1 とアイドラー光ω3 との和周波の発生はない。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、偏光回転子、ロッショ
ンプリズム、及びＧａＡｓ単結晶フィルターを設けて同
一光軸上にレーザ光と赤外光とが得られるようにしたこ
とで、光路長を調整するための回路が不要となり光学系
が簡素になる。また、調整そのものも楽に行えるように
なる。これは、試料が真空チェンバ内に位置する場合の
ように光学系の配置に多くの制限を受ける場合に非常に
好都合である。
ンプリズム、及びＧａＡｓ単結晶フィルターを設けて同
一光軸上にレーザ光と赤外光とが得られるようにしたこ
とで、光路長を調整するための回路が不要となり光学系
が簡素になる。また、調整そのものも楽に行えるように
なる。これは、試料が真空チェンバ内に位置する場合の
ように光学系の配置に多くの制限を受ける場合に非常に
好都合である。
【図１】本発明の一実施例の概略図である。
【図２】図１のロションプリズム及びＧａＡｓ単結晶フ
ィルターの動作を説明するための図である。
ィルターの動作を説明するための図である。
【図３】従来の和周波測定装置の概略図である。
１１ ＹＡＧレーザ １２ 偏光回転子 １３ ＬｉＮｂＯ3 結晶 １４ ロションプリズム １５ ＧａＡｓ単結晶フィルタ １６ レンズ １７ モノクロメータ １８ 光電子増倍管 １９ 遮光物 ３１ ＹＡＧレーザ ３２ ＬｉＮｂＯ3 結晶 ３３ 第１のカットフィルタ ３４ 第１の集光レンズ ３５ 可変遅延回路 ３６ 第２の集光レンズ ３７ スリット ３８ 第２のカットフィルター ３９ モノクロメーター ４０ 光電子増倍管 ４１ 光学ミラー ４２ 試料 ３０１ 波長１０６４nmの光 ３０２ 波長５３２nmの光 ３０３ 赤外光 ３０４ 和周波光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/36 Ｈ０１Ｌ 21/36
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ光を発生する光源と、前記レーザ
光の一部を該レーザー光よりも波長の長い光に変換する
波長変換手段とを備え、前記レーザ光と前記波長の長い
光とを試料に照射して和周波光を発生させ、その強度を
測定する和周波測定装置において、前記光源と前記波長
変換手段との間に配置され前記レーザ光を直線偏光させ
る偏光手段と、前記波長変換手段から出射する前記レー
ザ光及び前記波長の長い光を通過させ前記レーザ光と前
記波長の長い光との強度を平均化するロションプリズム
と、該ロションプリズムから出射する前記レーザ光及び
前記波長の長い光を通過させて前記試料に照射するとと
もに、前記レーザ光と前記波長の長い光との和周波光を
除去するＧａＡｓ単結晶フィルタとを有することを特徴
とする和周波測定装置。 - 【請求項２】 該ロションプリズムから出射する前記レ
ーザ光及び前記波長の長い光が（１００）面に垂直に入
射するように前記ＧａＡｓ単結晶フィルターを配置した
ことを特徴とする請求項１の和周波測定装置。 - 【請求項３】 前記光源が波長１０６４nmのレーザ光を
発生するＹＡＧレーザであり、前記波長変換手段が一対
のＬｉＮｂＯ3 結晶であることを特徴とする請求項１又
は２の和周波測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21124993A JP2666038B2 (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | 和周波測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21124993A JP2666038B2 (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | 和周波測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766257A JPH0766257A (ja) | 1995-03-10 |
| JP2666038B2 true JP2666038B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=16602778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21124993A Expired - Lifetime JP2666038B2 (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | 和周波測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666038B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043788A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Ulvac Japan Ltd | レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法 |
| JP2009229386A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 和周波発生分光装置及びその分光方法 |
| CN104990872B (zh) * | 2015-06-22 | 2017-11-28 | 清华大学 | 润滑界面和频信号的测量装置 |
| CN109813670B (zh) * | 2017-11-20 | 2020-11-10 | 中国科学院物理研究所 | 中红外光的全谱测量方法和相应的装置 |
-
1993
- 1993-08-26 JP JP21124993A patent/JP2666038B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766257A (ja) | 1995-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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