JP2665800B2 - 培地用組成物 - Google Patents
培地用組成物Info
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- JP2665800B2 JP2665800B2 JP14581389A JP14581389A JP2665800B2 JP 2665800 B2 JP2665800 B2 JP 2665800B2 JP 14581389 A JP14581389 A JP 14581389A JP 14581389 A JP14581389 A JP 14581389A JP 2665800 B2 JP2665800 B2 JP 2665800B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は高温において安定な改良された培地用組成物
に関する。更に詳しく述べると好熱菌を培養するに良好
なゲル培地用組成物に関するものである。
に関する。更に詳しく述べると好熱菌を培養するに良好
なゲル培地用組成物に関するものである。
（従来の技術とその問題点） 従来、菌体の培養に用いられるゲル培地として寒天ゲ
ル培地が用いられていた。例えば実験生物学講座８巻、
58ページにおいて寒天ゲル培地のことが詳しく説明され
ている。この寒天ゲルは10℃から30℃の温度範囲におい
て良好なゲル状態を示すので、常温付近で培養するよう
な一般菌体には適した培地である。寒天以外のゲル培地
用材料としては天然高分子化合物、例えばコンニャク
粉,k−カラギーナン，ローカストビーンガム，ゼラチ
ン，アルブミン，コラーゲン又は合成高分子化合物、例
えばポリアクリルアミド，ポリヒドロキシアクメタクリ
ラート，エチレン−マレイン酸共重合体,PVAなどをあげ
ることができる。近年、食品の衛生管理、病原菌の研究
等の分野において好熱菌の培養が必要になり、好熱菌の
培養に適した高温でも安定な改良された培地組成物が求
められている。
ル培地が用いられていた。例えば実験生物学講座８巻、
58ページにおいて寒天ゲル培地のことが詳しく説明され
ている。この寒天ゲルは10℃から30℃の温度範囲におい
て良好なゲル状態を示すので、常温付近で培養するよう
な一般菌体には適した培地である。寒天以外のゲル培地
用材料としては天然高分子化合物、例えばコンニャク
粉,k−カラギーナン，ローカストビーンガム，ゼラチ
ン，アルブミン，コラーゲン又は合成高分子化合物、例
えばポリアクリルアミド，ポリヒドロキシアクメタクリ
ラート，エチレン−マレイン酸共重合体,PVAなどをあげ
ることができる。近年、食品の衛生管理、病原菌の研究
等の分野において好熱菌の培養が必要になり、好熱菌の
培養に適した高温でも安定な改良された培地組成物が求
められている。
好熱菌は、例えばゼムスゼモフィラス（Themusthemop
hilus）のように通常55℃以上で生育するような菌のこ
とを言うのであるが、これらの好熱菌は、例えばバシラ
ス（Bacillus），クロストリディウム（Clostridiu
m），ラクトジシラス（Lactobacillus），ストレプトマ
イセス（Streptomyces），ストレプトコッカス（Strept
ococcus）等の各属に属するものが広く発見されてい
る。これらの好熱菌を培養する培地用組成物には次のよ
うな条件が求められている。
hilus）のように通常55℃以上で生育するような菌のこ
とを言うのであるが、これらの好熱菌は、例えばバシラ
ス（Bacillus），クロストリディウム（Clostridiu
m），ラクトジシラス（Lactobacillus），ストレプトマ
イセス（Streptomyces），ストレプトコッカス（Strept
ococcus）等の各属に属するものが広く発見されてい
る。これらの好熱菌を培養する培地用組成物には次のよ
うな条件が求められている。
培地用組成物はゲル化した後は好熱菌の培養温度範囲
において培地用組成物が安定したゲル状態を維持しなけ
ればならない。しかしながら、前述の寒天培地は好熱菌
の培養温度においてゲルの状態が不安定になったり、ゲ
ルの破壊に至ることがあるので、例えば80℃以上のよう
な、特に高い培養温度を必要とする好熱菌の培養には適
していないし又、特開昭62−119136号に示されるカルボ
キシアルキルセルロースと多価金属塩によって作られる
培地用ゲル組成物では高温でも安定なゲル状態を形成
し、好熱菌用ゲル培地として適しているもののゲル化に
金属塩を用いるため、金属が菌の生育に影響を及ぼす可
能性があり好ましくない。
において培地用組成物が安定したゲル状態を維持しなけ
ればならない。しかしながら、前述の寒天培地は好熱菌
の培養温度においてゲルの状態が不安定になったり、ゲ
ルの破壊に至ることがあるので、例えば80℃以上のよう
な、特に高い培養温度を必要とする好熱菌の培養には適
していないし又、特開昭62−119136号に示されるカルボ
キシアルキルセルロースと多価金属塩によって作られる
培地用ゲル組成物では高温でも安定なゲル状態を形成
し、好熱菌用ゲル培地として適しているもののゲル化に
金属塩を用いるため、金属が菌の生育に影響を及ぼす可
能性があり好ましくない。
（課題を解決するための手段） 本発明は、高温においても安定なゲルを形成し、しか
も菌体の生育を阻害するような物質を含まない培地用組
成物を鋭意検討した結果、本発明に達した。すなわち、
本発明者はカードランが好熱菌の培地用ゲル剤として有
効であることを見い出し該カードランを用いる培地用組
成物を提供することにより上記の課題を解決した。以
下、本発明の培地用組成物について具体的に説明する。
も菌体の生育を阻害するような物質を含まない培地用組
成物を鋭意検討した結果、本発明に達した。すなわち、
本発明者はカードランが好熱菌の培地用ゲル剤として有
効であることを見い出し該カードランを用いる培地用組
成物を提供することにより上記の課題を解決した。以
下、本発明の培地用組成物について具体的に説明する。
本発明に用いられる好熱菌の培地用組成物はカードラ
ンと他の培地材との混合物からなるゲル基材と菌体要求
物質と水から構成されたものである。該培地は該ゲル基
材と該菌体要求物質とが水に溶解又は混濁状態になった
液を例えば滅菌等を考慮して100℃以上に加熱させた
後、冷却して得ることが出来る。混濁液中のゲル基材の
割合は生成するゲルの硬さによって異なるが0.05〜20重
量％が好ましい。菌体要求物質は菌体の種類によって異
なるが、例えばアミノ酸類，該酸類，ビタミン類，無機
塩類，糖類，その他培養する菌体に必要な物質をあげる
ことが出来る。菌体の種類によって該要求物質の必要量
も異なる。
ンと他の培地材との混合物からなるゲル基材と菌体要求
物質と水から構成されたものである。該培地は該ゲル基
材と該菌体要求物質とが水に溶解又は混濁状態になった
液を例えば滅菌等を考慮して100℃以上に加熱させた
後、冷却して得ることが出来る。混濁液中のゲル基材の
割合は生成するゲルの硬さによって異なるが0.05〜20重
量％が好ましい。菌体要求物質は菌体の種類によって異
なるが、例えばアミノ酸類，該酸類，ビタミン類，無機
塩類，糖類，その他培養する菌体に必要な物質をあげる
ことが出来る。菌体の種類によって該要求物質の必要量
も異なる。
カードランはβ−1,3グリコシド結合だけからなる天
然多糖のグルカンで、例えばアルカリゲネス（Alcalige
nes）の自然変種の培養液やアグロバクター（Agrobacte
r）の変種の培養液から得ることが出来る（理化学辞典
第４版 P243）。ゲル基材として寒天を用いた場合寒
天ゲルは80℃の湯浴中に保つと僅か数分で流動状態を呈
したがカードラン単独の場合カードランゲルは同条件下
では流動状態を呈せず長時間原形を保持することが出来
た。又カードラン・寒天混合ゲルの場合カードランの割
合が10％以上であれば80℃の湯浴中で安定な状態を保持
していることを見い出した。又カードラン又はカードラ
ン・寒天混合物をゲル基材とする培地を用いて菌体の生
産を観察したが寒天培地と比較しても生育状態に差異が
認められなかった。
然多糖のグルカンで、例えばアルカリゲネス（Alcalige
nes）の自然変種の培養液やアグロバクター（Agrobacte
r）の変種の培養液から得ることが出来る（理化学辞典
第４版 P243）。ゲル基材として寒天を用いた場合寒
天ゲルは80℃の湯浴中に保つと僅か数分で流動状態を呈
したがカードラン単独の場合カードランゲルは同条件下
では流動状態を呈せず長時間原形を保持することが出来
た。又カードラン・寒天混合ゲルの場合カードランの割
合が10％以上であれば80℃の湯浴中で安定な状態を保持
していることを見い出した。又カードラン又はカードラ
ン・寒天混合物をゲル基材とする培地を用いて菌体の生
産を観察したが寒天培地と比較しても生育状態に差異が
認められなかった。
（発明の効果） 本発明によって提供された培地用組成物から作成され
たゲルは湯浴中でも通常使用されている寒天培地に比べ
流動性・崩壊性等の高圧安定性が高く、80℃以上の湯浴
中に保持してもゲル状態は変化しない。本発明の培地用
組成物に菌体を植え付けると培養させることがてきるの
で通常の培地として使用できる。さらに高い温度範囲で
培養する必要のあるような好熱菌用の培地として特に適
している。
たゲルは湯浴中でも通常使用されている寒天培地に比べ
流動性・崩壊性等の高圧安定性が高く、80℃以上の湯浴
中に保持してもゲル状態は変化しない。本発明の培地用
組成物に菌体を植え付けると培養させることがてきるの
で通常の培地として使用できる。さらに高い温度範囲で
培養する必要のあるような好熱菌用の培地として特に適
している。
以下に本発明の実施例を説明する。但し、％の記号は
重量％を示す。
重量％を示す。
（実施例） カードラン（和光純薬・生化学用）と寒天（和光純薬
・細菌培地用）を下表の割合で混合した。この混合物に
菌体要求物質を適量加え、精製水中に混濁する。この混
濁液をガラス棒で撹はんしながら加熱・冷却するとゲル
を得る。このゲル組成物の成分はカードラン及びカード
ランと寒天の混合物が３％、グルコース0.95％、硫安が
0.05％である。これらのゲルの高温安定性を評価するた
めにゲルの上に2gの金属球を乗せ80℃の湯浴中に入れた
後、ゲルが流動あるいは崩壊して金属球が落下するまで
の時間を測定した。その結果を下表に示す。カードラン
と寒天の混合物ではカードラン単独の場合より安定性は
劣るが、その混合比率が10重量％以上ではゲル培地とし
て十分な安定性を持つ。このゲル状組成物に大腸菌（Es
cherichia coli）を接種して観察すると良好に培養する
ことが出来た。
・細菌培地用）を下表の割合で混合した。この混合物に
菌体要求物質を適量加え、精製水中に混濁する。この混
濁液をガラス棒で撹はんしながら加熱・冷却するとゲル
を得る。このゲル組成物の成分はカードラン及びカード
ランと寒天の混合物が３％、グルコース0.95％、硫安が
0.05％である。これらのゲルの高温安定性を評価するた
めにゲルの上に2gの金属球を乗せ80℃の湯浴中に入れた
後、ゲルが流動あるいは崩壊して金属球が落下するまで
の時間を測定した。その結果を下表に示す。カードラン
と寒天の混合物ではカードラン単独の場合より安定性は
劣るが、その混合比率が10重量％以上ではゲル培地とし
て十分な安定性を持つ。このゲル状組成物に大腸菌（Es
cherichia coli）を接種して観察すると良好に培養する
ことが出来た。
Claims (2)
- 【請求項１】好熱菌用ゲル培地において培地剤として少
なくともカードランを含有することを特徴とする培地用
組成物。 - 【請求項２】培地剤中のカードランが10重量％以上であ
る特許請求の範囲第１項記載の培地用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14581389A JP2665800B2 (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 培地用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14581389A JP2665800B2 (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 培地用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0310680A JPH0310680A (ja) | 1991-01-18 |
| JP2665800B2 true JP2665800B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=15393736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14581389A Expired - Lifetime JP2665800B2 (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 培地用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665800B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130277020A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-24 | Aaf-Mcquay Inc. | Heat exchanger |
| CN113913362B (zh) * | 2021-10-18 | 2023-11-17 | 大连工业大学 | 一种提高花青素含量的花楸干细胞、培养基及培养方法 |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14581389A patent/JP2665800B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0310680A (ja) | 1991-01-18 |
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