JP2663645B2 - マイクロ波帯のセラミック複合モジュール - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミック基板に抵抗及びコンデンサ，インダクタを
一体化したセラミックモジュールに、半導体チップを実
装するマイクロ波帯のセラミック複合モジュールに関
し、 マイクロ波帯で使用する際も、半導体チップを封止す
る際の損失が小さくて済むセラミックの複合モジュール
を目的とし、 セラミックモジュールに、半導体チップを、該モジュ
ールの内部に設けたチップ取付けスペースに実装し、該
セラミック基板の一部をメタライズした部分又は金属板
に鑞付した封止板で封止を行うように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はセラミック基板に抵抗及びコンデンサ，イン
ダクタを一体化し構成したモジュール上に半導体チップ
を実装したマイクロ波帯で使用されるセラミック複合モ
ジュールに関する。

〔従来の技術〕

従来のマイクロ波帯のセラミック複合モジュールは、
第２図の構造図の（ａ）に示す如き、セラミック基板20
に抵抗１及びコンデンサ2,インダクタ３を一体化し構成
したセラミックモジュール６上で、第２図（ｂ）（ｃ）
に示す如く、半導体チップ４を伝送線路A5と伝送線路B
5′に封止する封止領域７を点線の如く決め、第２図
（ｄ）（ｅ）に示す如く、封止領域７を囲むセラミック
キャップ８を，基板20とのボンディング用の樹脂９によ
り樹脂封止を行っているので、完全な気密封止とは言え
ず、信頼性の高い気密封止が得られない。又上記の如
く、半導体チップ４の封止を樹脂封止で行っているの
で、マイクロ波帯で使用する際は該樹脂による損失が大
きいという問題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、マイクロ波帯で使用する際も、半導体チッ
プを封止する際の損失が小さくて済むセラミックの複合
モジュールを提供する事を課題とする。

〔課題を解決するための手段〕

この課題は、第１図の如く、セラミック基板20に抵抗
１及びコンデンサ2,インダクタ３を一体化し構成したセ
ラミックモジュール６において、半導体チップ４を、セ
ラミックモジュール６上ではなくて，セラミックモジュ
ール６の内部に設けたチップ取付けスペース11に実装
し、セラミック基板20の一部をメタライズした部分又は
金属板21に鑞付した封止板10で封止を行うようにした本
発明によって解決される。

本発明のマイクロ波帯のセラミック複合モジュールの
基本構成を示す第１図の原理図において、１は、セラミ
ック基板20に設けられモジュール６を構成する抵抗であ
る。

２は、抵抗１と共に一体化してセラミック基板20に設
けられモジュール６を構成するコンデンサである。

３は、抵抗1,コンデンサ２と共に一体化してセラミッ
ク基板20に設けられモジュール６を構成するインダクタ
である。

４は、モジュール６上ではなくて，セラミックのモジ
ュール６の内部に設けたチップ取付けスペース11に実装
される半導体チップである。

5,5′は、半導体チップ４を封止する伝送線路Ａと伝
送線路Ｂである。

６は、セラミック基板20に抵抗１及びコンデンサ2,イ
ンダクタ３を一体化して構成したセラミックモジュール
である。

10は、半導体チップ４を、セラミック基板20の一部を
メタライズした部分又は金属板21に鑞付して封止する封
止板である。

11は、セラミック基板20の内部の半導体チップ４を取
付ける為のチップ取付けスペースである。

そしてセラミック基板20の内部のチップ取付けスペー
ス11に半導体チップ４を実装し、封止板10で封止するよ
うに構成する。

〔作用〕

半導体チップ４は、セラミック基板20に抵抗１及びコ
ンデンサ2,インダクタ３を一体化して構成したセラミッ
クのモジュール６の内部に設けたチップ取付けスペース
11に実装され、セラミック基板20の一部をメタライズし
た部分又は金属板21に封止板10を鑞付して封止する。そ
して半導体チップ４をチップ取付けスペース11内の伝送
線路A5と伝送線路B5′に鑞付する。

従って本発明のマイクロ波帯のセラミック複合モジュ
ールは、半導体チップ４を伝送線路A5と伝送線路B5′に
接続するのに、従来のボンディングで接着する為の樹脂
９を使用せず、モジュール６の内部に設けたチップ取付
けスペース11に実装し、該スペース11内の伝送線路A5と
伝送線路B5′に鑞付するので、マイクロ波帯で使用する
際、従来のボンディング用の樹脂９による損失が無くな
り損失が小さくなるので、問題は解決される。

〔実施例〕

第１図の原理図はそのまま、本発明の実施例のマイク
ロ波帯のセラミック複合モジュールの構成を示す。セラ
ミック基板20に抵抗１及びコンデンサ2,インダクタ３を
一体化構成したセラミックモジュール６の内部に半導体
チップ４を実装する為のチップ取付けスペース11を設
け、半導体チップ４を実装する。そして伝送線路A5と伝
送線路B5′に必要な配線を終了した後、セラミック基板
20の一部をメタライズした部分又は金属板21に封止板10
を鑞付けして該チップ取付けスペース11を封止する。こ
の封止により、非常に信頼性の高い気密封止ができる。
また、本発明のセラミック複合モジュールは、従来のよ
うに樹脂を使用しないので、マイクロ波帯で使用する際
も損失が小さくなって問題は無い。

〔発明の効果〕

以上説明した如く、本発明によれば、高い信頼性の気
密封止が可能なマイクロ波帯のセラミック複合モジュー
ルを提供できる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のマイクロ波帯のセラミック複合モジュ
ールの基本構成を示す原理図、 第２図は従来のマイクロ波帯のセラミック複合モジュー
ルの構造図である。図において、 １は抵抗、２はコンデンサ、３はインダクタ、４は半導
体チップ、5,5′は伝送線路、６はセラミックモジュー
ル、10は封止板、11はチップ取付けスペース、20はセラ
ミック基板である。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】セラミック基板（20）に抵抗（１）及びコ
   ンデンサ（２），インダクタ（３）を一体化したセラミ
   ックモジュール（６）において、半導体チップ（４）
   を、該セラミックモジュール（６）の内部に設けたチッ
   プ取付けスペース（11）に実装し、該セラミック基板
   （20）の一部をメタライズした部分又は金属板（21）に
   鑞付した封止板（10）で封止を行うようにしたことを特
   徴とするマイクロ波帯のセラミック複合モジュール。