JPH0382149A - マイクロ波帯のセラミック複合モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミック基板に抵抗及びコンデンサ、インダクタを一
体化したセラミックモジュールに、半導体チップを実装
するマイクロ波帯のセラくツタ複合モジュールに関し、 マイクロ波帯で使用する際も、半導体チップを封止する
際の損失が小さくて済むセラミックの複合モジュールを
目的とし、 セラミックモジュールに、半導体チップを、該モジュー
ルの内部に設けたチップ取付はスペースに実装し、該セ
ラミック基板の一部をメタライズした部分又は金属板に
鑞付した封止板で封止を行うように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はセラごツタ基板に抵抗及びコンデンサ。

インダクタを一体化し構成したモジュール上に半導体チ
ップを実装したマイクロ波帯で使用されるセラミック複
合モジュールに関する。

〔従来の技術〕

従来のマイクロ波帯のセラミック複合モジュールは、第
２図の構造図の（ａ）に示す如き、セラＧ　７り基板２
０に抵抗１及びコンデンサ２．インダクタ３を一体化し
構成したセラ５７クモジユール６上で、第２図〜）（Ｃ
）に示す如く、半導体チップ４を伝送線路Ａ５と伝送線
路８５’に封止する封止領域７を点線の如く決め、第２
図（ｄ）（ｅ）に示す如く、封止領域７を囲むセラミッ
クキャップ８を、基板２０とのポンディング用の樹脂９
により樹脂封止を行っているので、完全な気密封止とは
言えず、信頼性の高い気密封止が得られない。又上記の
如く、半導体チップ４の封止を樹脂封止で行っているの
で、マイクロ波帯で使用する際は該樹脂による損失が大
きいという問題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、マイクロ波帯で使用する際も、半導体チップ
を封止する際の損失が小さくて済むセラミックの複合モ
ジュールを提供する事を課題とする。

〔課題を解決するための手段〕

この課題は、第１図の如く、セラミック基板２０に抵抗
ｌ及びコンデンサ２．インダクタ３を一体化し構成した
セラミックモジュール６において、半導体チップ４を、
セラミックモジュール６上ではなくて、セラミックモジ
ュール６の内部に設けたチップ取付はスペース１１に実
装し、セラごツタ基板２０の一部をメタライズした部分
又は金属板２１に鑞付した封止板１０で封止を行うよう
にした本発明によって解決される。

本発明のマイクロ波帯のセラミック複合モジュールの基
本構成を示す第１図の原理図において、ｌは、セラミッ
ク基板２０に設けられモジュール６を構成する抵抗であ
る。

２は、抵抗１と共に一体化してセラミック基板２０に設
けられモジュール６を構成するコンデンサである。

３は、抵抗１．コンデンサ２と共に一体化してセラミッ
ク基板２０に設けられモジュール６を構成するインダク
タである。

４は、モジュール６上ではなくて、セラくツクのモジュ
ール６の内部に設けたチップ取付はスペース１１に実装
される半導体チップである。

５．５′は、半導体チップ４を封止する伝送線路角と伝
送線路Ｂである。

６は、セラミック基板２０に抵抗■及びコンデンサ２、
インダクタ３を一体化して構成したセラミックモジュー
ルである。

１０は、半導体チップ４を、セラミック基板２ｏの一部
をメタライズした部分又は金属板２１に鑞付して封止す
る封止板である。

１１は、セラミック基板２０の内部の半導体チップ４を
取付ける為のチップ取付はスペースである。

そしてセラミック基板２０の内部のチップ取付はスペー
ス１１に半導体チップ４を実装し、封止板１゜で封止す
るように構成する。

〔作用〕

半導体チップ４は、セラミック基板２ｏに抵抗１及びコ
ンデンサ２．インダクタ３を一体化して構成したセラミ
ックのモジュール６の内部に設けたチップ取付はスペー
ス１１に実装され、セラくツク基板２０の一部をメタラ
イズした部分又は金属板２１に封止板ＩＯを鑞付して封
止する。そして半導体チップ４をチップ取付はスペース
１１内の伝送線路Ａ５と伝送線路Ｂ５’に鑞付する。

従って本発明のマイクロ波帯のセラごツク複合モジュー
ルは、半導体チップ４を伝送線路Ａ５と伝送線路Ｂ５’
に接続するのに、従来のボンディングで接着する為の樹
脂９を使用せず、モジュール６の内部に設けたチップ取
付はスペース１１に実装し、該スペース１１内の伝送線
路Ａ５と伝送線路Ｂ５’に鑞付するので、マイクロ波帯
で使用する際、従来のボンディング用の樹脂９による損
失が無くなり損失が小さくなるので、問題は解決される
。

〔実施例〕

第１図の原理図はそのまま、本発明の実施例のマイクロ
波帯のセラ５ツタ複合モジュールの構成を示す。セラミ
ック基板２ｏに抵抗１及びコンデンサ２．インダクタ３
を一体化構成したセラごツクモジュール６の内部に半導
体チップ４を実装する為のチップ取付はスペース１１を
設け、半導体チップ４を実装する。そして伝送線路Ａ５
と伝送線路８５′に必要な配線を終了した後、セラミッ
ク基板２０の一部をメタライズした部分又は金属板２１
に封止板１０を鑞付けして該チップ取付はスペース１１
を封止する。この封止により、非常に信頼性の高い気密
封止ができる。また、本発明のセラミック複合モジュー
ルは、従来のように樹脂を使用しないので、マイクロ波
帯で使用する際も損失が小さくなって問題は無い。

［発明の効果〕 以上説明した如く、本発明によれば、高い信頼性の気密
封止が可能なマイクロ波帯のセラＱ７り複合モジュール
を提供できる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のマイクロ波帯のセラミック複合モジュ
ールの基本構成を示す原理図、第２図は従来のマイクロ
波帯のセラミック複合モジュールの構造図である。　図
において、１は抵抗、２はコンデンサ、３はインダクタ
、４は半導体チップ、５，５′は伝送線路、６はセラミ
ックモジュール、１０は封止板、１１はチップ取付はス
ペース、２０はセラミック基板である。 防 （α） （ｔ）） （Ｃ） （ｄ） （ｅ） 従粟のマイ７０波千のセラミ・ソフ複きｔシ；−ルの＋
４童図第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. セラミック基板（２０）に抵抗（１）及びコンデンサ（
   ２）、インダクタ（３）を一体化したセラミックモジュ
   ール（６）において、半導体チップ（４）を、該セラミ
   ックモジュール（６）の内部に設けたチップ取付けスペ
   ース（１１）に実装し、該セラミック基板（２０）の一
   部をメタライズした部分又は金属板（２１）に鑞付した
   封止板（１０）で封止を行うようにしたことを特徴とす
   るマイクロ波帯のセラミック複合モジュール。