JP2658429B2 - 光ディスク装置 - Google Patents
光ディスク装置Info
- Publication number
- JP2658429B2 JP2658429B2 JP1259019A JP25901989A JP2658429B2 JP 2658429 B2 JP2658429 B2 JP 2658429B2 JP 1259019 A JP1259019 A JP 1259019A JP 25901989 A JP25901989 A JP 25901989A JP 2658429 B2 JP2658429 B2 JP 2658429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light output
- output value
- recording
- spot
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体レーザの光を絞った光スポットを用
いて光ディスク上に情報を記録したり、あるいは記録し
た光ディスク上の情報を消去・再生する光ディスク装置
等に用いられ、特に、複数の半導体レーザを用いたマル
チヘッドの光ディスク装置に関するものである。
いて光ディスク上に情報を記録したり、あるいは記録し
た光ディスク上の情報を消去・再生する光ディスク装置
等に用いられ、特に、複数の半導体レーザを用いたマル
チヘッドの光ディスク装置に関するものである。
従来の技術 近年、光ディスク装置の転送速度を高めるため、複数
の半導体レーザによる複数の光スポットを用いて光ディ
スクのデータ転送を並列に行う方法が用いられようとし
ている。
の半導体レーザによる複数の光スポットを用いて光ディ
スクのデータ転送を並列に行う方法が用いられようとし
ている。
複数の光スポットを得る方法の具体例を第４図を用い
て説明する。ここでは複数の光スポットの一例として、
３個の場合を説明する。
て説明する。ここでは複数の光スポットの一例として、
３個の場合を説明する。
第４図において、１は半導体レーザを同じ基板上に３
個形成した発光素子である。ここでは３つの半導体レー
ザLD1,LD2,LD3は独立に発光する。光検出器２は半導体
レーザ１の後ろの光をモニタして、光出力を一定に制御
するのに用いられる。光検出器２も半導体レーザ１に対
応して、独立にPD1,PD2,PD3の３個がある。半導体レー
ザの活性層３からレーザ発振の光出力が取り出される。
光出力４は３個の半導体レーザからBM1,BM2,BM3の３つ
が取り出され、光スポットとして、ディスク転送を並列
に行うことができる。
個形成した発光素子である。ここでは３つの半導体レー
ザLD1,LD2,LD3は独立に発光する。光検出器２は半導体
レーザ１の後ろの光をモニタして、光出力を一定に制御
するのに用いられる。光検出器２も半導体レーザ１に対
応して、独立にPD1,PD2,PD3の３個がある。半導体レー
ザの活性層３からレーザ発振の光出力が取り出される。
光出力４は３個の半導体レーザからBM1,BM2,BM3の３つ
が取り出され、光スポットとして、ディスク転送を並列
に行うことができる。
上記マルチヘッドの発光素子を駆動する従来の光出力
制御回路を第５図に示す。第５図において、5,6,7は光
検出器PD1,PD2,PD3で、対応する半導体レーザ20,21,22
の光出力を受けて、光出力に応じたモニタ電流IM1,IM2,
IM3を発生する。モニタ電流は8,9,10のゲイン抵抗R1,R
2,R3と11,12,13のアンプIV1,IV2,IV3により、モニタ電
圧VM1,VM2,VM3に変換される。14,15,16はサーボアンプS
A1,SA2,SA3で、モニタ電圧VM1,VM2,VM3と基準電圧VR1,V
R2,VR3との比較を行い、制御電圧VS1,VS2,VS3を発生す
る。基準電圧VR1,VR2,VR3は半導体レーザの光出力を決
める。17,18,19は半導体レーザの電流源で、制御電圧VS
1,VS2,VS3で制御され、駆動電流IL1,IL2,IL3を流す。
制御回路を第５図に示す。第５図において、5,6,7は光
検出器PD1,PD2,PD3で、対応する半導体レーザ20,21,22
の光出力を受けて、光出力に応じたモニタ電流IM1,IM2,
IM3を発生する。モニタ電流は8,9,10のゲイン抵抗R1,R
2,R3と11,12,13のアンプIV1,IV2,IV3により、モニタ電
圧VM1,VM2,VM3に変換される。14,15,16はサーボアンプS
A1,SA2,SA3で、モニタ電圧VM1,VM2,VM3と基準電圧VR1,V
R2,VR3との比較を行い、制御電圧VS1,VS2,VS3を発生す
る。基準電圧VR1,VR2,VR3は半導体レーザの光出力を決
める。17,18,19は半導体レーザの電流源で、制御電圧VS
1,VS2,VS3で制御され、駆動電流IL1,IL2,IL3を流す。
以上のように構成された従来の光出力制御回路におい
て、１番目の半導体レーザ20（LD1）について説明す
る。
て、１番目の半導体レーザ20（LD1）について説明す
る。
半導体レーザLD1の光出力を光検出器５（PD1）がモニ
タして、光出力に応じたモニタ電流IM1を発生する。モ
ニタ電流IM1はアンプ11とゲイン抵抗８（R1）によりモ
ニタ電圧VM1に変換される。半導体レーザ20（LD1）の光
出力を設定する基準電圧VR1とモニタ電圧VM1がサーボア
ンプ14（SA1）で比較され、その差に応じた制御電圧VS1
が発生する。制御電圧VS1は、電流源17を駆動して駆動
電流IL1を流し、半導体レーザ20（LD1）の光出力を一定
に制御する。
タして、光出力に応じたモニタ電流IM1を発生する。モ
ニタ電流IM1はアンプ11とゲイン抵抗８（R1）によりモ
ニタ電圧VM1に変換される。半導体レーザ20（LD1）の光
出力を設定する基準電圧VR1とモニタ電圧VM1がサーボア
ンプ14（SA1）で比較され、その差に応じた制御電圧VS1
が発生する。制御電圧VS1は、電流源17を駆動して駆動
電流IL1を流し、半導体レーザ20（LD1）の光出力を一定
に制御する。
他の半導体レーザ21（LD2）,22（LD3）も同様に制御
される。
される。
以上のように制御される従来の光出力制御回路におい
て、以下その具体的な光出力の設定を説明する。
て、以下その具体的な光出力の設定を説明する。
まず、一般に光出力Ｐ（単位mW）と基準電圧VR（単位
Ｖ）とは、Ｐ＝Ｃ＊VRの関係になるよう定数Ｃが決めら
れている。ここではＣ＝１（mW/V）とする。つまり、基
準電圧VR＝1Vで光出力ＰはＰ＝１＊１＝１（mW）にな
る。実際には光検出器５（PD1）,6（PD2）,7（PD3）の
入射光に対するモニタ電流IM1,IM2,IM3の感度のバラツ
キのため、計算したように基準電圧VRと光出力Ｐとが一
致しない。このためゲイン抵抗８（R1）,9（R2）,10（R
3）の抵抗値を調整することでモニタ電流IM1,IM2,IM3の
感度差を吸収する。
Ｖ）とは、Ｐ＝Ｃ＊VRの関係になるよう定数Ｃが決めら
れている。ここではＣ＝１（mW/V）とする。つまり、基
準電圧VR＝1Vで光出力ＰはＰ＝１＊１＝１（mW）にな
る。実際には光検出器５（PD1）,6（PD2）,7（PD3）の
入射光に対するモニタ電流IM1,IM2,IM3の感度のバラツ
キのため、計算したように基準電圧VRと光出力Ｐとが一
致しない。このためゲイン抵抗８（R1）,9（R2）,10（R
3）の抵抗値を調整することでモニタ電流IM1,IM2,IM3の
感度差を吸収する。
３つの半導体レーザの基準電圧VR1,VR2,VR3は対応す
る光ディスクの記録感度より、所定の記録光出力になる
よう同じ値が設定される。光検出器20（PD1）,21（PD
2）,22（PD3）の感度のバラツキは、それぞれゲイン抵
抗８（R1）,9（R2）,10（R3）によって調整され吸収さ
れる。こうして光検出器20（PD1）,21（PD2）,22（PD
3）の感度バラツキに対して光出力Ｐが基準電圧VRによ
ってのみ決定される。基準電圧VR1,VR2,VR3は等しいた
め、光出力は半導体レーザ20（LD1）,21（LD2）,22（LD
3）で等しくなる。
る光ディスクの記録感度より、所定の記録光出力になる
よう同じ値が設定される。光検出器20（PD1）,21（PD
2）,22（PD3）の感度のバラツキは、それぞれゲイン抵
抗８（R1）,9（R2）,10（R3）によって調整され吸収さ
れる。こうして光検出器20（PD1）,21（PD2）,22（PD
3）の感度バラツキに対して光出力Ｐが基準電圧VRによ
ってのみ決定される。基準電圧VR1,VR2,VR3は等しいた
め、光出力は半導体レーザ20（LD1）,21（LD2）,22（LD
3）で等しくなる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の構成では、複数の光スポットに対
して同一の記録光出力を設定していた。実際には、各光
スポットの記録特性は異なっており、各光スポットがす
べて同一の記録光出力で最適な記録ができることは困難
である。つまり、各光スポットに対して最適な記録光出
力の設定になっていないという問題点を有していた。マ
ルチヘッドのスポットの数が増えるほど、この最適な記
録光出力からのバラツキが大きくなることから、マルチ
ヘッドの良品の歩留まりに直接効いてくる。
して同一の記録光出力を設定していた。実際には、各光
スポットの記録特性は異なっており、各光スポットがす
べて同一の記録光出力で最適な記録ができることは困難
である。つまり、各光スポットに対して最適な記録光出
力の設定になっていないという問題点を有していた。マ
ルチヘッドのスポットの数が増えるほど、この最適な記
録光出力からのバラツキが大きくなることから、マルチ
ヘッドの良品の歩留まりに直接効いてくる。
また、マルチヘッドで用いる半導体レーザのコストが
非常に高く、かつ、半導体レーザ自身の歩留まりも低
い。この半導体レーザを用いてマルチヘッドを構成し、
光スポットの記録特性のバラツキから、マルチヘッドの
歩留まりを上げるのは、非常にコストが高くついてしま
う。
非常に高く、かつ、半導体レーザ自身の歩留まりも低
い。この半導体レーザを用いてマルチヘッドを構成し、
光スポットの記録特性のバラツキから、マルチヘッドの
歩留まりを上げるのは、非常にコストが高くついてしま
う。
記録特性のバラツキを第６図を用いて説明する。ここ
では説明を簡単にするために光スポットの数は２個にす
る。
では説明を簡単にするために光スポットの数は２個にす
る。
第６図において、横軸は記録光出力、縦軸はビットエ
ラーレートBERである。縦軸のLIMITは許容限界BERを表
す。
ラーレートBERである。縦軸のLIMITは許容限界BERを表
す。
スポット１とスポット２の記録光出力に対するBERの
特性で、BER最良となる記録光出力をそれぞれP1,P2とす
る。実際に設定する記録光出力をPSで示す。スポット１
は記録光出力P1に設定された場合、BERのポイントが図
で点Ｂで示され、バランスが良い。許容限界BERに点A,D
でクロスし、点Ｂはほぼその中心にあるため、記録特性
のバラツキに対して最も安定である。
特性で、BER最良となる記録光出力をそれぞれP1,P2とす
る。実際に設定する記録光出力をPSで示す。スポット１
は記録光出力P1に設定された場合、BERのポイントが図
で点Ｂで示され、バランスが良い。許容限界BERに点A,D
でクロスし、点Ｂはほぼその中心にあるため、記録特性
のバラツキに対して最も安定である。
同様のことがスポット２にも言える。スポット２の記
録特性が最も安定なのは記録光出力P2に設定されたとき
である。許容限界BERに点E,Hでクロスし、点Ｇはほぼそ
の中心にあるため、記録特性のバラツキに対して最も安
定である。
録特性が最も安定なのは記録光出力P2に設定されたとき
である。許容限界BERに点E,Hでクロスし、点Ｇはほぼそ
の中心にあるため、記録特性のバラツキに対して最も安
定である。
これに対して、実際には記録光出力はPSに設定され
る。所定の記録光出力PSと光出力P1とはdP1＝PS−P1だ
け差が生じる。スポット１の点Ｂは点Ｃに移り、記録特
性の最適点からずれてしまう。同様に、スポット２に対
しても、所定の記録光出力PSと光出力P2とはdP2＝PS−P
2だけ差が生じる。スポット２の点Ｇは点Ｆに移り、記
録特性の最適点から大きくずれてしまう。点Ｆは記録光
出力が変動して下がると、許容限界の点Ｅを容易に越え
てしまう。
る。所定の記録光出力PSと光出力P1とはdP1＝PS−P1だ
け差が生じる。スポット１の点Ｂは点Ｃに移り、記録特
性の最適点からずれてしまう。同様に、スポット２に対
しても、所定の記録光出力PSと光出力P2とはdP2＝PS−P
2だけ差が生じる。スポット２の点Ｇは点Ｆに移り、記
録特性の最適点から大きくずれてしまう。点Ｆは記録光
出力が変動して下がると、許容限界の点Ｅを容易に越え
てしまう。
以上はスポットが２個の場合だが、実際にスポットの
数が増えると、それだけ各スポットの最適点からのズ
レ、バラツキが大きくなる。最悪の場合には所定の記録
光出力PSに設定した場合、許容限界BERを越えるスポッ
トが出てくることになる。このときスポットの数がＮ個
で、１個のスポットのみ不良でも、マルチヘッドとして
は使うことができず、他のＮ−１個も捨ててしまうこと
になる。
数が増えると、それだけ各スポットの最適点からのズ
レ、バラツキが大きくなる。最悪の場合には所定の記録
光出力PSに設定した場合、許容限界BERを越えるスポッ
トが出てくることになる。このときスポットの数がＮ個
で、１個のスポットのみ不良でも、マルチヘッドとして
は使うことができず、他のＮ−１個も捨ててしまうこと
になる。
本発明はかかる点に鑑み、マルチヘッドの各スポット
に対して最適な記録光出力を設定して、マルチヘッドの
歩留まりを上げると同時に、記録特性及び信頼性を改善
する光ディスク装置を提供することを目的とする。
に対して最適な記録光出力を設定して、マルチヘッドの
歩留まりを上げると同時に、記録特性及び信頼性を改善
する光ディスク装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は、Ｎ個（Ｎ≧２）の半導体レーザから光ディ
スク上にＮ個の光スポットを形成するマルチヘッドと、
前記マルチヘッドの各光スポット毎の最適な記録光出力
値を記憶する記憶手段と、記録の際にＮ個の半導体レー
ザの光出力値を前記記憶手段の記憶する最適な記録光出
力値に設定する光出力制御手段とを備えた光ディスク装
置である。
スク上にＮ個の光スポットを形成するマルチヘッドと、
前記マルチヘッドの各光スポット毎の最適な記録光出力
値を記憶する記憶手段と、記録の際にＮ個の半導体レー
ザの光出力値を前記記憶手段の記憶する最適な記録光出
力値に設定する光出力制御手段とを備えた光ディスク装
置である。
また本発明は、光ディスクの種類を検出する検出手段
と、光ディスクの種類に対応した各スポット毎の最適な
記録光出力値を記憶する記憶手段とを用い、記録の際に
Ｎ個の半導体レーザの各光出力値を前記検出手段で検出
した光ディスクの種類に対応する最適な記録光出力値に
設定するようにしたものである。
と、光ディスクの種類に対応した各スポット毎の最適な
記録光出力値を記憶する記憶手段とを用い、記録の際に
Ｎ個の半導体レーザの各光出力値を前記検出手段で検出
した光ディスクの種類に対応する最適な記録光出力値に
設定するようにしたものである。
作用 本発明は上記した構成により、所定の記録光出力値に
対して各スポット毎に所定の光出力値を補正した各光ス
ポット毎の最適な記録光出力値を記憶手段に記憶してい
る。記録の際に、記憶手段で記憶した最適な記録光出力
値を用いて光出力制御手段が各半導体レーザの光出力値
を、最適な記録光出力値に設定する。
対して各スポット毎に所定の光出力値を補正した各光ス
ポット毎の最適な記録光出力値を記憶手段に記憶してい
る。記録の際に、記憶手段で記憶した最適な記録光出力
値を用いて光出力制御手段が各半導体レーザの光出力値
を、最適な記録光出力値に設定する。
また、所定の記録光出力値が異なる光ディスクの種類
を検出手段により検出する。記憶手段が光ディスクの種
類に対応した各光スポット毎に所定の光出力値を補正し
た最適な記録光出力値を記憶している。記録の際に、各
半導体レーザの光出力値を検出手段で検出した光ディス
クの種類に対応する最適な記録光出力値になるよう光出
力制御手段を設定する。
を検出手段により検出する。記憶手段が光ディスクの種
類に対応した各光スポット毎に所定の光出力値を補正し
た最適な記録光出力値を記憶している。記録の際に、各
半導体レーザの光出力値を検出手段で検出した光ディス
クの種類に対応する最適な記録光出力値になるよう光出
力制御手段を設定する。
実施例 第１図は、記録の際にＮ個の半導体レーザの各光出力
値を最適な記録光出力値に設定する光ディスク装置の第
１の実施例である。
値を最適な記録光出力値に設定する光ディスク装置の第
１の実施例である。
先に説明した従来例の第５図では、マルチヘッドの半
導体レーザの数は３個だったが、本実施例では簡単にす
るために２個にしている。本発明と従来例との差異は、
光出力を決める基準電圧VR1,VR2の与え方にある。記憶
手段30は、マルチヘッドの各スポット毎の最適な記録光
出力値を記憶している。CPU31は記憶手段30で記憶した
最適な記録光出力値を読み出し、DA変換器32（DA1）,33
（DA2）にデータをラッチさせる。ディジタルのデータ
は、DA変換器32（DA1）,33（DA2）によりアナログの基
準電圧VR1,VR2に変換される。
導体レーザの数は３個だったが、本実施例では簡単にす
るために２個にしている。本発明と従来例との差異は、
光出力を決める基準電圧VR1,VR2の与え方にある。記憶
手段30は、マルチヘッドの各スポット毎の最適な記録光
出力値を記憶している。CPU31は記憶手段30で記憶した
最適な記録光出力値を読み出し、DA変換器32（DA1）,33
（DA2）にデータをラッチさせる。ディジタルのデータ
は、DA変換器32（DA1）,33（DA2）によりアナログの基
準電圧VR1,VR2に変換される。
本実施例の動作を第６図に用いて説明する。
第６図において、所定の記録光出力値はPSである。従
来例ではスポット1,スポット２共に記録光出力はPSに設
定されていた。本実施例では、記憶手段30にマルチヘッ
ドの各スポットの毎の（所定の光出力dP1,dP2で補正し
た）最適な記録光出力値P1,P2が記憶されている。記録
の際にはCPU31が記憶手段30から、最適な記録出力値を
読み出し、DA変換器31,32にデータを送る。実際には、
まずスポット１の最適な記録光出力値P1が読み出され、
DA変換器32にラッチされる。DA変換器32のアナログ出力
は基準電圧VR1となり、半導体レーザ20の光出力をP1の
最適値に設定する。
来例ではスポット1,スポット２共に記録光出力はPSに設
定されていた。本実施例では、記憶手段30にマルチヘッ
ドの各スポットの毎の（所定の光出力dP1,dP2で補正し
た）最適な記録光出力値P1,P2が記憶されている。記録
の際にはCPU31が記憶手段30から、最適な記録出力値を
読み出し、DA変換器31,32にデータを送る。実際には、
まずスポット１の最適な記録光出力値P1が読み出され、
DA変換器32にラッチされる。DA変換器32のアナログ出力
は基準電圧VR1となり、半導体レーザ20の光出力をP1の
最適値に設定する。
次に、スポット２の最適な記録光出力値P2が読み出さ
れ、DA変換器33にラッチされる。DA変換器33のアナログ
出力は基準電圧VR2となり、半導体レーザ21の光出力をP
2の最適値に設定する。
れ、DA変換器33にラッチされる。DA変換器33のアナログ
出力は基準電圧VR2となり、半導体レーザ21の光出力をP
2の最適値に設定する。
本実施例では、光スポットが２個の場合を説明した
が、２以上の複数の光スポットのマルチヘッドに適用で
きる。
が、２以上の複数の光スポットのマルチヘッドに適用で
きる。
以上のように本実施例によれば、Ｎ個（Ｎ≧２）の半
導体レーザから光ディスク上にＮ個の光スポットを形成
するマルチヘッドの各光スポット毎の最適な記録光出力
値を記憶する記憶手段を備え、光出力制御手段により記
録の際にＮ個の半導体レーザの各光出力値を前記記憶手
段の記憶する最適な記録光出力値に設定することによ
り、マルチヘッドの各スポットに対して最適な記録光出
力値を設定して、マルチヘッドの歩留まりを上げると同
時に、記録特性及び信頼性を向上することができる。
導体レーザから光ディスク上にＮ個の光スポットを形成
するマルチヘッドの各光スポット毎の最適な記録光出力
値を記憶する記憶手段を備え、光出力制御手段により記
録の際にＮ個の半導体レーザの各光出力値を前記記憶手
段の記憶する最適な記録光出力値に設定することによ
り、マルチヘッドの各スポットに対して最適な記録光出
力値を設定して、マルチヘッドの歩留まりを上げると同
時に、記録特性及び信頼性を向上することができる。
次に、本発明の第２の実施例を説明する。本実施例は
光ディスクの種類が異なる場合の光ディスク装置につい
てであって、ここでは、所定の記録光出力値が異なる２
種類の光ディスクに対するスポット1,スポット２の記録
特性のバラツキについて、第２図を用いて説明する。
光ディスクの種類が異なる場合の光ディスク装置につい
てであって、ここでは、所定の記録光出力値が異なる２
種類の光ディスクに対するスポット1,スポット２の記録
特性のバラツキについて、第２図を用いて説明する。
第２図において、横軸は記録光出力、縦軸はビットエ
ラーレートBERである。縦軸のLIMITは許容限界BERを示
す。記録光出力値が異なる光ディスクＡと光ディスクＢ
に対するスポット１とスポット２のBERによる記録特性
である。
ラーレートBERである。縦軸のLIMITは許容限界BERを示
す。記録光出力値が異なる光ディスクＡと光ディスクＢ
に対するスポット１とスポット２のBERによる記録特性
である。
まず、ディスクＡにおいては、所定の記録光出力値は
PASで与えられる。これに対してスポット１のBER最良と
なる記録光出力値はPA1,スポット２のBER最良となる記
録光出力値はPA2で与えられる。
PASで与えられる。これに対してスポット１のBER最良と
なる記録光出力値はPA1,スポット２のBER最良となる記
録光出力値はPA2で与えられる。
スポット１に関して所定の記録光出力値PASは最適な
記録光出力値PA1からdPA1＝PAS−PA1だけ差が生じてい
る。同様に、スポット２に関しても、所定の記録光出力
値PASは最適な記録光出力値PA2からdPA2＝PAS−PA2だけ
差が生じる。
記録光出力値PA1からdPA1＝PAS−PA1だけ差が生じてい
る。同様に、スポット２に関しても、所定の記録光出力
値PASは最適な記録光出力値PA2からdPA2＝PAS−PA2だけ
差が生じる。
次に、ディスクＢにおいては、所定の記録光出力値は
PBSで与えられる。これに対してスポット１のBER最良と
なる記録光出力値はPB1,スポット２のBER最良となる記
録光出力値はPB2で与えられる。
PBSで与えられる。これに対してスポット１のBER最良と
なる記録光出力値はPB1,スポット２のBER最良となる記
録光出力値はPB2で与えられる。
スポット１に関して所定の記録光出力値PBSは最適な
記録光出力値PB1からdPB1＝PBS−PB1だけ差が生じてい
る。同様に、スポット２に関しても、所定の記録光出力
値PBSは最適な記録光出力値PB2からdPB2＝PBS−PB2だけ
差が生じる。
記録光出力値PB1からdPB1＝PBS−PB1だけ差が生じてい
る。同様に、スポット２に関しても、所定の記録光出力
値PBSは最適な記録光出力値PB2からdPB2＝PBS−PB2だけ
差が生じる。
第２図より、ディスクの種類によってスポット毎の記
録特性は大きく異なることが分かる。これより各スポッ
ト毎の補正値dPA1,dPA2,dPB1,dPB2は大きく異なってく
る。このためディスクの種類が異なれば、ディスク毎に
各光スポットの最適は記録光出力を設定しないと、記録
特性及び信頼性が悪くなり、大きな問題となる。
録特性は大きく異なることが分かる。これより各スポッ
ト毎の補正値dPA1,dPA2,dPB1,dPB2は大きく異なってく
る。このためディスクの種類が異なれば、ディスク毎に
各光スポットの最適は記録光出力を設定しないと、記録
特性及び信頼性が悪くなり、大きな問題となる。
そこで第２の実施例では、所定の記録光出力値が異な
る光ディスクの種類を検出する検出手段と、光ディスク
の種類に応じて各光スポット毎の（所定の光出力値を補
正した）最適な記録光出力値を記憶する記憶手段とを用
い、記録の際にＮ個の半導体レーザの各光出力値を検出
手段で検出した光ディスクの種類に対応する最適な記録
光出力値に設定する。
る光ディスクの種類を検出する検出手段と、光ディスク
の種類に応じて各光スポット毎の（所定の光出力値を補
正した）最適な記録光出力値を記憶する記憶手段とを用
い、記録の際にＮ個の半導体レーザの各光出力値を検出
手段で検出した光ディスクの種類に対応する最適な記録
光出力値に設定する。
第３図は、第２の実施例のマルチヘッドの半導体レー
ザの各光出力値を最適な記録光出力値に設定する光ディ
スク装置の構成を示すブロック図である。
ザの各光出力値を最適な記録光出力値に設定する光ディ
スク装置の構成を示すブロック図である。
先に説明した第１の実施例（第１図）に追加変更した
部分について説明する。追加変更したのは、ディスク種
類を検出するディスク検出手段34と、異なるディスクの
種類に対応した各光スポット毎に最適な記録光出力値を
記憶する記憶手段35である。
部分について説明する。追加変更したのは、ディスク種
類を検出するディスク検出手段34と、異なるディスクの
種類に対応した各光スポット毎に最適な記録光出力値を
記憶する記憶手段35である。
本実施例の動作を第２図を用いて説明する。第２図に
おいて、所定の記録光出力は、ディスクＡではPAS,ディ
スクＢではPBSである。本実施例では、保持手段35に各
光スポット毎に、所定の光出力dPA1,dPA2,dPB1,dPB2で
補正した最適な記録光出力値PA1,PA2,PB1,PB2が記憶さ
れている。記録の際には、ディスク検出手段34で識別し
たディスクの種類の情報がCPU31に送られる。そして、
ディスクの種類に対応した最適な記録光出力値が記憶手
段35から読み込まれる。例えば、ディスクの種類がディ
スクＡとすれば、CPU31は記憶手段35から、ディスクＡ
の最適な記録光出力値PA1,PA2を読み出し、DA変換器31,
32にデータを送る。実際には、まずスポット１の最適な
記録光出力値PA1が読み出され、DA変換器32にラッチさ
れる。DA変換器32のアナログ出力は基準電圧VR1とな
り、半導体レーザ20の光出力をPA1の最適値に設定す
る。次に、スポット２の最適な記録光出力値PA2が読み
出され、DA変換器33にラッチされる。DA変換器33のアナ
ログ出力は基準電圧VR2となり、半導体レーザ21の光出
力をPA2の最適値に設定する。
おいて、所定の記録光出力は、ディスクＡではPAS,ディ
スクＢではPBSである。本実施例では、保持手段35に各
光スポット毎に、所定の光出力dPA1,dPA2,dPB1,dPB2で
補正した最適な記録光出力値PA1,PA2,PB1,PB2が記憶さ
れている。記録の際には、ディスク検出手段34で識別し
たディスクの種類の情報がCPU31に送られる。そして、
ディスクの種類に対応した最適な記録光出力値が記憶手
段35から読み込まれる。例えば、ディスクの種類がディ
スクＡとすれば、CPU31は記憶手段35から、ディスクＡ
の最適な記録光出力値PA1,PA2を読み出し、DA変換器31,
32にデータを送る。実際には、まずスポット１の最適な
記録光出力値PA1が読み出され、DA変換器32にラッチさ
れる。DA変換器32のアナログ出力は基準電圧VR1とな
り、半導体レーザ20の光出力をPA1の最適値に設定す
る。次に、スポット２の最適な記録光出力値PA2が読み
出され、DA変換器33にラッチされる。DA変換器33のアナ
ログ出力は基準電圧VR2となり、半導体レーザ21の光出
力をPA2の最適値に設定する。
ディスク検出器34で識別したディスクがディスクＢの
場合も同様である。CPU31は記憶手段35から、ディスク
Ｂの最適な記録光出力値PB1,PB2を読み出し、DA変換器3
1,32にデータを送る。DA変換器32のアナログ出力は基準
電圧VR1となり、半導体レーザ20の光出力をPB1の最適値
に設定する。次に、DA変換器33のアナログ出力は基準電
圧VR2となり、半導体レーザ21の光出力をPB2の最適値に
設定する。
場合も同様である。CPU31は記憶手段35から、ディスク
Ｂの最適な記録光出力値PB1,PB2を読み出し、DA変換器3
1,32にデータを送る。DA変換器32のアナログ出力は基準
電圧VR1となり、半導体レーザ20の光出力をPB1の最適値
に設定する。次に、DA変換器33のアナログ出力は基準電
圧VR2となり、半導体レーザ21の光出力をPB2の最適値に
設定する。
本実施例ではスポットが２個で、光ディスクも２種類
で説明したが、光ディスクの種類は２以上でも適用でき
ることはいうまでもない。
で説明したが、光ディスクの種類は２以上でも適用でき
ることはいうまでもない。
以上のように第２の実施例は、第１の実施例に対し
て、所定の記録光出力値が異なる光ディスクの種類を検
出する検出手段と、光ディスクの種類に対応した各光ス
ポット毎の（所定の光出力値を補正した）最適な記録光
出力値を記憶する記憶手段を新たに設け、光出力制御手
段により記録の際にＮ個の半導体レーザの各光出力値を
検出手段で検出した光ディスクの種類に対応する記録手
段の記憶する最適な記録光出力値に設定することによ
り、マルチヘッドの各光スポットに対応し、かつ、光デ
ィスクの種類に対応した最適な記録光出力値を設定し、
異なった種類の光ディスクに対して幅広く対応して、マ
ルチヘッドの歩留まり、記録特性及び信頼性の向上を図
ることができる。
て、所定の記録光出力値が異なる光ディスクの種類を検
出する検出手段と、光ディスクの種類に対応した各光ス
ポット毎の（所定の光出力値を補正した）最適な記録光
出力値を記憶する記憶手段を新たに設け、光出力制御手
段により記録の際にＮ個の半導体レーザの各光出力値を
検出手段で検出した光ディスクの種類に対応する記録手
段の記憶する最適な記録光出力値に設定することによ
り、マルチヘッドの各光スポットに対応し、かつ、光デ
ィスクの種類に対応した最適な記録光出力値を設定し、
異なった種類の光ディスクに対して幅広く対応して、マ
ルチヘッドの歩留まり、記録特性及び信頼性の向上を図
ることができる。
なお、第1,第２の実施例では、半導体レーザの光出力
の設定を記録光出力としたが、これは消去光出力であっ
てもよい。
の設定を記録光出力としたが、これは消去光出力であっ
てもよい。
また、第1,第２の実施例では、半導体レーザ１つに対
して電流源も１つ用いて記録光出力値の設定を行った
が、これは電流源を２つ用いて、記録光出力と消去光出
力の２つの光出力を設定する場合にも本発明は適用でき
ることはいうまでもない。
して電流源も１つ用いて記録光出力値の設定を行った
が、これは電流源を２つ用いて、記録光出力と消去光出
力の２つの光出力を設定する場合にも本発明は適用でき
ることはいうまでもない。
さらに記憶手段で、最適な記録光出力値を保持すると
したが、これは光出力値と線形な関係を持つ信号であれ
ば、何でも構わない。
したが、これは光出力値と線形な関係を持つ信号であれ
ば、何でも構わない。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、Ｎ個（Ｎ≧２）
の半導体レーザを持つマルチヘッドの各光スポットに対
応した最適な記録光出力値を設定することができる。従
って、マルチヘッドの歩留まりを上げると同時に、記録
特性及び信頼性を向上させることができ、その実用的効
果は大きい。
の半導体レーザを持つマルチヘッドの各光スポットに対
応した最適な記録光出力値を設定することができる。従
って、マルチヘッドの歩留まりを上げると同時に、記録
特性及び信頼性を向上させることができ、その実用的効
果は大きい。
第１図は本発明における第１の実施例の構成を示すブロ
ック図、第２図は２種類の光ディスクに対する２つの光
スポットの記録特性のバラツキを説明するための特性
図、第３図は本発明における第２の実施例の構成を示す
ブロック図、第４図はマルチヘッドの半導体レーザを説
明するための斜視図、第５図は従来の光ディスク装置の
構成例を示すブロック図、第６図は２つの光スポットの
記録特性のバラツキを説明するための特性図である。 １……半導体レーザ、5,6……光検出器、 11,12……アンプ、14,15……サーボアンプ、17,18……
電流源、20,21……半導体レーザ、30,35……記憶手段、
31……CPU,32,33……DA変換器、34……ディスク検出
器。
ック図、第２図は２種類の光ディスクに対する２つの光
スポットの記録特性のバラツキを説明するための特性
図、第３図は本発明における第２の実施例の構成を示す
ブロック図、第４図はマルチヘッドの半導体レーザを説
明するための斜視図、第５図は従来の光ディスク装置の
構成例を示すブロック図、第６図は２つの光スポットの
記録特性のバラツキを説明するための特性図である。 １……半導体レーザ、5,6……光検出器、 11,12……アンプ、14,15……サーボアンプ、17,18……
電流源、20,21……半導体レーザ、30,35……記憶手段、
31……CPU,32,33……DA変換器、34……ディスク検出
器。
Claims (3)
- 【請求項１】Ｎ個（Ｎ≧２）の半導体レーザから光ディ
スク上にＮ個の光スポットを形成するマルチヘッドと、 前記マルチヘッドの各光スポット毎の最適な記録光出力
値を記憶しておく記憶手段と、 記録の際に前記Ｎ個の半導体レーザの各光出力値を前記
記憶手段で記憶している最適な記録光出力値に設定する
光出力制御手段と、を備えたことを特徴とする光ディス
ク装置。 - 【請求項２】Ｎ個（Ｎ≧２）の半導体レーザから光ディ
スク上にＮ個の光スポットを形成するマルチヘッドと、 所定の記録光出力値が異なる光ディスクの種類を検出す
る検出手段と、 前記光ディスクの種類に対応した前記マルチヘッドの各
光スポット毎の最適な記録光出力値を記憶しておく記憶
手段と、 記録の際に前記Ｎ個の半導体レーザの各光出力値を前記
検出手段で検出した光ディスクの種類に対応する前記記
憶手段で記憶している最適な記録光出力値に設定する光
出力制御手段と、を備えたことを特徴とする光ディスク
装置。 - 【請求項３】Ｎ個（Ｎ≧２）の半導体レーザは、同一半
導体基板上に形成されたことを特徴とする請求項１また
は２に記載の光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1259019A JP2658429B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1259019A JP2658429B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120630A JPH03120630A (ja) | 1991-05-22 |
| JP2658429B2 true JP2658429B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=17328223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1259019A Expired - Fee Related JP2658429B2 (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 光ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658429B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188343A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-11-02 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | 情報記憶装置 |
| JPS5919252A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ−アレイ出力制御方法 |
| JPS61139939A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-27 | Canon Inc | 光情報記録再生装置 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP1259019A patent/JP2658429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03120630A (ja) | 1991-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6683836B2 (en) | Laser control device | |
| KR910006081B1 (ko) | 광디스크장치 | |
| JP2000216470A (ja) | レ―ザ駆動装置および光ディスク記録再生装置 | |
| US7619956B2 (en) | stability of a write control signal | |
| EP0612063B1 (en) | Focus balance automatic adjusting device and method | |
| JP2001244555A (ja) | 自動電力制御回路 | |
| JP2000030277A (ja) | 光ディスク記録パワー制御方法及び装置 | |
| JP3552938B2 (ja) | 光ディスク装置及びその補正方法 | |
| US7248551B2 (en) | Apparatus and method for controlling laser power for disc drive | |
| JP2658429B2 (ja) | 光ディスク装置 | |
| EP0654785B1 (en) | Error correcting apparatus with error correcting signal holding function | |
| US6424609B1 (en) | Output control device for optical pick-up and method for controlling output of the optical pick-up | |
| JP2910350B2 (ja) | 光メモリ装置及びそのサーボオフセット補正方法 | |
| JP2002109740A (ja) | 光ディスク記録装置のレーザ出力制御装置及び方法 | |
| JP2002050057A (ja) | 情報記憶装置 | |
| JP2003346375A (ja) | ピックアップ装置 | |
| JPH08235629A (ja) | 半導体レーザ制御装置 | |
| JP2005347477A (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JPH087319A (ja) | レーザダイオードの光量自動調整回路 | |
| JP4702921B2 (ja) | 光ディスク装置用の増幅回路 | |
| JP2007026486A (ja) | 受光素子回路及び光ディスク装置 | |
| JPH0786979B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| US7463563B2 (en) | Deficiency detecting apparatus for optical disk | |
| JPS6180530A (ja) | トラツキングサ−ボ回路 | |
| JP3983526B2 (ja) | 発光パワー制御装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |