JP2639744B2 - Silicon wafer and manufacturing method thereof - Google Patents
Silicon wafer and manufacturing method thereofInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は例えばLSI等の作製に用いられるシリコンウ
エーハおよびその製造方法、詳しくはエピタキシャル法
により製造されたシリコンウエーハ（以下、エピタキシ
ャルウエーハ）およびその製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a silicon wafer used for manufacturing, for example, an LSI and a method of manufacturing the same, more specifically, a silicon wafer manufactured by an epitaxial method (hereinafter, referred to as an epitaxial wafer) and a method of manufacturing the same. It relates to a manufacturing method.
〈従来の技術〉 エピタキシャルウエーハは、シリコン単結晶基板上に
シリコンの単結晶を成長させたものである。そして、こ
の場合、従来のエピタキシャルウエーハの表面には微小
でかつ局所的な凹凸が形成されていた。<Conventional Technology> An epitaxial wafer is obtained by growing a single crystal of silicon on a silicon single crystal substrate. In this case, minute and local irregularities are formed on the surface of the conventional epitaxial wafer.
ところで、シリコンウエーハの表面状態は、例えば標
準粒子を所定の洗浄後のウエーハ表面に吹き付け、この
標準粒子をパーティクルカウンタ（例えばLS−6000）に
よってカウントすることにより、評価されていた。この
場合、シリコンウエーハの表面に凹凸が形成されている
と、パーティクルカウンタはこの凹凸をもパーティクル
と同じく検出してしまうこととなる。By the way, the surface state of a silicon wafer has been evaluated by, for example, spraying standard particles on the wafer surface after predetermined cleaning, and counting the standard particles by a particle counter (for example, LS-6000). In this case, if irregularities are formed on the surface of the silicon wafer, the particle counter will detect these irregularities as well as the particles.
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、このような従来のエピタキシャルウエ
ーハにあっては、表面に微小でかつ局所的な凹凸が形成
されていたため、パーテイクルカウンタの初期設定（校
正）を行うための標準ウエーハとしては使用することが
できなかった。<Problem to be Solved by the Invention> However, in such a conventional epitaxial wafer, since minute and local irregularities are formed on the surface, the initial setting (calibration) of the particle counter is performed. Could not be used as a standard wafer.
また、この凹凸のため、LSI形成時ステップカバレー
ジが悪くなり、LSIの製造における歩留まりが低下して
いた。In addition, due to the unevenness, the step coverage at the time of forming the LSI is deteriorated, and the yield in manufacturing the LSI is reduced.
そこで、本発明は、パーティクルカウンタの校正用の
標準ウエーハとして最適であるとともに、LSI製造時の
歩留まりを高めたエピタキシャルシリコンウエーハおよ
びその製造方法を提供することをその目的としている。Accordingly, it is an object of the present invention to provide an epitaxial silicon wafer which is optimal as a standard wafer for calibrating a particle counter and which has an improved yield during LSI manufacturing, and a method for manufacturing the same.
〈課題を解決するための手段〉 本願の特許請求の範囲第１項に記載の発明は、エピタ
キシャル法により形成したシリコンウエーハにおいて、
NH4OH/H2O2/H2O液（1:1:5）を用いて、85℃で、20分間
程度洗浄することを10回繰り返すことにより、このエピ
タキシャル層表面を、パーティクルカウンタで測定した
結果、0.1μｍ以上の大きさのパーティクルが４個検出
される程度に平坦化したシリコンウエーハである。な
お、このシリコンウェーハの表面を測定するパーティク
ルカウンタとしては、例えばLS6000を使用する。<Means for Solving the Problems> The invention described in claim 1 of the present application is directed to a silicon wafer formed by an epitaxial method.
The surface of the epitaxial layer was washed with a NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O solution (1: 1: 5) at 85 ° C. for about 20 minutes by repeating the washing 10 times. As a result of the measurement, the silicon wafer was flattened so that four particles having a size of 0.1 μm or more were detected. As a particle counter for measuring the surface of the silicon wafer, for example, LS6000 is used.
また、特許請求の範囲第２項に記載の発明は、シリコ
ン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長
させる工程と、このエピタキシャル層を研磨して平坦化
する工程と、この研磨面をアンモニア系洗浄液で洗浄す
る工程と、を含むシリコンウェーハの製造方法にあっ
て、上記洗浄する工程は、NH4OH/H2O2/H2O液（1:1:5）
を用いて、85℃で、20分間程度洗浄することを10回繰り
返すシリコンウェーハの製造方法である。The invention described in claim 2 includes a step of epitaxially growing a silicon single crystal on a silicon single crystal substrate, a step of polishing and flattening the epitaxial layer, and a step of cleaning the polished surface with an ammonia-based cleaning liquid. In the method of manufacturing a silicon wafer including the step of washing, wherein the washing step is a NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O solution (1: 1: 5)
This is a method for manufacturing a silicon wafer in which washing at 85 ° C. for about 20 minutes is repeated 10 times using the method.
〈作用および効果〉 本発明に係るシリコンウエーハにあっては、シリコン
単結晶基板上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長さ
せ、その後例えばこの表面を所定の厚さだけ研磨する。
これにより、このシリコンウエーハの表面は平坦化され
ている。<Operation and Effect> In the silicon wafer according to the present invention, single crystal silicon is epitaxially grown on a silicon single crystal substrate, and then, for example, this surface is polished to a predetermined thickness.
Thereby, the surface of the silicon wafer is flattened.
したがって、このシリコンウエーハはパーティクルカ
ウンタの校正用として使用することができる。表面に凹
凸がないため、表面に付着したパーティクル数を正確に
検出することができるからである。また、表面に凹凸が
ないことから、LSI作製時のステツプカバレージに優れ
ている。Therefore, this silicon wafer can be used for calibration of a particle counter. This is because the surface has no irregularities, so that the number of particles attached to the surface can be accurately detected. Further, since there is no unevenness on the surface, the step coverage at the time of manufacturing the LSI is excellent.
〈実施例〉 以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明す
る。<Embodiment> An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
この図において、11はシリコン単結晶基板であって、
この上にエピタキシャル法によってシリコン単結晶が積
層されている。12はこのエピタキシャル層である。In this figure, 11 is a silicon single crystal substrate,
A silicon single crystal is stacked thereon by an epitaxial method. Reference numeral 12 denotes this epitaxial layer.
そして、この成長後のエピタキシャル層12の表面は例
えば研磨により５μｍだけずられて平坦化されている。The surface of the epitaxial layer 12 after the growth is flattened by, for example, polishing by shifting by 5 μm.
このようにして作成したＰ型、（100）方位のエピタ
キシャルウエーハ10を例えばアンモニア系洗浄液、例え
ばNH4OH/H2O2/H2O液（1:1:5）を用いて、エッチング作
用を強くするために通常よりも高温である85℃で、20分
間程度洗浄する。The P-type (100) -oriented epitaxial wafer 10 thus formed is subjected to an etching action using, for example, an ammonia-based cleaning liquid, for example, an NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O liquid (1: 1: 5). Wash for about 20 minutes at 85 ° C, which is higher than usual, in order to increase the strength.
この洗浄を10回繰り返す。 This washing is repeated 10 times.
この洗浄液後のエピタキシャルウエーハ10の表面のパ
ーティクル数を、パーティクルカウンタ例えばLS−6000
で測定した。この結果、0.1μｍ以上の大きさのパーテ
ィクル数は４回しか検出されなかった。The number of particles on the surface of the epitaxial wafer 10 after this cleaning liquid is counted by a particle counter such as LS-6000.
Was measured. As a result, the number of particles having a size of 0.1 μm or more was detected only four times.
例えば同一条件での洗浄、測定を行うと、基板のミラ
ーウエーハでは0.1μｍ以上のパーティクル数は400個測
定された。For example, when cleaning and measurement were performed under the same conditions, 400 particles of 0.1 μm or more were measured on the mirror wafer of the substrate.
また、研磨をしていないエピタキシャルウエーハにつ
いては30個測定された。In addition, 30 unpolished epitaxial wafers were measured.
第１図は本発明に係るシリコンウエーハの一実施例を示
すその一部を拡大した断面図である。 10……エピタキシャルウエーハ、 11……エピタキシャル層。FIG. 1 is an enlarged sectional view showing a part of an embodiment of a silicon wafer according to the present invention. 10 ... Epitaxial wafer, 11 ... Epitaxial layer.
フロントページの続き (72)発明者 岸本 幹男 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱金属株式会社中央研究所内 (72)発明者 島貫 康 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱金属株式会社中央研究所内 (72)発明者 田中 俊郎 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 日本シリコン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−271841（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−295235（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−266834（ＪＰ，Ａ)Continuing from the front page (72) Inventor Mikio Kishimoto 1-397 Kitabukurocho, Omiya City, Saitama Prefecture Inside the Central Research Laboratory, Mitsui Kinzoku Co., Ltd. (72) Inventor Yasushi Shimanuki 1-297 Kitabukurocho, Omiya City, Saitama Prefecture Mitsui Kinzoku Stock (72) Inventor Toshiro Tanaka 3-8-16 Iwamotocho, Chiyoda-ku, Tokyo Japan Silicon Co., Ltd. (56) References JP-A-61-271841 (JP, A) JP-A-3-295235 (JP, A) JP-A-62-266834 (JP, A)
Claims (2)
ウエーハにおいて、 NH4OH/H2O2/H2O液（1:1:5）を用いて、85℃で、20分間
程度洗浄することを10回繰り返すことにより、 このエピタキシャル層表面を、パーティクルカウンタで
測定した結果、0.1μｍ以上の大きさのパーティクルが
４個検出される程度に平坦化したシリコンウエーハ。1. A method in which a silicon wafer formed by an epitaxial method is washed with an NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O solution (1: 1: 5) at 85 ° C. for about 20 minutes. By repeating this process a number of times, the surface of the epitaxial layer is measured with a particle counter, and as a result, the silicon wafer is flattened to the extent that four particles having a size of 0.1 μm or more are detected.
エピタキシャル成長させる工程と、 このエピタキシャル層を研磨して平坦化する工程と、 この研磨面をアンモニア系洗浄液で洗浄する工程と、を
含むシリコンウェーハの製造方法にあって、 上記洗浄する工程は、NH4OH/H2O2/H2O液（1:1:5）を用
いて、85℃で、20分間程度洗浄することを10回繰り返す
シリコンウェーハの製造方法。2. A silicon wafer comprising: a step of epitaxially growing a silicon single crystal on a silicon single crystal substrate; a step of polishing and flattening the epitaxial layer; and a step of cleaning the polished surface with an ammonia-based cleaning liquid. In the above-mentioned manufacturing method, the washing step is performed by washing with NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O solution (1: 1: 5) at 85 ° C. for about 20 minutes for 10 times. Silicon wafer manufacturing method that is repeated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181057A JP2639744B2 (en) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Silicon wafer and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181057A JP2639744B2 (en) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Silicon wafer and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467626A JPH0467626A (en) | 1992-03-03 |
| JP2639744B2 true JP2639744B2 (en) | 1997-08-13 |
Family
ID=16094025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2181057A Expired - Lifetime JP2639744B2 (en) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Silicon wafer and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2639744B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167584A (en) * | 1994-12-09 | 1996-06-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Manufacture of epitaxial wafer |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271841A (en) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Fujitsu Ltd | Polishing method of semiconductor substrate |
| JPS62266834A (en) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Matsushita Electronics Corp | Cleaning of semiconductor substrate |
| JPH0817163B2 (en) * | 1990-04-12 | 1996-02-21 | 株式会社東芝 | Epitaxial wafer manufacturing method |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2181057A patent/JP2639744B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0467626A (en) | 1992-03-03 |
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