JP3303858B2 - X-ray mask and manufacturing method thereof - Google Patents
X-ray mask and manufacturing method thereofInfo
- Publication number
- JP3303858B2 JP3303858B2 JP29745299A JP29745299A JP3303858B2 JP 3303858 B2 JP3303858 B2 JP 3303858B2 JP 29745299 A JP29745299 A JP 29745299A JP 29745299 A JP29745299 A JP 29745299A JP 3303858 B2 JP3303858 B2 JP 3303858B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- ray absorber
- absorber
- stress
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 26
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 16
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004028 SiCU Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012308 Tagetes Nutrition 0.000 description 1
- 241000736851 Tagetes Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線マスクおよび
その製造方法に関し、詳しくは１５０ｎｍ以下の微細パ
ターン形成に適したＸ線吸収体を有するＸ線マスクおよ
びその製造方法に関する。The present invention relates to an X-ray mask and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an X-ray mask having an X-ray absorber suitable for forming a fine pattern of 150 nm or less, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化に伴い、微細
パターンの形成にＸ線リソグラフィが用いられるように
なっている。Ｘ線リソグラフィは、メモリやロジック等
のＬＳＩ製造にとどまらず、液晶パネルやＣＣＤ、薄膜
磁気ヘッド、さらにマイクロマシンの製造にも適用され
る。Ｘ線リソグラフィにおいては、半導体デバイスパタ
ーンに対応するＸ線吸収体パターンを有するＸ線マスク
を、Ｘ線レジストを塗布したウエハ表面に近接配置し、
前記Ｘ線マスクの背面からＸ線を照射して、Ｘ線マスク
上のパターンをウエハ上のＸ線レジストに露光すること
によってパターンを形成することができる。2. Description of the Related Art As semiconductor devices become more highly integrated, X-ray lithography has been used to form fine patterns. X-ray lithography is applied not only to the manufacture of LSIs such as memories and logics, but also to the manufacture of liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, and micromachines. In X-ray lithography, an X-ray mask having an X-ray absorber pattern corresponding to a semiconductor device pattern is arranged close to a wafer surface coated with an X-ray resist,
The pattern can be formed by irradiating X-rays from the back surface of the X-ray mask and exposing the pattern on the X-ray mask to the X-ray resist on the wafer.
【０００３】図９に、従来のＸ線マスクの構成の一例を
示す。このＸ線マスクは、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ダイヤモン
ド等からなるＸ線透過膜２（以下、メンブレンと記す）
と、メンブレン２上に選択的に形成されたＷあるいはＴ
ａからなるＸ線吸収体１０と、メンブレン２を支持する
Ｓｉ基板３と、これらを支持するＳｉＣ、石英ガラス等
からなる支持枠４とを具備して概略構成される。Ｘ線吸
収体としては、ＷまたはＴａの他に、ＷＴｉＮ（H. Yab
e, et al, Jpn.J. Appl. Phys. 31, 4210，1990）、Ｔ
ａ4Ｂ（M. Sugihara, et al, J. Vac. Sci.Tecnol. B7
(6), 1561, 1989）、Ｔａと、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｏ
の少なくとも１種との合金（特開平２−２１０９号公
報）、ＴａとＧｅの合金（特開平９−１９０９５８号公
報）が用いられる場合もある。FIG. 9 shows an example of the configuration of a conventional X-ray mask. The X-ray mask is an X-ray transmission film 2 (hereinafter, referred to as a membrane) made of SiN, SiC, diamond, or the like.
And W or T selectively formed on the membrane 2
The X-ray absorber 10 is schematically configured including an X-ray absorber 10 made of a, a Si substrate 3 that supports the membrane 2, and a support frame 4 made of SiC, quartz glass, or the like that supports these. As an X-ray absorber, in addition to W or Ta, WTIN (H. Yab
e, et al, Jpn.J. Appl. Phys. 31, 4210, 1990), T
a 4 B (M. Sugihara, et al, J. Vac. Sci.Tecnol. B7
(6), 1561, 1989), Ta, Al, Ti, Si, Mo
(Patent Document 2) and an alloy of Ta and Ge (Patent Document 9) may be used in some cases.
【０００４】次に、図１０に従来のＸ線マスクの製造プ
ロセスを示す。図１０（ａ）に示すように、厚さ１〜２
ｍｍのＳｉ基板３の両面にＣＶＤ法によりメンブレン２
となるＳｉＣを１〜２μｍ堆積する。次に、エポキシ樹
脂を用いてＳｉ基板３の裏面に厚さ５ｍｍ程度のパイレ
ックスガラス又はＳｉＣ等の支持枠４を接着する。次に
図１０（ｂ）に示すように、ＫＯＨ水溶液を用いたＳｉ
の異方性エッチングによってＳｉ基板３の所定の領域を
除去しＳｉＣのメンブレン２を作製する。その後、図１
０（ｃ）に示すように、メンブレン２上にスパッタ法に
よりＸ線吸収体１０を形成する。そして、図１０（ｄ）
に示すように、ドライエッチングによりＸ線吸収体１０
のパターンを形成することによってＸ線マスクが完成す
る。Next, FIG. 10 shows a manufacturing process of a conventional X-ray mask. As shown in FIG.
membrane 2 on both sides of a 3 mm Si substrate 3 by CVD.
1 to 2 μm is deposited. Next, a support frame 4 made of Pyrex glass or SiC having a thickness of about 5 mm is bonded to the back surface of the Si substrate 3 using an epoxy resin. Next, as shown in FIG.
A predetermined region of the Si substrate 3 is removed by the anisotropic etching described above to produce a SiC membrane 2. Then, FIG.
As shown in FIG. 1C, the X-ray absorber 10 is formed on the membrane 2 by a sputtering method. Then, FIG.
As shown in FIG.
The X-ray mask is completed by forming the above pattern.
【０００５】このようなＸ線吸収体１０には、次のよう
な特性が要求される。まず、Ｘ線吸収体１０は、応力が
できるだけ小さく、かつその制御性が良いことが必要で
ある。メンブレン２上にＸ線吸収体１０となる膜を形成
した際に、その内部応力が大きいと、パターンを形成し
た際にパターンの位置精度が悪化する。また、応力制御
性が悪い、すなわち低応力を再現性よく実現できない
と、Ｘ線マスクの生産性が悪くなる。また、アスペクト
比が高い微細パターンを高精度に加工するために、Ｘ線
吸収体１０には、ドライエッチング特性が良好であるこ
とが求められる。また、等倍Ｘ線露光において十分なコ
ントラストが得られ、微細なパターンが形成できるよう
に、波長１０Å付近のＸ線阻止能（質量吸収係数×密
度）が大きいことが求められる。さらに、酸洗浄が可能
であること（酸洗浄耐性）等も要求されている。[0005] Such an X-ray absorber 10 is required to have the following characteristics. First, the X-ray absorber 10 needs to have as small a stress as possible and to have good controllability. When a film serving as the X-ray absorber 10 is formed on the membrane 2 and the internal stress is large, the positional accuracy of the pattern deteriorates when the pattern is formed. Further, if the stress controllability is poor, that is, if low stress cannot be realized with good reproducibility, the productivity of the X-ray mask deteriorates. Further, in order to process a fine pattern having a high aspect ratio with high precision, the X-ray absorber 10 is required to have good dry etching characteristics. Further, it is required that the X-ray stopping power (mass absorption coefficient × density) around a wavelength of 10 ° is large so that a sufficient contrast can be obtained in the same-size X-ray exposure and a fine pattern can be formed. Further, it is required that acid cleaning is possible (acid cleaning resistance).
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】半導体素子のデザイン
ルールの微細化に伴い、Ｘ線吸収体には新たな特性が求
められるようになった。すなわち、電子線描画でＸ線吸
収体上に形成したレジストパターンをドライエッチング
を用いてＸ線吸収体上に転写するプロセスにおいて、Ｘ
線吸収体のドライエッチングの前後に大きなパターン歪
みが発生することが明らかになり、この歪みを小さくす
ることが求められている。With the miniaturization of design rules for semiconductor devices, new characteristics have been required for X-ray absorbers. That is, in the process of transferring the resist pattern formed on the X-ray absorber by electron beam drawing onto the X-ray absorber using dry etching,
It is clear that large pattern distortion occurs before and after dry etching of the line absorber, and it is required to reduce this distortion.
【０００７】この歪みは、レジストパターンが高密度で
微細なほど大きいので、ドライエッチングによって新た
に生じたＸ線吸収体のパターン側壁が酸化により伸長し
ているためと考えられている。アモルファスＴａ合金で
あるＴａＧｅ、ＴａＢ等は応力制御性、酸洗浄耐性、微
細加工性に優れた合金として使用されてきたが、ドライ
エッチング前後の歪みが大きい問題がある。比較的この
歪みが小さいＸ線吸収体材料として、ＷＴｉＮおよびＥ
ＣＲ−Ｔａ（西村他、第５９回応用物理学学術講演会予
稿集Ｎｏ．２、ｐｐ５９６、１９９９）がある。しか
し、ＷＴｉは酸に溶解する性質があるため、通常半導体
製造に用いられる酸洗浄ができない欠点がある。また、
ＥＣＲ−Ｔａは成膜装置がＥＣＲイオン源スパッタ装置
に限られ、さらにパターンを形成するためのドライエッ
チングがＴａＧｅ等よりも困難な問題がある。This distortion is considered to be caused by the fact that the higher the density and the finer the resist pattern, the greater the pattern sidewall of the X-ray absorber newly generated by dry etching due to oxidation. Amorphous Ta alloys such as TaGe and TaB have been used as alloys having excellent stress controllability, acid cleaning resistance, and fine workability, but have a problem that large distortion occurs before and after dry etching. As X-ray absorber materials having relatively small distortion, WTiN and E
CR-Ta (Nishimura et al., Proceedings of the 59th Applied Physics Conference, No. 2, pp 596, 1999). However, since WTi has a property of dissolving in an acid, it has a disadvantage that it cannot be washed with an acid, which is usually used in semiconductor manufacturing. Also,
ECR-Ta has a problem that a film forming apparatus is limited to an ECR ion source sputtering apparatus, and dry etching for forming a pattern is more difficult than TaGe or the like.
【０００８】よって、本発明の目的は、高性能半導体デ
バイス製造に必要な高精度のＸ線マスク、その製造方
法、及び良好な特性を持ち、歩留りの高い半導体デバイ
スを提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-precision X-ray mask required for manufacturing a high-performance semiconductor device, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device having good characteristics and a high yield.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明のＸ線
マスクは、Ｘ線透過膜上に選択的に形成されたＸ線吸収
体を有するＸ線マスクであって、前記Ｘ線吸収体が、Ｔ
ａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭ
ｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、Ｔａ
ＧｅＣｒ、ＴａＧｅＭｏおよびＴａＧｅＣｕからなる群
から選ばれる１種の合金を含んでいることを特徴とす
る。また、前記Ｘ線吸収体は、前記合金の窒化膜または
酸化膜であってもよい。また、前記ＳｉまたはＧｅの組
成比は、１〜４０原子％の範囲であることが好ましい。
また、前記Ｘ線吸収体の構造は、アモルファスであるこ
とが好ましい。That is, an X-ray mask of the present invention is an X-ray mask having an X-ray absorber selectively formed on an X-ray transmitting film, wherein the X-ray absorber is , T
aSiAl, TaSiTi, TaSiCr, TaSiM
o, TaSiCu, TaGeAl, TaGeTi, Ta
It contains one kind of alloy selected from the group consisting of GeCr, TaGeMo and TaGeCu. Further, the X-ray absorber may be a nitride film or an oxide film of the alloy. The composition ratio of Si or Ge is preferably in the range of 1 to 40 atomic%.
Further, the structure of the X-ray absorber is preferably amorphous.
【００１０】また、本発明のＸ線マスクの製造方法は、
Ｘ線透過膜上に選択的に形成されたＸ線吸収体を有する
Ｘ線マスクの製造方法であって、前記Ｘ線透過膜上に、
ＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉ
Ｍｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、Ｔ
ａＧｅＣｒ、ＴａＧｅＭｏおよびＴａＧｅＣｕからなる
群から選ばれる１種の合金を含むＸ線吸収体を形成する
ステップを有することを特徴とする。また、前記ステッ
プは、ＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、Ｔ
ａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴ
ｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＧｅＭｏおよびＴａＧｅＣｕか
らなる群から選ばれる１種の合金を含むターゲットを用
いてスパッタ法により前記Ｘ線透過膜上にＸ線吸収体を
形成するステップであることが好ましい。また、前記Ｘ
線吸収体を形成するステップの後に、該Ｘ線吸収体をア
ニールするステップを有することが好ましい。そして、
本発明の半導体デバイスは、本発明のＸ線マスクを用い
たＸ線露光により基板上のレジストにＸ線吸収体パター
ンを転写することによって少なくとも１層のパターンが
形成されていることを特徴とする。[0010] The method of manufacturing an X-ray mask according to the present invention comprises:
A method for manufacturing an X-ray mask having an X-ray absorber selectively formed on an X-ray transmission film, comprising:
TaSiAl, TaSiTi, TaSiCr, TaSi
Mo, TaSiCu, TaGeAl, TaGeTi, T
forming an X-ray absorber including one alloy selected from the group consisting of aGeCr, TaGeMo, and TaGeCu. In addition, the steps include TaSiAl, TaSiTi, TaSiCr, and TSiCr.
aSiMo, TaSiCu, TaGeAl, TaGeT
Preferably, the step is a step of forming an X-ray absorber on the X-ray transparent film by a sputtering method using a target including one kind of alloy selected from the group consisting of i, TaGeCr, TaGeMo, and TaGeCu. In addition, the X
Preferably, after the step of forming the X-ray absorber, there is a step of annealing the X-ray absorber. And
The semiconductor device of the present invention is characterized in that at least one layer pattern is formed by transferring an X-ray absorber pattern to a resist on a substrate by X-ray exposure using the X-ray mask of the present invention. .
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明のＸ線マスクの一例を示す断面図であ
る。このＸ線マスクは、メンブレン２と、メンブレン２
上に選択的に形成されたＸ線吸収体１と、メンブレン２
を支持するＳｉ基板３と、これらを支持する支持枠４と
を具備して概略構成される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail.
FIG. 1 is a sectional view showing an example of the X-ray mask of the present invention. This X-ray mask comprises a membrane 2 and a membrane 2
An X-ray absorber 1 selectively formed thereon and a membrane 2
And a support frame 4 for supporting them.
【００１２】前記Ｘ線吸収体１は、少なくとも、Ｔａ
と、ＳｉまたはＧｅと、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏおよび
Ｃｕからなる群から選ばれる１種の元素とを含むもので
ある。具体的には、ＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、Ｔａ
ＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡ
ｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＧｅＭｏ、Ｔａ
ＧｅＣｕのいずれかの合金を含んでいるＸ線吸収体であ
る。The X-ray absorber 1 has at least Ta
, Si or Ge, and one element selected from the group consisting of Al, Ti, Cr, Mo and Cu. Specifically, TaSiAl, TaSiTi, Ta
SiCr, TaSiMo, TaSiCu, TaGeA
1, TaGeTi, TaGeCr, TaGeMo, Ta
This is an X-ray absorber containing any GeCu alloy.
【００１３】ＳｉおよびＧｅは、Ｘ線吸収体１の構造を
アモルファスにするために添加される。Ｘ線吸収体１が
アモルファス構造となれば、微細パターンを形成しても
結晶粒界によって荒れることなく、その側壁をなめらか
にすることができる。ＳｉおよびＧｅの組成比は、Ｘ線
吸収体１がアモルファス構造となれば特に限定はされな
いが、好ましくは１〜４０原子％（以下、合金の組成は
各元素の原子の比、または原子％で表す）である。Si and Ge are added to make the structure of the X-ray absorber 1 amorphous. When the X-ray absorber 1 has an amorphous structure, the sidewalls can be made smooth without being roughened by crystal grain boundaries even when a fine pattern is formed. The composition ratio of Si and Ge is not particularly limited as long as the X-ray absorber 1 has an amorphous structure, but is preferably 1 to 40 atomic% (hereinafter, the composition of the alloy is expressed as the atomic ratio of each element or the atomic%. Represents).
【００１４】Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＭｏおよびＣｕは、Ｔ
ａＧｅまたはＴａＳｉの耐酸化性を向上させるために添
加される。Ｘ線吸収体１の耐酸化性を大きくすると、Ｘ
線吸収体１のパターン側壁が酸化により伸長することを
抑えることができ、パターン歪みを小さくすることがで
きる。Al, Ti, Cr, Mo and Cu are T
It is added to improve the oxidation resistance of aGe or TaSi. When the oxidation resistance of the X-ray absorber 1 is increased, X
Elongation of the pattern side wall of the line absorber 1 due to oxidation can be suppressed, and pattern distortion can be reduced.
【００１５】図２および図３は、０．５ｍｍ厚のＳｉ基
板上に０．５μｍ厚のＸ線吸収体をスパッタ法で成膜
し、スパッタ装置から取り出した後の応力変化量を示す
グラフである。横軸はＸ線吸収体を大気中に取り出した
後の経過時間（分）を示し、縦軸は応力変化量（ＭＰ
ａ）を示している。なお、耐酸化性、すなわちＸ線吸収
体の側壁酸化による歪み量の測定するためには、実際に
高密度な微細パターンを有するＸ線マスクを作製する必
要がある。しかし、この方法は作製工程が複雑なため、
多数のＸ線吸収体材料を評価するのには適さない。そこ
で、Ｘ線吸収体の大気中での応力変化量を測定して、耐
酸化性を調べる方法を用いる。この方法を用いると、Ｘ
線吸収体の表面酸化速度がわかるので、Ｘ線吸収体材料
の耐酸化性を簡便に評価することができる。FIGS. 2 and 3 are graphs showing the amount of change in stress after a 0.5 μm-thick X-ray absorber is formed on a 0.5-mm-thick Si substrate by sputtering and taken out of the sputtering apparatus. is there. The horizontal axis indicates the elapsed time (minutes) after the X-ray absorber was taken out into the atmosphere, and the vertical axis indicates the amount of stress change (MP).
a) is shown. In order to measure the oxidation resistance, that is, the amount of distortion due to the oxidation of the side wall of the X-ray absorber, it is necessary to actually produce an X-ray mask having a high-density fine pattern. However, this method requires a complicated manufacturing process,
It is not suitable for evaluating many X-ray absorber materials. Therefore, a method of measuring the amount of change in stress of the X-ray absorber in the atmosphere and examining the oxidation resistance is used. Using this method, X
Since the surface oxidation rate of the X-ray absorber is known, the oxidation resistance of the X-ray absorber material can be easily evaluated.
【００１６】図２および図３からわかるように、ＴａＧ
ｅおよびＴａＳｉは大気に晒された後、表面酸化によっ
て１時間以内に２０〜３０ＭＰａほど応力が圧縮側に変
化する。しかし、ＴａＳｉもしくはＴａＧｅに、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｃｒ、ＭｏおよびＣｕのいずれかを１％程度添加
すると、応力変化量がＴａＧｅの数分の一になる。つま
り、これらのＸ線吸収体１は酸化による応力変化がＴａ
Ｇｅよりも小さいのである。特に、ＴａＳｉＴｉ、Ｔａ
ＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕおよびＴａＧｅ
Ａｌの応力変化量は１０ＭＰａ以内であり、応力測定装
置の測定精度と同等である。これらの材料は特に耐酸化
性が大きい。As can be seen from FIGS. 2 and 3, TaG
After e and TaSi are exposed to the atmosphere, the stress changes to the compression side by about 20 to 30 MPa within one hour due to surface oxidation. However, in TaSi or TaGe, Al,
When about 1% of any of Ti, Cr, Mo, and Cu is added, the amount of change in stress becomes a fraction of that of TaGe. That is, in these X-ray absorbers 1, the change in stress due to oxidation is Ta.
It is smaller than Ge. In particular, TaSiTi, Ta
SiCr, TaSiMo, TaSiCu and TaGe
The amount of change in Al stress is within 10 MPa, which is equivalent to the measurement accuracy of the stress measurement device. These materials have particularly high oxidation resistance.
【００１７】Ｘ線吸収体１の耐酸化性は、アモルファス
Ｔａ合金表面に非常に薄い（＜１ｎｍ）不動態膜（自然
酸化膜）が形成され、この不動態膜によって薄膜内部へ
の酸素の拡散が抑制されることによって得られる。よっ
て、現在の技術では測定できないが、これらの合金でも
自然酸化膜による微少な応力変化が生じていると考えら
れる。そこで、これらの自然酸化膜による応力変化がＸ
線マスクの位置精度に影響を与える場合は、Ｘ線吸収体
１を酸化もしくは窒化する事によって、さらに応力変化
量を小さくすることができる。The oxidation resistance of the X-ray absorber 1 is such that a very thin (<1 nm) passivation film (natural oxide film) is formed on the surface of an amorphous Ta alloy, and the passivation film diffuses oxygen into the thin film. Is suppressed. Therefore, although it cannot be measured by the current technology, it is considered that a slight change in stress due to the natural oxide film occurs in these alloys. Therefore, the stress change due to these natural oxide films is X
When the positional accuracy of the line mask is affected, the amount of change in stress can be further reduced by oxidizing or nitriding the X-ray absorber 1.
【００１８】ＴａＳｉＴｉを成膜するときに、Ｘｅガス
に０．１％の酸素を添加すると、ＴａＳｉＴｉ中に極微
量（１％以下）の酸素を取り込むことができる。このＴ
ａＳｉＴｉ酸化膜の応力変化量を酸素雰囲気中において
３００℃でアニールする加速試験によって測定すると、
その変化量は同じ条件でアニールしたＴａＳｉＴｉ膜の
約１／２となる。つまり、１％以下の酸素混入により、
応力変化量を１／２以下にすることが可能となる。Ｔａ
ＳｉＴｉに同様にして窒素を１〜３０％混入させた際に
も同様の結果が得られるが、窒素を用いた場合にはＴａ
ＳｉＴｉの密度が１０％以上小さくなるため、ＴａＳｉ
Ｔｉと同様のＸ線吸収能（Ｘ線阻止能）を得るための膜
厚が厚くなる欠点がある。また、酸化および窒化に伴う
特性はＴａＳｉＴｉ以外の他の合金についても当てはま
る。When 0.1% oxygen is added to the Xe gas when forming TaSiTi, a very small amount (1% or less) of oxygen can be taken into TaSiTi. This T
When the amount of change in the stress of the aSiTi oxide film is measured by an acceleration test in which annealing is performed at 300 ° C. in an oxygen atmosphere,
The change amount is about 1/2 of the TaSiTi film annealed under the same conditions. In other words, by mixing oxygen of 1% or less,
It is possible to reduce the amount of stress change to １ ／ or less. Ta
Similar results can be obtained when 1 to 30% of nitrogen is mixed into SiTi in the same manner.
Since the density of SiTi is reduced by 10% or more, TaSi
There is a disadvantage that the film thickness for obtaining the same X-ray absorption capability (X-ray stopping capability) as that of Ti is increased. The properties associated with oxidation and nitridation also apply to alloys other than TaSiTi.
【００１９】Ｘ線吸収体１は、応力制御性にも優れてい
る。図４は、ＴａＧｅおよびＴａＳｉＴｉの成膜時のス
パッタガス圧と応力の関係を示すグラフである。このグ
ラフの傾きが小さいほど、すなわち、スパッタガス圧の
変化に対する応力の変化量が小さいほど、成膜時の応力
制御性がよい。ＴａＳｉＴｉはＴａＧｅよりも傾きが小
さいので、ＴａＧｅよりも高い応力制御性を有する。ま
た、ＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、Ｔａ
ＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣ
ｒ、ＴａＧｅＭｏ、ＴａＧｅＣｕに関しても、全ての材
料がＴａＧｅとほぼ同等もしくはそれ以上の制御性を有
する。The X-ray absorber 1 has excellent stress controllability. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the sputtering gas pressure and the stress during the deposition of TaGe and TaSiTi. The smaller the slope of this graph, that is, the smaller the amount of change in stress with respect to the change in sputter gas pressure, the better the stress controllability during film formation. Since TaSiTi has a smaller inclination than TaGe, it has higher stress controllability than TaGe. Also, TaSiAl, TaSiCr, TaSiMo, Ta
SiCu, TaGeAl, TaGeTi, TaGeC
As for r, TaGeMo, and TaGeCu, all the materials have controllability almost equal to or higher than that of TaGe.
【００２０】また、Ｘ線吸収体１を成膜した後、これに
アニール処理を施すことにより、その応力制御性と、応
力の安定性を高くすることができる。アモルファスＴａ
合金は、成膜後に加熱すると応力が引っ張り側に変化す
ることが知られている（吉原他、第５９回応用物理学会
学術講演会予稿集Ｎｏ２．、ｐｐ５９６）。つまり、成
膜後にレジストプロセス等により加熱されると、応力が
引っ張り側に変化する。しかし、一度加熱すると、その
加熱温度以下の熱処理に対して応力は安定であることが
わかっている。そこで、圧縮応力膜を成膜して、アニー
ルによって応力を引っ張り側に変化させて低応力化し、
熱的安定性を図る方法が一般に用いられている。Further, after the X-ray absorber 1 is formed, an annealing process is performed on the X-ray absorber 1, so that the stress controllability and the stability of the stress can be improved. Amorphous Ta
It is known that when an alloy is heated after film formation, the stress changes to the tensile side (Yoshihara et al., Proceedings of the 59th Annual Meeting of the Japan Society of Applied Physics, No. 2, pp. 596). In other words, when heated by a resist process or the like after film formation, the stress changes to the tensile side. However, it has been found that once heated, the stress is stable against heat treatment at or below the heating temperature. Therefore, a compressive stress film is formed, and the stress is changed to the tensile side by annealing to reduce the stress,
A method for achieving thermal stability is generally used.
【００２１】図５は、ＴａＳｉＴｉのアニール温度と応
力変化量を示すグラフである。ＴａＳｉＴｉはアニール
温度に応じて引っ張り側に応力が変化し、その変化量は
３００℃で２００ＭＰａ程度である。この現象を利用す
ると、Ｘ線吸収体１の成膜時には、低ガス圧領域で圧縮
応力膜を形成しておき、その後アニールによって応力を
引っ張り側に変化させることにより、低応力のＸ線吸収
体１の形成が可能となる。FIG. 5 is a graph showing the annealing temperature and the amount of stress change of TaSiTi. The stress of TaSiTi changes to the tensile side in accordance with the annealing temperature, and the change is about 200 MPa at 300 ° C. Utilizing this phenomenon, when the X-ray absorber 1 is formed, a compressive stress film is formed in a low gas pressure region, and then the stress is changed to a tensile side by annealing, so that the low-stress X-ray absorber is formed. 1 can be formed.
【００２２】また、Ｘ線吸収体１は、ドライエッチング
特性も良好である。塩素ガスをエッチャントに、ドライ
エッチングした場合、ＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、Ｔ
ａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣ
ｕはＴａＧｅとほぼ等しいドライエッチング特性、Ｔａ
ＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＧｅＭｏ
に関しては、ＴａＧｅのほぼ１／２のエッチングレート
が得られる。また、全ての材料がアモルファス構造なの
で、パターン側壁がなめらかで、０．１μｍのパターン
を容易に形成可能である。特に、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＧ
ｅＴｉはエッチング条件を大幅に変えてもレジストとの
選択比が高く、エッチング生成物の再付着が少ないの
で、微細パターン形成に適した材料である。The X-ray absorber 1 also has good dry etching characteristics. When dry etching is performed using chlorine gas as an etchant, TaSiAl, TaSiTi,
aSiCu, TaGeAl, TaGeTi, TaGeC
u is a dry etching characteristic substantially equal to TaGe, Ta
SiCr, TaSiMo, TaGeCr, TaGeMo
With respect to (2), an etching rate of about 1/2 of TaGe can be obtained. Further, since all the materials have an amorphous structure, the pattern side walls are smooth and a pattern of 0.1 μm can be easily formed. In particular, TaSiTi, TaG
eTi is a material suitable for forming a fine pattern because it has a high selectivity with respect to the resist even when the etching conditions are largely changed, and has little reattachment of the etching product.
【００２３】さらに、Ｘ線吸収体１は、洗浄液に対する
耐性（薬品耐性、酸洗浄耐性）も良好である。希フッ酸
（ＨＦ＋Ｈ2Ｏ）に対しては各材料とも５〜１５ｎｍ／
ｍｉｎのエッチレートで溶解するが、硝酸、硫酸、バッ
ファードフッ酸（ＨＦ＋ＮＨ 3）、ＨＰＭ（ＨＣｌ＋Ｈ2
Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）、ＡＰＭ（ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）、ＳＰ
Ｍ（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2）およびアルカリレジスト現像液
に対する溶解速度は測定限界（１ｎｍ／ｍｉｎ）以下で
ある。Further, the X-ray absorber 1 is
Resistance (chemical resistance, acid washing resistance) is also good. Dilute hydrofluoric acid
(HF + HTwoFor O), each material is 5 to 15 nm /
Dissolve at an etch rate of min.
Fed hydrofluoric acid (HF + NH Three), HPM (HCl + HTwo
OTwo+ HTwoO), APM (NHThree+ HTwoOTwo+ HTwoO), SP
M (HTwoSOFour+ HTwoOTwo) And alkali resist developer
Is below the measurement limit (1 nm / min)
is there.
【００２４】このように、Ｘ線吸収体１に用いられるＴ
ａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭ
ｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、Ｔａ
ＧｅＣｒ、ＴａＧｅＭｏ、ＴａＧｅＣｕは、耐酸化性、
応力制御性、ドライエッチング特性および薬品耐性に優
れ、密度も１４ｇ／ｃｍ3以上と大きいことから、０．
１５μｍ以下のパターン寸法を有するの半導体デバイス
パターン形成に適している。その中でも特にＴａＳｉＴ
ｉが耐酸化性およびドライエッチング特性の点からＸ線
吸収体１に好適であることがわかる。As described above, T used in the X-ray absorber 1
aSiAl, TaSiTi, TaSiCr, TaSiM
o, TaSiCu, TaGeAl, TaGeTi, Ta
GeCr, TaGeMo, TaGeCu are oxidation-resistant,
It is excellent in stress controllability, dry etching characteristics and chemical resistance, and has a large density of 14 g / cm 3 or more.
It is suitable for forming a semiconductor device pattern having a pattern size of 15 μm or less. Among them, TaSiT
It can be seen that i is suitable for the X-ray absorber 1 in terms of oxidation resistance and dry etching characteristics.
【００２５】前記メンブレン２は、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ダ
イヤモンド等からなる膜である。メンブレン２の材料と
して、ヤング率がＳｉＣよりも大きいダイヤモンドを用
いると、より高精度なＸ線マスクを得ることができる。
また、前記支持枠４の材料としては、ＳｉＣ、石英ガラ
ス等が用いられる。The membrane 2 is a film made of SiN, SiC, diamond or the like. When diamond having a Young's modulus larger than that of SiC is used as the material of the membrane 2, a more accurate X-ray mask can be obtained.
Further, as a material of the support frame 4, SiC, quartz glass, or the like is used.
【００２６】次に、本発明のＸ線マスクの製造方法につ
いて詳細に説明する。Ｘ線吸収体１としてＴａＳｉＡ
ｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、Ｔａ
ＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣ
ｒ、ＴａＧｅＭｏ、ＴａＧｅＣｕのいずれの材料を用い
た場合でも、実施形態は同じなので、ここではＴａＳｉ
Ｔｉを例にして説明する。Next, the method of manufacturing the X-ray mask of the present invention will be described in detail. TaSiA as X-ray absorber 1
1, TaSiTi, TaSiCr, TaSiMo, Ta
SiCu, TaGeAl, TaGeTi, TaGeC
The embodiment is the same regardless of whether any of the materials r, TaGeMo, and TaGeCu is used.
This will be described using Ti as an example.
【００２７】（第１の実施形態）図６に本発明のＸ線マ
スクの製造プロセスの一例を示す。まず、厚さ１〜２ｍ
ｍのＳｉ基板３の両面にＣＶＤ法によりメンブレン２と
なるＳｉＣを１〜２μｍ堆積する。次に、エポキシ樹脂
を用いてＳｉ基板３の裏面に厚さ５ｍｍ程度のパイレッ
クスガラス又はＳｉＣ等の支持枠４を接着する（図６
（ａ））。次に、ＫＯＨ水溶液を用いたＳｉの異方性エ
ッチングによってＳｉ基板３の所定の領域を除去しＳｉ
Ｃのメンブレン２を作製する（図６（ｂ））。(First Embodiment) FIG. 6 shows an example of a manufacturing process of an X-ray mask of the present invention. First, thickness 1-2m
1 to 2 μm of SiC to be the membrane 2 is deposited on both surfaces of the m substrate 3 by the CVD method. Next, a support frame 4 made of Pyrex glass or SiC having a thickness of about 5 mm is bonded to the back surface of the Si substrate 3 using an epoxy resin (FIG. 6).
(A)). Next, a predetermined region of the Si substrate 3 is removed by anisotropic etching of Si using a KOH aqueous solution to remove Si.
The C membrane 2 is manufactured (FIG. 6B).
【００２８】次に、図６（ｃ）に示すように、ＴａＳｉ
ＴｉからなるＸ線吸収体１をスパッタ法によりメンブレ
ン２上に成膜する。ターゲットとして原子数比が１：
０．１４：０．０１のＴａＳｉＴｉ合金を用い、スパッ
タチャンバー内にＸｅガスを１００ｓｃｃｍ導入して
０．６Ｐａの圧力に保ちながら、１ｋＷの電力パワーを
導入することにより、２００ＭＰａ程度の圧縮応力を持
つＴａＳｉＴｉアモルファス合金薄膜からなるＸ線吸収
体１が再現性良くメンブレン２上に形成される。この膜
の密度は約１４ｇ／ｃｍ3である。次に、窒素中で３０
０℃にアニールすると応力が引っ張り側に変化して低応
力のＸ線吸収体１が得られる。Next, as shown in FIG.
An X-ray absorber 1 made of Ti is formed on the membrane 2 by a sputtering method. The atomic ratio is 1:
Using a TaSiTi alloy of 0.14: 0.01, Xe gas is introduced into the sputtering chamber at a flow rate of 100 sccm and a pressure of 0.6 Pa is maintained, and a compressive stress of about 200 MPa is obtained by introducing a power of 1 kW. An X-ray absorber 1 made of a TaSiTi amorphous alloy thin film is formed on the membrane 2 with good reproducibility. The density of this film is about 14 g / cm 3 . Next, 30 minutes in nitrogen
When annealing is performed at 0 ° C., the stress changes to the tensile side, and the X-ray absorber 1 with low stress is obtained.
【００２９】次に、Ｘ線吸収体１上にレジストを塗布
し、半導体素子のパターンを形成した後、ＳＦ6または
Ｃｌ2等のエッチングガスでＸ線吸収体パターンを形成
してＸ線マスクは完成する（図６（ｄ））。成膜後にア
ニール処理を施してあるので、レジストパターン形成後
の熱プロセス（〜２５０℃）に於いてもＸ線吸収体の応
力は変化せず、高精度なＸ線マスクが得られる。Next, after applying a resist on the X-ray absorber 1 to form a pattern of a semiconductor element, an X-ray absorber pattern is formed with an etching gas such as SF 6 or Cl 2 to form an X-ray mask. It is completed (FIG. 6D). Since the annealing process is performed after the film formation, the stress of the X-ray absorber does not change even in the thermal process (up to 250 ° C.) after the formation of the resist pattern, and a highly accurate X-ray mask can be obtained.
【００３０】スパッタリングターゲットとしては、（Ｔ
ａ、Ｓｉ、Ｔｉ）を混合焼結したターゲット、もしくは
前記元素のうち２種類を焼結したターゲットと残る一種
類の元素を組み合わせたモザイク状ターゲット、もしく
は前記３種類の元素の内１種類のターゲットに残る２種
類の元素を組み合わせたモザイク状のターゲットが利用
できる。また、スパッタガスとしてＡｒを用いても同様
の膜が得られるが、Ｘｅの方が原子半径が大きいため、
膜中に取り込まれるガスの量が少なくなり、応力制御、
安定性、密度等が良好なＸ線吸収体１を得ることができ
る。As the sputtering target, (T
a, Si, Ti), a target obtained by mixing and sintering, or a target obtained by sintering two of the above-mentioned elements, and a mosaic-shaped target obtained by combining one of the remaining elements, or one of the above-mentioned three elements Mosaic-like targets combining the two remaining elements can be used. A similar film can be obtained by using Ar as a sputtering gas. However, since Xe has a larger atomic radius,
The amount of gas taken into the film decreases, stress control,
The X-ray absorber 1 having good stability, density, and the like can be obtained.
【００３１】（第２の実施形態）図７に本発明のＸ線マ
スクの第２の製造方法を示す。図７（ａ）に示すよう
に、厚さ１〜２ｍｍのＳｉ基板の両面にＣＶＤ法により
メンブレン２となるＳｉＣを１〜２μｍ堆積する。次
に、図７（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様に
ＴａＳｉＴｉのスパッタリングターゲットを用いて３０
０ＭＰａ程度の圧縮応力のＸ線吸収体１を成膜する。次
に、窒素中で３００℃にアニールすると応力が引っ張り
側に変化して低応力膜が得られる。実施例１と異なり、
ＳｉＣを介してＳｉ基板３上にＸ線吸収体１を形成する
ので、各工程に於いてＸ線吸収体１の応力を詳しく測定
することができる。(Second Embodiment) FIG. 7 shows a second method of manufacturing an X-ray mask according to the present invention. As shown in FIG. 7A, 1 to 2 μm of SiC to be the membrane 2 is deposited on both surfaces of an Si substrate having a thickness of 1 to 2 mm by a CVD method. Next, as shown in FIG. 7 (b), the same as in the first embodiment, using a TaSiTi sputtering target for 30 minutes.
The X-ray absorber 1 having a compressive stress of about 0 MPa is formed. Next, when annealing is performed at 300 ° C. in nitrogen, the stress changes to the tensile side, and a low stress film is obtained. Unlike Example 1,
Since the X-ray absorber 1 is formed on the Si substrate 3 via SiC, the stress of the X-ray absorber 1 can be measured in each step in detail.
【００３２】次に、図７（ｃ）に示すように、ＫＯＨを
用いたＳｉの異方性エッチングによってＳｉ基板３の所
定の領域を除去しＳｉＣのメンブレン２を作製し、陽極
接合によってＳｉ基板３の裏面に厚さ５ｍｍ程度の支持
枠４を接着する。ついで、図７（ｄ）に示すように、Ｘ
線吸収体１上にレジストを塗布し、半導体素子のパター
ンを形成した後、ＳＦ6またはＣｌ2等のエッチングガス
でＸ線吸収体パターンを形成する。Next, as shown in FIG. 7C, a predetermined region of the Si substrate 3 is removed by anisotropic etching of Si using KOH to produce a SiC membrane 2, and the Si substrate is subjected to anodic bonding. A support frame 4 having a thickness of about 5 mm is bonded to the back surface of the support 3. Then, as shown in FIG.
After applying a resist on the line absorber 1 to form a pattern of a semiconductor element, an X-ray absorber pattern is formed with an etching gas such as SF 6 or Cl 2 .
【００３３】この方法ではＳｉ基板３をバックエッチン
グしてメンブレン２を作製するプロセスであるので、メ
ンブレン２の引っ張り応力によって支持枠４に歪みが生
じてＸ線吸収体１及びメンブレン２の応力が変化する。
この場合、Ｘ線吸収体１をあらかじめ目標の応力よりも
引っ張り応力に成膜する、もしくは、成膜後の応力から
パターン位置歪み量を予測してパターンデータを補正す
る等の方法によりＸ線マスクをより高精度にすることが
できる。In this method, since the Si substrate 3 is back-etched to produce the membrane 2, the support frame 4 is distorted by the tensile stress of the membrane 2 and the stress of the X-ray absorber 1 and the membrane 2 changes. I do.
In this case, the X-ray absorber 1 is formed in advance by forming a film with a tensile stress higher than the target stress, or by correcting the pattern data by estimating a pattern position distortion amount from the stress after the film formation. Can be made more accurate.
【００３４】（第３の実施形態）図８に本発明のＸ線マ
スクの第３の製造方法を示す。直径５インチ、３．９ｍ
ｍ厚のＳｉ基板３の両面にＣＶＤ法によりメンブレン２
となるＳｉＣを１〜２μｍ堆積する（図８（ａ））。Ｓ
ｉ基板３の両面にＳｉＣを成膜した後、超音波加工によ
って４０ｍｍ角の裏面バックエッチング部分５と直径４
インチの表面メサ部分６を形成する（図８（ｂ）、
（ｃ））。ここで、表面のメサ部分６はＮＣ加工によっ
て形成することも可能である。(Third Embodiment) FIG. 8 shows a third method of manufacturing an X-ray mask according to the present invention. 5 inches in diameter, 3.9m
The membrane 2 is formed on both sides of the m-thick Si substrate 3 by the CVD method.
1 to 2 μm is deposited (FIG. 8A). S
After depositing SiC on both sides of the i-substrate 3, a 40 mm square back-etched portion 5 and a diameter 4
An inch surface mesa portion 6 is formed (FIG. 8B)
(C)). Here, the mesa portion 6 on the surface can be formed by NC processing.
【００３５】次に、超音波加工によってメンブレン２部
分を残厚０．５ｍｍまで研削したＳｉ基板３に第１の実
施形態と同様にＸ線吸収体１を成膜する（図８（ｃ）、
（ｄ））。成膜部分の板厚が０．５ｍｍ以下なので、Ｘ
線吸収体１の応力測定の精度は１ＭＰａ程度である。次
に、３００度の窒素雰囲気中アニールによって、Ｘ線吸
収体１を低応力化した後、フッ硝酸をもちいてバックエ
ッチングする（図８（ｅ））。続いて、Ｘ線吸収体１上
にレジストを塗布し、半導体素子のパターンを形成した
後、ＳＦ6またはＣｌ2等のエッチングガスでＸ線吸収体
パターンを形成することによってＳｉ一体型のＸ線マス
クが完成する。Next, the X-ray absorber 1 is formed as in the first embodiment on the Si substrate 3 having the membrane 2 portion ground to a residual thickness of 0.5 mm by ultrasonic processing (FIG. 8C).
(D)). Since the thickness of the film formation portion is 0.5 mm or less, X
The accuracy of the stress measurement of the wire absorber 1 is about 1 MPa. Next, after reducing the stress of the X-ray absorber 1 by annealing in a nitrogen atmosphere at 300 degrees, back etching is performed using hydrofluoric nitric acid (FIG. 8E). Subsequently, a resist is applied on the X-ray absorber 1 to form a pattern of a semiconductor element, and then the X-ray absorber pattern is formed with an etching gas such as SF 6 or Cl 2 to form a Si-integrated X-ray. The mask is completed.
【００３６】パイレックス等のガラスのヤング率が７５
ＧＰａなのに対して、Ｓｉのヤング率は１６０ＧＰａ程
度と大きいので、厚さ０．６２５ｍｍのＳｉ基板に厚さ
７ｍｍのガラスフレームを接合した物と同じ強度のＸ線
マスクがＳｉ一体型では３．９ｍｍの厚さで得られる。Glass such as Pyrex has a Young's modulus of 75
In contrast to GPa, the Young's modulus of Si is as large as about 160 GPa. Therefore, an X-ray mask having the same strength as that obtained by bonding a glass substrate having a thickness of 7 mm to a Si substrate having a thickness of 0.625 mm is 3.9 mm in the Si integrated type. Is obtained with a thickness of
【００３７】（第４の実施形態）次に、上記で説明した
Ｘ線マスクを利用した半導体デバイスの製造方法の一例
を説明する。半導体デバイス（メモリやロジックなどの
半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ、薄膜磁気
ヘッド、マイクロマシン等）は、ウエハ上に実際の回路
を形成する前工程、そのウエハをチップ化及びパッケー
ジングする後工程を経て製品化される。ウエハプロセス
には絶縁膜形成、電極形成、イオン注入等の工程がある
が、各工程に於いてデバイス設計図どおりのパターンを
基板上に形成するプロセスがリソグラフィである。リソ
グラフィ工程では、レジスト塗布、露光、現像が行わ
れ、基板上にレジストパターンが形成される。ここで、
０．１５μｍ以下の微細なデバイスパターンを形成する
場合、もしくはアスペクト比が大きい（＞５）パターン
を形成する場合にはＸ線露光が用いられる。(Fourth Embodiment) Next, an example of a method for manufacturing a semiconductor device using the above-described X-ray mask will be described. For semiconductor devices (semiconductor chips such as memory and logic, or liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.), the pre-process for forming actual circuits on a wafer and the post-process for chipping and packaging the wafer It will be commercialized. The wafer process includes processes such as insulating film formation, electrode formation, and ion implantation. In each process, lithography is a process for forming a pattern on a substrate according to a device design drawing. In the lithography process, resist application, exposure, and development are performed, and a resist pattern is formed on the substrate. here,
X-ray exposure is used when forming a fine device pattern of 0.15 μm or less, or when forming a pattern having a large aspect ratio (> 5).
【００３８】半導体デバイスでは前の層に形成されたパ
ターンに次の層のパターンを重ね合わせるが、その精度
は最小パターン線幅の数分の一以下であることが要求さ
れる。第１の実施形態から第３の実施形態で示したＸ線
マスクは、Ｘ線吸収体の応力が高度に制御されているの
で、位置歪みが小さい。例えば、Ｘ線透過膜（メンブレ
ン２）にＳｉＣを用いて、３５ｍｍ角の領域に５０％の
被覆率で±５ＭＰａのＸ線吸収体パターンを形成したと
きのＸ線吸収体による最大位置歪みは５ｎｍ以下とな
る。よって、上記露光プロセスに本発明のＸ線マスクを
用いれば、デバイス設計図に対して忠実なパターンが作
成可能であるため、良好な特性を有する半導体デバイス
を高い歩留りで製造することができる。In a semiconductor device, the pattern of the next layer is superimposed on the pattern formed on the previous layer, and its accuracy is required to be less than a fraction of the minimum pattern line width. In the X-ray masks described in the first to third embodiments, since the stress of the X-ray absorber is highly controlled, positional distortion is small. For example, when an X-ray absorber pattern of ± 5 MPa is formed at a coverage of 50% in a 35 mm square area using SiC for the X-ray transmission film (membrane 2), the maximum positional distortion caused by the X-ray absorber is 5 nm. It is as follows. Therefore, if the X-ray mask of the present invention is used in the above-described exposure process, a pattern faithful to a device design drawing can be created, and a semiconductor device having good characteristics can be manufactured at a high yield.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高密度な微細パターンを有する高精度なＸ線マスクを得
ることができる。これは、Ｘ線吸収体の耐酸化性が高
く、側壁酸化に伴うパターン伸長が小さいためであり、
また、Ｘ線吸収体が応力制御性、ドライエッチング性、
薬品耐性（酸洗浄耐性）にも優れているからである。ま
た、Ｘ線吸収体の成膜後にアニールすることによって、
応力の制御が可能となり、応力制御性をさらに高めるこ
とができる。As described above, according to the present invention,
A highly accurate X-ray mask having a high-density fine pattern can be obtained. This is because the oxidation resistance of the X-ray absorber is high and the pattern elongation due to the oxidation of the side wall is small.
Further, the X-ray absorber has stress controllability, dry etching property,
This is because they are also excellent in chemical resistance (acid cleaning resistance). Also, by annealing after forming the X-ray absorber,
The stress can be controlled, and the stress controllability can be further improved.
【００４０】また、Ｘ線吸収体の成膜後にアニールする
ことによって、応力の安定性が高くなる。一度アニール
するとそのアニール温度以下の加熱によって応力が変化
しないからである。また、Ｘ線吸収体にＧｅまたはＳｉ
を加えることにより、Ｘ線吸収体の構造がアモルファス
となるので、Ｘ線吸収体パターンがなめらかである。ま
た、本発明の半導体デバイスは、高密度な微細パターン
を有する高精度なＸ線マスクを用いて製造されるので、
良好な特性を持ち、歩留りの高い半導体デバイスを得る
ことができる。Further, by performing annealing after forming the X-ray absorber, the stability of stress is increased. This is because, once annealed, the stress does not change due to heating below the annealing temperature. In addition, Ge or Si is used for the X-ray absorber.
Is added, the structure of the X-ray absorber becomes amorphous, so that the X-ray absorber pattern is smooth. Further, since the semiconductor device of the present invention is manufactured using a high-precision X-ray mask having a high-density fine pattern,
A semiconductor device having good characteristics and a high yield can be obtained.
【図１】 本発明のＸ線マスクの一例を示すの断面図で
あるFIG. 1 is a sectional view showing an example of an X-ray mask of the present invention.
【図２】 Ｘ線吸収体をスパッタ法で成膜し、スパッタ
装置から取り出した後の応力変化量を示すグラフであ
り、横軸はＸ線吸収体を大気中に取り出した後の経過時
間（分）であり、縦軸は応力変化量（ＭＰａ）である。FIG. 2 is a graph showing the amount of change in stress after an X-ray absorber is formed by a sputtering method and taken out of a sputtering apparatus. The horizontal axis represents the elapsed time after the X-ray absorber is taken out into the atmosphere ( ), And the vertical axis represents the amount of change in stress (MPa).
【図３】 Ｘ線吸収体をスパッタ法で成膜し、スパッタ
装置から取り出した後の応力変化量を示すグラフであ
り、横軸はＸ線吸収体を大気中に取り出した後の経過時
間（分）であり、縦軸は応力変化量（ＭＰａ）である。FIG. 3 is a graph showing the amount of change in stress after an X-ray absorber is formed by a sputtering method and taken out of a sputtering apparatus, and the horizontal axis represents the elapsed time after taking out the X-ray absorber into the atmosphere ( ), And the vertical axis represents the amount of change in stress (MPa).
【図４】 ＴａＧｅおよびＴａＳｉＴｉの成膜時のスパ
ッタガス圧と応力の関係を示すグラフであり、横軸はス
パッタガス圧（Ｐａ）であり、縦軸は応力（ＭＰａ）で
ある。FIG. 4 is a graph showing a relationship between a sputtering gas pressure and a stress at the time of forming a film of TaGe and TaSiTi, in which a horizontal axis represents a sputtering gas pressure (Pa) and a vertical axis represents a stress (MPa).
【図５】 ＴａＳｉＴｉのアニール温度と応力変化量を
示すグラフであり、横軸はアニール温度（℃）であり、
縦軸は応力変化量（ＭＰａ）である。FIG. 5 is a graph showing the annealing temperature and the amount of change in stress of TaSiTi, and the horizontal axis represents the annealing temperature (° C.);
The vertical axis represents the amount of change in stress (MPa).
【図６】 本発明のＸ線マスクの製造方法の一例を説明
するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining an example of the method for manufacturing an X-ray mask of the present invention.
【図７】 本発明のＸ線マスクの製造方法の他の例を説
明するための断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining another example of the method for manufacturing an X-ray mask of the present invention.
【図８】 本発明のＸ線マスクの製造方法の他の例を説
明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining another example of the method for manufacturing an X-ray mask of the present invention.
【図９】 従来のＸ線マスクの一例を示すの断面図であ
るFIG. 9 is a sectional view showing an example of a conventional X-ray mask.
【図１０】 従来のＸ線マスクの製造方法の一例を説明
するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional method for manufacturing an X-ray mask.
１ Ｘ線吸収体 ２ メンブレン（Ｘ線透過膜） 1. X-ray absorber 2. Membrane (X-ray permeable membrane)
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−2109（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−190958（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−79347（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−209840（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−326380（ＪＰ，Ａ) Ｊ．Ｔ．Ｓｈｅｕ ｅｔ ａｌ，Ｃｈ ａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｓ ｐｕｔｔｅｒｅｄ ＴａＸ Ａｂｓｏｒ ｂｅｒｓ ｆｏｒ Ｘ−ｒａｙ Ｍａｓ ｋ，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏ ｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．，米国，ＳＰＩＥ −Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．, ｖｏｌ．3676，ｐｔ．１−２ ｐ．42− ５ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16 ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)Continuation of front page (56) References JP-A-2-2109 (JP, A) JP-A-9-190958 (JP, A) JP-A-10-79347 (JP, A) JP-A-11-209840 (JP, A) , A) JP-A-5-326380 (JP, A) T. Sheu et al., Characteristics of Sputted Tax Absorbers for X-ray Mask, Proc. SPIE-Int. SoC. Opt. Eng. , USA, SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. , vol. 3676, pt. 1-2 p. 42-5 (58) Fields surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 1/16 INSPEC (DIALOG)
Claims (8)
吸収体を有するＸ線マスクであって、 前記Ｘ線吸収体が、ＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、Ｔａ
ＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡ
ｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＧｅＭｏおよび
ＴａＧｅＣｕからなる群から選ばれる１種の合金を含ん
でいることを特徴とするＸ線マスク。1. An X-ray mask having an X-ray absorber selectively formed on an X-ray permeable film, wherein the X-ray absorber is made of TaSiAl, TaSiTi, Ta.
SiCr, TaSiMo, TaSiCu, TaGeA
1, an X-ray mask comprising one alloy selected from the group consisting of TaGeTi, TaGeCr, TaGeMo and TaGeCu.
たは酸化膜であることを特徴とする請求項１記載のＸ線
マスク。2. The X-ray mask according to claim 1, wherein said X-ray absorber is a nitride film or an oxide film of said alloy.
０原子％の範囲であることを特徴とする請求項１または
請求項２記載のＸ線マスク。3. The composition ratio of the Si or Ge is 1 to 4
3. The X-ray mask according to claim 1, wherein the X-ray mask is in a range of 0 atomic%.
あることを特徴とする、請求項１ないし３いずれか一項
に記載のＸ線マスク。4. The X-ray mask according to claim 1, wherein the X-ray absorber has an amorphous structure.
吸収体を有するＸ線マスクの製造方法であって、 前記Ｘ線透過膜上に、ＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、Ｔ
ａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡ
ｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＧｅＭｏおよび
ＴａＧｅＣｕからなる群から選ばれる１種の合金を含む
Ｘ線吸収体を形成するステップを有することを特徴とす
るＸ線マスクの製造方法。5. A method of manufacturing an X-ray mask having an X-ray absorber selectively formed on an X-ray transmission film, wherein the X-ray transmission film is provided with TaSiAl, TaSiTi, T
aSiCr, TaSiMo, TaSiCu, TaGeA
1, a method of manufacturing an X-ray mask, comprising the step of forming an X-ray absorber containing one alloy selected from the group consisting of TaGeTi, TaGeCr, TaGeMo, and TaGeCu.
ｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、
ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＧｅ
ＭｏおよびＴａＧｅＣｕからなる群から選ばれる１種の
合金を含むターゲットを用いてスパッタ法により前記Ｘ
線透過膜上にＸ線吸収体を形成するステップであること
を特徴とする請求項５記載のＸ線マスクの製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the step is TaSiAl, TaS.
iTi, TaSiCr, TaSiMo, TaSiCu,
TaGeAl, TaGeTi, TaGeCr, TaGe
The above-mentioned X is formed by sputtering using a target containing one kind of alloy selected from the group consisting of Mo and TaGeCu.
6. The method according to claim 5, further comprising the step of forming an X-ray absorber on the X-ray transmitting film.
に、該Ｘ線吸収体をアニールするステップを有すること
を特徴とする請求項５または請求項６記載のＸ線マスク
の製造方法。7. The method of manufacturing an X-ray mask according to claim 5, further comprising a step of annealing the X-ray absorber after the step of forming the X-ray absorber.
Ｘ線マスクを用いたＸ線露光により基板上のレジストに
Ｘ線吸収体パターンを転写することによって少なくとも
１層のパターンが形成されていることを特徴とする半導
体デバイス。8. A pattern of at least one layer is formed by transferring an X-ray absorber pattern to a resist on a substrate by X-ray exposure using the X-ray mask according to claim 1. A semiconductor device characterized in that:
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29745299A JP3303858B2 (en) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | X-ray mask and manufacturing method thereof |
| KR1020000061189A KR20010040112A (en) | 1999-10-19 | 2000-10-18 | X-ray mask having a lower stress in x-ray absorption pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29745299A JP3303858B2 (en) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | X-ray mask and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118779A JP2001118779A (en) | 2001-04-27 |
| JP3303858B2 true JP3303858B2 (en) | 2002-07-22 |
Family
ID=17846703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29745299A Expired - Fee Related JP3303858B2 (en) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | X-ray mask and manufacturing method thereof |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3303858B2 (en) |
| KR (1) | KR20010040112A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5009389B2 (en) * | 2008-02-27 | 2012-08-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | REFLECTIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| TW202026770A (en) * | 2018-10-26 | 2020-07-16 | 美商應用材料股份有限公司 | Ta-cu alloy material for extreme ultraviolet mask absorber |
-
1999
- 1999-10-19 JP JP29745299A patent/JP3303858B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-18 KR KR1020000061189A patent/KR20010040112A/en not_active Application Discontinuation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ｔ．Ｓｈｅｕ ｅｔ ａｌ，Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ ＴａＸ Ａｂｓｏｒｂｅｒｓ ｆｏｒ Ｘ−ｒａｙ Ｍａｓｋ，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．，米国，ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．，ｖｏｌ．３６７６，ｐｔ．１−２ ｐ．４２−５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001118779A (en) | 2001-04-27 |
| KR20010040112A (en) | 2001-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2823276B2 (en) | Method for manufacturing X-ray mask and apparatus for controlling internal stress of thin film | |
| JPH0864524A (en) | Preparation of x-ray absorption mask | |
| JP2003318101A (en) | Reflection mask blank for exposure, its manufacturing method and reflection mask for exposure | |
| JPH022109A (en) | X-ray mask | |
| JP4390418B2 (en) | Reflective mask blank for EUV exposure, reflective mask for EUV exposure, and semiconductor manufacturing method | |
| JP3303858B2 (en) | X-ray mask and manufacturing method thereof | |
| JP2877190B2 (en) | X-ray mask and manufacturing method thereof | |
| JP3806711B2 (en) | REFLECTIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD | |
| JP3119237B2 (en) | X-ray mask, method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH10229043A (en) | X-ray mask blank, its manufacture and manufacture of x-ray mask | |
| JP4333107B2 (en) | Transfer mask and exposure method | |
| JP3097646B2 (en) | Alloy, method of manufacturing the same, X-ray mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP5920965B2 (en) | Mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH02123730A (en) | Mask for radiation exposure and manufacture thereof | |
| JP2007085899A (en) | X-ray absorber | |
| JP3631017B2 (en) | X-ray mask blank and manufacturing method thereof, and X-ray mask and manufacturing method thereof | |
| JP3364151B2 (en) | X-ray mask and manufacturing method thereof | |
| JP6140330B2 (en) | Mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH09306812A (en) | Manufacture of x-ray mask | |
| JP3354900B2 (en) | X-ray mask and manufacturing method thereof | |
| JP2000340483A (en) | X ray exposure mask and manufacture thereof | |
| JP3451431B2 (en) | X-ray exposure mask and method of manufacturing the same | |
| JPH03173116A (en) | X-ray mask and manufacture thereof | |
| JP2001230194A (en) | Substrate for x-ray mask, its manufacturing method, x- ray mask and its manufacturing method | |
| JP3411413B2 (en) | X-ray mask manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020402 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |