JP2638297B2 - ピークレベル検出回路 - Google Patents

ピークレベル検出回路

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、信号のピークレベルを保持するピークレベ
ル検出回路に関する。
〔従来の技術〕
従来のピークレベル検出回路は第10図に示す様に、正
相入力端子1を信号入力端子とする差動型に接続された
トランジスタQ11及びQ12から成る差動増幅回路3からの
出力信号をエミッタホロワ回路を構成するトランジスタ
Q13を介してコンデンサC1を充電し、ピークレベル出力
2を得ていた。更に、第11図に示す様に、第10図のピー
クレベル検出回路の出力信号を低インピーダンスで取り
出すために第2の差動増幅回路4をボルテージホロワ接
続として付加したものがあった。
〔発明が解決しようとする課題〕
第11図に示す従来のピークレベル検出回路では、正相
入力端子に入力される入力信号のピーク値に対して逆相
入力端子に接続されているコンデンサC1の電位とを比較
し、その出力信号を更に第2の差動増幅回路を介して出
力していたため、第1の差動増幅回路及び第2の差動増
幅回路に於ける入力オフセット電圧分が出力信号の誤差
として現れてしまうという欠点がある。又第2の差動増
幅回路の入力インピーダンスが有限であるため、電圧保
持用のコンデンサC1に蓄積された電荷が第2の差動増幅
回路のトランジスタQ14のベース電流として放電される
こととなり、出力信号に生ずる誤差の第2の要因となっ
てしまう欠点もある。
本発明の目的は、第2の差動増幅器の入力オフセット
電圧によって生じる誤差を出力信号に影響させない様に
し、又、電圧保持用コンデンサの電荷の放電を抑える様
にすると共に、更に、第1の差動増幅回路の入力オフセ
ット電圧に起因する誤差をも低減する事が可能なピーク
レベル検出回路を提供する事にある。
〔課題を解決するための手段〕 本発明によるピークレベル検出回路は、正相入力端子
を信号入力端子とするボルテージホロワ接続した第1の
差動増幅回路と、該第1の差動増幅回路の出力信号を第
1のエミッタホロワ回路を介してコンデンサに充電せし
めかつ同信号をボルテージホロワ接続した第2の差動増
幅回路の正相入力端子に入力したピークレベル検出回路
に於いて、前記第1の差動増幅回路をボルテージホロワ
接続とせず、前記第2の差動増幅回路の出力信号を前記
第1の差動増幅回路の逆相入力端子帰還する事を特徴と
し、又、前記第2の差動増幅回路を構成する正相入力段
トランジスタのコレクタとコレクタ負荷との間に該入力
段トランジスタと同極性のトランジスタを挿入し、該ト
ランジスタのベース電流を基準電流源とし出力電流を前
記第2の差動増幅回路の正相側入力端子に帰還するカレ
ントミラー回路を設ける事を特徴とし、更に、前記第1
の差動増幅回路の正相入力段トランジスタのコレクタと
コレクタ負荷との間に該入力段トランジスタと同極性の
トランジスタを挿入したことを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を説明するための回路
図である。第1の差動増幅回路3は、定電流源IEE1、入
力段NPNトランジスタQ11,Q21及び能動負荷としてのPNP
トランジスタQ12,Q22より成り、その正相入力端子1を
信号入力端子とする。エミッタホロワ回路としてのNPN
トランジスタQ13のベースは第1の差動増幅回路3の出
力端子に、コレクタは高電位電源VCCに、エミッタは電
圧保持用コンデンサC1に接続される。第2の差動増幅回
路4は、定電流源IEE2、入力段NPNトランジスタQ14,Q2
4、能動負荷としてのPNPトランジスタQ15,Q25により成
り、その正相入力端子はエミッタホロワ回路Q13のエミ
ッタに接続される。NPNトランジスタQ16及び定電流源IE
E3より成るエミッタホロワ回路は、第2の差動増幅回路
の出力信号を入力として接続され、本回路のピークレベ
ル検出信号である出力信号2を出力すると同時に第1及
び第2の差動増幅回路の逆相入力端子に接続される。
次に、第1図についてその動作を説明する。入力端子
1に入力される信号の電位がコンデンサC1に保持されて
いる電位よりも高くなると、第1の差動増幅回路3の出
力信号は高電位になろうとし、従ってエミッタホロワ回
路の出力即ちQ13のエミッタは高電位になろうとするの
で、コンデンサC1を充電する。しかしこの電位は、ボル
テージホロワ回路接続された第2の差動増幅回路及びエ
ミッタホロワ回路により第1の差動増幅回路の逆相入力
端子に帰還されるためコンデンサC1は、入力端子1に入
力された電位と第1の差動増幅回路の逆相入力端子の電
位、即ち本回路の出力端子2の電位が等しくなるまで充
電される。又、入力端子1の入力信号の電位が下がる
と、第1の差動増幅回路の逆相入力端子の電位が正相入
力端子の電位より高くなり、第1の差動増幅回路の出力
信号は低電位になるがエミッタホロワ回路Q13がカット
オフしコンデンサC1に蓄積された電荷によりそれまでの
最高電位が保持される。この様にして出力信号端子2に
出力される信号は、入力信号端子1に入力される信号の
最高電位即ち入力信号のピークレベルに等しい電位とな
る。本回路では、第1の差動増幅回路の逆相入力端子に
出力信号2を直接帰還をかけているために、第2の差動
増幅回路の入力オフセット電圧による誤差は、第1の差
動増幅回路により補正され、結果として出力信号2に生
ずる誤差は、第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧
のみが影響し、第2の差動増幅回路の入力オフセット電
圧による影響は著しく低減される。
次に本発明の第2の実施例について説明する。第2図
は本発明の第2の実施例を説明するための回路図であ
る。第1の差動増幅回路3は、定電流源IEE1、入力段NP
NトランジスタQ11,Q21及び能動負荷としてのPNPトラン
ジスタQ12,Q22よりなり、その正相入力端子1を入力信
号端子とする。エミッタホロワ回路としてのNPNトラン
ジスタQ13のベースは第1の差動増幅回路3の出力端子
に、コレクタは高電位電源VCCに、エミッタは電圧保持
用コンデンサC1に接続される。第2の差動増幅回路4
は、定電流源IEE2、入力NPNトランジスタQ14,Q24、能動
負荷としてのPNPトランジスタQ15,Q25及び入力段トラン
ジスタQ14と能動負荷トランジスタQ15との間に挿入され
たNPNトランジスタQ17より成り、その正相入力端子は前
述のエミッタホロワ回路Q13のエミッタに接続される。N
PNトランジスタQ16及び定電流源IEE3より成るエミッタ
ホロワ回路は、第2の差動増幅回路の出力信号を入力と
して接続され、本回路のピークレベル検出信号である出
力信号2を出力すると同時に第1及び第2の差動増幅回
路の逆相入力端子に接続される。カレントミラー回路5
は、PNPトランジスタQ18,Q28より成り前記第2の差動増
幅回路に挿入されたNPNトランジスタQ17のベース電流が
基準電流となるように接続され、PNPトランジスタQ18の
コレクタがこのカレントミラー回路の出力端子でありQ1
4のベースに接続される。
ここでは第1の実施例と異なる構成部分、即ち、カレ
ントミラー回路5について説明する。上述したように、
第2の差動増幅回路の入力段トランジスタQ14に流れる
コレクタ電流の1/Hfeのベース電流がQ14のベースに流
れ、コンデンサC1に蓄積された電荷が放電され出力信号
2に誤差を生ずる事となる。そこでトランジスタQ14と
特性の等しいトランジスタQ17を挿入する事によりQ14と
Q17のコレクタ電流はほぼ等しくなりQ14とQ17のベース
電流がほぼ等しくなる。そこでトランジスタQ18,Q28で
構成されるカレントミラー回路5によりトランジスタQ1
7のベース電流にほぼ等しい電流をトランジスタQ14のベ
ースに戻す事でQ14に流れるベース電流に起因する出力
信号2に生ずる誤差を著しく低減する事が可能となる。
次に本発明の第3の実施例について説明する。第3図
は本発明の第3の実施例について説明するための回路図
である。第1の差動増幅回路3は、定電流源IEE1、入力
段NPNトランジスタQ11,Q21及び能動負荷としてのPNPト
ランジスタQ12,Q22よりなり、その正相入力端子1を入
力信号端子とする。エミッタホロワ回路としてのNPNト
ランジスタQ13のベースは第1の差動増幅回路3の出力
端子に、コレクタは高電位電源VCCに、エミッタは電圧
保持用コンデンサC1に接続される。第2の差動増幅回路
4は、定電流源IEE2、入力NPNトランジスタQ14,Q24、能
動負荷としてのPNPトランジスタQ15,Q25及び入力段トラ
ンジスタQ14と能動負荷トランジスタQ15との間に挿入さ
れたNPNトランジスタQ17より成り、その正相入力端子は
前述のエミッタホロワ回路Q13のエミッタに接続され
る。NPNトランジスタQ16及び定電流源IEE3より成るエミ
ッタホロワ回路は、第2の差動増幅回路の出力信号を入
力として接続され、本回路のピークレベル検出信号であ
る出力信号2を出力すると同時に第1及び第2の差動増
幅回路の逆相入力端子に接続される。カレントミラー回
路5は、PNPトランジスタQ18,Q28より成り前述の第2の
差動増幅回路に挿入されたNPNトランジスタQ17のベース
電流が基準電流と成るように接続され、PNPトランジス
タQ18のコレクタがこのカレントミラー回路5の出力端
子となる。PNPトランジスタQ19は、エミッタが前述のカ
レントミラー回路5の出力端子に、ベースがQ14のコレ
クタに、コレクタがQ14のベースに接続される。
本実施において、第2の実施例と異なる構成部分、即
ち、カレントミラー回路5の出力端子Q18のコレクタと
第2の差動増幅回路の入力端子であるQ14のベースとの
間に挿入されたトランジスタQ19は、PNPトランジスタQ1
8,Q28で構成されるカレントミラー回路5の電流比精度
を向上するためであり、トランジスタQ18とQ28のコレク
タ−エミッタ間の電圧Vceを等しくしており、即ち、ト
ランジスタQ18,Q28のアーリー電圧効果による電流誤差
を軽減している。
次に本発明の第4の実施例について説明する。第4図
は本発明の第4の実施例を説明するための回路図であ
る。本実施例は第1図に示す第1の実施例において、第
1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ11と
そのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間にNPNト
ランジスタQ31を、エミッタをQ11のコレクタ、コレクタ
をQ12のコレクタ及びベースをQ12のコレクタに接続して
挿入した点が異なっている。
本実施例において、第1の実施例と異なる部分、即
ち、第1の差動増幅回路3の入力段トランジスタQ11と
そのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間に挿入
されたNPNトランジスタQ31は、第1の差動増幅回路3の
入力オフセット電圧を低減するためであり、トランジス
タQ11のコレクタ電位をトランジスタQ21のコレクタ電位
より常にトランジスタQ31のベース−エミッタ間電位分
だけ低い電位に保ち、トランジスタQ11,Q21のアーリー
電圧効果に起因する第1の差動増幅回路の入力オフセッ
ト電圧を低減している。
次に本発明の第5の実施例について説明する。第5図
は本発明の第5の実施例を説明するための回路図であ
る。本実施例は第2図に示す第2の実施例において、第
1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ11と
そのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間にNPNト
ランジスタQ31を、エミッタをQ11のコレクタ、コレクタ
をQ12のコレクタ及びベースをQ12のコレクタに接続して
挿入した点が異なっている。
本実施例は第2の実施例に第4の実施例を適用したも
のであり、第2の差動増幅回路の入力ベース電流による
誤差の低減と第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧
による誤差の低減とを可能としたものである。
次に本発明の第6の実施例について説明する。第6図
は本発明の第6の実施例を説明するための回路図であ
る。本実施例は第3図に示す第3の実施例において、第
1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ11と
そのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間にNPNト
ランジスタQ13を、エミッタをQ11のコレクタ、コレクタ
をQ12のコレクタ及びベースをQ21のコレクタに接続して
挿入した点が異なっている。
本実施例は第3の実施例に第4の実施例を適用したも
のであり、第5の実施例よりもより一層、第2の差動増
幅回路の入力段トランジスタのベース電流による誤差を
低減させたものである。
次に本発明の第7の実施例について説明する。第7図
は本発明の第7の実施例を説明するための回路図であ
る。本実施例は第1図に示す第1の実施例において、第
1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ11と
そのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間にNPNト
ランジスタQ31を、エミッタをQ11のコレクタ、コレクタ
をQ12のコレクタ及びベースをQ22のコレクタに接続して
挿入した点と、逆相側入力段トランジスタQ21とそのコ
レクタ負荷としてのPNPトランジスタQ22との間にダイオ
ード接続したNPNトランジスタを順方向に挿入した点が
異なっている。
本実施例において、第1の実施例と異なる部分、即
ち、第1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタ
Q11とそのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間に
挿入されたNPNトランジスタQ31及び前記第1の差動増幅
回路の逆相側入力段トランジスタQ21とそのコレクタ負
荷としてのトランジスタQ22との間に挿入されたトラン
ジスタQ32は、第1の差動増幅回路3の入力オフセット
電圧を低減するためであり、トランジスタQ11のコレク
タ電位をトランジスタQ21のコレクタ電位とほぼ同じ電
位、即ち両電位を第1の差動増幅回路の出力電圧である
トランジスタQ22のコレクタ電位よりもベース−エミッ
タ間電位降下一段分低い電位に保ち、トランジスタQ11,
Q21のアーリー電圧効果に起因する第1の差動増幅回路
の入力オフセット電圧を著しく低減している。
次に本発明の第8の実施例について説明する。第8図
は本発明の第8の実施例を説明するための回路図であ
る。本実施例は第2図に示す第2の実施例において、第
1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ11と
そのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間にNPNト
ランジスタQ31を、エミッタをQ11のコレクタ、コレクタ
をQ12のコレクタ及びベースをQ22のコレクタに接続して
挿入した点と、逆相側入力段トランジスタQ21とそのコ
レクタ負荷としてのPNPトランジスタQ22との間にダイオ
ード接続したNPNトランジスタを順方向に挿入した点が
異なっている。
本実施例は第2の実施例に第7の実施例を適用したも
のであり、第2の差動増幅回路の入力ベース電流による
誤差の低減と第1の差動増幅回路の入力オフセット電圧
による誤差のより一層の低減を可能としたものである。
次に本発明の第9の実施例について説明する。第9図
は本発明の第9の実施例を説明するための回路図であ
る。本実施例は第3図に示す第3の実施例において、第
1の差動増幅回路3の正相側入力段トランジスタQ11と
そのコレクタ負荷であるトランジスタQ12との間にPNPト
ランジスタQ31を、エミッタをQ11のコレクタ、コレクタ
をQ12のコレクタ及びベースをQ22のコレクタに接続して
挿入した点と、逆相側入力段トランジスタQ21とそのコ
レクタ負荷としてのPNPトランジスタQ22との間にダイオ
ード接続したNPNトランジスタを順方向に挿入した点が
異なっている。
本実施例は第3図の実施例に第7の実施例を適用した
ものであり、第8の実施例によりもより一層、第2の差
動増幅回路の入力段トランジスタのベース電流による誤
差を低減させたものである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば第1の差動増幅
回路の逆相入力端子に直接、回路の出力端子の出力信号
から帰還をかけることにより、第2の差動増幅回路の入
力オフセット電圧に起因する出力信号の誤差を低減する
効果がある。又、第2の差動増幅回路の正相入力端子の
入力電流を検出する回路と、これと等しい電流を出力す
るカレントミラー回路を付加することにより第2の差動
増幅回路の正相入力端子の入力電流に起因する出力信号
に生ずる誤差を著しく低減し、このカレントミラー回路
と第2の差動増幅回路の正相入力端子の間に挿入したト
ランジスタによりカレントミラー回路の電流精度を著し
く向上することが可能となり、上記の第2の差動増幅回
路の正相入力端子に流れる入力電流のキャンセル効果を
一層高める効果がある。更に、第1の差動増幅回路の正
相入力段トランジスタとそのコレクタ負荷トランジスタ
との間にトランジスタを挿入することにより第1の差動
増幅回路の正相入力段トランジスタと逆相入力段トラン
ジスタのコレクタ電位を一定の関係に保つことで、第1
の差動増幅回路の入力オフセット電圧を著しく低減し、
第1の差動増幅回路の逆相入力段トランジスタとそのコ
レクタ負荷トランジスタとの間にダイオード接続された
トランジスタを追加することで、第1の差動増幅回路の
正逆両入力段トランジスタのコレクタ電位をほぼ等しく
することが出来、第1の差動増幅回路の入力オフセット
電圧に起因する出力信号の誤差をより一層低減すること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を説明するための回路
図、第2図は本発明の第2の実施例を説明するための回
路図、第3図は本発明の第3の実施例を説明するための
回路図、第4図は本発明の第4の実施例を説明するため
の回路図、第5図は本発明の第5の実施例を説明するた
めの回路図、第6図は本発明の第6の実施例を説明する
ための回路図、第7図は本発明の第7の実施例を説明す
るための回路図、第8図は本発明の第8の実施例を説明
するための回路図、第9図は本発明の第9の実施例を説
明するための回路図、第10図及び第11図は従来例を説明
するための回路図である。 1……信号入力端子、2……信号出力端子、3……第1
の差動増幅回路、4……第2の差動増幅回路、5……カ
レントミラー回路、Q11,Q21,Q13,Q14,Q24,Q16,Q17,Q31,
Q32……NPNトランジスタ、Q12,Q22,Q15,Q25,Q18,Q28,Q1
9……PNPトランジスタ、IEE1,IEE2,IEE3……定電流源、
C1……コンデンサ、VCC……高電位電圧源、VEE……低電
位電圧源。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力信号を第1の差動増幅回路の正相入力
    端子に供給し、該第1の差動増幅回路の出力信号を第1
    のエミッタホロワ回路を介してコンデンサに充電せし
    め、このコンデンサの電荷を第2の差動増幅回路の正相
    入力端子に入力し、前記第2の差動増幅回路の出力信号
    を第2のエミッタホロア回路を介して前記第1及び第2
    の差動増幅回路の逆相入力端子に帰還するピーク検出回
    路において、 前記第2の差動増幅回路を構成する正相入力側入力段ト
    ランジスタとコレクタ負荷との間に該入力段トランジス
    タと同極性の第1のトランジスタを接続し、該第1のト
    ランジスタのベース電流を基準電流源とし出力電流を前
    記第2の差動増幅回路の正相入力端子に帰還するカレン
    トミラー回路を設けたことを特徴とするピークレベル検
    出回路。
  2. 【請求項2】前記第2の差動増幅回路の入力段トランジ
    スタとは逆極性の第2のトランジスタのエミッタを前記
    カレントミラー回路の出力端子に、ベースを前記第2の
    差動増幅回路の入力段トランジスタのコレクタに、コレ
    クタを前記第2の差動増幅回路の正相入力端子に接続す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のピーク
    レベル検出回路。
  3. 【請求項3】入力信号を第1の差動増幅回路の正相入力
    端子に供給し、該第1の差動増幅回路の出力信号を第1
    のエミッタホロワ回路を介してコンデンサに充電せし
    め、このコンデンサの電荷を第2の差動増幅回路の正相
    入力端子に入力し、前記第2の差動増幅回路の出力信号
    を第2のエミッタホロア回路を介して前記第1及び第2
    の差動増幅回路の逆相入力端子に帰還するピーク検出回
    路において、 前記第1の差動増幅回路を構成する正相入力側入力段ト
    ランジスタとコレクタ負荷との間に該入力段トランジス
    タと同極性の第3のトランジスタのエミッタを該入力段
    トランジスタのコレクタに、コレクタを前記コレクタ負
    荷とに接続する形で挿入し、該第3のトランジスタのベ
    ースを前記第1の差動増幅回路の逆相入力側入力段トラ
    ンジスタのコレクタに接続することを特徴とする特許請
    求の範囲第1項又は第2項記載のピークレベル検出回
    路。
  4. 【請求項4】前記第1の差動増幅回路を構成する逆相入
    力段トランジスタのコレクタと該トランジスタのコレク
    タ負荷との間に、前記第3のトランジスタと同極性の第
    4のトランジスタをダイオード接続し、順方向極性に挿
    入したことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載のピ
    ークレベル検出回路。
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