KR850000732B1 - 음량 콘트롤 회로 - Google Patents

음량 콘트롤 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR850000732B1
KR850000732B1 KR1019810001494A KR810001494A KR850000732B1 KR 850000732 B1 KR850000732 B1 KR 850000732B1 KR 1019810001494 A KR1019810001494 A KR 1019810001494A KR 810001494 A KR810001494 A KR 810001494A KR 850000732 B1 KR850000732 B1 KR 850000732B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistors
circuit
power supply
output
volume
Prior art date
Application number
KR1019810001494A
Other languages
English (en)
Other versions
KR830005764A (ko
Inventor
코오즈오 요시히사
이사무 오꾸이
Original Assignee
가부시기 가이샤 도시바
사바 쇼오이찌
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기 가이샤 도시바, 사바 쇼오이찌 filed Critical 가부시기 가이샤 도시바
Publication of KR830005764A publication Critical patent/KR830005764A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR850000732B1 publication Critical patent/KR850000732B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/02—Manually-operated control
    • H03G3/04—Manually-operated control in untuned amplifiers
    • H03G3/10—Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
    • H03G1/0023—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers

Landscapes

  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

음량 콘트롤 회로
제1도는 종래의 음량 콘트롤 회로를 표시하는 회로도.
제2도는 본 발명에 관한 음량콘트롤 회로의 실시예 1를 나타내는 회로도이다.
본 발명은 음량 콘트롤 회로에 관한 것이다.
일반적으로 집적회로(IC)화된 음량콘트롤 회로에 있어서는 더블밸런스의 차동(差動)증폭기를 사용하여 음량을 제어하도록 하고 있다. 제1도는 종래의 음량 콘트롤 회로를 표시하는 것이다. 도면중(Q11),(Q12),(Q13),(Q14)가 더블밸런스형의 자동증폭기(11)을 구성하는 트랜지스터이다. 즉, 트랜지스터(Q11)과 (Q14),(Q12)와 (Q13)의 베이스는 공통접속되고, 각각 가변전압(V11), 고정전원(V12)에 접속되어 있다.
또, 트랜지스터Q11)과(Q13),(Q12)와 (Q14)의 콜렉터는 공통접속되고, 각각 전원라인(L11) 및 저항(R11)을 개재하여 전원라인(L11)에 접속된다. 또한, 트랜지스터(Q11)과 (Q12),(Q13)과 (Q14)의 에미터도 공통접속되어 있다. (Q15),(Q16)은 차동증폭기(12)를 구성하는 트랜지스터이고, 각 콜렉터는 상기 트랜지스터(Q11)과 (Q12),(Q13)과 (Q14)의 에미터의 접속중점에 접속되어 있다. 트랜지스터(Q15),(Q16)의 에미터는 각각 등저항치의 저항(R12),(R13)을 개재하여 접지된다. 또 트랜지스터(Q15).(Q16)베이스는 저항(R14),(R15)를 개재하여 고정전원(V13)에 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q16)의 베이스는 또 콘덴서(C11)을 개재하여 음성신호의 입력단자(13)에 접속되어 있다. 또, 더블밸런스형의 차동증폭기(11)의 출력을 트랜지스터(Q12)와(Q14)의 콜렉터의 접속중점에서 취출되어 에미터 플로워(emitter flower) 구성의 트랜지스터(Q17)의 베이스에 공급되고 있다. 이 트랜지스터(Q17)의 콜렉터는 전원라인(L11)에 접속되고, 에미터는 정전류원회로(14)를 개재하여 접지되는 동시에 출력단(15)에 접속되어 있다. 또, 전원라인(L11)은 전원(Vcc)에 접속된다.
상기 구성에 있어서는 음성입력신호 Sin은 콘덴서(C11)을 개재하여 트랜지스터(Q16)의 베이스에 공급된다. 이것으로 의하여 트랜지스터(Q15)에는 정전류(Ic)가 흐르고 트랜지스터(Q16)에는 정전류(I0)에 음성신호분(is)를 중첨한 전류(I0)+(is)가 흐른다. 그러나 음량 콘트롤은 상기 가변전원(V11)에 의한 트랜지스터(Q11),(Q14)의 베이스 바이어스전압을 조정함으로서 이루어진다. 즉, 가변전원(V11) 고정전원(V12)의 전원전압을 각각 (E11),(E12)로 하면 (E11)(E12)의 관계로, 또 트랜지스터(Q11),(Q14)가온, 트랜지스터(Q12)(Q13)이 오프가 될때까지, 전원전압(E11)을 상승시켜 가면, 음량이득(利得)은 최대로 할 수 있다. (E11)＜(E12)로 하여, 또 트랜지스터(Q11)과 (Q14)를 오프, (Q12)와(Q13)을 온으로 하면 음량이득을 최소로 할 수 있다.
그러나, 상기와 같은 구성에 있어서는 전원라인(L11)에 리플(ripple)이 있을 경우, 트랜지스터(Q12),(Q14)의 콜렉터에 리플이 편승되어 출력단자(15)에 리플성분이 도출되어 음성출력에 불쾌음이 혼입되는 결점이 있다. 또, 트랜지스터(Q15),(Q15),(Q16)의 에미터가 각각 저항(R12),(R13)을 개재하여 기준전위단에 접속되어 있으므로 기준전위단측의 공통임피이던스에 의하여 트랜지스터(Q15)의 에미터전류가 음성입력신호에 의하여 진동되어 음량을 최소로 해도 출력단에 음성신호서분이 누설되어 잔음(殘音)이 생기는 결점이 있었다.
본 발명은 상기의 사정에 대처하기 위하여 연구된 것으로서 전원 리플이 출력음성 신호에 혼입되지 않도록 하는 동시에 음량을 최소한으로 했을 때, 잔음이 없고, 또한 IC화에 적합한 음량 콘트롤 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1를 상세히 설명한다. 제2도에 있어서 (Q21),(Q22),(Q23),(Q24)는 더블밸런스형 차동증폭기(21)를 구성하는 트랜지스터(Q21)과 (Q24),(Q22)와 (Q23)의 베이스는 각각 공통접속되고, 그 접속중점은 각각 가변전원(V21) 고정전원(V22)에 접속되어 있다. 또, 트랜지스터(Q21)과 (Q22),(Q23)과 (Q24)의 에미터도 공통접속되고, 각 접속중점은 차동증폭기(22)는 구성하는 트랜지스터(Q25),(Q26)의 콜렉터에 접속되어 있다. 이 트랜지스터(Q25)와(Q26)의 에미터는 저항(R21)을 개재하여 접속되는 동시에, 각각 정전류원회로(23),(24)를 개재하여 접지된다. 또, 트랜지스터(Q25),(Q26)의 베이스는 저항(R22),(R23)을 개재해서 전원(V23)에 접속된다. 또, 트랜지스터(Q26)의 베이스는 콘덴서(C21)을 개재하여 음성신호의 입력단자(25)에 접속되어 있다.
(Q27),(Q28)은 커렌트 미러(Curret mirror)회로를 구성하는 PNP트랜지스터(Q27),(Q28)의 에미터는 각각 저항(R24),(R25)를 개재하여 전원라인(L21)에 접속된다. 트랜지스터(Q27)과 (Q28)의 베이스는 공통접속되어 있다. 트랜지스터(Q27)의 콜렉터와 베이스는 단란(短絡)되고, 그 접속중점은 정전류원회 로(27)을 개재하여 접지된다. 트랜지스터(Q28)의 콜렉터는 부하(負荷)회로(28)의 에미터 폴로워 트랜지스터(Q29)의 베이스에 접속되어 있다. 이 트랜지스터(Q29)의 베이스는 저항(R26)을 개재하여 접지되고, 콜렉터는 전원라인(L21)에 접속되고 에미터는 정전류원회로(29)를 개재하여 접지되는 동시에 출력단자(30)에 접속된다. 상기 트랜지스터(Q21),(Q24)의 콜렉터는 각각 트랜지스터(Q27),(Q28)의 에미터에 접속되고, 트랜지스터(Q22),(Q23)의 콜렉터는 전원라인(L21)에 접속되어 있다. 전원라인(L21)은 전원(Vcc)에 접속된다.
상기 구성에 있어서 동작을 설명한다. 입력단(25)에 입력되는 음성신호의 전압을 (Vs)로 하면 저항(R21)을 흐르는 음성신호 전류(is)는
is=VS/RA…………(1)
단 RA: 저항(R21)의 저항치가 된다. 이것으로 의하여 트랜지스터(Q25),(Q26)의 콜렉터 전류는 각각 I1-is, I1+is(단 I1는 정전류원회로(23),(24)의 전류치)가 된다.
여기에서 더블밸런스형 차동증폭기(21)의 각트랜지스터(Q21)과 (Q22),(Q23)과 (Q24)의 베이스 바이어스 전압(E21),(E22)가 (E21)＜(E22)의 관계이고, 또 트랜지스터(Q21),(Q24)가 오프, 트랜지스터(Q22), (Q23)이 요일때는 음성신호성분이 전원라인(L21)에 흐르기 때문에 음량이득은 취소가 된다.
한편 (E21)
Figure kpo00001
(E22)이고, 트랜지스터(Q21)과 (Q24)가 온, (Q22)와 (Q23)이 오프일때는, 트랜지스터(Q25),(Q26)을 흐르던 신호전류 is는 트랜지스터(Q21),(Q24)를 흐르기 때문에, 음량이득은 최대가 된다. 이와 같이 바이어스전압(E21)을 가변함으로서 음량이득이 제어된다.
여기에서 음량이 최대일때에 대하여 그 이득을 구해본다. 이 경우에 상기한 바와같이 트랜지스터(Q21),(Q24)가 온, 트랜지스터(Q22),(Q23)이 오프이다. 따라서 트랜지스터(Q25),(Q26)을 흐르는 음성신호 전류 is는 각각 트랜지스터(Q21),(Q24)를 흐른다. 그러나 트랜지스터(Q27),(Q28)의 에미터저항(R24),(R25)의 저항치는 같다. 따라서 이 저항(R24),(R25)를 흐르는 전류도 동일하다. 이것으로 의하여 트랜지스터(Q28)의 콜렉터전류 IC는
IC=I2-Zi5……………(2)
단 I2: 정전류원회로(27)를 흐르는 전류가 된다. 따라서 출력전압 V0는 V1=I1-Zis)×RB단, RB: 저항(R26)의 저항치, 따라서 최대이득 Gmm 출력전압의 교류분을 V0로 하면
Figure kpo00002
가 된다.
여기에서 본 발명의 특징으로 하는 출력음성신호에 전원리플이 혼입하는 것을 방지할 수 있는 점, 및 잔음(殘音)을 방지할 수 있는 점에 대하여 설명한다. 우선 전자(前者)에 대하여 설명하면, 전위리플이 있을 경우, 이 전원리플에 의하여 트랜지스터(Q27),(Q28)의 에미터는 각각 동상(同相)으로 요동되는 동시에 베이스도 동상으로 요동되기 때문에 전원리플은 트랜지스터(Q27),(Q28)로 소멸되어서 트랜지스터(Q28)의 콜렉터에는 도출되지 아니한다. 따라서 출력단(25)에 도츨되는 음성신호에도 전원리플에 의한 영향이 나타나지 아니하게 된다.
또, 잔음이 방지되는 점에 대해서는 트랜지스터(Q25),(Q26)의 에미터와 기준전위단간에 각각 정전류원회로(23),(24)를 삽입하고 있으므로 입력음성신호에 의하여 어어드라인이 요동되는 일은 없다. 이러한 결과로 음량을 최소로 해도 잔음이 발생하는 결점은 없다.
또, 상기 구성에 의하면 커렌트 미러회로(26), 정전류원회로(23),(24)등 IC화에 적합한 소자로 구성되기 때문에 음량콘트롤회로의 IC화에 아무런 장해가 되지 아니한다.
이와 같이 본 발명에 의하면 커렌트 미러회로를 설치함으로서 전원라인 리플이 있다고 하더라도 이 전원리플을 소멸시킬 수가 있으므로 출력음성신호에의 전원리플의 혼입을 방지할 수가 있고, 또, 차동증폭기를 구성하는 한쌍의 트랜지스터의 에미터와 기준전위단간에 정전류 전원회로를 설치함으로서 음량을 최소로 했을 경우에도 잔음이 발생하는 것을 방지할 수가 있고, 또 IC화에 적합한 음량 콘트롤 회로를 제공할 수가 있다.

Claims (1)

  1. 입력음성 신호를 차동증폭하기 원하여 한쌍의 트랜지스터를 지니고, 이 한쌍의 트랜지스터의 에미터와 기준전위단간에 정전류회로를 접속한 차동증폭기와 이 차동증폭기의 차동증폭출력을 취출하기 위한 출력회로로서 부가되는 커렌트 미려회로와 이 커렌트미러회로의 출력이 공급된 음성신호의 출력단이 설정되는 부하회로를 구비한 음량 콘트롤 회로.
KR1019810001494A 1980-07-08 1981-04-30 음량 콘트롤 회로 KR850000732B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93047 1980-07-08
JP9304780A JPS5718109A (en) 1980-07-08 1980-07-08 Sound volume controlling circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR830005764A KR830005764A (ko) 1983-09-09
KR850000732B1 true KR850000732B1 (ko) 1985-05-23

Family

ID=14071585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019810001494A KR850000732B1 (ko) 1980-07-08 1981-04-30 음량 콘트롤 회로

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4464632A (ko)
JP (1) JPS5718109A (ko)
KR (1) KR850000732B1 (ko)
DE (1) DE3125824A1 (ko)
GB (1) GB2080058B (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57125509A (en) * 1981-01-28 1982-08-04 Toshiba Corp Signal level control circuit
JPS5957515A (ja) * 1982-09-27 1984-04-03 Sanyo Electric Co Ltd 可変リアクタンス回路
IT1212720B (it) * 1983-03-23 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Convertitore tensione-corrente ad alta precisione, particolarmente per basse tensioni di alimentazione.
IT1212748B (it) * 1983-06-03 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Stadio differenziale perfezionato, in particolare per filtri attivi.
DE3535882A1 (de) * 1985-10-08 1987-04-16 Licentia Gmbh Schaltungsanordnung zur signalverstaerkung
US4847519A (en) * 1987-10-14 1989-07-11 Vtc Incorporated Integrated, high speed, zero hold current and delay compensated charge pump
FI87860C (fi) * 1988-04-05 1993-02-25 Nokia Mobira Oy Differentialutgaongens koppling som enpolig
US5353347A (en) * 1992-02-04 1994-10-04 Acs Communications, Inc. Telephone headset amplifier with battery saver, receive line noise reduction, and click-free mute switching
KR940007241B1 (ko) * 1992-03-09 1994-08-10 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치의 로우 리던던시장치
US5331290A (en) * 1992-09-08 1994-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable gain amplifier
DE4232508A1 (de) * 1992-09-29 1994-03-31 Deutsche Aerospace Spannungsgesteuerte Anordnung
TW472985U (en) * 2001-01-05 2002-01-11 Elan Microelectronics Corp Current-controlled CMOS amplification circuit
US6566951B1 (en) * 2001-10-25 2003-05-20 Lsi Logic Corporation Low voltage variable gain amplifier having constant common mode DC output
CN101116650A (zh) * 2006-08-03 2008-02-06 罗裕民 心震波医疗仪

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3684974A (en) * 1968-01-29 1972-08-15 Motorola Inc Automatic gain control rf-if amplifier
DE2526310A1 (de) * 1975-06-12 1976-12-23 Philips Patentverwaltung Schaltung zur elektronischen verstaerkungseinstellung
US4065725A (en) * 1976-08-16 1977-12-27 Motorola, Inc. Gain control circuit
JPS5472941A (en) * 1977-11-24 1979-06-11 Toko Inc Transistor amplifier
NL7802973A (nl) * 1978-03-20 1979-09-24 Philips Nv Versterkerschakeling met regelbare versterkings- factor.
JPS5547714A (en) * 1978-09-30 1980-04-04 Toshiba Corp Variable gain amplifying circuit
US4331929A (en) * 1979-04-04 1982-05-25 Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha Gain-controlled amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
GB2080058B (en) 1984-07-25
DE3125824A1 (de) 1982-04-01
GB2080058A (en) 1982-01-27
JPS5718109A (en) 1982-01-29
KR830005764A (ko) 1983-09-09
DE3125824C2 (ko) 1989-10-12
US4464632A (en) 1984-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850000732B1 (ko) 음량 콘트롤 회로
US4586000A (en) Transformerless current balanced amplifier
US3932768A (en) Limiting amplifier
US4445054A (en) Full-wave rectifying circuit
JPS59218015A (ja) カレントミラ−回路
JPS6039220A (ja) 電流安定化回路
US4410859A (en) Signal amplifier circuit arrangement with output current limiting function
JP2733962B2 (ja) 利得制御増幅器
US4494075A (en) Volume control circuit
US4005371A (en) Bias circuit for differential amplifier
US4897614A (en) Current mirror circuit
US5010303A (en) Balanced integrated circuit differential amplifier
US5140181A (en) Reference voltage source circuit for a Darlington circuit
US4360786A (en) Variable-gain differential amplifier
US5134318A (en) Adjustable analog filter circuit with temperature compensation
US4511853A (en) Differential amplifier circuit having improved control signal filtering
US5376900A (en) Push-pull output stage for amplifier in integrated circuit form
US4524330A (en) Bipolar circuit for amplifying differential signal
EP0052289B1 (en) Voltage follower amplifier
JPH0527282B2 (ko)
US4584536A (en) Balance control circuit
JPH0442846B2 (ko)
JPH0161247B2 (ko)
JP2638297B2 (ja) ピークレベル検出回路
JPS6121857Y2 (ko)