JP2635330B2 - 光学記録媒体 - Google Patents

光学記録媒体

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JP2635330B2
JP2635330B2 JP62182955A JP18295587A JP2635330B2 JP 2635330 B2 JP2635330 B2 JP 2635330B2 JP 62182955 A JP62182955 A JP 62182955A JP 18295587 A JP18295587 A JP 18295587A JP 2635330 B2 JP2635330 B2 JP 2635330B2
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    • C09B47/00—Porphines; Azaporphines
    • C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
    • C09B47/045—Special non-pigmentary uses, e.g. catalyst, photosensitisers of phthalocyanine dyes or pigments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光学記録媒体、さらに詳しくいえば、近赤
外域に吸収を持つ半導体レーザーにより情報の書き込み
及び読み出しが可能な光学記録媒体に関する。
［従来の技術］ 近年半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定
したレーザー発振器が安価に入手できるようになって来
ており、各種記録装置の光源として用いられ始めてい
る。
従つて、半導体レーザーを光源とする記録装置では、
近赤外域に吸収を持つ記録媒体が必要であり比較的短波
長側に吸収を持つものでは不適当である。
従来この種の記録媒体としては、Te,Rh,Bi等の金属ま
たは半金属の薄膜を有するものが知られていた。これら
の薄膜にレーザー光を照射し、照射部分に孔を開け、孔
の部分の反射率や吸収率の変化を用いて情報を記録する
ものである（特開昭60−264293号公報）。また、有機化
合物の記録材料としてフルオレセイン，ブリリアントグ
リーン，特開昭55−161690号公報に示されるデイスパー
ズ・レツド11が知られている。さらに、近赤外域に吸収
を持つ記録材料として米国特許第4,492750号明細書にナ
フタレン環に炭素原子数４〜８のアルキル基が置換され
たナフタロキシアニン化合物が示されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、Te,Rh,Bi等の無機の記録材料は感度ま
たは毒性等に欠点があると言われている。また、フルオ
レセイン，ブリリアントグリーン，デイスパーズ・レツ
ド11等の有機色素は、書き込み可能な波長が可視光域に
限定される等の欠点を有している。さらに米国特許第4,
492,750号明細書に開示されているアルキル置換された
ナフタロシアニン化合物は、熱的に不安定で真空蒸着法
では分解してしまい、薄膜形成できない欠点を有してい
る。
本発明は、前記現状に鑑みてなされたもので、その目
的は近赤外域の光に対し高感度であり、毒性がなく、真
空蒸着法により均一な薄膜が形成できる新規な記録媒体
を提供することにある。
そこで、本発明者らは鋭意努力した結果、このような
記録体の発明に至つたのである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、基板上に一般式（Ｉ） （ただし、式中、Ｌ及びＬ′は各々独立して一般式R1R2
R3SiO−（ただし、R1、R2及びR3が、各々独立して炭素
数が１〜３個のアルキル基を示す）で表わされるシロキ
シ基を示す）で表わされるシリコンナフタロシアニン化
合物を含む有機薄膜を含む真空蒸着法により形成された
記録層を積層してなる光学記録媒体に関する。
本発明に用いるシリコンナフタロシアニン化合物は、
ＬおよびＬ′がハロゲンおよび水酸基以外の化合物であ
るときは、最も一般的には一般式（Ｉ）においてＬおよ
び／またはＬ′が水酸基であるシリコンナフタロシアニ
ン化合物と、中心金属シリコンに結合しうる基に対応す
る化合物との反応で得ることができる。本発明のシリコ
ンナフタロシアニン化合物の具体的な合成法を以下に示
す。
1,3−ジイミノベンズ（ｆ）イソインドリンと四塩化
ケイ素を210℃程度で約2.5時間反応させることにより、
一般式（Ｉ）においてＬおよびＬ′が塩素原子であるシ
リコンナフタロシアニン化合物を合成することができ
る。つづいて、これを酸処理およびアルカリ処理するこ
とにより、二つの塩素原子を水酸基で置換し、一般式
（Ｉ）においてＬおよびＬ′が水酸基であるシリコンナ
フタロシアニン化合物を得ることができる。次いで、こ
の化合物とアルコールまたはR1R2R3SiCl若しくはR1R2R3
SiOHとを140〜150℃で約1.5時間反応させることによつ
て、ＬおよびＬ′がアルコキシ基又はシロキシ基である
シリコンナフタロシアニン化合物を合成することができ
る。
一般式（Ｉ）において、ＬおよびＬ′のうち一方がア
ルキル基であるシリコンナフタロシアニン化合物は、1,
3−ジイミノベンズ（ｆ）イソインドリンとRSiCl3（Ｒ
はアルキル基）を210℃程度で約2.5時間反応させ、Ｌお
よびＬ′の一方が塩素原子で他方がアルキル基であるシ
リコンナフタロシアニンを合成する。この化合物を本発
明のシリコンナフタロシアニン化合物として用いてもよ
い。次いで、この化合物を前記した方法により処理する
ことにより、ＬおよびＬ′の他方が水酸基，アルコキシ
基又はシロキシ基である化合物を合成することができ
る。
一般式（Ｉ）において、ＬおよびＬ′がアルキル基で
あるシリコンナフタロシアニン化合物は、1,3−ジイミ
ノベンズ（ｆ）イソインドリンとＲ′Ｒ″SiCl2（Ｒ′
およびＲ″は各々アルキル基）を約210℃で約2.5時間反
応させて得ることができる。
一般式（Ｉ）のＬおよびＬ′としての前記一般式R1R2
R3SiO−のR1、R2およびR3である炭素数１〜３のアルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等があ
る。
本発明に係る光学記録媒体は、適当な基板上に一般式
（Ｉ）で表わされるシリコンナフタロシアニン化合物か
らなる記録層を真空蒸着により設けることにより製造さ
れる。
該シリコンナフタロシアニン化合物の非晶質層を基板
上に設けた場合、適当な強度の電磁エネルギー（例えば
半導体レーザー光）を集光してスポツト状に照射すると
熱変形により開孔を生じることはないが、冷却後、照射
部分が結晶化する。この結晶化により、反射率，吸収率
等の光学濃度に変化が生じるので情報の書き込みが可能
となる。情報の読み出しは、非晶質層の結晶化及び結晶
の非晶質化が起こらないような強度の電磁エネルギー
（例えば半導体レーザー）を照射し、上記シリコンナフ
タロシアニン化合物の非晶質部分と結晶化部分の光学濃
度を読みとることにより情報の読み出しを行なうことが
できる。
また、基板上のシリコンナフタロシアニン化合物を含
む層に強い強度の電磁エネルギー（例えば、半導体レー
ザー光）を照射し、照射部分のシリコンナフタロシアニ
ン化合物を消散させて孔を形成し、これによる光学濃度
の変化を利用して情報の書き込み及び読み出しを行なう
こともできる。記録層を基板に形成するには真空蒸着法
を用いる。真空蒸着の際、基板温度は室温より低い方が
非晶質薄膜を形成しやすく、また、蒸着速度はできるだ
け速い速度が望ましい。該記録層材料は単独あるいは２
種以上の組み合わせで用いられ、２種以上の組み合わせ
の場合は、積層構造でも、混合された単一層構造でもよ
い。記録層の膜厚は50〜10000Åの範囲が望ましく、好
ましくは100〜5000Åの範囲が用いられる。
記録媒体の基板には、ガラス，マイカ，金属，合金な
どの無機材料のほか、ポリエステル，酢酸セルロース，
ニトロセルロース，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポ
リ塩化ビニル，塩化ビニリデン共重合体，ポリアミド，
ポリスチレン，ポリメチルメタクリレート及びメチルメ
タクリレート共重合体等の有機高分子材料のフイルムや
板が挙げられるが、これらに限定されない。記録時に熱
損失が少なく、感度をあげるという意味で低熱伝導率の
有機高分子からなる支持体が望ましい。
本発明に係る光学記録媒体は、金属層，無機化合物の
層，有機高分子層等の補助層を有していてもよい。
金属層は、形成された記録像を光学的に再生する時、
反射光を利用することが多い。この場合にはコントラス
トを高めるために、記録層の基板と反対側の表面上に設
けるのが好ましい。
また、記録層の非晶−結晶転移の容易化及び記録層形
成時における非晶化の促進のために、基板と記録層の間
に金属層を設けることが好ましい。このような金属とし
ては、Al,Cr,Au,Pt,Snなどが用いられる。
金属層は、真空蒸着，スパツタリングプラズマ蒸着な
どの公知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜
厚は100〜10000Åの範囲で選ばれる。金属層の密着性向
上のために、この層の下に下記金属酸化物の層を設ける
ことができる。
また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基
板上に有機高分子の均一な膜を設けてもよい。これりの
ポリマーとしてはポリエステル，ポリ塩化ビニルなどの
市販のポリマーが適用可能である。
さらに記録層の上面のみ、下面のみ、あるいは、上下
両面に記録層の安定性改良のため、あるいは下面の非晶
化を促進するため、無機化合物からなる層を設けること
が好ましい。このような無機化合物としては、PbO,Ge
O2,SiO2,Al2O3,SnO2,SiO,TiO2,CeO2などの金属酸化物,P
bS,ZnS,GeS,Gr2S3,CuSなどの金属硫化物、MgF2,CaF2,Ce
F2などの金属フツ化物,TiN,Si3N4などの金属酸化物があ
げられる。これらの層の厚みは、50〜1000Å程度で用い
られる。この形成法としては、真空蒸着スパツタリン
グ，イオンプレーテイング，プラズマ蒸着などが用いら
れる。
さらに、最外層に有機高分子を主体とする保護層を設
け、これにより安定性，保護性を増し、さらに、表面反
射率の低減による感度増加を目的とする層を設けること
が好ましい。このような有機高分子化合物としては、ポ
リ塩化ビニルデン，ポリ塩化ビニル，塩化ビニリデンと
アクリロニトリル共重合体，ポリ酢酸ビニル，ポリイミ
ド，ポリメチルメタクリレート，ポリスチレン，ポリイ
ソプレン，ポリブタジエン，ポリウレタン，ポリビニル
ブチラール，フツ素ゴム，ポリエステル，エポキシ樹
脂，シリコーン樹脂，酢酸セルロースなどの単独また
は、コポリマーおよびブレンド物が挙げられる。これに
対し、シリコーンオイル，帯電防止剤，架橋剤などの添
加は、膜性能の強化の点で好ましい。また、有機高分子
化合物の層を２層に重ねることもできる。有機高分子化
合物は、適当な溶剤に溶解して塗布するか、薄いフイル
ムとしてラミネートする方法が適用可能である。このよ
うな有機高分子化合物の膜厚は0.1〜10μｍの厚みに設
けるが、好ましくは0.1〜２μｍで用いられる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例を示すが、最初に、実施例で使
用するシリコンナフタロシアニン化合物の製造例を示
す。
製造例１ （ジヒドロキシシリコンナフタロシアニンの製造） α，α，α′，α′−テトラブロモーｏ−キシレン4
2.2g（0.1mol），フマロニトリル13.5g（0.173mol）の
無水N,N−ジメチルホルムアルミド400ml溶液によくかく
はんしながらヨウ化ナトリウム100g（0.67mol）を加
え、窒素雰囲気下75℃で約７時間かくはんした。反応
後、反応混合物を2kgの氷中へ注ぎ出した赤かつ色の水
溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウムを
加えわずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウムを加えしばら
くかくはんした後、室温下一晩放置した。析出した淡黄
色固体を吸引ろ過し、充分水洗した後、自然乾燥した。
淡黄色固体をエタノール／クロロホルムの混合溶媒から
再結合すると、無色の結晶として2,3−ジシアノナフタ
リン13g（73％）を得た。この結晶の融点は256.5−257.
5℃であつた（文献値，融点256℃）。
次に、窒素雰囲気下、無水メタノール90mlに金属ナト
リウム0.64g（28m mol）を５回に分けて加えて調整した
ナトリウムメトキシドーメタノール溶液に2,3−ジシア
ノナフタリン10.2g（57.3m mol）を加えよくかくはんし
ながら室温で無水アンモニアガスを約１時間ゆつくりと
バブルした。無水アンモニアガスをバブルしながら約３
時間還流した。冷却後、析出した黄色固体をろ過しメタ
ノールで充分洗浄後、減圧乾燥すると1,3−ジイミノベ
ンゾ〔ｆ〕イソインドリンが黄色固体として約9.5g（86
％）得られた。この1,3−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソイ
ンドリンは未精製のまま次の反応に用いた。
窒素雰囲気下、1,3−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソイン
ドリン6g（30.6m mol）の無水テトラリン40ml懸濁液に
無水トリ−ｎ−ブチルアミン20mlを加え、ついで四塩化
ケイ素5.4ml（47.1m mol）を加えて、約３時間還流し
た。冷却後メタノール30mlを加え一晩放置した。赤かつ
色反応混合物をろ過しメタノールで充分洗浄後、減圧乾
燥すると濃緑色の固体としてジクロロシリコンナフタロ
シアニンが約4g（64％）得られた。このジクロロシリコ
ンナフタロシアニンは未精製のまま次の反応に用いた。
ジクロロシリコンナフタロシアニン5.8g（7.15m mol
を濃硫酸200mlに加え、約２時間かくはんした。反応混
合物を氷約600gに注し一晩放置した。析出した沈殿をろ
過し、水で３回アセトン／水（1/1）混合溶媒で３回洗
浄した後、この沈殿を150mlの濃アンモニア水中約１時
間還流した。冷却後、ろ過し水で充分に洗浄し減圧乾燥
すると、濃緑色の固体としてジヒドロキシシリコンナフ
タロシアニンが約4g（72％）得られた。
製造例２ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコンナフタロシアニ
ンの製造〕 ジヒドロキシシリコンナフタロシアニン774mg（1m mo
l）のキノリン35ml懸濁液にトリエチルシラール3.5ml
（23m mol）を加え、約３時間還流した。冷却後、反応
混合物をエタノール／水（1/1）200ml中に注ぎ、よくか
きまぜた後一晩放置した。析出した沈殿をろ過しメタノ
ールで洗浄した。熱クロロホルム約600mlを用いてこの
沈殿のうち溶けるものだけ溶かし出、クロロホルム溶液
を約50mlに濃縮した。濃縮したクロロホルム溶液を冷却
し、析出した結晶をろ過しクロロホルムで洗浄した。得
られた結晶をクロロホルムを用いて再結晶したところ濃
緑色の結晶360mg（36％）が得られた。この濃緑色結晶
は、下記の分析結果によりビス（トリエチルシロキシ）
シリコンナフタロシアニン （１）融点 300℃以上 （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 71.82 5.42 11.17 実測値（％） 70.45 5.34 10.92 （３）NMR値:CDCl3溶媒 δ値 10.13（8H,s） 8.68（8H,dd,J＝6.10,3.05Hz） 7.93（8H,dd,J＝6.10,3.05Hz） −1.02（12H,t,J＝7.93Hz） −2.07（18H,q,J＝7.93Hz） 製造例３ 〔ビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコンナフタロ
シアニンの製造〕 ジヒドロキシシリコンナフタロシアニン3g（3.9m mo
l）無水β−ピコリン420ml懸濁液に窒素雰囲気下、無水
トリ−ｎ−ブチルアミン12ml（50.4m mol）ついでトリ
−ｎ−ブチルクロロシラン13.2ml（49.2m mol）を加
え、約２時間還流した。冷却後、混合物をエタノール／
水（1/1）600ml中に注ぎ、よくかきまぜた後一晩放置し
た。析出した沈殿をろ過し水で洗浄した。熱クロロホル
ム約600mlを用いてこの沈殿のうち溶けるものだけ溶か
し出し、クロロホルム溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、約50mlに濃縮した。濃縮したクロロホルム溶液を冷
却し析出した結晶をろ過しクロロホルムで洗浄した。母
液を濃縮し、アルミナカラムクロマトグラフイーにより
ベンゼンの展開溶媒として溶出し、緑色のベンゼン溶液
を濃縮し、ヘキサンを加え析出した結晶をろ過しヘキサ
ンで充分に洗浄した。得られたすべての粗結晶を集めク
ロロホルムを用いて再結晶したところ、濃緑色の結晶約
2g（44％）が得られた。この濃緑色結晶は下記の分析結
果よりビス（トリ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコンナフ
タロシアニンであることを確認した。
（１）融点 ＞300℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 73.81 6.71 9.50 実測値（％） 73.71 6.73 9.40 （３）NMR値:CDCl3 δ値 10.11（8H,s） 8.67（8H,dd,J＝6.10,3.35Hz） 7.92（8H,dd,J＝6.10,3.35Hz） −0.1〜0.1（30H,m） −0.97（12H,quintet,J＝7.32Hz） −2.07（12H,t,J＝7.32Hz） 製造例４ 〔ビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコンナフタ
ロシアニンの製造〕 ジヒドロキシシリコンナフタロシアニン3g（3.9m mo
l）の無水β−ピコリン420ml懸濁液に無水トリ−ｎ−ブ
チルアミン12ml（50.4m mol）、ついでトリ−ｎ−プロ
ピルクロロシラン10.8ml（49.2m mol）を加え、約２時
間還流した。冷却後、反応混合物を製造例３と同様に処
理し、クロロホルムから再結晶することによつて濃緑色
結晶を1.45g（34％）得た。この濃緑色結晶は下記の分
析結果よりビス（トリ−ｎ−プロピルシロキシ）シリコ
ンナフタシアニンであることを確認した。
（１）融点 ＞300℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 72.89 6.12 10.30 実測値（％） 72.70 6.13 10.28 （３）NMR値:CDCl3 δ値 10.03（8H,s） 8.68（8H,dd,J＝6.10,3.05Hz） 7.93（8H,dd,J＝6.10,3.05Hz） −0.28（18H,t,J＝7.32Hz） −0.85（12H,sextet,J＝7.32Hz） −2.06（12H,t,J＝7.32Hz） 製造例５ 〔ビス（トリ−ｎ−ヘキシルシロキシ）シリコンナフタ
ロシアニンの製造〕 ジヒドロキシシリコンナフタロシアニン1g（1.3m mo
l）の無水β−ピコリン140ml懸濁液に無水トリ−ｎ−ブ
チルアミン4ml（16.8m mol）、ついでトリ−ｎ−ヘキシ
ルクロロシラン6ml（16.4m mol）を加え、約1.5時間還
流した。冷却後、不溶性の不純物をろ別して除き、ろ液
をエタノール／水（1/1）200ml中に注ぎ出し、析出した
沈殿をろ過して生成物を得た。この生成物は水でよく洗
浄した後真空乾燥し、アルミナカラムクロマトグラフイ
ーにおいてトルエン−ヘキサン（3:1）溶液を展開溶媒
として溶出し、得られた濃緑色溶液を濃縮してヘキサン
／クロロホルムから再結晶し、緑色針状晶を0.52g（30
％）得た。この化合物は文献記載の分析結果と下記分析
結果を比較することによりビス（トリ−ｎ−ヘキシルシ
ロキシ）シリコンナフタロシアニンであることを確認し
た。
（１）融点 277−278℃（文献値、融点278℃） （２）NMR値:CDCl3 δ値 10.11（8H,s） 8.67（8H,dd,J＝6.21,3.35Hz） 7.91（8H,dd,J＝6.21,3.35Hz） 0.63（12H,sextet,J＝7.32Hz） 0.42（18H,t,J＝7.32Hz） 0.23（12H,quintet,J＝7.32Hz） 0.07（12H,quintet,J＝7.32Hz） −0.98（18H,quintet,J＝7.32Hz） −2.06（12H,t,J＝7.32Hz） 比較例１ 厚さ5mmのポリメチルメタクリレート板上に、酸化ケ
イ素を150Åの厚みに真空蒸着により層形成し、続いて
アルミニウムを150Åの厚みに真空蒸着し、さらに上層
にビス（トリヘキシルシロキシ）シリコンナフタロシア
ニンの層を真空蒸着法（基板温度；室温，ボート温度;3
50℃，真空度;4×10-6Torr）によつて形成させ、膜厚を
2000Åとした。この上に、酸化ケイ素層を上記とまつた
く同様に膜厚150Åで形成した。このようにして形成し
た記録材料に、キセノンフラツシユランプ（宮田電気社
製MXQF−1125,コンデンサー容量:2200μF,パルス幅60μ
sec）を照射して光学濃度を変化させ記録を行なつた。
この記録に要するキセノンフラツシユランプ充電電圧の
最小電圧を測定し、これよりランプの放電エネルギー
（1/2CV2:ここでＣはコンデンサー容量,Vは充電電圧で
ある。）を求め、この値を用いて、感度評価を行なつ
た。上記記録材の感度は、7.5ジユールであつた。
エネルギー光照射前と照射後の光吸収スペクトル図を
第１図に示した。第１図において、実線１は光照射前の
性質を示し、点線２は、光照射後の性質を示す。この光
学濃度の差を利用してレーザー光等により読み出しを行
なうことができる。
比較例２ 厚さ5mmのポリメチルメタクリレート板上に、実施例
１とまつたく同じように、酸化ケイ素、アルミニウム層
を形成し、続いてビス（トリブチルシロキシ）シリコン
ナフタロシアニンの層を真空蒸着法（基板温度：室温，
ボート温度;380℃，真空度;4×10-6Torr）によつて膜厚
1500Åの層を形成した。この上に比較例１と同様に酸化
ケイ粗の層を形成した。この記録材料を比較例１と同様
な方法で感度評価すると8.0ジユールであつた。
実施例１ 記録材がビス（トリプロピルシロキシ）シリコンナフ
タロシアニンを用いる以外は比較例２とまつたく同様に
記録層を形成した。ビス（トリプロピルシロキシ）シリ
コンナフタロシアニンの層は、真空蒸着法（基板温度：
室温，ボート温度;410℃，真空度;4×10-6Torr）により
膜厚1500Åになるように蒸着した。比較例１と同様な方
法で感度評価をすると8.6ジユールであつた。
実施例２ 記録材がビス（トリエチルシロキシ）シリコンナフタ
ロシアニンを用いる以外は比較例２とまつたく同様に記
録層を形成した。ビス（トリエチルシロキシ）シリコン
ナフタロシアニンの層は、真空蒸着法（基板温度：室
温，ボート温度;460℃，真空度;4×10-6Torr）にて膜厚
1500Åになるように形成した。比較例１と同様な方法で
感度評価をすると9.4ジユールであつた。
比較例３ 厚さ5mmのポリメチルメタクリレート板上に、酸化ケ
イ素を100Åの厚みに真空蒸着により層形成し、続いて
無機の記録材であるビスマス金属を500Åの厚みに真空
蒸着し、さらに上層に酸化ケイ素を100Åの厚みに同様
に層形成した。この記録材を比較例１と同様な方法で感
度評価をすると28ジユールであつた。
レーザー光を用いて、本発明に係る記録媒体（実施例
のもの）への情報の書き込み及び読み出しは、具体的に
は以下のようにして行なうことができる。
8mWの半導体レーザー光を１〜２μｍのスポツト径に
絞り、これを記録媒体に照射し情報の記録を行う。記録
した情報の読み出しは、光径を１μｍに絞つた0.5mWのH
e−Neレーザー光（発振波長633nm）を記録媒体に照射
し、その反射光の光学濃度の差を測定することによつて
行なうことができる。
本発明のシリコンナフタロシアニン化合物はこの方法
により情報の書き込みおよび読み出しを行なうことがで
きたが、比較例３に示したビスマスを記録材に用いた記
録媒体では完全な情報の書き込みを行なうことができな
かつた。
比較例４ 厚さ1.2mmのガラス板上に、ビス（トリヘキシルシロ
キシ）シリコンナフタロシアニン（以下He−NCと略す）
を真空蒸着（基板温度：室温，ボート温度;350℃，真空
度;8×10-Torr）することにより、前記化合物の層を形
成させ、膜厚を500Åとした。このようにして形成した
記録材料にビーム径を1.6μｍに絞つた3.5mWの半導体レ
ーザー（発振波長830nm）を線速0.5m/秒でガラス板側か
ら照射して記録を行つた。記録を行つた部分の記録穴
（ピツト）の断面形状をエリオニクス社製断面形状測定
器付電子顕微鏡で測定した。その断面形状を第２図に示
す。また、He−NCの示差走査熱量測定（DSC）をデユポ
ン社製9900熱分析装置を使用して行ない（試料量:2.5m
g,昇温速度５℃／分）、結果を第６図に示す。また、前
記と同じ装置を用いHe−NCの熱重量法分析（TGA）を行
い、結果を第10図に示す。また、第10図から求めたHe−
NCの熱減量開始温度及び熱減量速度を第１表に示した。
またHe−NCの融点を、柳本製作所社製柳本微量融点測定
装置MP−S3を使用して測定し（試料量0.1mg,昇温速度２
℃／分，測定温度範囲20℃〜300℃）、結果を第２表に
示した。
実施例３〜５ ビス（トリブチルシロキシ）シリコンナフタロシアニ
ン（以下Bu−NCと略す）（実施例３）、ビス（トリプロ
ピルシロキシ）シリコンナフタロシアニン（以下Pr−NC
と略す）（実施例４）及びビス（トリエチルシロキシ）
シリコンナフタロシアニン（以下Et−NCと略す）（実施
例５）についても、記録材料作成時の真空蒸着時のボー
ト温度をそれぞれ前記と同順に380℃,410℃及び460℃と
した以外は、He−NCと同様にして記録材料を作成し、さ
らにHe−NCと同様に断面形状の測定、DSC,TGA及び融点
の測定を行ない、結果を図3,4及び５（Bu−NC,Pr−NC及
びEt−NCの断面形状）、図7,8及び９（Bu−NC,Pr−NC及
びEt−NCのDSC）、図11,12及び13（Bu−NC,Pr−NC及びE
t−NCのTGA）、第１表（熱減量開始温度、熱減量速度）
及び第２表（融点）に示す。
第２〜５図に示した断面形状から、He−NCでは、リム
とよばれる盛り上り部分が顕著にみられるが、Et−NCで
は、ほとんどリムがみられず、Pr−NC,Bu−NCではリム
は若干みられるがHe−NCほど著しくないことがわかる。
第６〜８図に示したDSCの結果及び融点を示した第２
表から、He−NCは、275℃付近に明確に融点が認められ
るが、Bu−NC,Pr−NC及びEt−NCでは、370℃〜400℃付
近（熱減量開始温度（第１表））まで、明確な融点が認
められない。
第１表の熱減量速度は、Et−NC,Pt−NC,Bu−NC,Ne−N
Cの順であり、He−NCに比べてBu−NCで、約1.5倍、Pr−
NCで、約４倍、Et−NCで、約７倍、熱減量速度が速く、
ピツト形成の熱利用効率がよいことが示唆される。
以上から、ピツトの形状は、He−NC,Bu−NC,Pr−NC,E
t−NCの順で、熱溶融の寄与が大きく、また、これと逆
の順で熱分解の寄与が大きく、He−NCは、主に熱溶融に
よりピツトが形成され、Et−NCは、主に熱分解によりピ
ツトが形成されると考えられる。
ピツト形状は、Et−NC,Pr−NC,Bu−NC,He−NCの順で
優れている。すなわち、熱分解の寄与が大きいピツト形
状の方が、熱溶融の寄与が大きいピツト形状に引べて、
記録感度のしきい特性がシヤープになり、また形成され
るピツトもリムも生じずきれいな形で形成され記録材料
として好ましい。
さらに、比較例４、実施例３〜５で得られた記録材料
について、日立製作所社製330型自記分光光度計を用い
て反射スペクトルを測定した結果第14〜17図に示す。第
14図のHe−NCの反射スペクトルはシヤープであるのに対
し、第15,16及び17図のPr−NC,Bu−NC及びEt−NCの反射
スペクトルはブロードであり、半導体レーザー（発振波
長:780nmあるいは830nm）への適合性は、反射スペクト
ルのブロードな後３者の方がすぐれている。
比較例５ 厚さ1.2mmのガラス板上に、He−NC5mgをクロロホルム
1gに溶解した溶液をミカサ社製1H−２型スピナーを用い
て回転数2000rpmでスピナー塗布し、前記化合物の層を
形成させ、膜厚を50nmとした（記録層塗布膜）。
この記録層塗布膜と、これとは別に比較例４で得られ
た記録材料（記録層蒸着膜）の表面反射を基板を回転さ
せながら0.5mWのレーザー光を照射し、戻り光を光電子
倍増管で検知した。結果を第18図（記録層塗布膜）、第
19図（記録層蒸着膜）を示す。
記録層蒸着膜は、表面反射にうねりがみられるが、表
面反射がローカルなバラツキは、記録層塗布膜より少な
く、蒸着膜は、塗布膜に比べより均質であることがわか
る。
また、これらの記録層塗布膜及び記録層蒸着膜にガラ
ス板側から波長830nmの半導体レーザーを照射し、記録
特性を評価したところ、ビーム径1.6μｍ線速0.5m/秒，
でそれぞれ5.2mW及び4.4mWで記録が可能であった。
〔発明の効果〕
本発明に係る光学記録媒体は、特定のシリコンナフタ
ロシアニン化合物を記録層材料として使用することによ
り、高感度特性を示し、レーザー光を有効な書き込み及
び読み出し電磁エネルギーとして使用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、比較例１の記録媒体（記録材としてビス（ト
リヘキシルシロキシ）シリコンナフタロシアニンを使
用）の吸収スペクトルである。 第２図〜第５図は、それぞれ順に比較例４、実施例３〜
５の、ビス（トリヘキシルシロキシ）シリコンナフタロ
シアニン（以下、He−NCと略す）、ビス（トリブチルシ
ロキシ）シリコンナフタロシアニン（以下、Bu−NCと略
す）、ビス（トリプロピルシロキシ）シリコンナフタロ
シアニン（以下、Pr−NCと略す）及びビス（トリエチル
シロキシ）シリコンナフタロシアニン（以下、Et−NCと
略す）を使用した記録材料に半導体レーザーを照射し記
録を行つたものの断面形状を示す図である。 第６図〜第９図は、それぞれ比較例４、実施例３〜５
の、順にHe−NC,Bu−NC,Pr−NC及びEr−NCの示差走査熱
量測定（DSC）を行なつた結果を示すグラフである。 第10図〜第13図は、それぞれ比較例４、実施例３〜５
の、順にHe−NC,Bu−NC,Pr−NC及びEt−NCの熱重量法分
析（TGA）を行なつた結果を示すグラフである。 第14図〜第17図は、それぞれ順に比較例４、実施例３〜
５の、にHe−NC,Bu−NC,Pr−NC及びEt−NCを使用した記
録材料の反射スペクトルである。 第18図は、比較例５の、He−NCを溶剤に溶解し塗布乾燥
して作成した記録材料の表面反射である。 第19図は，比較例５の、He−NCを蒸着して作成した記録
材料の表面反射である。 符号の説明 １……エネルギー光照射前のスペクトル、２……エネル
ギー光照射後のスペクトル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−177287（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−177288（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−122788（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−233288（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−94893（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−119036（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−274591（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−77455（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−214536（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に一般式（Ｉ） （ただし、式中、Ｌ及びＬ′は各々独立して一般式R1R2
    R3SiO−（ただし、R1、R2及びR3が、各々独立して炭素
    数が１〜３個のアルキル基を示す）で表わされるシロキ
    シ基を示す）で表わされるシリコンナフタロシアニン化
    合物を含む有機薄膜を含む真空蒸着法により形成された
    記録層を積層してなる光学記録媒体。
  2. 【請求項２】基板と記録層の間に金属層を設けてなる特
    許請求の範囲第１項記載の光学記録媒体。
  3. 【請求項３】記録層の上面、下面または両面に無機化合
    物の層を設けてなる特許請求の範囲第１項又は第２項記
    載の光学記録媒体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7576199B2 (en) * 2007-04-23 2009-08-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Near infrared dyes

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JPS56130742A (en) * 1980-03-18 1981-10-13 Asahi Chem Ind Co Ltd Novel recording material
JPS61177287A (ja) * 1985-02-04 1986-08-08 ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション 発色団を含有する情報記録媒体
US4719613A (en) * 1985-08-27 1988-01-12 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Optical recording medium having a reflective recording layer including a resinous binder and a naphthalocyanine dye

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