JP2630397B2 - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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- JP2630397B2 JP2630397B2 JP62116342A JP11634287A JP2630397B2 JP 2630397 B2 JP2630397 B2 JP 2630397B2 JP 62116342 A JP62116342 A JP 62116342A JP 11634287 A JP11634287 A JP 11634287A JP 2630397 B2 JP2630397 B2 JP 2630397B2
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- Japan
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- superconductor
- oxide
- present
- cooling
- annealing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は酸化物系超電導体の製造方法、さらに詳しく
云えば、原料焼結後のアニール処理方法に特徴を有する
製造方法に関する。
云えば、原料焼結後のアニール処理方法に特徴を有する
製造方法に関する。
超電導体は電気抵抗ゼロで電流が流れる特性を有し、
とりわけ最近見いだされた酸化物系材料（たとえばLa−
Sr−CuO系、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系）は、その超電導を示す
臨界温度（以下Tcと略記する）が高いことから非常に強
い感心がよせられている。
とりわけ最近見いだされた酸化物系材料（たとえばLa−
Sr−CuO系、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系）は、その超電導を示す
臨界温度（以下Tcと略記する）が高いことから非常に強
い感心がよせられている。
この酸化物系超電導体は、通常原料となる各元素を含
む化合物の配合物を混合し、仮焼した後粉砕し、成形
し、焼1000℃で焼成後、焼900℃２〜５時間空気中でア
ニール処理し徐冷することによってつくられていた。
む化合物の配合物を混合し、仮焼した後粉砕し、成形
し、焼1000℃で焼成後、焼900℃２〜５時間空気中でア
ニール処理し徐冷することによってつくられていた。
しかしながら、前記従来法は高いアニール処理温度か
ら室温までその冷却温度巾が大きいため、その間の徐冷
過程が一定でなかった。その結果、製造される超電導体
のTcにバラツキが生じ、その最大と最小の差が応々にし
て15K以上も開くことがあり、信頼性が低いという欠点
があった。
ら室温までその冷却温度巾が大きいため、その間の徐冷
過程が一定でなかった。その結果、製造される超電導体
のTcにバラツキが生じ、その最大と最小の差が応々にし
て15K以上も開くことがあり、信頼性が低いという欠点
があった。
本発明者らは前記従来法の欠点を解消するためにアニ
ール処理条件について追求したところ、富酸素雰囲気に
すれば相当低い温度でアニール処理ができ冷却温度巾を
著しく狭くできることを知見して、以下に述べる発明を
完成に導いた。
ール処理条件について追求したところ、富酸素雰囲気に
すれば相当低い温度でアニール処理ができ冷却温度巾を
著しく狭くできることを知見して、以下に述べる発明を
完成に導いた。
すなわち本発明は所定の元素を含む化合物を混合し、
成形し、焼結し、アニール処理し、冷却してつくる酸化
物系超電導体の製造方法において、富酸素雰囲気中100
〜400℃でアニール処理し、冷却することを特徴とする
酸化物系超電導体を製造する方法を要旨とするものであ
る。
成形し、焼結し、アニール処理し、冷却してつくる酸化
物系超電導体の製造方法において、富酸素雰囲気中100
〜400℃でアニール処理し、冷却することを特徴とする
酸化物系超電導体を製造する方法を要旨とするものであ
る。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明における富酸素雰囲気とは、空気中の酸素含有
量よりも多くの酸素を含む雰囲気を意味し、100vol％酸
素であることが望ましい。
量よりも多くの酸素を含む雰囲気を意味し、100vol％酸
素であることが望ましい。
このような富酸素雰囲気のもとでのアニール処理温度
は100〜400℃で十分である。該温度が100℃未満では、T
cのバラツキが大きくなり、また400℃を超えてもTcのバ
ラツキは従来より小さいものの、表１にみられる通り急
に大きくなり、いずれも好ましくない。
は100〜400℃で十分である。該温度が100℃未満では、T
cのバラツキが大きくなり、また400℃を超えてもTcのバ
ラツキは従来より小さいものの、表１にみられる通り急
に大きくなり、いずれも好ましくない。
冷却は徐冷、急冷いずれの方法を採用してもよくそれ
ぞれの冷却法でバラツキは従来のものと比較して小さ
い。このように冷却条件が緩やかにできるのは、本発明
のアニール処理温度が低く、冷却温度巾を従来頬に比較
し著しく小さくできたことに起因すると考えられる。な
お、製造工程上の時間短縮から徐冷法よりも急冷法が好
ましい。
ぞれの冷却法でバラツキは従来のものと比較して小さ
い。このように冷却条件が緩やかにできるのは、本発明
のアニール処理温度が低く、冷却温度巾を従来頬に比較
し著しく小さくできたことに起因すると考えられる。な
お、製造工程上の時間短縮から徐冷法よりも急冷法が好
ましい。
本発明で製造される酸化物系超電導体は、Ba−Ｙ−Cu
−Ｏ系、Ba−La−Cu−Ｏ系、Sr−La−Cu−Ｏ系、Ca−La
−Cu−Ｏ系等が例示される。
−Ｏ系、Ba−La−Cu−Ｏ系、Sr−La−Cu−Ｏ系、Ca−La
−Cu−Ｏ系等が例示される。
本発明で用いる原料は超電導体を構成する所定の金属
元素を含む化合物を適宜に選択して使用すればよい。た
とえばＹ−Ba−Cu−Ｏ系の超電導体を製造しようとする
場合、BaCO3,Y2O3,CuOを原料とするなどである。
元素を含む化合物を適宜に選択して使用すればよい。た
とえばＹ−Ba−Cu−Ｏ系の超電導体を製造しようとする
場合、BaCO3,Y2O3,CuOを原料とするなどである。
原料化合物の混合、仮焼、粉砕、成形、焼結の各工程
は慣用の方法にしたがう。
は慣用の方法にしたがう。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
下記手順によりBa0.6Ｙ0.4CuO3の超電導体を製造し
た。
た。
原料としてBaCO3（純度99.9wt％）、Y2O3（純度99.99
wt％）およびCuO（純度99.99wt％）を前記組成になるよ
うに配合し、エタノールを添加してボールミルで粉砕混
合したのち、乾燥して、調整済配合物を得た。
wt％）およびCuO（純度99.99wt％）を前記組成になるよ
うに配合し、エタノールを添加してボールミルで粉砕混
合したのち、乾燥して、調整済配合物を得た。
該酸化物を電気炉にて800℃５時間仮焼したのち、得
られた仮焼物を乳鉢で粉砕し、所定形状に加圧成形（70
0kg/cm2）した。
られた仮焼物を乳鉢で粉砕し、所定形状に加圧成形（70
0kg/cm2）した。
得られた成形体を電気炉で910℃、40時間空気中で焼
結し徐冷した。
結し徐冷した。
その焼結物を切断して３×４×8mmの試験片を作製し
た。この試験片を３個ずつ表１に示す条件でアニール処
理し、次いで冷却したのち、Tcを直流四端子法で測定し
た。得られた平均値および最大値と最小値の差を同表に
併記した。
た。この試験片を３個ずつ表１に示す条件でアニール処
理し、次いで冷却したのち、Tcを直流四端子法で測定し
た。得られた平均値および最大値と最小値の差を同表に
併記した。
本発明は酸化物超電導体の製造方法、特にアニール処
理条件を改良した製造方法に係り、従来法でつくられ
る、該超電導体よりも臨界温度の信頼性を著しく向上さ
せた方法である。さらには、低温でアニール処理するの
で熱エネルギー上でも本発明の方法は有利である。
理条件を改良した製造方法に係り、従来法でつくられ
る、該超電導体よりも臨界温度の信頼性を著しく向上さ
せた方法である。さらには、低温でアニール処理するの
で熱エネルギー上でも本発明の方法は有利である。
Claims (1)
- 【請求項１】所定の元素を含む化合物を混合、成形し焼
結し、アニール処理し冷却する酸化物系超電導体の製造
方法において、富酸素雰囲気中100〜400℃でアニール処
理し、冷却することを特徴とする酸化物系超電導体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116342A JP2630397B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116342A JP2630397B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63282169A JPS63282169A (ja) | 1988-11-18 |
| JP2630397B2 true JP2630397B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=14684572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62116342A Expired - Lifetime JP2630397B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630397B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NZ228132A (en) * | 1988-04-08 | 1992-04-28 | Nz Government | Metal oxide material comprising various mixtures of bi, tl, pb, sr, ca, cu, y and ag |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63282154A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-18 | Nec Corp | 酸化物超伝導体の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP62116342A patent/JP2630397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63282169A (ja) | 1988-11-18 |
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