JP2630009B2 - 拡散処理装置 - Google Patents

拡散処理装置

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JP2630009B2 JP2079882A JP7988290A JP2630009B2 JP 2630009 B2 JP2630009 B2 JP 2630009B2 JP 2079882 A JP2079882 A JP 2079882A JP 7988290 A JP7988290 A JP 7988290A JP 2630009 B2 JP2630009 B2 JP 2630009B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板を水素,酸素等のガス雰囲気中
で加熱保温することにより酸化膜形成あるいは不純物の
拡散を施す拡散処理装置に関する。
〔従来の技術〕
第2図(a)及び(b)は従来の一例を示す拡散処理
装置の断面図及びA部拡大図である。従来、この種の拡
散処理装置は、例えば、第2図(a)に示すように、半
導体基板3を収納する炉芯管2と、この炉芯管2の周囲
を囲む均熱管7とこの均熱管7を包むヒータと、このヒ
ータを断熱層4を介して覆うヒータ・チャンバ1とを有
している。
また、第2図(b)に示すように、ヒータ・チャンバ
1には、断熱層4を貫通して、均熱管7及びヒータ素線
5のあるヒータ部を冷却する冷却ノズルが取付けられて
いる。
すなわち、この冷却ノズル6から吹き付ける高圧ガス
流により直接、ヒータ素線5及び均熱管7を冷却するこ
とにより半導体基板3の載置された炉芯管2内を降温さ
せるものであった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の拡散処理装置の場合、冷却ノズルより
吹き出された低温のガス流が直接吹きつけられるので、
ノズル近傍のヒータ素線5及び均熱管7は急激に冷やさ
れる。これに対し、ノズルから離れた領域についてはガ
ス流の温度上昇により冷却されないという極度なアンバ
ランスが発生し、これによる熱膨張量の差等からヒータ
素線の変形,均熱管の破裂等の問題が起っていた。従
来、この問題を軽減する為にガス流量を落とし、降温性
能を低下させた条件でしか採用し得なかった。
本発明の目的はかかる問題を解消し、かつ十分降温性
能を発揮し得る拡散処理装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の特徴は、半導体基板を収納する炉芯管と、こ
の炉芯管を囲む均熱管と、この均熱管を囲むヒータと、
このヒータを断熱層を介して包むヒータチャンバとを有
する拡散処理装置において、前記断熱層を内側断熱層と
外側断熱層とに分離するとともに前記内側断熱層が通気
性材料で製作され該内側断熱層と前記外側断熱層との間
に配設されかつ前記内側断熱層を介して前記ヒータに冷
却ガスを吹き付ける冷却ノズルと、前記均熱管と前記ヒ
ータの間に排気口を配置する排気管とを備える拡散処理
装置である。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。第1図
(a)及び(b)は本発明の一実施例を示す拡散処理装
置の断面図及びA部拡大図である。この拡散処理装置
は、第1図(b)に示すように、断熱層を内側断熱層8
と外側断熱層9とに分離し、その間に、冷却ガスを噴出
する複数個の冷却ノズル6を設け、また、外側断熱層9
と内側断熱層8を貫通し、開口の一端をヒータ素線5よ
り突出させる排気管11を設けたことである。さらに、こ
の内側断熱層は、例えば、ガラス繊維のような通気性材
料で製作されている。すなわち、ある程度の抵抗を持っ
て冷却ガスを透過するものとなっている。また冷却ノズ
ル6の外側になる外側断熱層9は、従来の断熱層と同様
な材料を使用しており、外筒10に覆われている関係より
通気性の有無は関係ない。
本装置で半導体基板3の熱処理条件によりヒータ内の
温度を降下させるときには、まずヒータ素線5に流れる
電流を遮断すると同時に複数の冷却ノズル6より高圧冷
却ガスを2つの断熱層の間に供給する。この冷却ガス
は、まず通気性のある内側断熱層8内に浸透し、この内
側断熱層8を急速に冷却する。これによりヒータ素線5
及び均熱管より放出される輻射熱は、内側断熱層8に急
速に吸収される。また、内側断熱層8を透過し、ある程
度熱を吸収した冷却ガスは内側断熱層8内で均一な流れ
となり、ヒータ素線5及び均熱管7の表面に触れ熱伝達
により更に熱を奪い、排気管11よりヒータ・チャンバ1
外へ放出され、これによりヒータ・チャンバ1内は均一
に冷却される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、断熱層を通気性のある
内側層と外側層に分離し、この間に冷却ガスを噴出する
複数個の冷却ノズルを設け、この冷却ノズルにより内側
層に冷却ガスを通過させることにより、均一な冷却をし
得るのでヒータの劣化,均熱管の破裂等の問題を起すこ
となく、降温性能を十分発揮出来る拡散処理装置が得ら
れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例を示す拡散
処理装置の断面図及びA部拡大図、第2図(a)及び
(b)は従来の一例を示す拡散処理装置の断面図及びA
部拡大図である。 1……ヒータ・チャンバ、2……炉芯管、3……半導体
基板、4……断熱層、5……ヒータ素線、6……冷却ノ
ズル、7……均熱管、8……内側断熱層、9……外側断
熱層、10……外簡、11……排気管。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体基板を収納する炉芯管と、この炉芯
    管を囲む均熱管と、この均熱管を囲むヒータと、このヒ
    ータを断熱層を介して包むヒータチャンバとを有する拡
    散処理装置において、前記断熱層を内側断熱層と外側断
    熱層とに分離するとともに前記内側断熱層が通気性材料
    で製作され該内側断熱層と前記外側断熱層との間に配設
    されかつ前記内側断熱層を介して前記ヒータに冷却ガス
    を吹き付ける冷却ノズルと、前記均熱管と前記ヒータの
    間に排気口を配置する排気管とを備えることを特徴とす
    る拡散処理装置。
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