JPH03278522A - 拡散処理装置 - Google Patents

拡散処理装置

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JPH03278522A
JPH03278522A JP7988290A JP7988290A JPH03278522A JP H03278522 A JPH03278522 A JP H03278522A JP 7988290 A JP7988290 A JP 7988290A JP 7988290 A JP7988290 A JP 7988290A JP H03278522 A JPH03278522 A JP H03278522A
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insulating layer
heat
heater
cooling
cooling gas
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Hiromi Yamashita
裕己 山下
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板を水素、酸素等のガス雰囲気中で
加熱保温することにより酸化膜形成あるいは不純物の拡
散を施す拡散処理装置に関する。
〔従来の技術〕
第2図(a)及び(b)は従来の一例を示す拡散処理装
置の断面図及びA部拡大図である。従来、この種の拡散
処理装置は、例えば、第2図(a)に示すように、半導
体基板3を収納する炉芯管2と、この炉芯管2の周囲を
囲む均熱管7とこの均熱管7を包むヒータと、このヒー
タを断熱層4を介して覆うヒータ・チャンバlとを有し
ている。
また、第2図(b)に示すように、ヒータ・チャンバ1
には、断熱層4を貫通して、均熱管7及びヒータ素線5
のあるヒータ部を冷却する冷却ノズルが取付けられてい
る。
すなわち、この冷却ノズル6から吸き付ける高圧ガス流
により直接、ヒータ素線5及び均熱管7を冷却すること
により半導体基板3の載置された炉芯管2内を降温させ
るものであった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の拡散処理装置の場合、冷却ノズルより吹
き出された低温のガス流が直接吹きつけられるので、ノ
ズル近傍のヒータ素線5及び均熱管7は急激に冷やされ
る。これに対し、ノズルから離れた領域についてはガス
流の温度上昇により冷却されないという極度なアンバラ
ンスが発生し、これによる熱膨張量の差等からヒータ素
線の変形、均熱管の破裂等の問題が起っていた。従来、
この問題を軽減する為にガス流量を落とし、降温性能を
低下させた条件でしか採用し得なかった。
本発明の目的はかかる問題を解消し、かつ十分降温性能
を発揮し得る拡散処理装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の拡散処理装置は、半導体基板を収納する炉芯管
と、この炉芯管を囲む均熱管と、この均熱管を囲むヒー
タと、このヒータを断熱層を介して包むヒータ・チャン
バとを有する拡散処理装置において、前記断熱層を内側
断熱層と外側断熱層とに分離し、かつ内側断熱層を通気
性材料で製作し、前記内側断熱層と前記外側断熱層との
間に冷却ガスを噴出する冷却ノズルを備え、前記内側断
熱層に前記冷却ガスを通過させることによって冷却する
ことを特徴としている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例を示す拡散
処理装置の断面図及びA部拡大図である。
この拡散処理装置は、第1図(b)に示すように、断熱
層を内側断熱層8と外側断熱層9とに分離し、その間に
、冷却ガスを噴出する複数個の冷却ノズル6を設け、ま
た、外側断熱層9と内側断熱層8を貫通し、開口の一端
をヒータ素線5より突出させる排気管11を設けたこと
である。さらに、この内側断熱層は、例えば、ガラス繊
維のような通気性材料で製作されている。すなわち、あ
る程度の抵抗を持って冷却ガスを透過するものとなって
いる。また冷却ノズル6の外側になる外側断熱層9は、
従来の断熱層と同様な材料を使用しており、外筒10に
覆われている関係より通気性の有無は関係ない。
本装置で半導体基板3の熱処理条件によりヒータ内の温
度を降下させるときには、まずヒータ素線5に流れる電
流を遮断すると同時に複数の冷却ノズル6より高圧冷却
ガスを2つの断熱層の間に供給する。この冷却ガスは、
まず通気性のある内側断熱層8内に浸透し、この内側断
熱層8を急速に冷却する。これによりヒータ素線5及び
均熱管より放出される輻射熱は、内側断熱層8に急速に
吸収される。また、内側断熱層8を透過し、ある程度熱
を吸収した冷却ガスは内側断熱層8内で均一な流れとな
り、ヒータ素線5及び均熱管7の表面に触れ熱伝達によ
り更に熱を奪い、排気管11よりヒータ・チャンバ1外
へ放出され、これによりヒータ・チャンバ1内は均一に
冷却される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、断熱層を通気性のある内
側層と外側層に分離し、この間に冷却ガスを噴出する複
数個の冷却ノズルを設け、この冷却ノズルにより内側層
に冷却ガスを通過させることにより、均一な冷却をし得
るのでヒータの劣化、均熱管の破裂等の問題を起すこと
なく、降温性能を十分発揮出来る拡散処理装置が得られ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例を示す拡散
処理装置の断面図及びA部拡大図、第2図(a)及び(
b)は従来の一例を示す拡散処理装置の断面図及びA部
拡大図である。 1・・・ヒータ・チャンバ、2・・・炉芯管、3・・・
半導体基板、4・・・断熱層、5・・・ヒータ素線、6
・・・冷却ノズル、7・・・均熱管、8・・・内側断熱
層、9・・・外側断熱層、10・・・外筒、11・・・
排気管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体基板を収納する炉芯管と、この炉芯管を囲む均
    熱管と、この均熱管を囲むヒータと、このヒータを断熱
    層を介して包むヒータ・チャンバとを有する拡散処理装
    置において、前記断熱層を内側断熱層と外側断熱層とに
    分離し、かつ内側断熱層を通気性材料で製作し、前記内
    側断熱層と前記外側断熱層との間に冷却ガスを噴出する
    冷却ノズルを備え、前記内側断熱層に前記冷却ガスを通
    過させることによって冷却することを特徴とする拡散処
    理装置。
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JPH01158737A (ja) * 1987-12-16 1989-06-21 Riken Corp 熱処理炉

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