JPH04186632A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に関し、特に熱処理炉を冷却す
る機構に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の熱処理炉は炉内に半導体ウェハーを出し
入れする際、外部との温度差を少なくするために炉芯管
を冷却する機構を備えており、この冷却機構としては、
空気をヒーターに吹きつける空冷式か、ヒーターのまわ
りに取り付けた管に水を流す水冷式となっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の熱処理炉の冷却方式は、空気あるいは水
に熱を収拾させる方式である。空気等の気体の場合は、
固体に比べ分子密度が非常に小さく熱容量も非常に小さ
い。したがって気体に大量の熱を吸収させるためには、
大量の気体を使用しなければならないので次の２つの欠
点がある。■大規模な用力施設が必要であること。■気
体を送り込む配管に高い気圧がかかるため、熱処理炉の
安全性が失われること。

一方、水の場合は１気圧で１００℃を超えると気化する
ため、１０００℃近い温度で使用する半導体製造用の熱
処理炉では、ヒーターからかなり通ざけなければならな
い。したがって、冷却速度はかなり遅くなるという欠点
がある。

上述した従来の熱処理炉に対し、本発明は冷却する場合
、付属する固体材料を炉体に挿入して熱を吸収させると
いう相違点を有する。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体製造装置は、熱処理炉の炉芯管とヒータ
ーとの間に熱砺収材料からなる冷却管を出し入れ自在と
したものである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の実施例１の縦断面図、第２図はその横
断面図、第３図はその側面図、第４図は第１図Ａ−Ａ線
の断面図である。炉は外側から順に炉体１．ヒーター２
．炉芯管３で構成されており、炉芯管３は炉芯管台４で
支えられている。冷却する場合は、ヒーター２と炉芯管
３の闇に冷却管５を挿入する。冷却管５は冷却管ローダ
−６に固定され、炉体に呂し入れされる。冷却管５の材
質はＳｉＣであり、構造は第５図の縦断面図に示すよう
に長手方向に切り開かれた円筒状である。

炉体に挿入された冷却管５は、ヒーター２と炉芯管３の
熱を奪い、炉芯管３は冷却される。

本発明の実施例２は、第１〜４図に示した冷却管５の構
造を変えたもので、それ以外は同じ構成である。第６図
は実施例２に用いる冷却管の縦断面図である。

第６図の冷却管は、実施例１の冷却管５に対して外側が
断熱材７て覆われている。そのため、第１図のヒーター
２からの熱含奪う速度か遅くなり、反対に炉芯管３の熱
を奪う割り合いが高くなる。冷却管５の熱容量が決まっ
ているので、実施例１の場合よりも、より低く炉芯管３
の温度を下げることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、冷却方式を、冷却、水冷
から固体冷却にすることにより、■高圧で空気をコント
ロールする施設か不要となる、■炉体に高圧配管を使わ
ないことで安全性が高まる、■ヒーターに接近させて熱
を奪うことができるため冷却速度が速い、という効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１の縦断面図、第２図はその横
断面図、第３図はその側面図、第４図は第１図のＡ−Ａ
線断面図、第５図は実施例１に用いる冷却管の縦断面図
、第６図は実施例２に用いる冷却管の縦断面図である。 １・・・炉体、２・・ヒーター、３　炉芯管、４・・炉
芯管台、５・冷却管、６・・冷却管ローダ−１７・・・
断熱材。 代理人　弁′埋土　内　原　　晋 刀　１　　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェハーの熱処理を行なう半導体製造装置におい
   て、熱処理炉の炉芯管とヒーターとの間に熱吸収材料か
   らなる冷却管を出し入れ自在としたことを特徴とする半
   導体製造装置。