JP2625721B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体撮像素子に関する。
本発明は一方の電圧レベルを所定電圧Ｖ〔Ｖ〕，例え
ば５〔Ｖ〕とし、他方の電圧レベルを０〔Ｖ〕とする２
相駆動パルスによって駆動される電荷結合素子からなる
水平レジスタ部を有し、この水平レジスタ部を転送され
てくる信号電荷を出力ゲート部を介して電荷検出部に転
送する様になされた固体撮像装置において、水平レジス
タ部の出力端のストレージ領域の不純物濃度を他のスト
レージ領域の不純物濃度よりも薄くすると共に出力ゲー
ト部の出力ゲート領域の不純物濃度を出力端のストレー
ジ領域以外のストレージ領域の不純物濃度と同一にし、
出力ゲート部の出力ゲート電極を接地することにより、
出力ゲート電極に供給する所定電圧を形成する分圧回路
を不要にすると共に出力ゲート領域のポテンシャルレベ
ルの製品毎のバラツキを大幅に低減し、また電荷検出部
から水平レジスタ部への信号電荷の逆流マージンを大き
くすると共に電荷検出部のダイナミックレンジを大きく
できる様にしたものである。
ば５〔Ｖ〕とし、他方の電圧レベルを０〔Ｖ〕とする２
相駆動パルスによって駆動される電荷結合素子からなる
水平レジスタ部を有し、この水平レジスタ部を転送され
てくる信号電荷を出力ゲート部を介して電荷検出部に転
送する様になされた固体撮像装置において、水平レジス
タ部の出力端のストレージ領域の不純物濃度を他のスト
レージ領域の不純物濃度よりも薄くすると共に出力ゲー
ト部の出力ゲート領域の不純物濃度を出力端のストレー
ジ領域以外のストレージ領域の不純物濃度と同一にし、
出力ゲート部の出力ゲート電極を接地することにより、
出力ゲート電極に供給する所定電圧を形成する分圧回路
を不要にすると共に出力ゲート領域のポテンシャルレベ
ルの製品毎のバラツキを大幅に低減し、また電荷検出部
から水平レジスタ部への信号電荷の逆流マージンを大き
くすると共に電荷検出部のダイナミックレンジを大きく
できる様にしたものである。
従来、ハイレベル電圧を５〔Ｖ〕とし、ローレベル電
圧を０〔Ｖ〕とする２相駆動パルスによって駆動される
電荷結合素子（以下、CCDという）からなる水平レジス
タ部を有し、この水平レジスタ部を転送させてくる信号
電荷を出力ゲート部を介して電荷検出部に転送する様に
なされた固体撮像装置として、第７図にその平面構成を
概略的に示す様なものが提案されている。
圧を０〔Ｖ〕とする２相駆動パルスによって駆動される
電荷結合素子（以下、CCDという）からなる水平レジス
タ部を有し、この水平レジスタ部を転送させてくる信号
電荷を出力ゲート部を介して電荷検出部に転送する様に
なされた固体撮像装置として、第７図にその平面構成を
概略的に示す様なものが提案されている。
この第７図において、（１）はＰ型シリコン基板を示
し、この固体撮像装置においては、このＰ型シリコン基
板（１）の表面側にホトダイオードからなる受光素子
（２）がマトリクス状に設けられ、入射光に応じた信号
電荷をこの受光素子（２）において発生させ、蓄積でき
る様になされている。
し、この固体撮像装置においては、このＰ型シリコン基
板（１）の表面側にホトダイオードからなる受光素子
（２）がマトリクス状に設けられ、入射光に応じた信号
電荷をこの受光素子（２）において発生させ、蓄積でき
る様になされている。
また、これらマトリクス状に設けられた受光素子
（２）の各列毎に４相駆動方式によって駆動されるCCD
からなる垂直レジスタ部（３）が設けられ、、各受光素
子（２）において蓄積された信号電荷を垂直方向、即ち
紙面上方に向かって転送できる様になされている。
（２）の各列毎に４相駆動方式によって駆動されるCCD
からなる垂直レジスタ部（３）が設けられ、、各受光素
子（２）において蓄積された信号電荷を垂直方向、即ち
紙面上方に向かって転送できる様になされている。
また、これら垂直レジスタ部（３）の出力側に同じく
CCDからなる水平レジスタ部（４）が設けられ、これら
垂直レジスタ部（３）を転送されてくる信号電荷を１ラ
イン毎に水平方向、即ち紙面右側に向かって転送できる
様になされている。
CCDからなる水平レジスタ部（４）が設けられ、これら
垂直レジスタ部（３）を転送されてくる信号電荷を１ラ
イン毎に水平方向、即ち紙面右側に向かって転送できる
様になされている。
そして、この水平レジスタ部（４）の出力側には出力
ゲート部（５）を介して電荷検出部（６）が設けられ、
水平レジスタ部（４）を転送されてくる信号電荷を出力
ゲート部（５）を介して電荷検出部（６）に転送し、こ
の電荷検出部（６）から導出された出力端子（７）にこ
の電荷検出部（６）に転送されてきた信号電荷に基づく
画像信号を得ることができる様になされている。
ゲート部（５）を介して電荷検出部（６）が設けられ、
水平レジスタ部（４）を転送されてくる信号電荷を出力
ゲート部（５）を介して電荷検出部（６）に転送し、こ
の電荷検出部（６）から導出された出力端子（７）にこ
の電荷検出部（６）に転送されてきた信号電荷に基づく
画像信号を得ることができる様になされている。
ここに水平レジスタ部（４）は第８図にその一部を示
す様に２相駆動方式を採用する埋め込みチャンネル型の
CCD（BCCD）によって構成されている。即ち、この固体
撮像装置においては、Ｐ型シリコン基板（１）の表面側
にＮ型不純物濃度を比較的薄くしてなるN-型領域とＮ型
不純物濃度を比較的濃くしてなるＮ型領域とが交互に配
され、N-型領域からなるトランスファ領域（8T1）,N型
領域からなるストレージ領域（8S1）、N-型領域からな
るトランスファ領域（8T2）及びＮ型領域からなるスト
レージ領域（8S2）が連なってなる電荷転送路（８）が
設けられると共にこれらトランスファ領域（8T1），ス
トレージ領域（8S1），トランスファ領域（8T2）及びス
トレージ領域（8S2）上にSiO2からなる絶縁層（９）を
介して転送電極をなすトランスファ電極（10T1），スト
レージ電極（10S1），トランスファ電極（10T2）及びス
トレージ電極（10S2）が設けられ、更にトランスファ電
極（10T1）とストレージ電極（10S1）とが共通接続され
て、これらトランスファ電極（10T1）とストレージ電極
（10S1）とに第２図Ａ及び第３図Ｂに示すハイレベル電
圧を５〔Ｖ〕とし、ローレベル電圧を０〔Ｖ〕とする２
相駆動パルスφH1及びφH2のうち一方の駆動パルスφH1
が供給されると共にトランスファ電極（10T2）とストレ
ージ電極（10S2）とが共通接続されて、これらトランス
ファ電極（10T2）とストレージ電極（10S2）とに２相駆
動パルスφH1及びφH2のうち他方の駆動パルスφH2が供
給される様になされている。この様に構成されたこの水
平レジスタ部（４）においては、電荷転送路（８）のポ
テンシャルレベルは２相駆動パルスφH1及びφH2の変化
に応じて第９図に一点鎖線（11）及び破線（12）で示す
様に変化する。この第９図において一点鎖線（11）はト
ランスファ電極（10T1）及びストレージ電極（10S1）に
ハイレベル電圧を５〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電
極（10T2）及びストレージ電極（10S2）にローレベル電
圧０〔Ｖ〕が供給された時点での電荷転送路（８）のポ
テンシャルレベルを示し、また破線（12）はトランスフ
ァ電極（10T1）及びストレージ電極（10S1）にローレベ
ル電圧０〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）
及びストレージ電極（10S2）にハイレベル電圧を５
〔Ｖ〕が供給された時点での電荷転送路（８）のポテン
シャルレベルを示している。
す様に２相駆動方式を採用する埋め込みチャンネル型の
CCD（BCCD）によって構成されている。即ち、この固体
撮像装置においては、Ｐ型シリコン基板（１）の表面側
にＮ型不純物濃度を比較的薄くしてなるN-型領域とＮ型
不純物濃度を比較的濃くしてなるＮ型領域とが交互に配
され、N-型領域からなるトランスファ領域（8T1）,N型
領域からなるストレージ領域（8S1）、N-型領域からな
るトランスファ領域（8T2）及びＮ型領域からなるスト
レージ領域（8S2）が連なってなる電荷転送路（８）が
設けられると共にこれらトランスファ領域（8T1），ス
トレージ領域（8S1），トランスファ領域（8T2）及びス
トレージ領域（8S2）上にSiO2からなる絶縁層（９）を
介して転送電極をなすトランスファ電極（10T1），スト
レージ電極（10S1），トランスファ電極（10T2）及びス
トレージ電極（10S2）が設けられ、更にトランスファ電
極（10T1）とストレージ電極（10S1）とが共通接続され
て、これらトランスファ電極（10T1）とストレージ電極
（10S1）とに第２図Ａ及び第３図Ｂに示すハイレベル電
圧を５〔Ｖ〕とし、ローレベル電圧を０〔Ｖ〕とする２
相駆動パルスφH1及びφH2のうち一方の駆動パルスφH1
が供給されると共にトランスファ電極（10T2）とストレ
ージ電極（10S2）とが共通接続されて、これらトランス
ファ電極（10T2）とストレージ電極（10S2）とに２相駆
動パルスφH1及びφH2のうち他方の駆動パルスφH2が供
給される様になされている。この様に構成されたこの水
平レジスタ部（４）においては、電荷転送路（８）のポ
テンシャルレベルは２相駆動パルスφH1及びφH2の変化
に応じて第９図に一点鎖線（11）及び破線（12）で示す
様に変化する。この第９図において一点鎖線（11）はト
ランスファ電極（10T1）及びストレージ電極（10S1）に
ハイレベル電圧を５〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電
極（10T2）及びストレージ電極（10S2）にローレベル電
圧０〔Ｖ〕が供給された時点での電荷転送路（８）のポ
テンシャルレベルを示し、また破線（12）はトランスフ
ァ電極（10T1）及びストレージ電極（10S1）にローレベ
ル電圧０〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）
及びストレージ電極（10S2）にハイレベル電圧を５
〔Ｖ〕が供給された時点での電荷転送路（８）のポテン
シャルレベルを示している。
また出力ゲート部（５）は第８図に示す様に水平レジ
スタ部（４）の最終ビットのストレージ領域（8S1）に
連続してＮ型領域からなる出力ゲート領域（13）を設け
ると共にこの出力ゲート領域（13）上に絶縁層（９）を
介して出力ゲート電極（14）を設け、この出力ゲート電
極（14）にこの固体撮像装置に供給される15〔Ｖ〕の直
流電圧V0を分圧回路（15）で分圧した２〔Ｖ〕の直流電
圧を供給する様にして構成されている。尚、分圧回路
（15）は抵抗器（16）と、抵抗器（17）及びコンデンサ
（18）の並列回路とからなる直列回路によって構成され
ている。この様に構成された出力ゲート部（５）におい
ては、出力ゲート領域（13）のポテンシャルレベルは第
９図に実線（19）で示す様に隣接する水平レジスタ部
（４）のストレージ領域（8S1）の最大ポテンシャルレ
ベルと最小ポテンシャルレベルとの中間の位置、具体的
にはストレージ領域（8S1）の最小ポテンシャルレベル
よりも２〔Ｖ〕深くなる位置に設定されるところとな
る。従って、この固体撮像装置においては、第９図に示
す様にトランスファ電極（10T1）及びストレージ電極
（10S1）にハイレベル電圧を５〔Ｖ〕が供給され、トラ
ンスファ電極（10T2）及びストレージ電極（10S2）にロ
ーレベル電圧０〔Ｖ〕が供給された時点で、最終ビット
のストレージ領域（8S1）に信号電荷Ｑが転送されて蓄
積され、その後、トランスファ電極（10T1）及びストレ
ージ電極（10S1）にローレベル電圧０〔Ｖ〕が供給さ
れ、トランスファ領域（10T2）及びストレージ領域（10
S2）にハイレベル電圧を５〔Ｖ〕が供給された時点で、
最終ビットのストレージ領域（8S1）に蓄積されていた
信号電荷Ｑはこのストレージ領域（8S1）から出力ゲー
ト領域（13）を介して後述する電荷検出部（６）のフロ
ーティング・ディフュージョン領域（20）に転送され
る。
スタ部（４）の最終ビットのストレージ領域（8S1）に
連続してＮ型領域からなる出力ゲート領域（13）を設け
ると共にこの出力ゲート領域（13）上に絶縁層（９）を
介して出力ゲート電極（14）を設け、この出力ゲート電
極（14）にこの固体撮像装置に供給される15〔Ｖ〕の直
流電圧V0を分圧回路（15）で分圧した２〔Ｖ〕の直流電
圧を供給する様にして構成されている。尚、分圧回路
（15）は抵抗器（16）と、抵抗器（17）及びコンデンサ
（18）の並列回路とからなる直列回路によって構成され
ている。この様に構成された出力ゲート部（５）におい
ては、出力ゲート領域（13）のポテンシャルレベルは第
９図に実線（19）で示す様に隣接する水平レジスタ部
（４）のストレージ領域（8S1）の最大ポテンシャルレ
ベルと最小ポテンシャルレベルとの中間の位置、具体的
にはストレージ領域（8S1）の最小ポテンシャルレベル
よりも２〔Ｖ〕深くなる位置に設定されるところとな
る。従って、この固体撮像装置においては、第９図に示
す様にトランスファ電極（10T1）及びストレージ電極
（10S1）にハイレベル電圧を５〔Ｖ〕が供給され、トラ
ンスファ電極（10T2）及びストレージ電極（10S2）にロ
ーレベル電圧０〔Ｖ〕が供給された時点で、最終ビット
のストレージ領域（8S1）に信号電荷Ｑが転送されて蓄
積され、その後、トランスファ電極（10T1）及びストレ
ージ電極（10S1）にローレベル電圧０〔Ｖ〕が供給さ
れ、トランスファ領域（10T2）及びストレージ領域（10
S2）にハイレベル電圧を５〔Ｖ〕が供給された時点で、
最終ビットのストレージ領域（8S1）に蓄積されていた
信号電荷Ｑはこのストレージ領域（8S1）から出力ゲー
ト領域（13）を介して後述する電荷検出部（６）のフロ
ーティング・ディフュージョン領域（20）に転送され
る。
電荷検出部（６）は第８図に示す様にいわゆるフロー
ティング・ディフュージョン・アンプリファイヤによっ
て構成されている。即ち出力ゲート部（５）の出力ゲー
ト領域（13）に連続してＮ型不純物濃度をかなり濃くす
るN+型領域からなるフローティング・ディフュージョン
領域（20）を設け、水平レジスタ部（４）の電荷転送路
（８）を転送されてくる信号電荷をこのフローティング
・ディフュージョン領域（20）に蓄積できる様になされ
ると共にこのフローティング・ディフュージョン領域
（20）をMOS FETからなる増幅器（21）の入力側に電気
的に接続し、フローティング・ディフュージョン領域
（20）に信号電荷が流入されることによって生ずるこの
フローティング・ディフュージョン領域（20）の電位変
化を増幅器（21）によって増幅することができる様にな
されている。またフローティング・ディフュージョン領
域（20）に連続してＮ型領域からなるプリチャージ・ゲ
ート領域（22）とN+型領域からなるプリチャージ・ドレ
イン領域（23）とが順次に設けられ、このプリチャージ
・ドレイン領域（23）に所定電圧の直流電圧、例えば15
〔Ｖ〕の直流電圧VPDが供給されると共にプリチャージ
・ゲート領域（22）上に絶縁層（９）を介してプリチャ
ージ・ゲート電極（24）が設けられ、このプリチャージ
・ゲート電極（24）に２相駆動パルスφH1及びφH2に同
期された所定周期のクロックパルス、いわゆるプリチャ
ージ・ゲートパルスφPGが供給され、フローティング・
ディフュージョン領域（20）に流入、蓄積された信号電
荷を所定周期でプリチャージ・ドレイン領域（23）に掃
き出し、フローティング・ディフュージョン領域（20）
を所定電圧、例えば15〔Ｖ〕にプリチャージすることが
できる様になされている。
ティング・ディフュージョン・アンプリファイヤによっ
て構成されている。即ち出力ゲート部（５）の出力ゲー
ト領域（13）に連続してＮ型不純物濃度をかなり濃くす
るN+型領域からなるフローティング・ディフュージョン
領域（20）を設け、水平レジスタ部（４）の電荷転送路
（８）を転送されてくる信号電荷をこのフローティング
・ディフュージョン領域（20）に蓄積できる様になされ
ると共にこのフローティング・ディフュージョン領域
（20）をMOS FETからなる増幅器（21）の入力側に電気
的に接続し、フローティング・ディフュージョン領域
（20）に信号電荷が流入されることによって生ずるこの
フローティング・ディフュージョン領域（20）の電位変
化を増幅器（21）によって増幅することができる様にな
されている。またフローティング・ディフュージョン領
域（20）に連続してＮ型領域からなるプリチャージ・ゲ
ート領域（22）とN+型領域からなるプリチャージ・ドレ
イン領域（23）とが順次に設けられ、このプリチャージ
・ドレイン領域（23）に所定電圧の直流電圧、例えば15
〔Ｖ〕の直流電圧VPDが供給されると共にプリチャージ
・ゲート領域（22）上に絶縁層（９）を介してプリチャ
ージ・ゲート電極（24）が設けられ、このプリチャージ
・ゲート電極（24）に２相駆動パルスφH1及びφH2に同
期された所定周期のクロックパルス、いわゆるプリチャ
ージ・ゲートパルスφPGが供給され、フローティング・
ディフュージョン領域（20）に流入、蓄積された信号電
荷を所定周期でプリチャージ・ドレイン領域（23）に掃
き出し、フローティング・ディフュージョン領域（20）
を所定電圧、例えば15〔Ｖ〕にプリチャージすることが
できる様になされている。
しかして、この様に構成されたこの第７図例の固体撮
像装置においては、受光素子（２）に蓄積される信号電
荷は垂直レジスタ部（３），水平レジスタ部（４）及び
出力ゲート部（５）を介して電荷検出部（６）に転送さ
れ、斯る信号電荷に基づく画像信号が出力端子（７）に
得られるところとなる。
像装置においては、受光素子（２）に蓄積される信号電
荷は垂直レジスタ部（３），水平レジスタ部（４）及び
出力ゲート部（５）を介して電荷検出部（６）に転送さ
れ、斯る信号電荷に基づく画像信号が出力端子（７）に
得られるところとなる。
しかしながら、斯る従来の固体撮像装置においては、
出力ゲート電極（14）に２〔Ｖ〕の直流電圧を供給する
様にしているので、フローティング・ディフュージョン
領域（20）と出力ゲート領域（13）とのポテンシャルレ
ベル差が小さくなり、フローティング・ディフュージョ
ン領域（20）から水平レジスタ部（４）の電荷転送路
（８）への逆流マージンが小さくなってしまうと共に電
荷検出部（６）のダイナミック・レンジも小さくなって
しまうという不都合があった。
出力ゲート電極（14）に２〔Ｖ〕の直流電圧を供給する
様にしているので、フローティング・ディフュージョン
領域（20）と出力ゲート領域（13）とのポテンシャルレ
ベル差が小さくなり、フローティング・ディフュージョ
ン領域（20）から水平レジスタ部（４）の電荷転送路
（８）への逆流マージンが小さくなってしまうと共に電
荷検出部（６）のダイナミック・レンジも小さくなって
しまうという不都合があった。
また斯る従来の固体撮像装置においては、この固体撮
像装置に供給される15〔Ｖ〕の直流電圧を分圧して２
〔Ｖ〕の直流電圧を得、この２〔Ｖ〕の直流電圧をゲー
ト電極（14）に供給する様にしているため、分圧回路
（15）を設けなければならないという不都合があると共
に、分圧回路（15）の形成工程において分圧回路（15）
を構成する抵抗器（16），（17）及びコンデンサ（18）
にバラツキが生じ易く、このため、出力ゲート電極（1
4）に供給すべき２〔Ｖ〕の直流電圧にバラツキが生ず
るという不都合があった。この場合、外部から２〔Ｖ〕
の直流電圧をこの出力ゲート電極（14）に直接供給する
様にすることが考えられるが、この様にするときは、接
続箇所が増加するという不都合があると共に半田付けに
よる接続箇所が増加し、信頼性が低下するという不都合
があった。
像装置に供給される15〔Ｖ〕の直流電圧を分圧して２
〔Ｖ〕の直流電圧を得、この２〔Ｖ〕の直流電圧をゲー
ト電極（14）に供給する様にしているため、分圧回路
（15）を設けなければならないという不都合があると共
に、分圧回路（15）の形成工程において分圧回路（15）
を構成する抵抗器（16），（17）及びコンデンサ（18）
にバラツキが生じ易く、このため、出力ゲート電極（1
4）に供給すべき２〔Ｖ〕の直流電圧にバラツキが生ず
るという不都合があった。この場合、外部から２〔Ｖ〕
の直流電圧をこの出力ゲート電極（14）に直接供給する
様にすることが考えられるが、この様にするときは、接
続箇所が増加するという不都合があると共に半田付けに
よる接続箇所が増加し、信頼性が低下するという不都合
があった。
本発明は、上述した不都合を解消する様にした固体撮
像装置を提供することを目的とする。
像装置を提供することを目的とする。
本発明による固体撮像装置は、例えば第１図〜第３図
に示す様に、トランスファ領域とストレージ領域と交互
に配してなる電荷転送路（25）を有し、一方の電圧レベ
ルを所定電圧Ｖ〔Ｖ〕とし、他方の電圧レベルを０
〔Ｖ〕とする２相駆動パルスφH1及びφH2によって駆動
される電荷結合素子からなる水平レジスタ部（26）と、
この水平レジスタ部（26）の出力側に配され、この水平
レジスタ部（26）の出力端のストレージ領域（8S1′）
に連続して設けられた出力ゲート領域（13）とこの出力
ゲート領域（13）上に設けられた出力ゲート電極（14）
とからなる出力ゲート部（27）と、この出力ゲート部
（27）に連続して設けられ、この出力ゲート部（27）を
介して上記水平レジスタ部（26）から転送されてくる信
号電荷を検出し、この信号電荷に基づく画像信号を得る
ようになされた電荷検出部（６）とを有して成る固定撮
像装置において、水平レジスタ部（26）の出力端のトラ
ンスファ領域（8T1）の不純物濃度を他のトランスファ
領域（8T1）（8T2）の濃度と同一にたもったままストレ
ージ領域（8S1′）の不純物濃度を他のストレージ領域
（8S1）（8S2）の不純物濃度よりも薄くすると共に出力
ゲート部（27）の出力ゲート領域（13）の不純物濃度を
上記水平レジスタ部（26）の他のストレージ領域（8
S1）（8S2）の不純物濃度と同一にし、出力ゲート部（2
7）の出力ゲート電極（14）を接地する様にしたもので
ある。
に示す様に、トランスファ領域とストレージ領域と交互
に配してなる電荷転送路（25）を有し、一方の電圧レベ
ルを所定電圧Ｖ〔Ｖ〕とし、他方の電圧レベルを０
〔Ｖ〕とする２相駆動パルスφH1及びφH2によって駆動
される電荷結合素子からなる水平レジスタ部（26）と、
この水平レジスタ部（26）の出力側に配され、この水平
レジスタ部（26）の出力端のストレージ領域（8S1′）
に連続して設けられた出力ゲート領域（13）とこの出力
ゲート領域（13）上に設けられた出力ゲート電極（14）
とからなる出力ゲート部（27）と、この出力ゲート部
（27）に連続して設けられ、この出力ゲート部（27）を
介して上記水平レジスタ部（26）から転送されてくる信
号電荷を検出し、この信号電荷に基づく画像信号を得る
ようになされた電荷検出部（６）とを有して成る固定撮
像装置において、水平レジスタ部（26）の出力端のトラ
ンスファ領域（8T1）の不純物濃度を他のトランスファ
領域（8T1）（8T2）の濃度と同一にたもったままストレ
ージ領域（8S1′）の不純物濃度を他のストレージ領域
（8S1）（8S2）の不純物濃度よりも薄くすると共に出力
ゲート部（27）の出力ゲート領域（13）の不純物濃度を
上記水平レジスタ部（26）の他のストレージ領域（8
S1）（8S2）の不純物濃度と同一にし、出力ゲート部（2
7）の出力ゲート電極（14）を接地する様にしたもので
ある。
斯る本発明においては、水平レジスタ部（26）の出力
端のストレージ領域（8S1′）の不純物濃度を他のスト
レージ領域（8S1）（8S2）の不純物濃度よりも薄くする
と共に出力ゲート部（27）の出力ゲート領域（13）の不
純物濃度を水平レジスタ部（26）の他のストレージ領域
（8S1）（8S2）の不純物濃度と同一にする様になされて
いることにより、出力ゲート部（27）の出力ゲート電極
（14）を接地した場合の出力ゲート領域（13）のポテン
シャルレベルは水平レジスタ部（26）の出力端のストレ
ージ領域（8S1′）の最大ポテンシャルレベルと最小ポ
テンシャルレベルとの中間に設定されるところとなるの
で、水平レジスタ部（26）の電荷転送路（25）を転送さ
れてきた信号電荷は出力ゲート領域（13）を介して電荷
検出部（６）にスムースに転送される。
端のストレージ領域（8S1′）の不純物濃度を他のスト
レージ領域（8S1）（8S2）の不純物濃度よりも薄くする
と共に出力ゲート部（27）の出力ゲート領域（13）の不
純物濃度を水平レジスタ部（26）の他のストレージ領域
（8S1）（8S2）の不純物濃度と同一にする様になされて
いることにより、出力ゲート部（27）の出力ゲート電極
（14）を接地した場合の出力ゲート領域（13）のポテン
シャルレベルは水平レジスタ部（26）の出力端のストレ
ージ領域（8S1′）の最大ポテンシャルレベルと最小ポ
テンシャルレベルとの中間に設定されるところとなるの
で、水平レジスタ部（26）の電荷転送路（25）を転送さ
れてきた信号電荷は出力ゲート領域（13）を介して電荷
検出部（６）にスムースに転送される。
しかも、信号電荷の蓄積される部分のポテンシャルを
前段までとほぼ変わらないままストレージ領域（8
S1′）の不純物濃度が薄くなった分だけ出力ゲート領域
（13）とフローティング・ディフュージョン領域（20）
とのポテンシャルレベル差が大きくなるので、電荷検出
部（６）から水平レジスタ部（26）への信号電荷の逆流
マージンを大きくすることができると共に電荷検出部
（６）のダイナミックレンジも増大させることができ
る。
前段までとほぼ変わらないままストレージ領域（8
S1′）の不純物濃度が薄くなった分だけ出力ゲート領域
（13）とフローティング・ディフュージョン領域（20）
とのポテンシャルレベル差が大きくなるので、電荷検出
部（６）から水平レジスタ部（26）への信号電荷の逆流
マージンを大きくすることができると共に電荷検出部
（６）のダイナミックレンジも増大させることができ
る。
以下、第１図〜第６図を参照して本発明による固体撮
像装置の一実施例につき説明しよう。この第１図〜第６
図において、第７図〜第９図に対応する部分には同一符
号を付し、その詳細説明は省略する。
像装置の一実施例につき説明しよう。この第１図〜第６
図において、第７図〜第９図に対応する部分には同一符
号を付し、その詳細説明は省略する。
本例においても、第７図従来例と同様にＰ型シリコン
基板（１）を用意し、このＰ型シリコン基板（１）の表
面側に受光素子，垂直レジスタ部，水平レジスタ部（2
6），出力ゲート部（27）及び電荷検出部（６）を設
け、第７図従来例と同様にインターライン転送方式の固
体撮像装置となす様にする。
基板（１）を用意し、このＰ型シリコン基板（１）の表
面側に受光素子，垂直レジスタ部，水平レジスタ部（2
6），出力ゲート部（27）及び電荷検出部（６）を設
け、第７図従来例と同様にインターライン転送方式の固
体撮像装置となす様にする。
この場合、受光素子及び垂直レジスタ部は、図示せず
も、第７図従来例と同様に構成する。即ち受光素子はホ
トダイオードにより構成し、垂直レジスタ部は４相駆動
方式によるCCDによって構成する。
も、第７図従来例と同様に構成する。即ち受光素子はホ
トダイオードにより構成し、垂直レジスタ部は４相駆動
方式によるCCDによって構成する。
また水平レジスタ部（26）は第１図にその一部を示す
様に２相駆動方式を採用する埋め込みチャンネル型のCC
D（BCCD）によって構成する。ここにこの固体撮像装置
においては、Ｐ型シリコン基板（１）の表面側にＮ型不
純物濃度を比較的薄くしてなるN-型領域とＮ型不純物濃
度を比較的濃くしてなるＮ型領域とを交互に設け、N-型
領域からなるトランスファ領域（8T1）,N型領域からな
るストレージ領域（8S1）,N-型領域からなるトランスフ
ァ領域（8T2）及びＮ型領域からなるストレージ領域（8
S2）が連ならせると共に出力端に、トランスファ領域
（8T1）に連続して、そのＮ型不純物濃度をトランスフ
ァ領域（8T1）（8T2）よりも濃くするが、他のストレー
ジ領域（8S1）（8S2）よりも薄くするストレージ領域
（8S1′）を設けてなる電荷転送路（25）を構成する。
様に２相駆動方式を採用する埋め込みチャンネル型のCC
D（BCCD）によって構成する。ここにこの固体撮像装置
においては、Ｐ型シリコン基板（１）の表面側にＮ型不
純物濃度を比較的薄くしてなるN-型領域とＮ型不純物濃
度を比較的濃くしてなるＮ型領域とを交互に設け、N-型
領域からなるトランスファ領域（8T1）,N型領域からな
るストレージ領域（8S1）,N-型領域からなるトランスフ
ァ領域（8T2）及びＮ型領域からなるストレージ領域（8
S2）が連ならせると共に出力端に、トランスファ領域
（8T1）に連続して、そのＮ型不純物濃度をトランスフ
ァ領域（8T1）（8T2）よりも濃くするが、他のストレー
ジ領域（8S1）（8S2）よりも薄くするストレージ領域
（8S1′）を設けてなる電荷転送路（25）を構成する。
またトランスファ領域（8T1），ストレージ領域（8
S1），トランスファ領域（8T2）及びストレージ領域（8
S2）上にSiO2からなる絶縁層（９）を介して転送電極を
なすトランスファ電極（10T1），ストレージ電極（10
S1），トランスファ電極（10T2）及びストレージ電極
（10S2）を設けると共にトランスファ電極（10T1）とス
トレージ電極（10S1）とを共通接続し、これらトランス
ファ電極（10T1）とストレージ電極（10S1）とに第２図
Ａ及び第２図Ｂに示すハイレベル電圧５〔Ｖ〕とし、ロ
ーレベル電圧を０〔Ｖ〕とする２相駆動パルスφH1及び
φH2のうち一方の駆動パルスφH1を供給すると共にトラ
ンスファ電極（10T2）とストレージ電極（10S2）とを共
通接続し、これらトランスファ電極（10T2）とストレー
ジ電極（10S2）とに２相駆動パルスφH1及びφH2のうち
他方の駆動パルスφH2を供給するようになす。
S1），トランスファ領域（8T2）及びストレージ領域（8
S2）上にSiO2からなる絶縁層（９）を介して転送電極を
なすトランスファ電極（10T1），ストレージ電極（10
S1），トランスファ電極（10T2）及びストレージ電極
（10S2）を設けると共にトランスファ電極（10T1）とス
トレージ電極（10S1）とを共通接続し、これらトランス
ファ電極（10T1）とストレージ電極（10S1）とに第２図
Ａ及び第２図Ｂに示すハイレベル電圧５〔Ｖ〕とし、ロ
ーレベル電圧を０〔Ｖ〕とする２相駆動パルスφH1及び
φH2のうち一方の駆動パルスφH1を供給すると共にトラ
ンスファ電極（10T2）とストレージ電極（10S2）とを共
通接続し、これらトランスファ電極（10T2）とストレー
ジ電極（10S2）とに２相駆動パルスφH1及びφH2のうち
他方の駆動パルスφH2を供給するようになす。
ここに出力端のストレージ領域（8S1′）上には別個
にストレージ領域を設けず、このストレージ領域（8
S1′）に隣接するトランスファ領域（8T1）上に設ける
トランスファ電極（10T1′）をストレージ領域（8
S1′）上にまで延在させる様にし、このトランスファ電
極（8T1′）に２相駆動パルスφH1及びφH2のうち一方
の駆動パルスφH1を供給する様にする。この様に構成さ
れたこの水平レジスタ部（26）においては、電荷転送路
（25）のポテンシャルレベルは２相駆動パルスφH1及び
φH2の変化に応じて第３図に一点鎖線（28）及び破線
（29）で示す様に変化する。ここで、この第３図におい
て一点鎖線（28）はトランスファ電極（10T1）（10
T1′）及びストレージ領域（10S1）にハイレベル電圧５
〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）及びスト
レージ電極（10S2）にローレベル電圧０〔Ｖ〕が供給さ
れた時点での電荷転送路（25）のポテンシャルレベルを
示し、また破線（29）はトランスファ電極（10T1）（10
T1′）及びストレージ電極（10S1）にローレベル電圧０
〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）及びスト
レージ領域（10S2）にハイレベル電圧５〔Ｖ〕が供給さ
れた時点での電荷転送路（25）のポテンシャルレベルを
示している。
にストレージ領域を設けず、このストレージ領域（8
S1′）に隣接するトランスファ領域（8T1）上に設ける
トランスファ電極（10T1′）をストレージ領域（8
S1′）上にまで延在させる様にし、このトランスファ電
極（8T1′）に２相駆動パルスφH1及びφH2のうち一方
の駆動パルスφH1を供給する様にする。この様に構成さ
れたこの水平レジスタ部（26）においては、電荷転送路
（25）のポテンシャルレベルは２相駆動パルスφH1及び
φH2の変化に応じて第３図に一点鎖線（28）及び破線
（29）で示す様に変化する。ここで、この第３図におい
て一点鎖線（28）はトランスファ電極（10T1）（10
T1′）及びストレージ領域（10S1）にハイレベル電圧５
〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）及びスト
レージ電極（10S2）にローレベル電圧０〔Ｖ〕が供給さ
れた時点での電荷転送路（25）のポテンシャルレベルを
示し、また破線（29）はトランスファ電極（10T1）（10
T1′）及びストレージ電極（10S1）にローレベル電圧０
〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）及びスト
レージ領域（10S2）にハイレベル電圧５〔Ｖ〕が供給さ
れた時点での電荷転送路（25）のポテンシャルレベルを
示している。
尚、この水平レジスタ部（26）は、次の様にして形成
することができる。先ず第４図に示す様にＰ型シリコン
基板（１）の表面側にＮ型不純物、例えばリンＰ型をイ
オン注入してＮ型領域（30）を形成した後、ストレージ
領域（8S1）（8S2）及び出力ゲート（13）となす部分の
Ｎ型領域（30）上に絶縁層（９′）を介してストレージ
電極（10S1）（10S2）及び出力ゲート電極（14）を形成
する。次に第５図に示す様にストレージ電極（10S1）
（10S2）及び出力ゲート電極（14）をマスクとしてＮ型
領域（30）にＰ型不純物、例えばホウ素Ｂをイオン注入
してN-型領域からなるトランスファ領域（8T1）（8T2）
を形成する。この場合、出力ゲート領域（13）のこの出
力ゲート領域（13）に間近のストレージ領域（8S2）と
の間にもN-型領域（31）が形成される。そこで次に第６
図に示す様にストレージ領域（8S1′）を形成すべきN-
型領域（31）上の部分を露出する様に全面にレジスト
（33）を被着形成し、このレジスト（33）をマスクとし
てＮ型不純物、例えばリンＰをイオン注入してトランス
ファ領域（8T1）（8T2）よりもＮ型不純物濃度を濃くす
るが、ストレージ領域（8S1）（8S2）よりもＮ型不純物
濃度を薄くしてなるストレージ領域（8S1′）を形成す
ると共に残りのN-型領域部分をトランスファ領域（8
T1）となす様にする。次にレジスト（33）を除去し、絶
縁層（９）を介してトランスファ領域（10T1）（10T2）
（10T1′）を形成する。この様にして水平レジスタ部
（26）を形成することができる。
することができる。先ず第４図に示す様にＰ型シリコン
基板（１）の表面側にＮ型不純物、例えばリンＰ型をイ
オン注入してＮ型領域（30）を形成した後、ストレージ
領域（8S1）（8S2）及び出力ゲート（13）となす部分の
Ｎ型領域（30）上に絶縁層（９′）を介してストレージ
電極（10S1）（10S2）及び出力ゲート電極（14）を形成
する。次に第５図に示す様にストレージ電極（10S1）
（10S2）及び出力ゲート電極（14）をマスクとしてＮ型
領域（30）にＰ型不純物、例えばホウ素Ｂをイオン注入
してN-型領域からなるトランスファ領域（8T1）（8T2）
を形成する。この場合、出力ゲート領域（13）のこの出
力ゲート領域（13）に間近のストレージ領域（8S2）と
の間にもN-型領域（31）が形成される。そこで次に第６
図に示す様にストレージ領域（8S1′）を形成すべきN-
型領域（31）上の部分を露出する様に全面にレジスト
（33）を被着形成し、このレジスト（33）をマスクとし
てＮ型不純物、例えばリンＰをイオン注入してトランス
ファ領域（8T1）（8T2）よりもＮ型不純物濃度を濃くす
るが、ストレージ領域（8S1）（8S2）よりもＮ型不純物
濃度を薄くしてなるストレージ領域（8S1′）を形成す
ると共に残りのN-型領域部分をトランスファ領域（8
T1）となす様にする。次にレジスト（33）を除去し、絶
縁層（９）を介してトランスファ領域（10T1）（10T2）
（10T1′）を形成する。この様にして水平レジスタ部
（26）を形成することができる。
また出力ゲート部（27）は水平レジスタ部（26）の出
力端のストレージ領域（8S1′）に連続してＮ型領域か
らなる出力ゲート領域（13）を設けると共にこの出力ゲ
ート領域（13）上に絶縁層（９）を介して出力ゲート電
極（14）を設け、この出力ゲート電極（14）を接地する
ことによって構成する。この場合、出力ゲート領域（1
3）は、第４図〜第６図に示した様に水平レジスト部（2
6）のストレージ領域（8S1）（8S2）の形成と同一工程
で形成することにより、出力ゲート領域（13）のＮ型不
純物濃度を水平レジスタ部（26）の出力端のストレージ
領域（8S1′）以外のストレージ領域（8S1）（8S2）の
Ｎ型不純物濃度と同一になす様にする。この様に出力ゲ
ート部（27）を構成した場合、水平レジスタ部（26）の
出力端がストレージ領域（8S1′）のＮ型不純物濃度は
他のストレージ領域（8S1）（8S2）のＮ型不純物濃度よ
りも薄くされているので、この出力ゲート部（27）の出
力ゲート領域（13）のポテンシャルレベルは、第３図に
実線（34）で示す様に、水平レジスタ部（26）の出力端
のストレージ領域（8S1′）の最大ポテンシャルレベル
（一点鎖線）と最小ポテンシャルレベル（破線）との間
に設定されるところとなる。
力端のストレージ領域（8S1′）に連続してＮ型領域か
らなる出力ゲート領域（13）を設けると共にこの出力ゲ
ート領域（13）上に絶縁層（９）を介して出力ゲート電
極（14）を設け、この出力ゲート電極（14）を接地する
ことによって構成する。この場合、出力ゲート領域（1
3）は、第４図〜第６図に示した様に水平レジスト部（2
6）のストレージ領域（8S1）（8S2）の形成と同一工程
で形成することにより、出力ゲート領域（13）のＮ型不
純物濃度を水平レジスタ部（26）の出力端のストレージ
領域（8S1′）以外のストレージ領域（8S1）（8S2）の
Ｎ型不純物濃度と同一になす様にする。この様に出力ゲ
ート部（27）を構成した場合、水平レジスタ部（26）の
出力端がストレージ領域（8S1′）のＮ型不純物濃度は
他のストレージ領域（8S1）（8S2）のＮ型不純物濃度よ
りも薄くされているので、この出力ゲート部（27）の出
力ゲート領域（13）のポテンシャルレベルは、第３図に
実線（34）で示す様に、水平レジスタ部（26）の出力端
のストレージ領域（8S1′）の最大ポテンシャルレベル
（一点鎖線）と最小ポテンシャルレベル（破線）との間
に設定されるところとなる。
尚、電荷検出部（６）は、第７図従来例と同様に構成
する。
する。
このように構成された本例の固体撮像装置において
は、第３図に示す様に、トランスファ電極（10T1）（10
T1′）及びストレージ電極（10S1）にハイレベル電圧５
〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）及びスト
レージ電極（10S2）にローレベル電圧０〔Ｖ〕が供給さ
れた時点で、ストレージ領域（8S1′）に信号電荷Ｑが
転送されて蓄積され、その後、トランスファ電極（10
T1）（10T1′）及びストレージ電極（10S1）にローレベ
ル電圧０〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）
及びストレージ電極（10S2）にハイレベル電圧５〔Ｖ〕
が供給された時点で、ストレージ領域（8S1′）に蓄積
されていた信号電荷Ｑは電荷検出部（６）のフローティ
ング・ディフュージョン領域（20）に転送される。従っ
て、本例の固体撮像装置においては、受光素子に蓄積さ
れる信号電荷は垂直レジスタ部，水平レジスタ部（26）
及び出力ゲート部（27）を介して電荷検出部（６）に転
送され、斯る信号電荷に基づく画像信号を出力端子
（７）に得ることができる。
は、第３図に示す様に、トランスファ電極（10T1）（10
T1′）及びストレージ電極（10S1）にハイレベル電圧５
〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）及びスト
レージ電極（10S2）にローレベル電圧０〔Ｖ〕が供給さ
れた時点で、ストレージ領域（8S1′）に信号電荷Ｑが
転送されて蓄積され、その後、トランスファ電極（10
T1）（10T1′）及びストレージ電極（10S1）にローレベ
ル電圧０〔Ｖ〕が供給され、トランスファ電極（10T2）
及びストレージ電極（10S2）にハイレベル電圧５〔Ｖ〕
が供給された時点で、ストレージ領域（8S1′）に蓄積
されていた信号電荷Ｑは電荷検出部（６）のフローティ
ング・ディフュージョン領域（20）に転送される。従っ
て、本例の固体撮像装置においては、受光素子に蓄積さ
れる信号電荷は垂直レジスタ部，水平レジスタ部（26）
及び出力ゲート部（27）を介して電荷検出部（６）に転
送され、斯る信号電荷に基づく画像信号を出力端子
（７）に得ることができる。
ここに本例の固体撮像装置によれば、出力ゲート部
（27）の出力ゲート電極（14）を接地し得る様になされ
ているので、第７図（第８図）従来例の場合と異なり分
圧回路（15）を設ける必要がないという利益があると共
に出力ゲート領域（13）のポテンシャルレベルの製品毎
のバラツキを大幅に低減できるという利益がある。
（27）の出力ゲート電極（14）を接地し得る様になされ
ているので、第７図（第８図）従来例の場合と異なり分
圧回路（15）を設ける必要がないという利益があると共
に出力ゲート領域（13）のポテンシャルレベルの製品毎
のバラツキを大幅に低減できるという利益がある。
また出力ゲート電極（14）を接地し得ることにより、
第７図（第８図）従来例に比し、出力ゲート領域（13）
とフローティング・ディフュージョン領域（20）とのポ
テンシャルレベル差を大きくすることができるので、フ
ローティング・ディフュージョン領域（20）から水平レ
ジスタ部（26）への逆流マージンを大きくすることがで
きるという利益があると共に電荷検出部（６）のダイナ
ミックレンジも増大させることができるという利益があ
る。
第７図（第８図）従来例に比し、出力ゲート領域（13）
とフローティング・ディフュージョン領域（20）とのポ
テンシャルレベル差を大きくすることができるので、フ
ローティング・ディフュージョン領域（20）から水平レ
ジスタ部（26）への逆流マージンを大きくすることがで
きるという利益があると共に電荷検出部（６）のダイナ
ミックレンジも増大させることができるという利益があ
る。
尚、上述実施例においては、本発明をインターライン
転送方式の固体撮像装置に適用した場合につき述べた
が、この代わりに、フレーム転送方式の固体撮像装置に
も適用でき、この場合にも、上述同様の作用効果を得る
ことができる。
転送方式の固体撮像装置に適用した場合につき述べた
が、この代わりに、フレーム転送方式の固体撮像装置に
も適用でき、この場合にも、上述同様の作用効果を得る
ことができる。
また本発明は、上述実施例に限らず、本発明の要旨を
逸脱することなく、その他、種々の構成が取り得ること
は勿論である。
逸脱することなく、その他、種々の構成が取り得ること
は勿論である。
本発明に依れば、出力ゲート部（27）の出力ゲート電
極（14）を接地し得る様になされているので、第７図
（第８図）従来例の場合と異なり分圧回路（15）を設け
る必要がないという利益があると共に出力ゲート領域
（13）のポテンシャルレベルの製品毎のバラツキを大幅
に低減することができるという利益がある。
極（14）を接地し得る様になされているので、第７図
（第８図）従来例の場合と異なり分圧回路（15）を設け
る必要がないという利益があると共に出力ゲート領域
（13）のポテンシャルレベルの製品毎のバラツキを大幅
に低減することができるという利益がある。
また出力ゲート電極（14）を接地し得ることより、出
力ゲート領域（13）と電荷検出部（６）の信号電荷流入
領域とのポテンシャルレベルを大きくすることができる
ので、電荷検出部（６）から水平レジスタ部（26）への
信号電荷の逆流マージンを大きくすることができるとい
う利益があると共に電荷検出部（６）のタイナミックレ
ンジも大きくすることができるという利益がある。
力ゲート領域（13）と電荷検出部（６）の信号電荷流入
領域とのポテンシャルレベルを大きくすることができる
ので、電荷検出部（６）から水平レジスタ部（26）への
信号電荷の逆流マージンを大きくすることができるとい
う利益があると共に電荷検出部（６）のタイナミックレ
ンジも大きくすることができるという利益がある。
第１図は本発明による固体撮像装置の一実施例の要部を
示す断面図、第２図は第１図例の固体撮像装置の水平レ
ジスタ部に供給する２相駆動パルスを示す線図、第３図
は第１図のIII−III′線に沿った領域のポテンシャルレ
ベルを模式的に示す線図、第４図，第５図及び第６図は
第１図例の水平レジスタ部の形成工程例を示す線図、第
７図は従来の固体撮像装置の一例を概略的に示す平面
図、第８図は第７図例の固体撮像装置の要部を示す断面
図、第９図は第８図のIX−IX′線に沿った領域のポテン
シャルレベルを模式的に示す線図である。 （６）は電荷検出部、（8S1），（8S2）及び（8S1′）
は夫々ストレージ領域、（8T1）及び（8T2）は夫々トラ
ンスファ領域、（10S1）及び（10S2）は夫々ストレージ
電極、（10T1），（10T2）及び（10T1′）は夫々トラン
スファ電極、（13）は出力ゲート領域、（14）は出力ゲ
ート電極、（20）はフローティング・ディフュージョン
領域、（22）はプリチャージ・ゲート領域、（23）はプ
リチャージ・ドレイン領域、（24）はプリチャージ・ゲ
ート電極、（25）は電荷転送路、（26）は水平レジスタ
部、（27）は出力ゲート部である。
示す断面図、第２図は第１図例の固体撮像装置の水平レ
ジスタ部に供給する２相駆動パルスを示す線図、第３図
は第１図のIII−III′線に沿った領域のポテンシャルレ
ベルを模式的に示す線図、第４図，第５図及び第６図は
第１図例の水平レジスタ部の形成工程例を示す線図、第
７図は従来の固体撮像装置の一例を概略的に示す平面
図、第８図は第７図例の固体撮像装置の要部を示す断面
図、第９図は第８図のIX−IX′線に沿った領域のポテン
シャルレベルを模式的に示す線図である。 （６）は電荷検出部、（8S1），（8S2）及び（8S1′）
は夫々ストレージ領域、（8T1）及び（8T2）は夫々トラ
ンスファ領域、（10S1）及び（10S2）は夫々ストレージ
電極、（10T1），（10T2）及び（10T1′）は夫々トラン
スファ電極、（13）は出力ゲート領域、（14）は出力ゲ
ート電極、（20）はフローティング・ディフュージョン
領域、（22）はプリチャージ・ゲート領域、（23）はプ
リチャージ・ドレイン領域、（24）はプリチャージ・ゲ
ート電極、（25）は電荷転送路、（26）は水平レジスタ
部、（27）は出力ゲート部である。
Claims (1)
- 【請求項１】トランスファ領域とストレージ領域とを交
互に配してなる電荷送路を有し、一方の電圧レベルを所
定電圧〔Ｖ〕とし、他方の電圧レベルを０〔Ｖ〕とする
２相駆動パルスによって駆動される電荷結合素子からな
る水平レジスタ部と、 該水平レジスタ部の出力側に配され、該水平レジスタ部
の出力端のストレージ領域に連続して設けられた出力ゲ
ート領域と該出力ゲート領域上に設けられた出力ゲート
電極とからなる出力ゲート部と、 該出力ゲート部に連続して設けられ、該出力ゲート部を
介して上記水平レジスタ部から転送されてくる信号電荷
を検出し、該信号電荷に基づく画像信号を得るようにな
された電荷検出部とを有してなる固定撮像装置におい
て、 上記水平レジスタ部の上記出力端のトランスファ領域の
不純物濃度を他のトランスファ領域の濃度と同一にたも
ったまま、ストレージ領域の不純物濃度を他のストレー
ジ領域の不純物濃度よりも薄くすると共に、上記出力ゲ
ート部の上記出力ゲート領域の不純物濃度を上記水平レ
ジスタ部の上記他のストレージ領域の不純物濃度と同一
にし、上記出力ゲート部の上記出力ゲート電極を接地す
るようにしたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120527A JP2625721B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120527A JP2625721B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285968A JPS63285968A (ja) | 1988-11-22 |
| JP2625721B2 true JP2625721B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=14788471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62120527A Expired - Fee Related JP2625721B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625721B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2509740B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1996-06-26 | 株式会社東芝 | 電荷転送装置 |
| JPH04236586A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-25 | Sony Corp | 電荷転送装置及びこれを用いた固体撮像装置 |
| JP3006521B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2000-02-07 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187368A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62120527A patent/JP2625721B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63285968A (ja) | 1988-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |