JP2613351B2

JP2613351B2 - イオン打ち込み装置

Info

Publication number: JP2613351B2
Application number: JP5077047A
Authority: JP
Inventors: 健介雨宮; 克己登木口; 純也伊藤; 訓之作道
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-04-02
Filing date: 1993-04-02
Publication date: 1997-05-28
Anticipated expiration: 2012-05-28
Also published as: JPH06290731A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波四重極（Radio
Frequency Quadrupole; 以下はＲＦＱと呼ぶ）粒子加速
器にかかわり、特に、ミリアンペアから数十ミリアンペ
アの桁の大電流領域の高エネルギーイオンビームを発生
させることのできるコンパクトなＭｅＶイオン打ち込み
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＲＦＱ粒子加速器の軸方向における電極
の波形形状は、従来、アイ・イー・イー・イートラン
ザクションズオンニュークリアーサイエンス、エ
ヌ・エス−３０（１９８３年）第３３１３頁から第３３
２２頁［IEEE Transactions onNuclear Science, NS-30
(1983)pp3313-3322］の中にある第２ａ図[Fig.2a]に示
されているような形状である。この場合、右端のビーム
出射端は、１対の波形状の谷部分で電極が終了し、残り
１対の電極のビーム出射端は、これとは反対に、波形状
の山部分ところで終了している。つまり、従来のＲＦＱ
電極のビーム出射端は、波形状の山か谷のところで終了
していた。

【０００３】このビーム出射端を拡大すると、ニューク
リアーインストルメンツアンドメソッズインフ
ィジックスリサーチ、エイ２７５（１９８９年）第１
５７頁から第１６２頁［Nuclear Instruments and Meth
ods in Physics ResearchA275(1989)pp157-162］の中に
ある第２図[Fig.2]のようになっている。

【０００４】ここで、この電極の隣り合う山から谷（或
いは谷から山）までの区間をセルと呼ぶ。従来の四重極
電極は、丁度セルの完了したところをビーム出射端面に
していた。

【０００５】従来のＲＦＱ電極の、設置面に対して、水
平方向および垂直方向における断面図を、それぞれ図４
および図５に示す。ここで、イオン加速方向をＺ軸とし
ている。また、６は入射ビーム、５ａは収束出射ビー
ム、５ｂは発散出射ビームである。７、８、９、１０は
ＲＦＱ電極を示す。

【０００６】図４が水平面（Ｘ方向）を示す場合には、
図５は垂直面（Ｙ方向）を示す。この場合に、ビーム出
射方向からＲＦＱ電極を見ると、図７のようになる。Ｘ
方向は、ビーム出射端面が山、Ｙ方向は、ビーム出射端
面が谷になっている。この時、Ｘ方向が谷、Ｙ方向が山
であっても、全く問題はない。図４の四角で囲まれた部
分を拡大し、図６に示す。ビーム出射端は山同士になっ
ていて、最終セルの終わりが端面となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
では、ＲＦＱ電極からイオンビームが出射するとき、そ
の拡がり角度が大きく、直後にレンズ系を設けなければ
ビームが収束しないため、打ち込み室に入射するビーム
電流値が減少してしまうという問題点があった。

【０００８】従って、従来は、ビームを平行にするため
に、ＲＦＱ加速器と打ち込み室との間に、磁気あるいは
静電型の四重極レンズを挿入していた。例えば、パーテ
ィクルアクセラレイターズ（１９８７年）、第２０
巻、第１８３頁から第２０９頁［Particle Accelerator
s, 1987, Vol.20, pp.183-209］の中の第１３図[FIGURE
13]に示すものがある。この場合には、ＲＦＱ加速器の
直後に三段型の磁気四重極レンズが挿入されている。同
論文中の第１４図[FIGURE 14]をみると、この三段型磁
気四重極レンズの長さは、約５０ｃｍになっている。つ
まり、ＲＦＱ加速器からの出射ビームが発散するため、
加速器後段にレンズが必要となり、その結果、打ち込み
装置全体のビームラインは長くなり、さらに、レンズに
供給する電力を余分に消費していた。

【０００９】本発明の目的は、イオン打ち込み装置に含
まれるＲＦＱ粒子加速器でイオンを加速する際に、正電
荷及び負電荷のうち一方の電荷を有するイオンビーム
を、平行あるいは収束させて出射することにより、数ミ
リアンペアから数十ミリアンペアの大電流領域の高エネ
ルギーイオンビームを発生する、コンパクトなＭｅＶイ
オン打ち込み装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、ＲＦＱ加速
器の四重極電極を構成する２対の電極のうち、少なくと
も一方の電極対を構成する各電極のイオン出射側の端部
は、当該電極の波形形状の山部と谷部との間で完了する
ものであり、正電荷及び負電荷のうち一方のイオンを平
行あるいは収束させて出射する、終端形状を有すること
を特徴とするイオン打ち込み装置によって達成できる。

【００１１】

【作用】従来のように、ＲＦＱ電極のビーム出射端が丁
度最終セル（隣り合う山から谷あるいは谷から山までの
区間をセルと呼ぶ）の切れめのよい個所、例えば、Ｘ方
向が山、Ｙ方向が谷の場合には、Ｘ方向は山同士のため
電界が最大となり、ビームに対して最も収束作用が大き
くなる。逆に、Ｙ方向は最も発散作用が大きくなる。し
たがって、Ｘ方向では、図４に示したように収束ビーム
が出射し、Ｙ方向では図５に示したように発散ビームが
出射する。

【００１２】次に、例えば、もう１セル追加した場合
は、ビーム出射端でＸ方向が谷、Ｙ方向が山になるの
で、ビームに対する作用は逆転して、Ｘ方向は発散ビー
ムが出射し、Ｙ方向は収束ビームが出射する。

【００１３】つまり、最終段をセルの切れ目のよいとこ
ろで終了させると、ＸまたはＹ方向においてビームは出
射端で、必ず激しく収束または発散する。

【００１４】したがって、本発明では、両電極対のう
ち、少なくとも一方の電極対のイオン出射端面を、正電
荷あるいは負電荷のイオンビームに対し所定の収束作用
を与える形状となるように、当該電極のセル形状の山部
と谷部との中間で終了させる。なお、平行なイオンビー
ムは、収束作用を実質的に０とすることにより実現でき
る。本発明によれば、上記ＸあるいはＹ方向で、それぞ
れ収束から発散、発散から収束の過程の中間近傍の範囲
内で電極を終了させ、その端部形状を調整することによ
り、平行あるいは収束させたイオンビームを出射するこ
とができる。さらに、本発明によれば、イオンビーム
を、平行あるいは任意の収束傾向を持たせた状態で出射
することができ、ＲＦＱ加速器直後にビーム収束用のレ
ンズ系を設ける必要がなくなる。

【００１５】

【実施例】本発明の一実施例を以下に説明する。

【００１６】初めに、本実施例に使用できるＲＦＱ加速
器のビーム出射端面における電極形状について、図１か
ら図３および図８から図１１を用いて説明する。次に、
本実施例におけるイオン打ち込み装置について図１２を
用いて説明する。

【００１７】図１および図２は、本発明に基づく高周波
四重極粒子加速器のＲＦＱ電極のビーム出射部の断面拡
大図である。図１は垂直面の断面図（Ｙ方向断面図）、
図２は水平面の断面図（Ｘ方向断面図）である。図３
は、本発明のＲＦＱ電極をビーム出射方向から見た図で
ある。

【００１８】ＲＦＱ電極１、２、３、４の材質は、無酸
素銅で、軸方向には冷却用の穴（図示せず）をあけてあ
る。電極間の距離は、通常、山同士で１０ｍｍ程度であ
る。図１、図２ともに、出射端面は最終セルの中央部に
なっている。

【００１９】本実施例の電極端面形状では、上記に説明
した作用により、ＲＦＱ電極から出射されるビームが、
従来は図５のような発散出射ビーム５ｂであったもの
が、図１のような平行出射ビーム５になり、図４のよう
な収束出射ビーム５ａであったものが、図２のような平
行出射ビーム５になる。

【００２０】本実施例によるＲＦＱ電極をビーム出射方
向から見ると、図３のように、出射端面中心から各電極
までの距離が等しくなっている。従来は、図７に示すよ
うに、一方（この図ではＸ方向）が狭くて、もう一方が
広くなっていた。

【００２１】また、従来技術によるビーム出射端面に、
これと同じ断面構造をもつアダプタを取付けることによ
り、上記電極端面に近似させることもできる。この場
合、アダプタ形状は、ＲＦＱ電極の出射端面の波形形状
と、必ずしも同じである必要はない。以下に適用できる
アダプタ形状の例を示す。

【００２２】図８は、図５に示した従来のＲＦＱ電極
１、２のビーム出射端面に、アダプタ５１および５２を
取付けた電極を示している。ここで、アダプタ５１、５
２の形状は、図１に示されている最終１／２セルの波形
形状を近似している。このようなアダプタは、加工しや
すく、本発明の平行ビーム出射効果が容易に得られる。
また、図９は、図４に示した従来の電極３、４に、アダ
プタ５３、５４を取付けたビーム出射端面を示す。効果
は、図８と同様である。

【００２３】さらに、他のアダプタ形状例を、図１０お
よび図１１に示す。図１０は、図５に示した従来のＲＦ
Ｑ電極１、２のビーム出射端面に、アダプタ６１、６２
を付け加えた電極を示している。アダプタ６１、６２の
形状は、図１に示されている最終１／２セルの波形形状
の代わりに、Ｚ方向（ビーム加速方向）と水平な形状に
なるよう加工したものである。図１、図８よりも、さら
に加工しやすいため、従来の電極に取り付けるだけで、
本発明の平行ビーム出射効果が容易に得られる。また、
図１１には、図４に示した従来の電極３、４に、アダプ
タ６３、６４を取付けたビーム出射端面を示す。効果
は、図１０と同様である。

【００２４】上記例では、ＲＦＱ電極の２対のビーム出
射端面のＺ軸方向における位置が一致していた。しか
し、必ずしも一致する必要はない。平行ビームではな
く、やや収束ぎみのビームを出射したい場合には、例え
ば、図１において最終セルのビーム出射端面を１／２セ
ルより少し短かめにし、図２においては最終セルを１／
２セルより少し長めにする。このように、他の端面形状
例においても同様に、２対の電極端面位置を調整して、
全体的に適度な収束傾向を有するビームを出射すること
ができる。

【００２５】また、ビーム電流が大きくなるに従い、こ
の２対の電極端面のずれを大きくしたほうが良い。これ
は、低電流ビームでは平行になる電界でも、大電流ビー
ムの場合、ビーム自身による空間電荷によって、ビーム
が拡がってしまうためである。そこで、少し収束気味の
電界をかけることで、大電流ビームの場合でも、平行ビ
ームを形成できる。

【００２６】次に、図１２を用いて、本発明を適用した
高エネルギーイオン打ち込み装置を説明する。本実施例
のイオン打ち込み装置は、イオン源１１と、質量分離器
１２と、三段型磁気四重極レンズ１３と、ＲＦＱ加速器
１００と、ビーム偏向器１５と、打ち込み室１６とから
構成される。

【００２７】イオン源１１は、マイクロ波放電型の多価
イオン源（全体長は約１０００ｍｍ）であり、内径９０
ｍｍ、長さ２００ｍｍのプラズマ室で発生させたマイク
ロ波プラズマから、加減速型の３枚電極を用いてイオン
ビームを引き出す。

【００２８】引き出されたイオンは、偏向角９０°のセ
クターマグネットを含む質量分離器１２（全長約７００
ｍｍ）に送られ、必要に応じてイオンが選別される。次
に、イオンビームは、三段型磁気四重極レンズ１３で収
束され、直径１０ｍｍ程度のＲＦＱ加速器１００の入射
口へ入射させる。ここで、三段型磁気四重極レンズ１３
の全長は１１００ｍｍで、大電流ビームの収束のため、
口径を１０２ｍｍと大口径にしてある。

【００２９】前段で収束されたイオンビームは、全長２
５００ｍｍのＲＦＱ加速器１００によって数ＭｅＶのエ
ネルギーまで加速される。この時、ビーム出射端面の電
極１、２、３、４は、上記に説明した形状を有してい
る。電極１、２、３、４に供給される高周波高電圧は、
インダクタンス可変型コイル１４とＲＦＱ電極自身のキ
ャパシタンスによるＬＣ共振で発生させている。

【００３０】本発明の作用により、ＲＦＱ電極１、２、
３、４からの出射ビームは平行になるので、従来必要で
あった加速器後段のレンズ系は不必要となる。したがっ
て、ＲＦＱ加速器１００の直後にビーム偏向器１５（全
長約７００ｍｍ）が、その下流に、例えば、直径１２０
０ｍｍ、長さ４００ｍｍの円筒形状の打ち込み室１６が
それぞれ接続される。

【００３１】ビーム偏向器１５は、シリコン等のビーム
純度への要求が厳しい半導体デバイスへの打ち込みの場
合に挿入するが、金属、セラミックス等の高ドーズ打ち
込みを目的とした材料表層改質の場合は、打ち込み室１
６をＲＦＱ加速器１００の直後に接続する。

【００３２】本実施例では、出射イオンのエネルギーを
可変にするため、電極ＲＦＱに供給する高周波高電圧の
発生に、インダクタンス可変型コイル１４を使用した
が、この他に、容量可変型コンデンサと固定インダクタ
ンスのコイルを用いることもできる。

【００３３】また、本実施例で示した外部共振回路型Ｒ
ＦＱ加速器［ＲＦＱ電極はロッド型（rod-type）と呼
ぶ］に代えて、空洞共振構造のＲＦＱ加速器［ＲＦＱ電
極はベイン型（vane-type）と呼ぶ］を、あるいは四重
極電極に代えて、六極以上の偶数極を持つ多重極電極を
本発明に適用することもできる。

【００３４】さらに、本実施例ではイオンを使用した
が、同様に電子を加速する場合にも、本発明を適用する
ことができる。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、ＲＦＱ加速器からイオ
ンビームを平行あるいは収束させて出射することができ
る。このため、加速したイオンビームの量（ビーム電流
値）に応じて、出射イオンビームの形態を調整すること
ができ、その結果、ビーム電流値を損なうことなく、ビ
ームを打ち込み室まで導くことができる。よって、本発
明によれば、ＲＦＱ加速器で加速したイオンビームを最
大限に利用することができ、さらに、ＲＦＱ加速器直後
のレンズ系が不要となるため、数十ミリアンペアの大電
流領域のコンパクトな高エネルギーイオンビーム発生装
置が実現できる。

【００３６】さらに、通常、ＲＦＱ加速器の後段に使用
されている電力消費量の大きい磁気四重極レンズが不要
になるため、省エネルギー型の高エネルギーイオン打ち
込み装置が実現できる。

【００３７】本発明により、ＭｅＶイオンビームを、装
置寸法制約の厳しい半導体製造工場での大量生産工程
に、利用できるばかりではなく、金属、セラミックス等
の材料表層改質を短時間で行うことができる大量生産用
イオン処理装置が実現できる。

【００３８】

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施例を示すＲＦＱ電極の
ビーム出射部の、設置表面にたいして垂直方向における
断面拡大図。

【図２】図２は、本発明の一実施例を示すＲＦＱ電極の
ビーム出射部の、設置表面にたいして水平方向における
断面拡大図。

【図３】図３は、本発明の一実施例を示すＲＦＱ電極を
ビーム出射方向から見た説明図。

【図４】図４は、従来のＲＦＱ電極の断面図（水平
面）。

【図５】図５は、従来のＲＦＱ電極の断面図（垂直
面）。

【図６】図６は、従来のＲＦＱ電極のビーム出射部の断
面拡大図（水平面）及び本発明との関係説明図。

【図７】図７は、従来のＲＦＱ電極をビーム出射方向か
ら見た説明図。

【図８】図８は、本発明の一実施例を示すＲＦＱ電極の
ビーム出射部の、設置表面にたいして垂直方向における
断面拡大図。

【図９】図９は、本発明の一実施例を示すＲＦＱ電極の
ビーム出射部の、設置表面にたいして水平方向における
断面拡大図。

【図１０】図１０は、本発明の一実施例を示すＲＦＱ電
極のビーム出射部の、設置表面にたいして垂直方向にお
ける断面拡大図。

【図１１】図１１は、本発明の一実施例を示すＲＦＱ電
極のビーム出射部の、設置表面にたいして水平方向にお
ける断面拡大図。

【図１２】図１２は、本発明を一実施例の高エネルギー
イオン打ち込み装置のブロック図。

【符号の説明】

１、２、３、４…本発明の一実施例におけるＲＦＱ電
極、５…平行出射ビーム、５ａ…収束出射ビーム，５
ｂ…発散出射ビーム、６…入射ビーム、７、８、９、１
０…従来のＲＦＱ電極、１１…イオン源、１２…質量分
離器、１３…三段型磁気四重極レンズ、１４…インダク
タンス可変型コイル、１５…ビーム偏向器、１６…打ち
込み室、５１、５２、５３、５４…本発明の一実施例に
おける電極アダプタ、６１、６２、６３、６４…本発明
の一実施例における電極アダプタ、１００…本発明の一
実施例におけるＲＦＱ加速器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者作道訓之茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (56)参考文献特開平６−163195（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−121655（ＪＰ，Ａ) 特開平４−206500（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】特定のイオンを発生させるイオン発生手段
と、当該イオンを加速する、それぞれの対向面を波打た
せた形状を持つ２対の電極からなる四重極電極を有する
高周波四重極粒子加速器と、加速されたイオンを対象物
に注入する打ち込み室とを備えるイオン打ち込み装置に
おいて、前記加速器は、四重極電極を構成する各電極対が、その
波打たせた形状の山部と谷部との間の位置に終端がある
形状を有し、当該四重極電極を構成する２対の電極の終端位置が、加
速軸方向座標において異なる位置にあることを特徴とす
るイオン打ち込み装置。
【請求項２】特定のイオンを発生させるイオン発生手段
と、当該イオンを加速する、それぞれの対向面を波打た
せた波形形状を持つ２対の電極からなる四重極電極を有
する高周波四重極粒子加速器と、加速されたイオンを対
象物に注入する打ち込み室とを備えるイオン打ち込み装
置において、前記四重極電極を構成する２対の電極のうち、少なくと
も一方の電極対を構成する各電極のイオン出射側の端部
は、当該電極の波形形状の山部と谷部との間で完了する
ものであり、正電荷及び負電荷のうち一方のイオンを、
平行あるいは収束させて出射する、終端形状を有し、前記電極対を構成する両電極のイオン出射側の端部は、
イオンの加速方向で互いに同じ位置で完了するものであ
り、かつ、前記端部の位置は、前記四重極電極を構成す
る２つの電極対では、互いに異なる位置となることを特
徴とするイオン打ち込み装置。
【請求項３】特定のイオンを発生させるイオン発生手段
と、当該イオンを加速する、それぞれの対向面を波打た
せた波形形状を持つ２対の電極からなる四重極電極を有
する高周波四重極粒子加速器と、加速されたイオンを対
象物に注入する打ち込み室とを備えるイオン打ち込み装
置において、前記四重極電極を構成する２対の電極のうち、少なくと
も一方の電極対を構成する各電極のイオン出射側の端部
は、当該電極の波形形状の山部と谷部との間で完了する
ものであり、正電荷及び負電荷のうち一方のイオンを、
平行あるいは収束させて出射する、終端形状を有し、イオンを収束させて出射する場合、前記電極の波形形状で、対となる電極同士の間隔が極小
となる山部頂点と、当該山部頂点と隣合う、前記間隔が
極大となる谷部底点との間の、前記イオンの加速方向で
の距離を１／２周期の距離とした場合、前記四重極電極を構成する２対の電極のうち、イオン出
射側の終端位置の直前に前記山部頂点を有する電極対で
は、前記山部頂点から１／４周期の距離の位置よりも短
い位置に各電極のイオン出射側端部が形成され、他方の、イオン出射側の終端位置の直前に前記谷部底点
を有する電極対では、前記谷部底点から１／４周期の距
離よりも遠くの位置で各電極のイオン出射側端部が形成
されることを特徴とするイオン打ち込み装置。
【請求項４】特定のイオンを発生させるイオン発生手段
と、当該イオンを加速する、それぞれの対向面を波打た
せた波形形状を持つ２対の電極からなる四重極電極を有
する高周波四重極粒子加速器と、加速されたイオンを対
象物に注入する打ち込み室とを備えるイオン打ち込み装
置において、前記四重極電極を構成する２対の電極のうち、少なくと
も一方の対を構成する両電極のイオン出射側の端部に
は、導電性を有する材料で構成された短片がイオンの加
速方向に装着されるものであることを特徴とするイオン
打ち込み装置。
【請求項５】特定のイオンを発生させるイオン発生手段
と、当該イオンを加速する、それぞれの対向面を波打た
せた形状を持つ２対の電極からなる四重極電極を有する
高周波四重極粒子加速器と、加速されたイオンを対象物
に注入する打ち込み室とを備えるイオン打ち込み装置に
おいて、当該加速器の波形形状電極の山部または谷部で終了して
いるイオン出射端面の電極に、導電性を有する材料によ
って構成された短片を装着し、実効的な出射端面の電極
形状を当該加速器の出射端面と異なる形状とし、当該加速器のイオン出射端面は、電極の波形形状の山部
または谷部で完了し、また、当該短片は、当該加速器の
イオン出射端面における電極の波形形状に継続した１／
４周期を近似した形状を持つことを特徴とするイオン打
ち込み装置。
【請求項６】請求項４において、前記短片は、イオン加速方向に沿った水平な部分を有す
る形状を持つことを特徴とするイオン打ち込み装置。
【請求項７】特定のイオンを発生させるイオン発生手段
と、当該イオンを加速する、それぞれの対向面を波打た
せた波形形状を持つ複数対の電極からなる多重極電極を
有する高周波多重極粒子加速器と、加速されたイオンを
対象物に注入する打ち込み室とを備えるイオン打ち込み
装置において、前記多重極電極を構成する複数対の電極のうち、少なく
とも一つの電極対を構成する各電極のイオン出射側の端
部は、当該電極の波形形状の山部と谷部との間で完了す
るものであり、正電荷及び負電荷のうち一方のイオン
を、平行あるいは収束させて出射する、終端形状を有
し、前記電極対を構成する両電極のイオン出射側の端部は、
イオンの加速方向で互いに同じ位置で完了するものであ
り、かつ、前記端部の位置は、当該多重極電極を構成す
る他の電極対と異なる位置となることを特徴とするイオ
ン打ち込み装置。
【請求項８】請求項１〜６のいずれかにおいて、前記四重極電極を構成する各電極へイオンを加速するた
めの高周波電圧を給電する高周波共振回路をさらに有す
ることを特徴とするイオン打ち込み装置。
【請求項９】特定のイオンを発生させるイオン発生手段
と、当該イオンを加速する、それぞれの対向面を波打た
せた波形形状を持つ２対の電極からなる四重極電極を有
する高周波四重極粒子加速器と、加速されたイオンを対
象物に注入する打ち込み室とを備えるイオン打ち込み装
置において、前記四重極電極を構成する２対の電極のうち、少なくと
も一方の電極対を構成する各電極のイオン出射側の端部
は、当該電極の波形形状の山部と谷部との間で完了する
ものであり、かつ、当該電極対から出射された正電荷及
び負電荷のうち一方のイオンからなるビーム自身の空間
電荷による発散量に対応する収束力を発生する形状を有
することを特徴とするイオン打ち込み装置。
【請求項１０】荷電粒子を加速する、それぞれの対向面
を波打たせた形状を持つ２対の電極からなる四重極電極
を有する高周波四重極粒子加速器において、前記四重極電極を構成する各電極対が、その波打たせた
形状の山部と谷部との間の位置に終端がある形状を有
し、当該四重極電極を構成する２対の電極の終端位置が、加
速軸方向座標において異なる位置にあることを特徴とす
る高周波四重極粒子加速器。
【請求項１１】荷電粒子を加速する、それぞれの対向面
を波打たせた波形形状を持つ２対の電極からなる四重極
電極を有する高周波四重極粒子加速器において、前記四重極電極を構成する２対の電極のうち、少なくと
も一方の電極対を構成する各電極の荷電粒子出射側の端
部は、当該電極の波形形状の山部と谷部との間で完了す
るものであり、正電荷及び負電荷のうち一方の荷電粒子
を平行あるいは収束させて出射する、終端形状を有し、前記電極対を構成する両電極の荷電粒子出射側の端部
は、荷電粒子の加速方向で互いに同じ位置で完了するも
のであり、かつ、前記端部の位置は、前記四重極電極を
構成する２つの電極対では、互いに異なる位置となるこ
とを特徴とする高周波四重極粒子加速器。