JP2597328B2 - ３磁性層磁気カードの記録再生方法 - Google Patents
３磁性層磁気カードの記録再生方法Info
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- JP2597328B2 JP2597328B2 JP7251196A JP25119695A JP2597328B2 JP 2597328 B2 JP2597328 B2 JP 2597328B2 JP 7251196 A JP7251196 A JP 7251196A JP 25119695 A JP25119695 A JP 25119695A JP 2597328 B2 JP2597328 B2 JP 2597328B2
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- Japan
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気カードの記録再生
方法に関し、特に、非磁性体であるベースフィルム上に
高保磁力層、軟磁性層、及び低保磁力層からなる多層構
造の磁気記録再生用磁性膜を有する３磁性層磁気カード
の記録再生方法に関する。
方法に関し、特に、非磁性体であるベースフィルム上に
高保磁力層、軟磁性層、及び低保磁力層からなる多層構
造の磁気記録再生用磁性膜を有する３磁性層磁気カード
の記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、紙幣に代わるものとして金銭前払
い方式の磁気カードが一般に広まっており、年々急激に
増加する傾向にある。通常、このような磁気カードに
は、偽造や改ざんを防止するための何等かの対策が施さ
れている。
い方式の磁気カードが一般に広まっており、年々急激に
増加する傾向にある。通常、このような磁気カードに
は、偽造や改ざんを防止するための何等かの対策が施さ
れている。
【０００３】例えば、特開昭５７−１６４４２９号公報
には、高保磁力層の上に軟磁性層を設けその上に低保磁
力層を設けた磁気カードが開示されている。この磁気カ
ードでは、高保磁力層に疑似データを、低保磁力層に真
のデータを記録することにより、熱転写方式や接触転写
方式による磁気カードの複製を防止することができる。
には、高保磁力層の上に軟磁性層を設けその上に低保磁
力層を設けた磁気カードが開示されている。この磁気カ
ードでは、高保磁力層に疑似データを、低保磁力層に真
のデータを記録することにより、熱転写方式や接触転写
方式による磁気カードの複製を防止することができる。
【０００４】しかしながら、この磁気カードでは、表面
側の低保磁力層に真のデータが記録されるので、通常の
記録再生ヘッドを用いて真のデータの読取り、あるい
は、不正な書き換えを行いやすい。即ち、データの安全
性の点では問題がある。
側の低保磁力層に真のデータが記録されるので、通常の
記録再生ヘッドを用いて真のデータの読取り、あるい
は、不正な書き換えを行いやすい。即ち、データの安全
性の点では問題がある。
【０００５】これに対して、データの安全性についても
考慮した磁気カードとして、紙やプラスチックフィルム
等の非磁性基板上の磁性層を高保磁力層と低保磁力層の
二層構造とし、下層の高保磁力層に真の信号を書き込
み、上層の低保磁力層に疑似信号あるいはノイズ等を書
き込んでおくことにより、通常は、真の信号のみを読み
出せないようにしたものがある。
考慮した磁気カードとして、紙やプラスチックフィルム
等の非磁性基板上の磁性層を高保磁力層と低保磁力層の
二層構造とし、下層の高保磁力層に真の信号を書き込
み、上層の低保磁力層に疑似信号あるいはノイズ等を書
き込んでおくことにより、通常は、真の信号のみを読み
出せないようにしたものがある。
【０００６】実際に、カードリーダ等によって、このよ
うな磁気カードから真の信号を読み出す場合には、上層
の磁性層の消磁を行なって、下層の磁性層から真の信号
を読出し、その直後、カードリーダ内において、再び上
層の磁性層に疑似信号を書き込むことによってセキュリ
ティを確保している。
うな磁気カードから真の信号を読み出す場合には、上層
の磁性層の消磁を行なって、下層の磁性層から真の信号
を読出し、その直後、カードリーダ内において、再び上
層の磁性層に疑似信号を書き込むことによってセキュリ
ティを確保している。
【０００７】このような従来の磁気カードとして、図２
（ａ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）等のベースフィルム１上に保磁力Ｈc ＝１５００
〜２５００エルステッド程度のＢａフェライト粉、ある
いはＳｒフェライト粉等を材料とする高保磁力層２と、
保磁力Ｈc ＝３００〜１０００エルステッド程度のγ−
Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｏ−γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、メタル磁性粉、Ｂ
ａフェライト等を材料とする低保磁力層３との２つの磁
性層が形成されたものが知られている。
（ａ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）等のベースフィルム１上に保磁力Ｈc ＝１５００
〜２５００エルステッド程度のＢａフェライト粉、ある
いはＳｒフェライト粉等を材料とする高保磁力層２と、
保磁力Ｈc ＝３００〜１０００エルステッド程度のγ−
Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｏ−γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、メタル磁性粉、Ｂ
ａフェライト等を材料とする低保磁力層３との２つの磁
性層が形成されたものが知られている。
【０００８】この２つの磁性層は、図２（ｂ）に示すよ
うな消磁特性（破線は理想的な特性）を有している。こ
こで、高保磁力層２の特性は曲線５で、低保磁力層３の
特性は曲線６で表わされている。
うな消磁特性（破線は理想的な特性）を有している。こ
こで、高保磁力層２の特性は曲線５で、低保磁力層３の
特性は曲線６で表わされている。
【０００９】この消磁特性を有する２つの磁性層を有す
る磁気カードに対して、磁気ヘッドによる読取りを行う
場合、磁気ヘッドのバイアス電流（以下、単にバイアス
電流という）を図２（ｂ）中の範囲Ａ内に設定すれば、
低保磁力層３に書き込まれている疑似信号等のみを消去
することができ、高保磁力層２に書き込まれている真の
信号を読み出すことができる。
る磁気カードに対して、磁気ヘッドによる読取りを行う
場合、磁気ヘッドのバイアス電流（以下、単にバイアス
電流という）を図２（ｂ）中の範囲Ａ内に設定すれば、
低保磁力層３に書き込まれている疑似信号等のみを消去
することができ、高保磁力層２に書き込まれている真の
信号を読み出すことができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、真の信
号を書き込むための高保磁力層と、疑似信号を書き込む
ための低保磁力層と形成した磁気カードでは、これら高
保磁力層と低保磁力層との特性が理想的なものではな
く、高保磁力層の出力が一定であるバイアス電流値の範
囲内では完全に低保磁力層からの出力を０にすることが
できないという問題点がある。つまり、低保磁力層の疑
似信号等を完全に消去することができないので、高保磁
力層から真の信号を読み出そうとした場合に、消去され
なかった疑似信号等がノイズとして読出した信号に含ま
れてしまい、読取りエラーが発生するという問題点があ
る。
号を書き込むための高保磁力層と、疑似信号を書き込む
ための低保磁力層と形成した磁気カードでは、これら高
保磁力層と低保磁力層との特性が理想的なものではな
く、高保磁力層の出力が一定であるバイアス電流値の範
囲内では完全に低保磁力層からの出力を０にすることが
できないという問題点がある。つまり、低保磁力層の疑
似信号等を完全に消去することができないので、高保磁
力層から真の信号を読み出そうとした場合に、消去され
なかった疑似信号等がノイズとして読出した信号に含ま
れてしまい、読取りエラーが発生するという問題点があ
る。
【００１１】ここで、低保磁力層（の材料）と高保磁力
層（の材料）との保磁力の差を広げることが考えられる
が、低保磁力層の保磁力を小さく（３００エルステッド
以下）した場合には、弱い磁石等で容易に低保磁力層に
書き込まれている疑似信号等が破壊されてしまう。ま
た、高保磁力層の保磁力を大きく（２５００エルステッ
ド以上）した場合には、磁気ヘッドの性能の問題や信号
の書き込みに大電流を必要とするなどの問題点が発生す
る。
層（の材料）との保磁力の差を広げることが考えられる
が、低保磁力層の保磁力を小さく（３００エルステッド
以下）した場合には、弱い磁石等で容易に低保磁力層に
書き込まれている疑似信号等が破壊されてしまう。ま
た、高保磁力層の保磁力を大きく（２５００エルステッ
ド以上）した場合には、磁気ヘッドの性能の問題や信号
の書き込みに大電流を必要とするなどの問題点が発生す
る。
【００１２】本発明は、上記問題点を解決し、低保磁力
層と高保磁力層との保磁力の差を大きくすることなく、
読取り時に疑似信号等の不完全な消去によるエラーがな
い磁気カードの記録再生方法を提供することを目的とす
る。
層と高保磁力層との保磁力の差を大きくすることなく、
読取り時に疑似信号等の不完全な消去によるエラーがな
い磁気カードの記録再生方法を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、高保磁
力層の上に軟磁性層を設けその上に低保磁力層を設けた
３磁性層磁気カードの記録再生方法において、真のデー
タの記録再生用の磁気ヘッドを用いて、低保磁力層を消
磁するが高保磁力層を消磁しないレベルのバイアス電流
を印加しながら、真のデータの高保磁力層への記録、再
生を行い、該記録、再生の直後に、低保磁力層に疑似デ
ータを記録することを特徴とする３磁性層磁気カードの
記録再生方法が得られる。
力層の上に軟磁性層を設けその上に低保磁力層を設けた
３磁性層磁気カードの記録再生方法において、真のデー
タの記録再生用の磁気ヘッドを用いて、低保磁力層を消
磁するが高保磁力層を消磁しないレベルのバイアス電流
を印加しながら、真のデータの高保磁力層への記録、再
生を行い、該記録、再生の直後に、低保磁力層に疑似デ
ータを記録することを特徴とする３磁性層磁気カードの
記録再生方法が得られる。
【００１４】
【作用】軟磁性層は、透磁率が大きく保磁力が小さいの
で、高保磁力層上に設けられた軟磁性層の厚さによって
高保磁力層の消磁特性曲線をバイアス電流方向にシフト
させることができる。
で、高保磁力層上に設けられた軟磁性層の厚さによって
高保磁力層の消磁特性曲線をバイアス電流方向にシフト
させることができる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１（ａ）に本発明の一実施例において使
用される磁気カードの断面を示す。ここで、従来と同一
のものには同一番号を付してある。
て説明する。図１（ａ）に本発明の一実施例において使
用される磁気カードの断面を示す。ここで、従来と同一
のものには同一番号を付してある。
【００１６】図１（ａ）の磁気カードは、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）等のベースフィルム１上に、
Ｂａフェライト、Ｓｒフェライト等の高保磁力層２が厚
さ５μｍ程度に形成されている。この上に軟磁性材とし
て交流初透磁率μ＝２０００、保磁力Ｈc ＝４０エルス
テッドのＭｎＺｎフェライト粉末（平均粒子径１００μ
ｍ以下）を結合剤５〜３０wt％、分散剤１〜５wt％、Ｍ
ＥＫ（メチルエチルケトン）、ＭＩＢＫ（メチルイソブ
チルケトン）等のケトン類、及びトルエン等の芳香族径
炭化水素に均一に分散するよう混合し、乾燥後の厚さが
５μｍ程度となるように塗布し、軟磁性層４が形成され
る。なお、軟磁性材料としては、交流初透磁率１０００
以上、保磁力５０エルステッド以下、平均粒子径５μｍ
以上１００μｍ以下のものであれば良い。そして、軟磁
性層４の上には、γ−Ｆｅ2 Ｏ3、Ｃｏ−γ−Ｆｅ2 Ｏ
3 等の低保磁力層３が厚さ５μｍ程度に形成されてい
る。
テレフタレート（ＰＥＴ）等のベースフィルム１上に、
Ｂａフェライト、Ｓｒフェライト等の高保磁力層２が厚
さ５μｍ程度に形成されている。この上に軟磁性材とし
て交流初透磁率μ＝２０００、保磁力Ｈc ＝４０エルス
テッドのＭｎＺｎフェライト粉末（平均粒子径１００μ
ｍ以下）を結合剤５〜３０wt％、分散剤１〜５wt％、Ｍ
ＥＫ（メチルエチルケトン）、ＭＩＢＫ（メチルイソブ
チルケトン）等のケトン類、及びトルエン等の芳香族径
炭化水素に均一に分散するよう混合し、乾燥後の厚さが
５μｍ程度となるように塗布し、軟磁性層４が形成され
る。なお、軟磁性材料としては、交流初透磁率１０００
以上、保磁力５０エルステッド以下、平均粒子径５μｍ
以上１００μｍ以下のものであれば良い。そして、軟磁
性層４の上には、γ−Ｆｅ2 Ｏ3、Ｃｏ−γ−Ｆｅ2 Ｏ
3 等の低保磁力層３が厚さ５μｍ程度に形成されてい
る。
【００１７】このような構造の磁気カードの消磁特性を
図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）のように低保磁力層３の
消磁特性は従来と同じ（図２（ｂ）参照）である。一
方、高保磁力層２は、従来に比べ、バイアス電流を増加
させても出力の低下はみられない。即ち、高保磁力層２
の特性は、破線で示す状態から実線（曲線５）で示す状
態へと変化している。
図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）のように低保磁力層３の
消磁特性は従来と同じ（図２（ｂ）参照）である。一
方、高保磁力層２は、従来に比べ、バイアス電流を増加
させても出力の低下はみられない。即ち、高保磁力層２
の特性は、破線で示す状態から実線（曲線５）で示す状
態へと変化している。
【００１８】このような消磁特性を有する磁気カードの
高保磁力層２に真のデータを記録し、低保磁力層３に偽
のデータ（疑似信号等）を記録しておき、磁気ヘッドの
バイアス電流を図２の範囲Ｂに設定すれば、低保磁力層
３に書き込まれた偽のデータは完全に消去される。この
とき、高保磁力層２の真のデータは、消去されないの
で、真のデータのみを読み出すことができる。即ち、磁
気カードの読取りを行う際に、消去できなかった低保磁
力層の疑似信号等が読出した信号にノイズとして含まれ
ることはなく、読取りエラーの発生が無くなる。もちろ
ん、データのセキュリティを確保するため、データ読取
り直後に、再び低保磁力層３に偽のデータが書き込まれ
る。
高保磁力層２に真のデータを記録し、低保磁力層３に偽
のデータ（疑似信号等）を記録しておき、磁気ヘッドの
バイアス電流を図２の範囲Ｂに設定すれば、低保磁力層
３に書き込まれた偽のデータは完全に消去される。この
とき、高保磁力層２の真のデータは、消去されないの
で、真のデータのみを読み出すことができる。即ち、磁
気カードの読取りを行う際に、消去できなかった低保磁
力層の疑似信号等が読出した信号にノイズとして含まれ
ることはなく、読取りエラーの発生が無くなる。もちろ
ん、データのセキュリティを確保するため、データ読取
り直後に、再び低保磁力層３に偽のデータが書き込まれ
る。
【００１９】なお、通常の記録再生ヘッドを用いて読取
りを行った場合は、従来同様、低保磁力層３に記録され
た偽のデータと高保磁力層に記録された真のデータとが
混合されて読み出される。これは、軟磁性層４が５μｍ
と薄く（従来の３磁性層磁気カードの約１／３）、高保
磁力層２を磁気シールドするに必要な厚さを持たないか
らである。
りを行った場合は、従来同様、低保磁力層３に記録され
た偽のデータと高保磁力層に記録された真のデータとが
混合されて読み出される。これは、軟磁性層４が５μｍ
と薄く（従来の３磁性層磁気カードの約１／３）、高保
磁力層２を磁気シールドするに必要な厚さを持たないか
らである。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、特殊な記録再生ヘッド
を用いなければ、真のデータの記録再生ができないの
で、データの安全性が確保される。また、軟磁性層をは
さみこんでいるので、バイアス電流の設定レベル幅が大
きくとれる。したがって、バイアス電流レベルを低保磁
力層を完全に消磁するように大きく設定して、疑似デー
タを完全に消磁して真のデータのみの再生を行うことが
できるので、再生した真のデータがノイズ等に妨害され
ることを防止できる。
を用いなければ、真のデータの記録再生ができないの
で、データの安全性が確保される。また、軟磁性層をは
さみこんでいるので、バイアス電流の設定レベル幅が大
きくとれる。したがって、バイアス電流レベルを低保磁
力層を完全に消磁するように大きく設定して、疑似デー
タを完全に消磁して真のデータのみの再生を行うことが
できるので、再生した真のデータがノイズ等に妨害され
ることを防止できる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例に使用される磁気カ
ードの断面図、（ｂ）は図１（ａ）の磁気カードの高保
磁力層及び低保磁力層の消磁特性を表わすグラフであ
る。
ードの断面図、（ｂ）は図１（ａ）の磁気カードの高保
磁力層及び低保磁力層の消磁特性を表わすグラフであ
る。
【図２】（ａ）は従来の磁気カードの断面図、（ｂ）は
図２（ａ）の磁気カードの高保磁力層及び低保磁力層の
消磁特性を表わすグラフである。
図２（ａ）の磁気カードの高保磁力層及び低保磁力層の
消磁特性を表わすグラフである。
１ ベースフィルム ２ 高保磁力層 ３ 低保磁力層 ４ 軟磁性材料からなる磁性層 ５ 高保磁力層の消磁特性曲線 ６ 低保磁力層の消磁特性曲線
Claims (1)
- 【請求項１】 高保磁力層の上に軟磁性層を設けその上
に低保磁力層を設けた３磁性層磁気カードの記録再生方
法において、記録を行う際には、前記高保磁力層に真の
データを記録した後、前記低保磁力層に疑似データを記
録し、再生を行う際には、真のデータの記録再生用の磁
気ヘッドを用いて、前記低保磁力層を消磁するが前記高
保磁力層を消磁しないレベルのバイアス電流を印加する
ことにより、前記低保磁力層を消磁しながら、前記真の
データの再生を行い、該再生の直後に、低保磁力層に疑
似データを記録するようにした、ことを特徴とする３磁
性層磁気カードの記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251196A JP2597328B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | ３磁性層磁気カードの記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251196A JP2597328B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | ３磁性層磁気カードの記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883402A JPH0883402A (ja) | 1996-03-26 |
| JP2597328B2 true JP2597328B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=17219118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7251196A Expired - Lifetime JP2597328B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | ３磁性層磁気カードの記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2597328B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51129209A (en) * | 1975-05-02 | 1976-11-10 | Toshiba Corp | Record reproducing method by polylayer magnetic card |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7251196A patent/JP2597328B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0883402A (ja) | 1996-03-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961015 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |