JP2593261Y2 - 水滴除去制御回路 - Google Patents
水滴除去制御回路Info
- Publication number
- JP2593261Y2 JP2593261Y2 JP1990029118U JP2911890U JP2593261Y2 JP 2593261 Y2 JP2593261 Y2 JP 2593261Y2 JP 1990029118 U JP1990029118 U JP 1990029118U JP 2911890 U JP2911890 U JP 2911890U JP 2593261 Y2 JP2593261 Y2 JP 2593261Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- piezoelectric element
- voltage
- power
- fet
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Rear-View Mirror Devices That Are Mounted On The Exterior Of The Vehicle (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案は車両用バックミラーのごときミラーの水滴
除去装置の制御回路に関する。
除去装置の制御回路に関する。
［従来の技術］ 降雨または多湿時の車両走行中にバックミラーに雨滴
または霜が付着すると、後方視認が不十分となり、走行
安全性をそこなう。これを防ぐため、近時、鏡の裏面に
設けた圧電素子を駆動して鏡表面の水滴を除去する装置
が実現している。その中で、発振回路と圧電素子との間
にパワーMOS−FETを介装し、スイッチを投入すると発振
回路より設定周波数の信号を出力し、パワーMOS−FETを
スイッチングさせることにより圧電素子を駆動して鏡表
面の水滴を除去している。
または霜が付着すると、後方視認が不十分となり、走行
安全性をそこなう。これを防ぐため、近時、鏡の裏面に
設けた圧電素子を駆動して鏡表面の水滴を除去する装置
が実現している。その中で、発振回路と圧電素子との間
にパワーMOS−FETを介装し、スイッチを投入すると発振
回路より設定周波数の信号を出力し、パワーMOS−FETを
スイッチングさせることにより圧電素子を駆動して鏡表
面の水滴を除去している。
［考案が解決しようとする課題］ 上記のごとく従来方式では、第３図の波形で示すよう
に、電源投入時に圧電素子へ高電圧がいきなり印加され
るため、鏡面に急激な変化を起こし不快音を発すること
になる。
に、電源投入時に圧電素子へ高電圧がいきなり印加され
るため、鏡面に急激な変化を起こし不快音を発すること
になる。
本考案は、圧電素子の駆動初期に不快音を発すること
のない水滴除去制御回路を提供することを目的としてい
る。
のない水滴除去制御回路を提供することを目的としてい
る。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本考案は、ミラー裏面に設
置した圧電素子に電圧を印加して駆動させ、該ミラー表
面に付着した水滴を除去する水滴除去制御装置におい
て、直流２端子にて与えられる電源のオン・オフを切り
換える電源スイッチと、この電源スイッチオン時にパル
ス信号を発振する発振回路と、少なくとも抵抗Ｒとコン
デンサＣとの直列接続にて構成され、前記電源スイッチ
がオンとされた際に電荷の蓄積を行う積分回路と、前記
発振回路と接続され、前記圧電素子に電圧を印加する１
又は複数のパワーMOS−FETと、前記積分回路のRC接続部
位にベースが接続され、前記パワーMOS−FETのゲートに
エミッタまたはコレクタが接続され、積分回路の蓄積電
荷量に応じてパワーMOS−FETのゲート電圧を徐々に上昇
させる接合トランジスタと、を有することが特徴であ
る。
置した圧電素子に電圧を印加して駆動させ、該ミラー表
面に付着した水滴を除去する水滴除去制御装置におい
て、直流２端子にて与えられる電源のオン・オフを切り
換える電源スイッチと、この電源スイッチオン時にパル
ス信号を発振する発振回路と、少なくとも抵抗Ｒとコン
デンサＣとの直列接続にて構成され、前記電源スイッチ
がオンとされた際に電荷の蓄積を行う積分回路と、前記
発振回路と接続され、前記圧電素子に電圧を印加する１
又は複数のパワーMOS−FETと、前記積分回路のRC接続部
位にベースが接続され、前記パワーMOS−FETのゲートに
エミッタまたはコレクタが接続され、積分回路の蓄積電
荷量に応じてパワーMOS−FETのゲート電圧を徐々に上昇
させる接合トランジスタと、を有することが特徴であ
る。
［作用］ パワーMOS−FETのゲート入力信号部にPNPトランジス
タを入れ、このベース信号に時定数をもたせ、ゲート入
力信号電圧を徐々に上げる。これによりパワーMOS−FET
がアナログ領域の動作を経てスイッチング領域で動作す
る。このときトランス１次側の電圧が徐々に上昇する。
それにともない２次側の電圧も徐々に上昇し、素子への
印加電圧が除々に高くなり電源投入時の音の発生を防
ぐ。
タを入れ、このベース信号に時定数をもたせ、ゲート入
力信号電圧を徐々に上げる。これによりパワーMOS−FET
がアナログ領域の動作を経てスイッチング領域で動作す
る。このときトランス１次側の電圧が徐々に上昇する。
それにともない２次側の電圧も徐々に上昇し、素子への
印加電圧が除々に高くなり電源投入時の音の発生を防
ぐ。
［実施例］ 次に図面に基づいて本考案を具体的に説明する。第１
図はPNP接合トランジスタQ1、Q2とトランジスタのベー
ス側に接続した抵抗ＲおよびコンデンサＣ、並びに抵抗
Ｒと並列に接続したダイオードＤとで出力電圧制御回路
３を構成させた例を示す。
図はPNP接合トランジスタQ1、Q2とトランジスタのベー
ス側に接続した抵抗ＲおよびコンデンサＣ、並びに抵抗
Ｒと並列に接続したダイオードＤとで出力電圧制御回路
３を構成させた例を示す。
スイッチ１を投入して発振回路２を駆動すると、設定
周波数の信号が出力されパワーMOS−FETのゲートに入力
する。
周波数の信号が出力されパワーMOS−FETのゲートに入力
する。
パワーMOS−FET1およびFET2のゲートにPNPトランジス
タQ1、Q2を接続し、このベース信号に時定数をもたせて
あるため、ゲート入力信号電圧は徐々に上がる。これに
よりパワーMOS−FETがアナログ領域の動作を経てスイッ
チング領域で動作する。このときトランス１次側の電圧
が徐々に上昇する（第２図）。それにともないトランス
Ｔの２次側の電圧も徐々の上昇し、圧電素子４への印加
電圧が徐々に高くなり電源投入時の音の発生を防止する
ことができる。
タQ1、Q2を接続し、このベース信号に時定数をもたせて
あるため、ゲート入力信号電圧は徐々に上がる。これに
よりパワーMOS−FETがアナログ領域の動作を経てスイッ
チング領域で動作する。このときトランス１次側の電圧
が徐々に上昇する（第２図）。それにともないトランス
Ｔの２次側の電圧も徐々の上昇し、圧電素子４への印加
電圧が徐々に高くなり電源投入時の音の発生を防止する
ことができる。
［考案の効果］ 発振回路と圧電素子との間に、出力電圧制御回路を介
置することによりスイッチ投入時に圧電素子の印加電圧
を急激なものとせず、徐々に上げて不快音の発生を防止
しながら、スムーズに水滴除去ミラーを駆動することが
できる。
置することによりスイッチ投入時に圧電素子の印加電圧
を急激なものとせず、徐々に上げて不快音の発生を防止
しながら、スムーズに水滴除去ミラーを駆動することが
できる。
第１図は本考案の１実施例を示す水滴除去制御回路図、
第２図は本考案における圧電素子への印加電圧の波形
図、第３図は従来形による波形図である。 １…スイッチ、２…発振回路、３…出力電圧制御回路、
４…圧電素子。
第２図は本考案における圧電素子への印加電圧の波形
図、第３図は従来形による波形図である。 １…スイッチ、２…発振回路、３…出力電圧制御回路、
４…圧電素子。
Claims (2)
- 【請求項１】ミラー裏面に設置した圧電素子に電圧を印
加して駆動させ、該ミラー表面に付着した水滴を除去す
る水滴除去制御装置において、 直流２端子にて与えられる電源のオン・オフを切り換え
る電源スイッチと、 この電源スイッチオン時にパルス信号を発振する発振回
路と、 少なくとも抵抗ＲとコンデンサＣとの直列接続にて構成
され、前記電源スイッチがオンとされた際に電荷の蓄積
を行う積分回路と、 前記発振回路と接続され、前記圧電素子に電圧を印加す
る１又は複数のパワーMOS−FETと、 前記積分回路のRC接続部位にベースが接続され、前記パ
ワーMOS−FETのゲートにエミッタまたはコレクタが接続
され、積分回路の蓄積電荷量に応じてパワーMOS−FETの
ゲート電圧を徐々に上昇させる接合トランジスタと、 を有することを特徴とする水滴除去装置。 - 【請求項２】ミラー裏面に設置した圧電素子に電圧を印
加して駆動させ、該ミラー表面に付着した水滴を除去す
る水滴除去制御装置において、 直流２端子にて与えられる電源のオン・オフを切り換え
る電源スイッチと、 この電源スイッチオン時にパルス信号を発振する発振回
路と、 抵抗ＲとコンデンサＣとの直列接続にて構成され、前記
電源スイッチがオンとされた際に電荷の蓄積を行う積分
回路と、 前記発振回路と接続され、前記圧電素子に電圧を印加す
る１又は複数のパワーMOS−FETと、 前記パワーMOS−FETのゲート端子にエミッタが接続さ
れ、コレクタが接地され、且つベースが前記積分回路の
RC接続部位に接続されたPNP型トランジスタと、 を有することを特徴とする水滴除去制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990029118U JP2593261Y2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 水滴除去制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990029118U JP2593261Y2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 水滴除去制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03121066U JPH03121066U (ja) | 1991-12-11 |
| JP2593261Y2 true JP2593261Y2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=31531893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990029118U Expired - Lifetime JP2593261Y2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 水滴除去制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2593261Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01208946A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-22 | Nec Corp | ファクシミリ装置用自動ダイヤル装置 |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP1990029118U patent/JP2593261Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03121066U (ja) | 1991-12-11 |
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