JP2589492B2 - セラミックス回路基板 - Google Patents
セラミックス回路基板Info
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- JP2589492B2 JP2589492B2 JP62156197A JP15619787A JP2589492B2 JP 2589492 B2 JP2589492 B2 JP 2589492B2 JP 62156197 A JP62156197 A JP 62156197A JP 15619787 A JP15619787 A JP 15619787A JP 2589492 B2 JP2589492 B2 JP 2589492B2
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- ceramic
- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】 イ．発明の目的 産業上の利用分野 本発明は民生用やコンピユーター用等の電子工業に用
いられるセラミックスの多層配線基板に関する。
いられるセラミックスの多層配線基板に関する。
従来技術 従来電子機器類に使用する回路基板としてセラミック
スを絶縁体として使用した配線基板が使用されてきた。
その代表的なものとして、ＷやMoを配線用導体として使
用し、導体が酸化しないように還元雰囲気で焼成する導
体同時焼成セラミック配線基板がある。しかしながらこ
の基板は導体にＷやMoを使用するので、導通抵抗が10〜
20m ohm/□と高く、又LSIなど半導体素子を実装した
り、部品のハンダ付けを可能にする為にNiメッキやAuメ
ッキの後処理が必要であった。
スを絶縁体として使用した配線基板が使用されてきた。
その代表的なものとして、ＷやMoを配線用導体として使
用し、導体が酸化しないように還元雰囲気で焼成する導
体同時焼成セラミック配線基板がある。しかしながらこ
の基板は導体にＷやMoを使用するので、導通抵抗が10〜
20m ohm/□と高く、又LSIなど半導体素子を実装した
り、部品のハンダ付けを可能にする為にNiメッキやAuメ
ッキの後処理が必要であった。
最近これらの問題を解決するためにAg系、Au系、Cu系
などの導通抵抗が小さな導体材料を使用し（以下これ等
を低融点金属という）、これらの材料の融点以下の温度
（800〜1100℃）で焼成できるセラミック材料を絶縁体
として用いた導体を同時に焼成する低温焼成セラミック
配線基板が開発されている。従来のアルミナセラミック
ス基板の場合は、入出力端子（I/O端子）としてMo又は
Ｗの導体パッド上にNiをメッキし、この後コバール又は
4.2合金のピンもしくはリードをAg−Cuろう材を使用し
てろう付けしていた。しかしながら低温焼成基板の場合
は導体としてAg,Au,Cu系の低融点金属を主体に使用する
為にこれらの金属はＷやMoより耐熱性が劣るのでろう付
処理中にろう材中に溶解し強度を得ることができなかっ
た。従って、低温焼成基板の場合I/O端子用のピンやリ
ードは、ハンダにより接続するのが一般的である。ハン
ダの問題点としては耐熱温度が150〜200℃と低くハンダ
付けした後は低温で処理できる工程しか行なえない。た
とえばSiチップのワイヤボンディングをサーモソニック
で行なうと基板温度は200℃以上にもなってしまう。こ
のようにハンダを使用した場合その後の作業方法が温度
の面から限定されてしまい、実用性が大幅に低下する。
この対策として特開昭60−198761号公報においてはチタ
ン薄膜上に周期率表８属の金属膜を有するパッドを置き
その上にピンをろう付する方法を開示している。この方
法ではろう材料にAuの含有率が80％と多いAu−Sn系のろ
う材を使用しているので固くてもろく、強度がAg−Cuろ
うより弱く又コストが高いという問題がある。
などの導通抵抗が小さな導体材料を使用し（以下これ等
を低融点金属という）、これらの材料の融点以下の温度
（800〜1100℃）で焼成できるセラミック材料を絶縁体
として用いた導体を同時に焼成する低温焼成セラミック
配線基板が開発されている。従来のアルミナセラミック
ス基板の場合は、入出力端子（I/O端子）としてMo又は
Ｗの導体パッド上にNiをメッキし、この後コバール又は
4.2合金のピンもしくはリードをAg−Cuろう材を使用し
てろう付けしていた。しかしながら低温焼成基板の場合
は導体としてAg,Au,Cu系の低融点金属を主体に使用する
為にこれらの金属はＷやMoより耐熱性が劣るのでろう付
処理中にろう材中に溶解し強度を得ることができなかっ
た。従って、低温焼成基板の場合I/O端子用のピンやリ
ードは、ハンダにより接続するのが一般的である。ハン
ダの問題点としては耐熱温度が150〜200℃と低くハンダ
付けした後は低温で処理できる工程しか行なえない。た
とえばSiチップのワイヤボンディングをサーモソニック
で行なうと基板温度は200℃以上にもなってしまう。こ
のようにハンダを使用した場合その後の作業方法が温度
の面から限定されてしまい、実用性が大幅に低下する。
この対策として特開昭60−198761号公報においてはチタ
ン薄膜上に周期率表８属の金属膜を有するパッドを置き
その上にピンをろう付する方法を開示している。この方
法ではろう材料にAuの含有率が80％と多いAu−Sn系のろ
う材を使用しているので固くてもろく、強度がAg−Cuろ
うより弱く又コストが高いという問題がある。
又アルミナ基板の上に薄膜を形成しAg−Cuろうを使用
し、ろう付けする方法も知られているがMo,Wの導体を同
時焼成しる場合に使用するアルミナ基板は一般に表面粗
さが悪く、薄膜を形成するのが困難であった。
し、ろう付けする方法も知られているがMo,Wの導体を同
時焼成しる場合に使用するアルミナ基板は一般に表面粗
さが悪く、薄膜を形成するのが困難であった。
発明が解決しょうとする問題点 本発明はAg,Au,Cu系の導体を有する低温焼結基板上に
これらの導体と結合している金属パッドにAg−Cu系のろ
う材を使用してI/O端子用のピンやリードを接続したセ
ラミックス回路基板を提供することである。
これらの導体と結合している金属パッドにAg−Cu系のろ
う材を使用してI/O端子用のピンやリードを接続したセ
ラミックス回路基板を提供することである。
ロ．発明の構成 問題点を解決するための手段 本発明は800〜1100℃で焼成され内部に低融点金属導
体による回路配線を有する基板上に薄膜法よって金属層
を形成し、該金属層の上にI/O端子用のピンもしくはリ
ードを、Cuを含むろう材により結合した構造をもつこと
を特徴とするセラミックス回路基板である。なお低温焼
成基板は原材料に多量のガラス成分を含むので表面粗さ
が良く薄膜形成に適する利点を有する。
体による回路配線を有する基板上に薄膜法よって金属層
を形成し、該金属層の上にI/O端子用のピンもしくはリ
ードを、Cuを含むろう材により結合した構造をもつこと
を特徴とするセラミックス回路基板である。なお低温焼
成基板は原材料に多量のガラス成分を含むので表面粗さ
が良く薄膜形成に適する利点を有する。
金属層として周期率表の4A,5A,6A,8,1B属の金属及び
これらの組み合わせからなることを特徴としている。さ
らにセラミックス基板材料中のPb0は１重量％以下でろ
う付処理温度は600℃以上の中性又は還元性雰囲気で処
理することを特徴としている。特開昭60−198761号公報
に開示されたろう付方法の問題点は、ろう材に強度が弱
くて高価なAu−Sn系の材料を使用する点にある。本発明
はろう材として強度が強くて安価なAg−Cu系のろうを使
用する。Ag−Cu系のろう材を使用するためAu−Sn系のろ
う材の約400℃に比較してろう材処理温度は高くなる。A
g−Cuの共晶温度は779℃であるから、ろう材の処理温度
はこれより高くなる。Zn,Bi,等の第3,4成分を加えれば
処理温度は低くなるが600℃以上の処理温度は必要であ
る。この処理温度ではAg−Cuろう中のCuが酸化しないよ
うにろう付処理に際して中性もしくは還元性雰囲気で行
なう必要がある。このろう付処理に際しては中性もしく
は還元性雰囲気はセラミック基板にPbO成分が含まれて
いるとPbOを還元させて基板の絶縁性を劣化させる。従
ってセラミックス基板材料のPbO成分は１％以下とし、
好ましくは0.5％以下が良い。すなわち使用する基板と
しては、基本的にPbOを含まず800〜1100℃で焼成できる
もので表面粗さが良好なものであれば良い。その代表的
なものとしてホウケイ酸ガラスや更に数種類の酸化物
（例えばMgO,SrO,CaO,BaO,Al2O3,K2O,Na2O,ZnO,Li2O,Zr
2O,TiO2）を含むガラス粉末とアルミナ、石英、酸化ク
ロム、ムライト、コージュライトなどのセラミック粉末
の混合物を原料とするものや、コージュライト系、αス
ポジュメン系の結晶が生ずる結晶化ガラス粉末を原料に
するものがある。例えば本発明者等の出願に係る特公平
３−532691号、特公平３−59029号、特公平４−42349
号、特公平３−45027号はかかる材料の一例であり、こ
れらの材料の不純物としてPbOが１％以下が適する。こ
れらの基板の表面粗さRaは0.05〜0.4μｍでありこの用
途に適する。一方通常のW,Mo導体を同時焼成するのに使
用されるアルミナ基板の場合はRaが0.4〜1.0μｍと大き
く場合によっては研磨を必要とする。
これらの組み合わせからなることを特徴としている。さ
らにセラミックス基板材料中のPb0は１重量％以下でろ
う付処理温度は600℃以上の中性又は還元性雰囲気で処
理することを特徴としている。特開昭60−198761号公報
に開示されたろう付方法の問題点は、ろう材に強度が弱
くて高価なAu−Sn系の材料を使用する点にある。本発明
はろう材として強度が強くて安価なAg−Cu系のろうを使
用する。Ag−Cu系のろう材を使用するためAu−Sn系のろ
う材の約400℃に比較してろう材処理温度は高くなる。A
g−Cuの共晶温度は779℃であるから、ろう材の処理温度
はこれより高くなる。Zn,Bi,等の第3,4成分を加えれば
処理温度は低くなるが600℃以上の処理温度は必要であ
る。この処理温度ではAg−Cuろう中のCuが酸化しないよ
うにろう付処理に際して中性もしくは還元性雰囲気で行
なう必要がある。このろう付処理に際しては中性もしく
は還元性雰囲気はセラミック基板にPbO成分が含まれて
いるとPbOを還元させて基板の絶縁性を劣化させる。従
ってセラミックス基板材料のPbO成分は１％以下とし、
好ましくは0.5％以下が良い。すなわち使用する基板と
しては、基本的にPbOを含まず800〜1100℃で焼成できる
もので表面粗さが良好なものであれば良い。その代表的
なものとしてホウケイ酸ガラスや更に数種類の酸化物
（例えばMgO,SrO,CaO,BaO,Al2O3,K2O,Na2O,ZnO,Li2O,Zr
2O,TiO2）を含むガラス粉末とアルミナ、石英、酸化ク
ロム、ムライト、コージュライトなどのセラミック粉末
の混合物を原料とするものや、コージュライト系、αス
ポジュメン系の結晶が生ずる結晶化ガラス粉末を原料に
するものがある。例えば本発明者等の出願に係る特公平
３−532691号、特公平３−59029号、特公平４−42349
号、特公平３−45027号はかかる材料の一例であり、こ
れらの材料の不純物としてPbOが１％以下が適する。こ
れらの基板の表面粗さRaは0.05〜0.4μｍでありこの用
途に適する。一方通常のW,Mo導体を同時焼成するのに使
用されるアルミナ基板の場合はRaが0.4〜1.0μｍと大き
く場合によっては研磨を必要とする。
Ag−Cu系ろう材の処理温度では低温焼成基板に使用す
るAg系、Au系、Cu系の導体がろう付処理中にろう材に溶
解してしまうので付着強度が劣化し、ピンやリードに必
要な接着強度が得られない。本発明ではろう付処理する
金属パッドを耐熱金属よりなる薄膜に形成してAg−Cuろ
う付処理に耐えられるようにして又セラミックスの付着
性に優れたものや、Ag−Cuろう材との濡れ性に優れた金
属を組合わせる。これらの薄膜に使用する金属としては
周期率表の4A,5A,6A,8,1B族の中より選択する。
るAg系、Au系、Cu系の導体がろう付処理中にろう材に溶
解してしまうので付着強度が劣化し、ピンやリードに必
要な接着強度が得られない。本発明ではろう付処理する
金属パッドを耐熱金属よりなる薄膜に形成してAg−Cuろ
う付処理に耐えられるようにして又セラミックスの付着
性に優れたものや、Ag−Cuろう材との濡れ性に優れた金
属を組合わせる。これらの薄膜に使用する金属としては
周期率表の4A,5A,6A,8,1B族の中より選択する。
薄膜の形成方法としてはスパッタリング、蒸着、メッ
キが使用されるが最外層の部分には場合によっては厚膜
を使用しても良い。
キが使用されるが最外層の部分には場合によっては厚膜
を使用しても良い。
第１図は本発明を示す概念図の一例でセラミックス基
板１にAg系導体15を内蔵し上面にSiチップ７、Au電極６
を搭載している。下面が本発明の具体例で内蔵及びスル
ーホール中16のAg系導体15とI/O端子としてのコバーピ
５の間をTi−Mo−Cu薄膜３さらにAg−Cuろう４により接
続した例を示している。
板１にAg系導体15を内蔵し上面にSiチップ７、Au電極６
を搭載している。下面が本発明の具体例で内蔵及びスル
ーホール中16のAg系導体15とI/O端子としてのコバーピ
５の間をTi−Mo−Cu薄膜３さらにAg−Cuろう４により接
続した例を示している。
実施例１ CaO−Al2O3−SiO2−B2O3系ガラス粉末とアルミナ粉末
からなるセラミックスグリーンシートにAg導体ペースト
を使用して配線パターンを印刷した後複数枚を積層し熱
圧着した。層間の導体の接続はグリーンシートにパンチ
により形成したスルーホール中に充填した導体ペースト
により行った。900℃で焼成した後第２〜５図の順に薄
膜を形成した。第２図に示すようにセラミックス１の内
蔵導体としてAg導体２からなる焼成基板上にメタルマス
ク８を固定してスパッタ装置の中にセットする。次に２
×10-6torrまで排気した後Arガスを導入し、連続してTi
9,Mo10,Cu11の順にそれぞれ0.1μｍ、1.0μm,2.0μｍの
薄膜を堆積させた（第３図）。この場合Ti層９はセラミ
ックス１との付着を得るために、Mo層10はCu−Agろうへ
のTi層９の拡散を防ぐために、Cu層11はAg−Cuろう層13
との濡れ性を得るためである。この後マスクをはずし
（第４図）、セラミックス基板上の1.5mmφの金属パッ
ド上にAg−Cuろうを使用して窒素／水素雰囲気中で850
℃、10分間処理して0.35mmφのピン12を接続した（第５
図）。ピンの付着強度は5kg以上でピン切れした。又 のヒートサイクルを100サイクルした後も強度は変化し
なかった。又4.2アロイのピンを使用した場合も同様の
結果を得た。但しろう材の量が多すぎた場合は強度が低
下して好ましくなかった。又、第５図に示したスルーホ
ール部分16のAg導体２と薄膜の接続も良好で上記ヒート
サイクル後も問題は生じなかった。Ti層９の部分をCrに
した場合は、Mo層10の部分をW,Nb又はTaにした場合も同
様の結果を得た。又Cu層11の部分はNi,Ag又はPdにして
も同様の結果を得た。
からなるセラミックスグリーンシートにAg導体ペースト
を使用して配線パターンを印刷した後複数枚を積層し熱
圧着した。層間の導体の接続はグリーンシートにパンチ
により形成したスルーホール中に充填した導体ペースト
により行った。900℃で焼成した後第２〜５図の順に薄
膜を形成した。第２図に示すようにセラミックス１の内
蔵導体としてAg導体２からなる焼成基板上にメタルマス
ク８を固定してスパッタ装置の中にセットする。次に２
×10-6torrまで排気した後Arガスを導入し、連続してTi
9,Mo10,Cu11の順にそれぞれ0.1μｍ、1.0μm,2.0μｍの
薄膜を堆積させた（第３図）。この場合Ti層９はセラミ
ックス１との付着を得るために、Mo層10はCu−Agろうへ
のTi層９の拡散を防ぐために、Cu層11はAg−Cuろう層13
との濡れ性を得るためである。この後マスクをはずし
（第４図）、セラミックス基板上の1.5mmφの金属パッ
ド上にAg−Cuろうを使用して窒素／水素雰囲気中で850
℃、10分間処理して0.35mmφのピン12を接続した（第５
図）。ピンの付着強度は5kg以上でピン切れした。又 のヒートサイクルを100サイクルした後も強度は変化し
なかった。又4.2アロイのピンを使用した場合も同様の
結果を得た。但しろう材の量が多すぎた場合は強度が低
下して好ましくなかった。又、第５図に示したスルーホ
ール部分16のAg導体２と薄膜の接続も良好で上記ヒート
サイクル後も問題は生じなかった。Ti層９の部分をCrに
した場合は、Mo層10の部分をW,Nb又はTaにした場合も同
様の結果を得た。又Cu層11の部分はNi,Ag又はPdにして
も同様の結果を得た。
実施例 ２ CaO−MgO−Al2O3−SiO2−B2O3系ガラス粉末とアルミ
ナ粉末からなるセラミックスグリーンシートにAg−Pd導
体ペースト13を使用して実施例１と同様な方法で得た積
層体を950℃で焼成した（第６図）。この後ピンを接続
する側の表面に連続してTi9、Mo10,Cu11の順にそれぞれ
0.1μm,1.0μm,2.0μｍの厚みの薄膜をスパッタリング
法で形成しその後フォトリソグラフィーを使用してレジ
スト14のマスクを薄膜上に形成した。その後の工程は図
示していないがCu膜をHCl−FeCl2水溶液により、Mo膜を
KOH−K3［Fe（CN）６］５水溶液によりエッチングして
薄膜を除去し、1.5mmφのパッドを得た。残ったパッド
上に0.35mmφのコバー製のピンを850℃窒素還元雰囲気
でAg−Cuろうを使用してろう付した。ピンの付着強度
は、5kg以上で総じてピン切れした。
ナ粉末からなるセラミックスグリーンシートにAg−Pd導
体ペースト13を使用して実施例１と同様な方法で得た積
層体を950℃で焼成した（第６図）。この後ピンを接続
する側の表面に連続してTi9、Mo10,Cu11の順にそれぞれ
0.1μm,1.0μm,2.0μｍの厚みの薄膜をスパッタリング
法で形成しその後フォトリソグラフィーを使用してレジ
スト14のマスクを薄膜上に形成した。その後の工程は図
示していないがCu膜をHCl−FeCl2水溶液により、Mo膜を
KOH−K3［Fe（CN）６］５水溶液によりエッチングして
薄膜を除去し、1.5mmφのパッドを得た。残ったパッド
上に0.35mmφのコバー製のピンを850℃窒素還元雰囲気
でAg−Cuろうを使用してろう付した。ピンの付着強度
は、5kg以上で総じてピン切れした。
で100ヒートサイクル後も同様の結果を得た。又4.2アロ
イのピンを使用した場合も同様の結果を得た。Ti層９の
部分をCrにした場合やMo層10の部分をW,Nb又はTaにした
場合も同様な結果であった。又Cullの部分をAg,Pd又はN
iにし場合も同様であった。
イのピンを使用した場合も同様の結果を得た。Ti層９の
部分をCrにした場合やMo層10の部分をW,Nb又はTaにした
場合も同様な結果であった。又Cullの部分をAg,Pd又はN
iにし場合も同様であった。
実施例 ３ SiO280％,B2O312％残りがアルカリ金属、及びアルカ
リ土類金属の酸化物などの組成からなる平均粒度２μｍ
のガラス粉末50％と平均粒度５μｍのアルミ粉末30％と
酸化クロム粉末20％よりなるセラミック絶縁体用混合粉
末を使用して実施例２と同様な方法でAg−Pd導体を内蔵
したセラミック多層配線基板を作成した。この際焼成は
酸化性雰囲気中で950℃1Hr保持の条件で行った。更に実
施例１と同様な方法でTi,Mo,Cuの各層からなる1.5mmφ
の薄膜パッドを形成し、Ag−Cuろうを使用して0.355mm
φのピンをろう付した。ピンの付着強度は5kg以上でピ
ン切した。又 のヒートサイクルを100サイクルした後も強度は変化し
なかった。又4.2アロイのピンを使用した場合も同様の
結果を得た。但しろう材の量が多すぎた場合は強度が低
下して好ましくなかった。又、第２図に示したスルーホ
ール部分のAg−Pd導体と薄膜の接続も良好で上記ヒート
サイクル後も問題は生じなかった。Tiの部分をCrにした
場合や、Moの部分をW,Nb又はTaにした場合も同様の結果
を得た。又Cuの部分はNi,Ag又はPdにしても同様の結果
を得た。
リ土類金属の酸化物などの組成からなる平均粒度２μｍ
のガラス粉末50％と平均粒度５μｍのアルミ粉末30％と
酸化クロム粉末20％よりなるセラミック絶縁体用混合粉
末を使用して実施例２と同様な方法でAg−Pd導体を内蔵
したセラミック多層配線基板を作成した。この際焼成は
酸化性雰囲気中で950℃1Hr保持の条件で行った。更に実
施例１と同様な方法でTi,Mo,Cuの各層からなる1.5mmφ
の薄膜パッドを形成し、Ag−Cuろうを使用して0.355mm
φのピンをろう付した。ピンの付着強度は5kg以上でピ
ン切した。又 のヒートサイクルを100サイクルした後も強度は変化し
なかった。又4.2アロイのピンを使用した場合も同様の
結果を得た。但しろう材の量が多すぎた場合は強度が低
下して好ましくなかった。又、第２図に示したスルーホ
ール部分のAg−Pd導体と薄膜の接続も良好で上記ヒート
サイクル後も問題は生じなかった。Tiの部分をCrにした
場合や、Moの部分をW,Nb又はTaにした場合も同様の結果
を得た。又Cuの部分はNi,Ag又はPdにしても同様の結果
を得た。
ハ 発明の効果 従来、使用することのできなかったAg−Cu系のろう材
により低温焼成基板にI/Oピンやリードをろう付できる
ようになった。この為接着強度が強いろう付けピンやリ
ードを安価に得ることが可能になった。又この用途に供
する低温焼成基板の表面粗さは、I/Oピンやリードをろ
う付けする薄膜形成に容易である利点を有している。
により低温焼成基板にI/Oピンやリードをろう付できる
ようになった。この為接着強度が強いろう付けピンやリ
ードを安価に得ることが可能になった。又この用途に供
する低温焼成基板の表面粗さは、I/Oピンやリードをろ
う付けする薄膜形成に容易である利点を有している。
第１図は本発明を含む概念図の一例を示す。 第２〜６図は本発明の製造法の一例の部分拡大図を示し
たものである。 第２図はメタルマスク固定 第３図は金属薄膜形成 第４図はメタルマスク除去 第５図はAg−Cuろうによりピン接着 第６図は薄膜上のレジスト形成 １……セラミックス基板、２……Ag導体、３……Ti−Mo
−Cu薄膜 ４……Ag−Cuろう、５……コバーピン、６……Au電極 ７……Siチップ、８……メタルマスク、９……Ti膜 10……Mo膜、11……Cu膜、12……ピン 13……Ag−Pd導体、14……レジスト膜、15……Ag系導体 16……スルーホール、17……Au−Si共晶
たものである。 第２図はメタルマスク固定 第３図は金属薄膜形成 第４図はメタルマスク除去 第５図はAg−Cuろうによりピン接着 第６図は薄膜上のレジスト形成 １……セラミックス基板、２……Ag導体、３……Ti−Mo
−Cu薄膜 ４……Ag−Cuろう、５……コバーピン、６……Au電極 ７……Siチップ、８……メタルマスク、９……Ti膜 10……Mo膜、11……Cu膜、12……ピン 13……Ag−Pd導体、14……レジスト膜、15……Ag系導体 16……スルーホール、17……Au−Si共晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平井 隆巳 愛知県名古屋市緑区鳴海町字伝治山３番 地 鳴海技術研究所内 (72)発明者 野々村 俊夫 愛知県名古屋市緑区鳴海町字伝治山３番 地 鳴海技術研究所内 (72)発明者 西垣 進 愛知県名古屋市緑区鳴海町字伝治山３番 地 鳴海技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−19876（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−83356（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】800〜1100℃で焼成され内部に低融点金属
導体による回路配線を有する基板上に薄膜法によって金
属層を形成し、該金属層の上にI/O端子用のピンもしく
はリードを、Cuを含むろう材により結合した構造をもつ
ことを特徴とするセラミックス回路基板 - 【請求項２】金属層が周期率表の4A,5A,6A,8,1B族の金
属及びこれらの組み合わせからなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のセラミックス回路基板 - 【請求項３】セラミックス材料の酸化鉛の含有量が１重
量％以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のセラミックス回路基板 - 【請求項４】ろう付処理を600℃以上の中性または還元
性雰囲気で処理することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のセラミックス回路基板
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62156197A JP2589492B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | セラミックス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62156197A JP2589492B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | セラミックス回路基板 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS641268A JPS641268A (en) | 1989-01-05 |
| JPH011268A JPH011268A (ja) | 1989-01-05 |
| JP2589492B2 true JP2589492B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=15622488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62156197A Expired - Lifetime JP2589492B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | セラミックス回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589492B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2665557B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1997-10-22 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック本体と外部端子の接合構造体 |
| JPH0794633A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 金属部材を接合したセラミック基板 |
| JP4571853B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2010-10-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083356A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP62156197A patent/JP2589492B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS641268A (en) | 1989-01-05 |
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