JP2585784B2 - 自動現像装置および方法 - Google Patents
自動現像装置および方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、塗布されたレジスト膜上に所定のパターン
が描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに現
像液に浸漬し、導電体と電極との間に流れる電流値に基
づいて描画されたパターンの現像終点を判別する自動現
像装置および方法に関する。
が描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに現
像液に浸漬し、導電体と電極との間に流れる電流値に基
づいて描画されたパターンの現像終点を判別する自動現
像装置および方法に関する。
（従来の技術） 塗布されたレジスト膜上に所定のパターンが描画され
た導電体を電極とともに現像液中に浸漬し、導電体と電
極との間に流れる電流値に基づいて描画されたパターン
の現像終点を判別する技術は知られている（特願昭61-1
60209号参照）。この技術においては、有機溶剤に電離
する物質を添加した液（例えば、メチルイソブチルケト
ンに電解質として1mMの過塩素酸テトラブチルアンモニ
ウムを添加した液）が現像液として用いられている。ま
た有機溶液または現像液に電離する物質を添加する手段
として二液混合システム例えば、長瀬産業（株）製のMO
DEL-MX-1000Nが用いられる。
た導電体を電極とともに現像液中に浸漬し、導電体と電
極との間に流れる電流値に基づいて描画されたパターン
の現像終点を判別する技術は知られている（特願昭61-1
60209号参照）。この技術においては、有機溶剤に電離
する物質を添加した液（例えば、メチルイソブチルケト
ンに電解質として1mMの過塩素酸テトラブチルアンモニ
ウムを添加した液）が現像液として用いられている。ま
た有機溶液または現像液に電離する物質を添加する手段
として二液混合システム例えば、長瀬産業（株）製のMO
DEL-MX-1000Nが用いられる。
上述の現像液に、パターンが描画された導電体と電極
を浸漬するが、導電体と電極間に流れる電流に明瞭なピ
ークが現れ、このピークを利用して描画されたパターン
の現像終点を判別している。
を浸漬するが、導電体と電極間に流れる電流に明瞭なピ
ークが現れ、このピークを利用して描画されたパターン
の現像終点を判別している。
（発明が解決しようとする課題） 複数の種類のパターンが描画された導電体基板、（例
えば石英板上にクロムを蒸着したフォトマスク基板上に
電子線レジストとしてPMMAを塗布し、このPMMA上に２μ
ｍのライン及びスペースのパターンと、25μｍのライン
及びスペースのパターンと、100μｍのライン及びスペ
ースのパターンとが描画さた導電体基板）を上述の技術
を用いて現像を行うと、電極と導体との間に流れる電流
は第４図に示すグラフｌ1のようになる。すなわち、100
μｍ、25μｍ、および２μｍのパターンのそれぞれのピ
ークがA,B、およびＣ点に現れる。従って、従来の技術
のようにピークとなるところが単純に現像終点とした場
合、例えば第４図においては現像終点が本来Ｃ点である
にもかかわらずＡ点として検出されることになり、パタ
ーンの寸法精度が低下するという問題があった。
えば石英板上にクロムを蒸着したフォトマスク基板上に
電子線レジストとしてPMMAを塗布し、このPMMA上に２μ
ｍのライン及びスペースのパターンと、25μｍのライン
及びスペースのパターンと、100μｍのライン及びスペ
ースのパターンとが描画さた導電体基板）を上述の技術
を用いて現像を行うと、電極と導体との間に流れる電流
は第４図に示すグラフｌ1のようになる。すなわち、100
μｍ、25μｍ、および２μｍのパターンのそれぞれのピ
ークがA,B、およびＣ点に現れる。従って、従来の技術
のようにピークとなるところが単純に現像終点とした場
合、例えば第４図においては現像終点が本来Ｃ点である
にもかかわらずＡ点として検出されることになり、パタ
ーンの寸法精度が低下するという問題があった。
本発明は上記問題点を考慮してなされたものであっ
て、複数のパターンが描画されている場合でもパターン
の寸法精度を可及的に向上させることのできる自動現像
装置および方法を提供することを目的とする。
て、複数のパターンが描画されている場合でもパターン
の寸法精度を可及的に向上させることのできる自動現像
装置および方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、塗布されたレジスト膜上に所定のパターン
が描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに現
像液に浸漬し、導電体と電極との間に流れる電流値に基
づいて描画されたパターンの現像終点を判別する自動現
像装置において、液中で電離する物質を現像液に含有さ
せる手段と、現像液の導電率を検出する検出手段と、こ
の検出手段の検出値に基づいて現像液の導電率が最適と
なるように含有させる手段を制御する制御手段とを備え
ていることを特徴とする。
が描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに現
像液に浸漬し、導電体と電極との間に流れる電流値に基
づいて描画されたパターンの現像終点を判別する自動現
像装置において、液中で電離する物質を現像液に含有さ
せる手段と、現像液の導電率を検出する検出手段と、こ
の検出手段の検出値に基づいて現像液の導電率が最適と
なるように含有させる手段を制御する制御手段とを備え
ていることを特徴とする。
また本発明の自動現像方法は、液中で電離する物質を
現像液に含有させる工程と、現像液の導電率を検出する
工程と、導電率の検出値に基づいて現像液の導電率が最
適となるように現像液中の電離する物質の含有量を制御
する工程と、塗布されたレジスト膜上に所定のパターン
が描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに導
電率が一定となった現像液中に浸漬する工程と、導電体
と電極との間に流れる電流値に基づいて描画さたパター
ンの現像終点を判別する工程とを備えていることを特徴
とする。
現像液に含有させる工程と、現像液の導電率を検出する
工程と、導電率の検出値に基づいて現像液の導電率が最
適となるように現像液中の電離する物質の含有量を制御
する工程と、塗布されたレジスト膜上に所定のパターン
が描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに導
電率が一定となった現像液中に浸漬する工程と、導電体
と電極との間に流れる電流値に基づいて描画さたパター
ンの現像終点を判別する工程とを備えていることを特徴
とする。
（作用） このように構成された本発明の自動現像装置によれ
ば、現像液の導電率を検出する検出手段の検出値に基づ
いて制御手段によって現像液の導電率が最適となるよう
に制御される。このように導電率が最適となるように制
御された現像液を用いて、描画されたパターンの現像が
行われることにより複数のパターンが描画された場合で
もパターンの寸法精度を可及的に向上させることができ
る。
ば、現像液の導電率を検出する検出手段の検出値に基づ
いて制御手段によって現像液の導電率が最適となるよう
に制御される。このように導電率が最適となるように制
御された現像液を用いて、描画されたパターンの現像が
行われることにより複数のパターンが描画された場合で
もパターンの寸法精度を可及的に向上させることができ
る。
また、上述のように構成さた本発明の自動現像方法に
よれば、現像液の導電率の検出値に基づいて現像液の導
電率が最適となるように現像液中の電離する物質の含有
量が制御される。このように導電率が最適となるように
制御された現像液中に、所定のパターンが描画された導
電体が電極とともに浸漬される。そして、導電体と電極
との間に流れる電流値に基づいて描画されたパターンの
現像終点が判別される。これにより複数のパターンが描
画されている場合でもパターンの寸法精度を可及的に向
上させることができる。
よれば、現像液の導電率の検出値に基づいて現像液の導
電率が最適となるように現像液中の電離する物質の含有
量が制御される。このように導電率が最適となるように
制御された現像液中に、所定のパターンが描画された導
電体が電極とともに浸漬される。そして、導電体と電極
との間に流れる電流値に基づいて描画されたパターンの
現像終点が判別される。これにより複数のパターンが描
画されている場合でもパターンの寸法精度を可及的に向
上させることができる。
（実施例） 本発明による自動現像装置の一実施例を図面を参照し
て説明する。この実施例の自動現像装置は現像液調製部
と現像部とを備えている。第１図に上記実施例の現像液
調製部を示す。第１図において、導電率の異なる予め調
製された液（以下、被混合液ともいう）A,Bが入ってい
るタンク3A,3Bに加圧された窒素の気体を圧送する。す
るとタンク3A,3Bに入っていた被混合液A,Bは、それぞれ
逆止弁4A,4B、および流量計5A,5B、ならびにスパイラル
チューブ７を介して混合タンク3Cに流入して混合され
て、現像液となる。このとき、タンク3A,3B,3C内の液の
導電率をそれぞれ測定する導電率測定器10A,10B,10Cの
検出値に基づいて、混合タンク3C内の現像液の導電率が
所定の範囲内に入るように混合液制御回路９によって逆
止弁4Aおよび4Bの開度の設定が行われる。そして、混合
タンク3C内に現像液が所定の量流入した後、逆止弁4Aお
よび4Bの開度を混合液制御回路９によって閉とする。そ
の後、混合液制御回路９によって切換弁６を制御してＡ
液またはＢ液を混合タンク3C内に微量注入させることに
より混合タンク3C内の導電率が最適（一定値）となるよ
うにする。ここで最適と考えられる導電率は２μs/cm〜
100μs/cmの範囲である。なお、導電率の測定にバラツ
キがでないように各タンク3A,3B,3Cにはそれぞれ電磁回
路の撹拌器8a1,8b1,8c1、および撹拌棒8a2,8b2,8c2が設
けられている。また、上記撹拌器および撹拌棒を用いて
撹拌する代りに窒素（Ｎ2）の気体等によってバブリン
グしても良い。
て説明する。この実施例の自動現像装置は現像液調製部
と現像部とを備えている。第１図に上記実施例の現像液
調製部を示す。第１図において、導電率の異なる予め調
製された液（以下、被混合液ともいう）A,Bが入ってい
るタンク3A,3Bに加圧された窒素の気体を圧送する。す
るとタンク3A,3Bに入っていた被混合液A,Bは、それぞれ
逆止弁4A,4B、および流量計5A,5B、ならびにスパイラル
チューブ７を介して混合タンク3Cに流入して混合され
て、現像液となる。このとき、タンク3A,3B,3C内の液の
導電率をそれぞれ測定する導電率測定器10A,10B,10Cの
検出値に基づいて、混合タンク3C内の現像液の導電率が
所定の範囲内に入るように混合液制御回路９によって逆
止弁4Aおよび4Bの開度の設定が行われる。そして、混合
タンク3C内に現像液が所定の量流入した後、逆止弁4Aお
よび4Bの開度を混合液制御回路９によって閉とする。そ
の後、混合液制御回路９によって切換弁６を制御してＡ
液またはＢ液を混合タンク3C内に微量注入させることに
より混合タンク3C内の導電率が最適（一定値）となるよ
うにする。ここで最適と考えられる導電率は２μs/cm〜
100μs/cmの範囲である。なお、導電率の測定にバラツ
キがでないように各タンク3A,3B,3Cにはそれぞれ電磁回
路の撹拌器8a1,8b1,8c1、および撹拌棒8a2,8b2,8c2が設
けられている。また、上記撹拌器および撹拌棒を用いて
撹拌する代りに窒素（Ｎ2）の気体等によってバブリン
グしても良い。
また上述の現像液調製部としては２液混合の場合につ
いて説明したが３液またはそれ以上の被混合液を用意し
て導電率が最適となるようにそれらの被混合液を混合さ
せるシステムとしても良い。なお、それぞれの被混合液
の導電率が１桁以上異なるものを用意して混合させれば
目的とする導電率の現像液を容易に得ることができる。
更に運用上の面から、どれか１つの被混合液として、電
離する物質を含まない市販の現像液を行いても良い。ま
た、市販の現像液を購入するに際して例えば300μs/cm
程度の導電率となるように電離物質（例えば過塩素酸テ
トラブチルアンモニウム）が添加されているものを購入
して、一方の被混合液として用いても良い。
いて説明したが３液またはそれ以上の被混合液を用意し
て導電率が最適となるようにそれらの被混合液を混合さ
せるシステムとしても良い。なお、それぞれの被混合液
の導電率が１桁以上異なるものを用意して混合させれば
目的とする導電率の現像液を容易に得ることができる。
更に運用上の面から、どれか１つの被混合液として、電
離する物質を含まない市販の現像液を行いても良い。ま
た、市販の現像液を購入するに際して例えば300μs/cm
程度の導電率となるように電離物質（例えば過塩素酸テ
トラブチルアンモニウム）が添加されているものを購入
して、一方の被混合液として用いても良い。
次に上記実施例の現像部について第２図ないし第３図
を参照して説明する。第２図においてモータ22の駆動力
により回転する回転軸23が処理室25の底部中央から処理
室21内部に挿入され、この回転軸23上には基板ステージ
24が載置されている。これら回転軸23及び基板ステージ
24内部には恒温水の流通孔25が設けられており、これら
流通孔25は処理室21の外部の回転軸23側面で開口し、こ
れら開口部に対応して継手26,26が設けられている。こ
れら継手26,26には電子恒温槽27及びポンプ28を介装し
た配管29が接続されており、前記回転軸23及び基板ステ
ージ24の内部に恒温水を供給するようになっている。な
お、継手26,26が設けられている流通孔25の開口部近傍
にシール材30によりシールされている。
を参照して説明する。第２図においてモータ22の駆動力
により回転する回転軸23が処理室25の底部中央から処理
室21内部に挿入され、この回転軸23上には基板ステージ
24が載置されている。これら回転軸23及び基板ステージ
24内部には恒温水の流通孔25が設けられており、これら
流通孔25は処理室21の外部の回転軸23側面で開口し、こ
れら開口部に対応して継手26,26が設けられている。こ
れら継手26,26には電子恒温槽27及びポンプ28を介装し
た配管29が接続されており、前記回転軸23及び基板ステ
ージ24の内部に恒温水を供給するようになっている。な
お、継手26,26が設けられている流通孔25の開口部近傍
にシール材30によりシールされている。
また、前記基板ステージ24上には基板受爪31が設けら
れている。また、処理室21底部にはシリンダ32,32が設
けられており、これらシリンダ32,32の上端には前記基
板ステージ24の周囲を囲む処理枠33が取付けられてい
る。この処理枠33は上昇した時に基板ステージ24の底面
との間がリングシールにより液密にシールされ、現像槽
を形成するようになっている。そして、前記処理室21を
貫通して、基板ステージ24及び処理枠33で形成される現
像槽の内部に、第１図に示す現像液調製部で調製された
現像液を供給する供給管34が設けられている。
れている。また、処理室21底部にはシリンダ32,32が設
けられており、これらシリンダ32,32の上端には前記基
板ステージ24の周囲を囲む処理枠33が取付けられてい
る。この処理枠33は上昇した時に基板ステージ24の底面
との間がリングシールにより液密にシールされ、現像槽
を形成するようになっている。そして、前記処理室21を
貫通して、基板ステージ24及び処理枠33で形成される現
像槽の内部に、第１図に示す現像液調製部で調製された
現像液を供給する供給管34が設けられている。
また、処理室21の側壁には基板搬入口35及び基板搬出
口36が設けられている。前記基板搬入口35の外側には例
えばガラス上にCrが被着され、更にレジストの塗布、ベ
ーク、電子線描画工程が終了した基板が搬送されるコン
ベア37及び基板を処理室21内に搬入する搬入アーム38が
設けられている。また、前記搬出口36の外側には基板を
次工程へ搬送するコンベア39、及び基板を処理室21内か
らコンベア39上に搬出する搬出アーム40が設けられてい
る。
口36が設けられている。前記基板搬入口35の外側には例
えばガラス上にCrが被着され、更にレジストの塗布、ベ
ーク、電子線描画工程が終了した基板が搬送されるコン
ベア37及び基板を処理室21内に搬入する搬入アーム38が
設けられている。また、前記搬出口36の外側には基板を
次工程へ搬送するコンベア39、及び基板を処理室21内か
らコンベア39上に搬出する搬出アーム40が設けられてい
る。
更に、処理室21上部にはリンス液をスプレーするノズ
ル41が設けられている。現像液やリンス液等の処理液は
処理室21の底部に設けられた排液口42から処理室21外部
へ排出される。なお、この排液口42は処理室21内の雰囲
気ガスの排気口としても用いられる場合がある。
ル41が設けられている。現像液やリンス液等の処理液は
処理室21の底部に設けられた排液口42から処理室21外部
へ排出される。なお、この排液口42は処理室21内の雰囲
気ガスの排気口としても用いられる場合がある。
上記現像装置を用いた基板の現像は以下のようにして
行なわれる。
行なわれる。
まず、シリンダ32,32を作動させて処理枠33を上昇さ
せて基板ステージ24底面との間を液密にシールして現像
槽を形成する。次に、供給管34から所定温度の現像液を
基板ステージ24及び処理枠33で形成される現像槽内に供
給する。つづいて、基板搬入口35を図示しないペンシリ
ンダなどにより開いた後、搬入アーム38により基板53を
基板受爪31上に載置し、現像を開始する。なお、現像時
には現像液中に温度センサを浸し、現像液の温度が設定
温度からはずれた場合には、制御信号を電子恒温槽27の
温度制御機構にフィードバックし、現像液の温度制御を
より厳密に行なうことが望ましい。そして、現像液中に
浸漬された基準電極55と基板に形成された導体側電極56
との間に流れる電流に基づいて終点判別回路60によって
基板に塗布されたレジスト膜上に描画されたパターンの
現像終点の判別が行われる（なお導体側電極56の形成に
ついては特願昭61-285462号参照）。現像終点が判別さ
れた後、シリンダ32,32を作動させ、処理枠33を下降さ
せて現像液を流出させて現像を終了する。その後、モー
タ22を回転しながら、ノズル41からリンス液をスプレー
させ、リンスを行なう。更に、基板ステージ24を2000rp
m程度の回転数で高速回転させることにより基板53の乾
燥を行なう。次いで、搬出アーム40により基板53を基板
受爪31からはずし、処理室21外へ搬出した後、コンベア
39上に載せて次工程へ搬送する。
せて基板ステージ24底面との間を液密にシールして現像
槽を形成する。次に、供給管34から所定温度の現像液を
基板ステージ24及び処理枠33で形成される現像槽内に供
給する。つづいて、基板搬入口35を図示しないペンシリ
ンダなどにより開いた後、搬入アーム38により基板53を
基板受爪31上に載置し、現像を開始する。なお、現像時
には現像液中に温度センサを浸し、現像液の温度が設定
温度からはずれた場合には、制御信号を電子恒温槽27の
温度制御機構にフィードバックし、現像液の温度制御を
より厳密に行なうことが望ましい。そして、現像液中に
浸漬された基準電極55と基板に形成された導体側電極56
との間に流れる電流に基づいて終点判別回路60によって
基板に塗布されたレジスト膜上に描画されたパターンの
現像終点の判別が行われる（なお導体側電極56の形成に
ついては特願昭61-285462号参照）。現像終点が判別さ
れた後、シリンダ32,32を作動させ、処理枠33を下降さ
せて現像液を流出させて現像を終了する。その後、モー
タ22を回転しながら、ノズル41からリンス液をスプレー
させ、リンスを行なう。更に、基板ステージ24を2000rp
m程度の回転数で高速回転させることにより基板53の乾
燥を行なう。次いで、搬出アーム40により基板53を基板
受爪31からはずし、処理室21外へ搬出した後、コンベア
39上に載せて次工程へ搬送する。
このように自動現像装置によれば、処理枠33の上昇に
より現像槽の形成、基板53の搬入、現像液の供給、処理
枠33の下降による現像液の排出、基板53の搬出という工
程で浸漬方式を自動化することができる。
より現像槽の形成、基板53の搬入、現像液の供給、処理
枠33の下降による現像液の排出、基板53の搬出という工
程で浸漬方式を自動化することができる。
また、ノズル41からリンス液をスプレーすることによ
り、ただちにリンスが行なえるので、基板53の移動中の
レジストパターンの溶解が生じることがなく、現像精度
がより高精度化することができる。
り、ただちにリンスが行なえるので、基板53の移動中の
レジストパターンの溶解が生じることがなく、現像精度
がより高精度化することができる。
なお、上記実施例では基板ステージ24中に恒温水を流
すことにより現像時の現像液の温度制御を行なったが、
処理枠33にも恒温水を流しても良い。これらの温度制御
に用いる流体は水に限らず、グリセリン等の熱溶媒でも
よいし、気体でもよい。また、上記実施例では現像液中
に温度センサを浸し、フィードバック制御を行なう場合
について説明したが、更にこの温度センサにより現像液
の温度をモニタし、その積分を行ない、現像時間を補正
してもよい。
すことにより現像時の現像液の温度制御を行なったが、
処理枠33にも恒温水を流しても良い。これらの温度制御
に用いる流体は水に限らず、グリセリン等の熱溶媒でも
よいし、気体でもよい。また、上記実施例では現像液中
に温度センサを浸し、フィードバック制御を行なう場合
について説明したが、更にこの温度センサにより現像液
の温度をモニタし、その積分を行ない、現像時間を補正
してもよい。
また、第３図に示すように、基板ステージ24及び処理
枠33の現像液との接液面に熱電素子44を配設し、現像液
を直接温度制御するようにしてもよい。この場合、熱電
素子44の効率を向上させるため、配管29及び流通孔25に
は冷却エアを流し、熱電素子44の接液面と反対側の面を
冷却することが望ましい。
枠33の現像液との接液面に熱電素子44を配設し、現像液
を直接温度制御するようにしてもよい。この場合、熱電
素子44の効率を向上させるため、配管29及び流通孔25に
は冷却エアを流し、熱電素子44の接液面と反対側の面を
冷却することが望ましい。
更に、処理枠33の周囲に温度制御された不活性ガス
（例えば窒素ガス）を流し、排液口42及び他の位置に設
けられた排気口から排気する操作を加えることにより、
現像液の温度制御をより厳密に行なうことができる。た
だし、現像中は排気を停止させることが望ましい。
（例えば窒素ガス）を流し、排液口42及び他の位置に設
けられた排気口から排気する操作を加えることにより、
現像液の温度制御をより厳密に行なうことができる。た
だし、現像中は排気を停止させることが望ましい。
２μｍのライン及びスペースのパターンと、25μｍの
ライン及びスペースのパターンと、100μｍのライン及
びスペースのパターンとが描画された導電体基板を本実
施例の自動現像装置に適用すると、25μｍのパターンの
電流ピークと２μｍのパターンの電流ピークとの間にピ
ーク（第４図のグラフｌ2の点Ｄ参照）がくるように現
像液の導電率が調製される。これにより第５図に示すよ
うに従来の技術を用いた場合のパターンの寸法精度（グ
ラフｈ1参照）よりも本実施例の自動現像装置を用いた
場合のパターンの寸法精度（グラフｈ2参照）のほうが
バラツキが少ないことがわかる。
ライン及びスペースのパターンと、100μｍのライン及
びスペースのパターンとが描画された導電体基板を本実
施例の自動現像装置に適用すると、25μｍのパターンの
電流ピークと２μｍのパターンの電流ピークとの間にピ
ーク（第４図のグラフｌ2の点Ｄ参照）がくるように現
像液の導電率が調製される。これにより第５図に示すよ
うに従来の技術を用いた場合のパターンの寸法精度（グ
ラフｈ1参照）よりも本実施例の自動現像装置を用いた
場合のパターンの寸法精度（グラフｈ2参照）のほうが
バラツキが少ないことがわかる。
以上述べたように、本実施例によれば、パターンの種
類、レジストの種類、およびプロセス条件に応じて最適
な導電率の現像液を調製することができ、パターンの寸
法精度を可及的に向上させることが可能となる。
類、レジストの種類、およびプロセス条件に応じて最適
な導電率の現像液を調製することができ、パターンの寸
法精度を可及的に向上させることが可能となる。
また、導電率を制御することにより電子ビームで露光
したパターンの状態（例えばパターン化率）または電子
ビーム特有の近接効果等の影響が推定可能であるととも
に、これらの影響度合の逆補正も可能となる。
したパターンの状態（例えばパターン化率）または電子
ビーム特有の近接効果等の影響が推定可能であるととも
に、これらの影響度合の逆補正も可能となる。
本発明によれば、パターンの種類、レジストの種類、
およびプロセス条件に応じて最適な導電率の現像液を調
製することができ、これによりパターンの寸法精度を可
及的に向上させることできる。
およびプロセス条件に応じて最適な導電率の現像液を調
製することができ、これによりパターンの寸法精度を可
及的に向上させることできる。
第１図は本発明の自動現像装置の一実施例にかかる現像
液調製部の構成図、第２図乃至第３図は本発明の自動現
像装置の一実施例にかかる現像部の断面図、第４図は本
発明の自動現像装置と従来の技術を用いて現像した場合
の電極と導電体間に流れる電流の変化を示すグラフ、第
５図は本発明の自動現像装置と従来の技術を用いた場合
の現像後のパターンの寸法精度の比較を示すグラフであ
る。 3A,3B……タンク、3C……混合タンク、4A,4B……逆止
弁、5A,5B……流量計、６……切換弁、７……スパイラ
ルチューブ、8a1,8b1,8c1……撹拌器、8a2,8b2,8c2……
撹拌棒、９……混合液制御回路、10A,10B,10C……導電
率測定器。
液調製部の構成図、第２図乃至第３図は本発明の自動現
像装置の一実施例にかかる現像部の断面図、第４図は本
発明の自動現像装置と従来の技術を用いて現像した場合
の電極と導電体間に流れる電流の変化を示すグラフ、第
５図は本発明の自動現像装置と従来の技術を用いた場合
の現像後のパターンの寸法精度の比較を示すグラフであ
る。 3A,3B……タンク、3C……混合タンク、4A,4B……逆止
弁、5A,5B……流量計、６……切換弁、７……スパイラ
ルチューブ、8a1,8b1,8c1……撹拌器、8a2,8b2,8c2……
撹拌棒、９……混合液制御回路、10A,10B,10C……導電
率測定器。
Claims (3)
- 【請求項１】塗布されたレジスト膜上に所定のパターン
が描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに前
記現像液に浸漬し、前記導電体と前記電極との間に流れ
る電流値に基づいて前記描画されたパターンの現像終点
を判別する自動現像装置において、 液中で電離する物質を非電解質である有機溶剤からなる
前記現像液に含有させる手段と、前記現像液の導電率を
検出する検出手段と、この検出手段の検出値に基づいて
前記現像液の導電率が前記パターンに対して最適となる
ように前記含有させる手段を制御する制御手段とを備え
ていることを特徴とする自動現像装置。 - 【請求項２】前記含有させる手段は、前記電離する物質
が含有されていない第１の現像液と含有されている第２
の現像液とを混合させる手段からなり、前記第１および
第２の現像液は電離する物質を除いた組成濃度が同一で
あることを特徴とする請求項１記載の自動現像装置。 - 【請求項３】塗布されたレジスト膜上に所定のパターン
が描画された導電体を現像液中で安定な電極とともに前
記現像液に浸漬し、前記導電体と前記電極との間に流れ
る電流値に基づいて前記描画されたパターンの現像終点
を判別する自動現像方法において、 液中で電離する物質を非電解質である有機溶剤からなる
現像液に含有させる工程と、前記現像液の導電率を検出
する工程と、導電率の検出値に基づいて前記現像液の導
電率が前記パターンに対して最適となるように前記現像
液中の電離する物質の含有量を制御する工程と、前記塗
布されたレジスト膜上に所定のパターンが描画された導
電体を現像液中で安定な電極とともに前記導電率が一定
となった現像液中に浸漬する工程と、前記導電体と前記
電極との間に流れる電流値に基づいて前記描画されたパ
ターンの現像終点を判別する工程とを備えていることを
特徴とする自動現像方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025225A JP2585784B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 自動現像装置および方法 |
| DE4003119A DE4003119A1 (de) | 1989-02-03 | 1990-02-02 | Automatische entwicklungsvorrichtung und -verfahren |
| US07/473,722 US5026467A (en) | 1989-02-03 | 1990-02-02 | Automatic developing apparatus |
| KR1019900001272A KR910008709B1 (ko) | 1989-02-03 | 1990-02-02 | 자동현상장치 및 자동현상방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025225A JP2585784B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 自動現像装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205852A JPH02205852A (ja) | 1990-08-15 |
| JP2585784B2 true JP2585784B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=12160026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025225A Expired - Lifetime JP2585784B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 自動現像装置および方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5026467A (ja) |
| JP (1) | JP2585784B2 (ja) |
| KR (1) | KR910008709B1 (ja) |
| DE (1) | DE4003119A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2651282B2 (ja) * | 1990-12-14 | 1997-09-10 | シーケーディ株式会社 | 流体制御装置 |
| JP2670211B2 (ja) * | 1992-07-10 | 1997-10-29 | 東京応化工業株式会社 | 現像液の調整方法 |
| JPH06190256A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | 現像液調合装置及び現像液調合方法 |
| US5476320A (en) * | 1992-12-28 | 1995-12-19 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Developer preparing apparatus and developer preparing method |
| CN103207538A (zh) * | 2012-01-13 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种显影液自动添加装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3531252A (en) * | 1966-10-17 | 1970-09-29 | Calgon C0Rp | Methods of analyzing conductive solutions |
| US4102756A (en) * | 1976-12-30 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Nickel-iron (80:20) alloy thin film electroplating method and electrochemical treatment and plating apparatus |
| DE3381022D1 (de) * | 1982-10-21 | 1990-02-01 | Vickers Plc | Verarbeitung von lichtempfindlichen vorrichtungen. |
| US4497692A (en) * | 1983-06-13 | 1985-02-05 | International Business Machines Corporation | Laser-enhanced jet-plating and jet-etching: high-speed maskless patterning method |
| JPS61251135A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Toshiba Corp | 自動現像装置 |
| JPS62158327A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-14 | Toshiba Corp | 電極構成体 |
| JPS63175425A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Toshiba Corp | 電極構成体 |
| JPH067910B2 (ja) * | 1987-02-10 | 1994-02-02 | 日立プラント建設株式会社 | 現像原液の希釈装置 |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1025225A patent/JP2585784B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-02 KR KR1019900001272A patent/KR910008709B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-02-02 US US07/473,722 patent/US5026467A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-02 DE DE4003119A patent/DE4003119A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910008709B1 (ko) | 1991-10-19 |
| DE4003119C2 (ja) | 1992-09-10 |
| DE4003119A1 (de) | 1990-08-16 |
| JPH02205852A (ja) | 1990-08-15 |
| KR900013347A (ko) | 1990-09-05 |
| US5026467A (en) | 1991-06-25 |
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Legal Events
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