JP2584797B2 - Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法 - Google Patents
Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
-
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
- H01L29/7923—Programmable transistors with more than two possible different levels of programmation
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、難加工性な80〜99wt％Au−Geの共晶合金と
同一の組成を持つAu−Ge複合材の製造方法に関する。
同一の組成を持つAu−Ge複合材の製造方法に関する。
従来から電子部品ろう材にあっては、低融点ろう材と
してAu−Geの共晶合金によるろう材が使われており、こ
のろう材は溶解法によって造られている。
してAu−Geの共晶合金によるろう材が使われており、こ
のろう材は溶解法によって造られている。
このAu−Geの共晶合金によるろう材を加工するには、
約300℃から融点361℃付近直下の範囲で、若干軟化して
加工性がでてくることを利用して行っている。
約300℃から融点361℃付近直下の範囲で、若干軟化して
加工性がでてくることを利用して行っている。
上記した加工法は、温間加工と呼ばれているが、この
方法によると適切な温度コントロールが要求されて加工
機械が複雑なものとなり、しかも一度の加工率をあまり
高くとることができず非常に工程数がかかるという問題
があった。
方法によると適切な温度コントロールが要求されて加工
機械が複雑なものとなり、しかも一度の加工率をあまり
高くとることができず非常に工程数がかかるという問題
があった。
そこで、Au粉とGe粉とをこ号して成形した後に、熱処
理により若干の拡散を起こさせて焼結加工する方法も試
みられている。
理により若干の拡散を起こさせて焼結加工する方法も試
みられている。
ところが、この方法によると常温でのAu粉とGe粉との
比重が約４倍も違うために均質に混合することが非常に
困難であり、さらに粉同士の親和性も低いために安定し
た材料を得ることが難しいという問題がある。
比重が約４倍も違うために均質に混合することが非常に
困難であり、さらに粉同士の親和性も低いために安定し
た材料を得ることが難しいという問題がある。
また、上記Au−Geの共晶合金によるろう材は極めて脆
く加工性が非常に悪いため、所定形状のろう材を得るた
めの圧延、伸線、切断および打ち抜き加工等が非常に難
しい問題もある。
く加工性が非常に悪いため、所定形状のろう材を得るた
めの圧延、伸線、切断および打ち抜き加工等が非常に難
しい問題もある。
本発明は、Au粉とAuメッキされたGe粉とを混合し、圧
縮成形型によって成形した後AuとGeが著しく拡散しない
温度で焼鈍・成形加工することを特徴とする。
縮成形型によって成形した後AuとGeが著しく拡散しない
温度で焼鈍・成形加工することを特徴とする。
以上の構成によると、Au粉とGe粉の均質な混合体を得
るためにGe粉にAuメッキを施して常温でのAu粉との親和
性を持たせて所望のAu−Geの共晶合金によるろう材の組
成重量％の粉体混合体とし、これを成形することによっ
てAuの持つ優れた展延性を利用して所定の薄板や細線の
ろう材とするものである。
るためにGe粉にAuメッキを施して常温でのAu粉との親和
性を持たせて所望のAu−Geの共晶合金によるろう材の組
成重量％の粉体混合体とし、これを成形することによっ
てAuの持つ優れた展延性を利用して所定の薄板や細線の
ろう材とするものである。
以下に本発明の実施例を説明する。
第１実施例 粒径10〜20μｍのGe粉体12gを、無電解メッキ浴中で
撹拌して分散させながら、0.1〜0.15μｍ厚のAuメッキ
を施してAuに覆われたGe粉を製造する。
撹拌して分散させながら、0.1〜0.15μｍ厚のAuメッキ
を施してAuに覆われたGe粉を製造する。
このAuに覆われたGe粉と合計100gとなるようにAu粉を
配合し、ボールミルにより混合してこれを100kg/cm2の
圧力で約10mm×20mm×Ｌ（長さ）に成形したものを約20
0℃で焼鈍と圧延加工を繰り返して厚さが0.2mmの板を得
ることができた。
配合し、ボールミルにより混合してこれを100kg/cm2の
圧力で約10mm×20mm×Ｌ（長さ）に成形したものを約20
0℃で焼鈍と圧延加工を繰り返して厚さが0.2mmの板を得
ることができた。
この圧延加工時に、この材料は脆さが少なく加工が容
易であった。また、板の各部分をサンプリングして定量
分析した結果、偏析がなく均質であった。
易であった。また、板の各部分をサンプリングして定量
分析した結果、偏析がなく均質であった。
第２実施例 第１実施例と同様に粒径10〜20μｍのGe粉体12gを、
無電解メッキ浴中で撹拌して分散させながら、0.1〜0.1
5μｍ厚のAuメッキを施してAuに覆われたGe粉を製造す
る。
無電解メッキ浴中で撹拌して分散させながら、0.1〜0.1
5μｍ厚のAuメッキを施してAuに覆われたGe粉を製造す
る。
このAuに覆われたGe粉と合計100gとなるようにAu粉を
配合し、ボールミルにより混合してこれを直径10mmの丸
棒とし、約200℃で焼鈍と溝ロールもしくはダイス伸線
等により直径0.5mmの線に加工した。
配合し、ボールミルにより混合してこれを直径10mmの丸
棒とし、約200℃で焼鈍と溝ロールもしくはダイス伸線
等により直径0.5mmの線に加工した。
この伸線加工時に、この材料は脆さが少なく加工が容
易であった。また、線の各部分をサンプリングして定量
分析した結果、偏析がなく均質であった。
易であった。また、線の各部分をサンプリングして定量
分析した結果、偏析がなく均質であった。
以上詳細に説明した本発明によると、Ge粉にAuメッキ
をを施したことにより、常温でのAu粉との親和性を持た
せて所望のAu−Geの共晶合金によるろう材の組成重量％
の粉体混合体とすることができる効果を有し、また、こ
れを成形することによってAuの持つ優れた展延性を利用
して所定の薄板や細線のろう材とすることができる効果
を有する。
をを施したことにより、常温でのAu粉との親和性を持た
せて所望のAu−Geの共晶合金によるろう材の組成重量％
の粉体混合体とすることができる効果を有し、また、こ
れを成形することによってAuの持つ優れた展延性を利用
して所定の薄板や細線のろう材とすることができる効果
を有する。
Claims (1)
- 【請求項１】Au粉とAuメッキしたGe粉とを混合し、成形
した後AuとGeが著しく拡散しない温度で焼鈍・成形加工
することを特徴とするAu−Ge複合材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265305A JP2584797B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265305A JP2584797B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108325A JPH01108325A (ja) | 1989-04-25 |
| JP2584797B2 true JP2584797B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=17415353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62265305A Expired - Lifetime JP2584797B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584797B2 (ja) |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62265305A patent/JP2584797B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01108325A (ja) | 1989-04-25 |
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