JPH01108325A - Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法 - Google Patents
Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法Info
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- JPH01108325A JPH01108325A JP26530587A JP26530587A JPH01108325A JP H01108325 A JPH01108325 A JP H01108325A JP 26530587 A JP26530587 A JP 26530587A JP 26530587 A JP26530587 A JP 26530587A JP H01108325 A JPH01108325 A JP H01108325A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、難加工性な８０〜９９ｗｔ％Ａｕ−Ｇｅの共
晶合金と同一の組成を持つＡｕ−Ｇｅ複合材の製造方法
に関する。
晶合金と同一の組成を持つＡｕ−Ｇｅ複合材の製造方法
に関する。
従来から電子部品ろう材にあっては、低融点ろう材とし
てＡｕ−Ｇｅ０共晶合金によるろう材が使われており、
こ゛のろう材は溶解法によって造られている。
てＡｕ−Ｇｅ０共晶合金によるろう材が使われており、
こ゛のろう材は溶解法によって造られている。
このＡｕ−Ｇｅ０共晶合金によるろう材を加工するには
、約３００℃から融点３６１ ”Ｃ付近直下の範囲で、
若干軟化して加工性がでてくることを利用して行ってい
る。
、約３００℃から融点３６１ ”Ｃ付近直下の範囲で、
若干軟化して加工性がでてくることを利用して行ってい
る。
上記した加工法は、温間加工と呼ばれているが、この方
法によると適切な温度コントロールが要求されて加工機
械が複雑なものとなり、しかも−度の加工率をあまり高
くとることができず非常に工程数がかかるという問題が
あった。
法によると適切な温度コントロールが要求されて加工機
械が複雑なものとなり、しかも−度の加工率をあまり高
くとることができず非常に工程数がかかるという問題が
あった。
そこで、Ａｕ粉とＧｅ粉とを混合して成形した後に、熱
処理により若干の拡散を起こさせて焼結加工する方法も
試みられている。
処理により若干の拡散を起こさせて焼結加工する方法も
試みられている。
ところが、この方法によると常温でのＡｕ粉とＧｅ粉と
の比重が約４倍も違うために均質に混合することが非常
に困難であり、さらに粉同士の親和性も低いために安定
した材料を得ることが難しいという問題がある。
の比重が約４倍も違うために均質に混合することが非常
に困難であり、さらに粉同士の親和性も低いために安定
した材料を得ることが難しいという問題がある。
また、上記のＡｕ−Ｇｅの共晶合金によるろう材は極め
て脆く加工性が非常に悪いため、所定形状のろう材を得
るための圧延、伸線、切断および打ち抜き加工等が非常
に難しい問題もある。 。
て脆く加工性が非常に悪いため、所定形状のろう材を得
るための圧延、伸線、切断および打ち抜き加工等が非常
に難しい問題もある。 。
本発明は、Ａｕ粉とＡｕメッキされたＧｅ粉とを混合し
、圧縮成形型によって成形した後ＡｕとＧｅが著しく拡
散しない温度で焼鈍・成形加工することを特徴とする。
、圧縮成形型によって成形した後ＡｕとＧｅが著しく拡
散しない温度で焼鈍・成形加工することを特徴とする。
以上の構成によると、Ａｕ粉とＧｅ粉の均質な混合体を
得るためにＧｅ粉にＡｕメッキを施して常温でのＡｕ粉
との親和性を持たせて所望のＡｕ−Ｇｅ０共晶合金によ
るろう材の組成重量％の粉体混合体とし、これを成形す
ることによってＡｕの持つ優れた展延性を利用して所定
の薄板や細線のろう材とするものである。
得るためにＧｅ粉にＡｕメッキを施して常温でのＡｕ粉
との親和性を持たせて所望のＡｕ−Ｇｅ０共晶合金によ
るろう材の組成重量％の粉体混合体とし、これを成形す
ることによってＡｕの持つ優れた展延性を利用して所定
の薄板や細線のろう材とするものである。
以下に本発明の詳細な説明する。
第１実施例
粒径１０〜２０μｍのＧｅ粉体１２ｇを、無電解メッキ
浴中で攪拌して分散させながら、０．１〜０．１５μｍ
厚のＡｕメッキを施してＡｕに覆われたＧｅ粉を製造す
る。
浴中で攪拌して分散させながら、０．１〜０．１５μｍ
厚のＡｕメッキを施してＡｕに覆われたＧｅ粉を製造す
る。
このＡｕに覆われたＧｅ粉と合計１００ｇとなるように
Ａｕ粉を配合し、ボールミルにより混合してこれを１０
０ｋｇ／ｃｄの圧力で約１０ｎｍＸ２０■×Ｌ（長さ）
に成形したものを約２００″Ｃで焼鈍と圧延加工を繰り
返して厚さが０．２ｍの板を得ることができた。
Ａｕ粉を配合し、ボールミルにより混合してこれを１０
０ｋｇ／ｃｄの圧力で約１０ｎｍＸ２０■×Ｌ（長さ）
に成形したものを約２００″Ｃで焼鈍と圧延加工を繰り
返して厚さが０．２ｍの板を得ることができた。
この圧延加工時に、この材料は脆さが少なく加工が容易
であった。また、板の各部分をサンプリングして定量分
析した結果、偏析がなく均質であった。
であった。また、板の各部分をサンプリングして定量分
析した結果、偏析がなく均質であった。
第２実施例
第１実施例と同様に粒径１０〜２０μｍのＧｅ粉体１２
ｇを、無電解メッキ浴中で攪拌して分散させながら、０
．１〜０．１５μｍ厚のＡｕメッキを施してＡｕに覆わ
れたＧｅ粉を製造する。
ｇを、無電解メッキ浴中で攪拌して分散させながら、０
．１〜０．１５μｍ厚のＡｕメッキを施してＡｕに覆わ
れたＧｅ粉を製造する。
このＡｕに覆われたＧｅ粉と合計１００ｇとなるように
Ａｕ粉を配合し、ボールミルにより混合してこれを直径
Ｌｏａｍの丸棒とし、約２００°Ｃで焼鈍と溝ロールも
しくはダイス伸線等により直径０、５ ａｗｉの線に加
工した。
Ａｕ粉を配合し、ボールミルにより混合してこれを直径
Ｌｏａｍの丸棒とし、約２００°Ｃで焼鈍と溝ロールも
しくはダイス伸線等により直径０、５ ａｗｉの線に加
工した。
この伸線加工時に、この材料は脆さが少なく加工が容易
であった。また、線の各部分をサンプリングして定量分
析した結果、偏析がな（均質であった。
であった。また、線の各部分をサンプリングして定量分
析した結果、偏析がな（均質であった。
以上詳細に説明した本発明によると、Ｇｅ粉にＡｕメッ
キをを施したことにより、常温でのＡｕ粉との親和性を
持たせて所望のＡｕ−Ｇｅ０共晶合金によるろう材の組
成重量％の粉体温合体とすることができる効果を有し、
また、これを成形することによってＡｕの持つ優れた展
延性を利用して所定の薄板や細線のろう材とすることが
できる効果を有する。
キをを施したことにより、常温でのＡｕ粉との親和性を
持たせて所望のＡｕ−Ｇｅ０共晶合金によるろう材の組
成重量％の粉体温合体とすることができる効果を有し、
また、これを成形することによってＡｕの持つ優れた展
延性を利用して所定の薄板や細線のろう材とすることが
できる効果を有する。
特許出願人 株式会社 徳力本店
Claims (1)
- １、Ａｕ粉とＡｕメッキしたＧｅ粉とを混合し、成形し
た後ＡｕとＧｅが著しく拡散しない温度で焼鈍・成形加
工することを特徴とするＡｕ−Ｇｅ複合材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265305A JP2584797B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265305A JP2584797B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108325A true JPH01108325A (ja) | 1989-04-25 |
| JP2584797B2 JP2584797B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=17415353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62265305A Expired - Lifetime JP2584797B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | Ａｕ−Ｇｅ複合材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584797B2 (ja) |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62265305A patent/JP2584797B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2584797B2 (ja) | 1997-02-26 |
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