JP2583814Y2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JP2583814Y2 JP2583814Y2 JP1991073560U JP7356091U JP2583814Y2 JP 2583814 Y2 JP2583814 Y2 JP 2583814Y2 JP 1991073560 U JP1991073560 U JP 1991073560U JP 7356091 U JP7356091 U JP 7356091U JP 2583814 Y2 JP2583814 Y2 JP 2583814Y2
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- Japan
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- horizontal
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、垂直転送用の複数のレ
ジスタと水平転送用のレジスタとが結合された固体撮像
素子に関する。
ジスタと水平転送用のレジスタとが結合された固体撮像
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤイメージセンサの如き固体撮像素
子においては、撮像領域で得られる情報電荷が複数の垂
直レジスタで垂直方向に転送され、各垂直レジスタの出
力が水平レジスタの各ビットに並列に入力されて水平方
向に転送出力される。各レジスタは、情報電荷の転送経
路を成すチャネル領域上に複数の転送電極が配列され、
各転送電極に印加される多相のクロックパルスの作用に
より、チャネル領域内の情報電荷がチャネル領域に沿っ
て転送されるように構成される。
子においては、撮像領域で得られる情報電荷が複数の垂
直レジスタで垂直方向に転送され、各垂直レジスタの出
力が水平レジスタの各ビットに並列に入力されて水平方
向に転送出力される。各レジスタは、情報電荷の転送経
路を成すチャネル領域上に複数の転送電極が配列され、
各転送電極に印加される多相のクロックパルスの作用に
より、チャネル領域内の情報電荷がチャネル領域に沿っ
て転送されるように構成される。
【０００３】図３は、フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮
像素子の電極構造を示す模式図である。フレーム転送方
式の固体撮像素子は、撮像部Ｉ、蓄積部Ｓ及び水平転送
部Ｈからなり、撮像部Ｉに発生する情報電荷が蓄積部Ｓ
に一旦転送蓄積された後、蓄積部Ｓから１水平ライン毎
に水平転送部Ｈを介して出力される。撮像部Ｉは、複数
のレジスタからなり、互いに平行な複数の下層側の転送
電極１とチャネル分離領域上で幅が狭くなる上層側の転
送電極２とが互いに絶縁された状態で配列されており、
各転送電極１、２に４相の転送クロックφI1〜φI4が供
給される。また、蓄積部Ｓは、撮像部Ｉのレジスタに連
続する複数のレジスタからなり、撮像部Ｉと同様に２層
の複数の転送電極３、４が平行に配列され、各転送電極
３、４に４相の転送クロックφS1〜φS4が供給される。
そして、水平転送部Ｈは、蓄積部Ｓのレジスタの各出力
に各ビットが対応付けられた１つのレジスタからなり、
２層の複数の転送電極５、６が蓄積部Ｓの転送電極３、
４に直交して配列されている。転送電極５は、蓄積部Ｓ
から水平転送部Ｈへの情報電荷の受け渡しのために１つ
おきにその端部が蓄積部Ｓの上層電極４と重なり合う位
置まで延在されている。また、転送電極５、６は、下層
側と上層側と隣り合うものどうしが接続され、これら一
対の転送電極５、６に２層の水平転送クロックφH1、φ
H2が印加される。
像素子の電極構造を示す模式図である。フレーム転送方
式の固体撮像素子は、撮像部Ｉ、蓄積部Ｓ及び水平転送
部Ｈからなり、撮像部Ｉに発生する情報電荷が蓄積部Ｓ
に一旦転送蓄積された後、蓄積部Ｓから１水平ライン毎
に水平転送部Ｈを介して出力される。撮像部Ｉは、複数
のレジスタからなり、互いに平行な複数の下層側の転送
電極１とチャネル分離領域上で幅が狭くなる上層側の転
送電極２とが互いに絶縁された状態で配列されており、
各転送電極１、２に４相の転送クロックφI1〜φI4が供
給される。また、蓄積部Ｓは、撮像部Ｉのレジスタに連
続する複数のレジスタからなり、撮像部Ｉと同様に２層
の複数の転送電極３、４が平行に配列され、各転送電極
３、４に４相の転送クロックφS1〜φS4が供給される。
そして、水平転送部Ｈは、蓄積部Ｓのレジスタの各出力
に各ビットが対応付けられた１つのレジスタからなり、
２層の複数の転送電極５、６が蓄積部Ｓの転送電極３、
４に直交して配列されている。転送電極５は、蓄積部Ｓ
から水平転送部Ｈへの情報電荷の受け渡しのために１つ
おきにその端部が蓄積部Ｓの上層電極４と重なり合う位
置まで延在されている。また、転送電極５、６は、下層
側と上層側と隣り合うものどうしが接続され、これら一
対の転送電極５、６に２層の水平転送クロックφH1、φ
H2が印加される。
【０００４】以上のような撮像素子の水平転送部Ｈは、
２対の転送電極５、６によりレジスタの１ビットが構成
されるため、蓄積部Ｓの１つの出力に対して４つの転送
電極５、６が対応付けられる。従って、蓄積部Ｓのレジ
スタの配列間隔は、水平転送部Ｈの転送電極５、６の幅
により制限されることになる。しかしながら、水平転送
部Ｈの転送電極５、６は、水平転送部Ｈに沿って形成さ
れる２本の電力供給線に接続されて水平転送クロックφ
H1、φH2が与えられるため、電力供給線と転送電極５、
６との接続部分の構造が複雑となり、転送電極５、６の
幅を狭くすることが困難となる。
２対の転送電極５、６によりレジスタの１ビットが構成
されるため、蓄積部Ｓの１つの出力に対して４つの転送
電極５、６が対応付けられる。従って、蓄積部Ｓのレジ
スタの配列間隔は、水平転送部Ｈの転送電極５、６の幅
により制限されることになる。しかしながら、水平転送
部Ｈの転送電極５、６は、水平転送部Ｈに沿って形成さ
れる２本の電力供給線に接続されて水平転送クロックφ
H1、φH2が与えられるため、電力供給線と転送電極５、
６との接続部分の構造が複雑となり、転送電極５、６の
幅を狭くすることが困難となる。
【０００５】そこで、微細化に適した転送電極の構造
を、本出願人は特願平１−６６５６２号に提案してい
る。図３は、その構造を示す平面図である。撮像素子の
水平転送部Ｈは、厚い酸化膜等からなる分離領域１０に
より区画形成される水平転送チャネル領域１１上に、複
数の上層側の転送電極１２ａ、１２ｂと下層側の転送電
極１３ａ、１３ｂとが互い違いに配列されている。この
転送電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂは、水平転送
チャネル領域１１の両側の分離領域１０上まで交互に延
在して形成され、その分離領域１０上で一体形成されて
くし型構造を成している。即ち、ピッチの等しいくし状
の電極が向かい合わせに噛み合わされて転送電極１２
ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂが形成される。これら転送
電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂは、水平転送チャ
ネル領域１１の両側で転送電極１２ａ、１２ｂ、１３
ａ、１３ｂに重ねて形成される電力供給線（図示せず）
に接続され、この電力供給線から水平転送クロック
φH1、φH2を受ける。また、蓄積部Ｓの複数の垂直転送
チャネル領域１４は、水平転送チャネル領域１１に対し
てそれぞれ垂直配置され、垂直転送チャネル領域１４よ
り幅の狭い接続チャネル領域１５により水平転送チャネ
ル領域１１と接続されている。そして、転送電極１２ａ
は、垂直転送チャネル領域１４上にまで延在され、接続
チャネル領域１５を覆うように形成される。以上のよう
な電極構造によると、蓄積部Ｓのレジスタの間隔を狭く
設定する際に転送電極１２ａ、１２ｂの幅を縮小したと
しても、水平転送チャネル領域１１の両側での電力供給
線との接続部分の構造を縮小する必要がなくなり、水平
転送部Ｈの転送電極１２、１３の幅を狭くして撮像部Ｉ
及び蓄積部Ｓの微細化に対応することが可能になる。
を、本出願人は特願平１−６６５６２号に提案してい
る。図３は、その構造を示す平面図である。撮像素子の
水平転送部Ｈは、厚い酸化膜等からなる分離領域１０に
より区画形成される水平転送チャネル領域１１上に、複
数の上層側の転送電極１２ａ、１２ｂと下層側の転送電
極１３ａ、１３ｂとが互い違いに配列されている。この
転送電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂは、水平転送
チャネル領域１１の両側の分離領域１０上まで交互に延
在して形成され、その分離領域１０上で一体形成されて
くし型構造を成している。即ち、ピッチの等しいくし状
の電極が向かい合わせに噛み合わされて転送電極１２
ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂが形成される。これら転送
電極１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂは、水平転送チャ
ネル領域１１の両側で転送電極１２ａ、１２ｂ、１３
ａ、１３ｂに重ねて形成される電力供給線（図示せず）
に接続され、この電力供給線から水平転送クロック
φH1、φH2を受ける。また、蓄積部Ｓの複数の垂直転送
チャネル領域１４は、水平転送チャネル領域１１に対し
てそれぞれ垂直配置され、垂直転送チャネル領域１４よ
り幅の狭い接続チャネル領域１５により水平転送チャネ
ル領域１１と接続されている。そして、転送電極１２ａ
は、垂直転送チャネル領域１４上にまで延在され、接続
チャネル領域１５を覆うように形成される。以上のよう
な電極構造によると、蓄積部Ｓのレジスタの間隔を狭く
設定する際に転送電極１２ａ、１２ｂの幅を縮小したと
しても、水平転送チャネル領域１１の両側での電力供給
線との接続部分の構造を縮小する必要がなくなり、水平
転送部Ｈの転送電極１２、１３の幅を狭くして撮像部Ｉ
及び蓄積部Ｓの微細化に対応することが可能になる。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】接続チャネル領域１５
を覆うようにして形成される転送電極１２ａは、垂直転
送チャネル領域１４上にまではみ出して形成されるた
め、接続チャネル領域１５内に深いポテンシャルを形成
すると共に、垂直転送チャネル領域１４の端部にも深い
ポテンシャルを形成する。このとき、狭チャネル効果に
より垂直転送チャネル領域１４内のポテンシャルが垂直
転送チャネル領域１４内のポテンシャルよりも深く形成
されるため、垂直転送チャネル領域１４から接続チャネ
ル領域１５の段差部分で転送不良が生じ、情報電荷の一
部が残留することになる。このように蓄積部Ｓから水平
転送部Ｈへの転送部分で転送不良が生じると、垂直方向
に影響を受けて再生画面上に縦縞として表れることにな
る。このような転送不良は、水平転送部Ｈの転送電極１
２ａの蓄積部Ｓ側の端部を垂直転送チャネル領域１４と
接続チャネル領域１５との段差部分に一致させて形成す
ることにより解消できるが、それらを完全に一致させる
ことは、製造時のマスクずれ等を考慮すると不可能であ
る。
を覆うようにして形成される転送電極１２ａは、垂直転
送チャネル領域１４上にまではみ出して形成されるた
め、接続チャネル領域１５内に深いポテンシャルを形成
すると共に、垂直転送チャネル領域１４の端部にも深い
ポテンシャルを形成する。このとき、狭チャネル効果に
より垂直転送チャネル領域１４内のポテンシャルが垂直
転送チャネル領域１４内のポテンシャルよりも深く形成
されるため、垂直転送チャネル領域１４から接続チャネ
ル領域１５の段差部分で転送不良が生じ、情報電荷の一
部が残留することになる。このように蓄積部Ｓから水平
転送部Ｈへの転送部分で転送不良が生じると、垂直方向
に影響を受けて再生画面上に縦縞として表れることにな
る。このような転送不良は、水平転送部Ｈの転送電極１
２ａの蓄積部Ｓ側の端部を垂直転送チャネル領域１４と
接続チャネル領域１５との段差部分に一致させて形成す
ることにより解消できるが、それらを完全に一致させる
ことは、製造時のマスクずれ等を考慮すると不可能であ
る。
【０００７】そこで本考案は、各チャネル領域と転送電
極との位置関係のずれを考慮した上で、垂直転送部から
水平転送部への情報電荷の転送不良を防止するようにす
ることを目的とする。
極との位置関係のずれを考慮した上で、垂直転送部から
水平転送部への情報電荷の転送不良を防止するようにす
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本考案は、上述の課題を
解決するために成されたもので、その特徴とするとここ
ろは、平行に配列された複数の垂直チャネル領域上に複
数の転送電極が形成される垂直転送部と、この垂直転送
部の出力側に隣接する水平チャネル領域上に複数の転送
電極が形成され、上記転送部の各出力が並列に入力され
る水平転送部と、上記垂直チャネル領域と上記水平チャ
ネル領域とを接続する上記垂直チャネル領域より狭い幅
の接続チャネル領域と、を備えた固体撮像素子におい
て、上記水平転送部の転送電極は、上記垂直転送部と上
記水平転送部との間の領域上でで一体化されたくし型構
造を成し、その一体化部分は、上記接続チャネル領域上
で上記垂直チャネル領域の端部上まで延在することにあ
る。
解決するために成されたもので、その特徴とするとここ
ろは、平行に配列された複数の垂直チャネル領域上に複
数の転送電極が形成される垂直転送部と、この垂直転送
部の出力側に隣接する水平チャネル領域上に複数の転送
電極が形成され、上記転送部の各出力が並列に入力され
る水平転送部と、上記垂直チャネル領域と上記水平チャ
ネル領域とを接続する上記垂直チャネル領域より狭い幅
の接続チャネル領域と、を備えた固体撮像素子におい
て、上記水平転送部の転送電極は、上記垂直転送部と上
記水平転送部との間の領域上でで一体化されたくし型構
造を成し、その一体化部分は、上記接続チャネル領域上
で上記垂直チャネル領域の端部上まで延在することにあ
る。
【０００９】
【作用】本考案によれば、水平転送部の転送電極を接続
チャネル領域上で垂直チャネル領域上まで延在させるこ
とで、垂直チャネル領域内の中央部付近にのみポテンシ
ャルが深く形成されるため、垂直チャネル領域の出力側
で情報電荷が接続チャネル領域の入力側に集められる。
従って、垂直チャネル領域内から接続チャネル領域内に
効率よく情報電荷が転送される。
チャネル領域上で垂直チャネル領域上まで延在させるこ
とで、垂直チャネル領域内の中央部付近にのみポテンシ
ャルが深く形成されるため、垂直チャネル領域の出力側
で情報電荷が接続チャネル領域の入力側に集められる。
従って、垂直チャネル領域内から接続チャネル領域内に
効率よく情報電荷が転送される。
【００１０】
【実施例】図１は、本考案の固体撮像素子の水平転送部
の構造を示す平面図である。この図において、分離領域
１０及び各チャネル領域１１、１４、１５は、図３と同
一構造を成し、同一部分に同一符号を付してある。本考
案の特徴とするところは、水平転送部Ｈの下層側の転送
電極１６ａ、１６ｂの蓄積部Ｓ側で接続チャネル領域１
５に対応した凹凸を設けたことにある。即ち、水平転送
部Ｈの水平転送チャネル領域１１の蓄積部Ｓ側に配置さ
れる下層側の転送電極１６ａは、接続チャネル領域１５
上で蓄積部Ｓの垂直転送チャネル領域１４上まで延在す
るように設けられると共に、接続チャネル領域１５の両
側の分離領域１０上では、垂直転送チャネル領域１４上
まで達することなく設けられる。従って、垂直転送チャ
ネル領域１４の出力側には、接続チャネル領域１５との
接続部分に対応する領域上にのみ転送電極１６ａが配置
されることになる。
の構造を示す平面図である。この図において、分離領域
１０及び各チャネル領域１１、１４、１５は、図３と同
一構造を成し、同一部分に同一符号を付してある。本考
案の特徴とするところは、水平転送部Ｈの下層側の転送
電極１６ａ、１６ｂの蓄積部Ｓ側で接続チャネル領域１
５に対応した凹凸を設けたことにある。即ち、水平転送
部Ｈの水平転送チャネル領域１１の蓄積部Ｓ側に配置さ
れる下層側の転送電極１６ａは、接続チャネル領域１５
上で蓄積部Ｓの垂直転送チャネル領域１４上まで延在す
るように設けられると共に、接続チャネル領域１５の両
側の分離領域１０上では、垂直転送チャネル領域１４上
まで達することなく設けられる。従って、垂直転送チャ
ネル領域１４の出力側には、接続チャネル領域１５との
接続部分に対応する領域上にのみ転送電極１６ａが配置
されることになる。
【００１１】これらの転送電極１６ａ、１６ｂは、均等
なピッチで配列された電送電極が一方の側で一体化され
たくし型構造を成し、これらが互いに向かい合わせに噛
み合わされて水平転送チャネル領域１１上に配置され
る。そして、転送電極１６ａ、１６ｂと同様のくし型構
造を成す上層側の転送電極１７ａ、１７ｂが転送電極１
６ａ、１６ｂ上に互いに向かい合わせに配置される。以
上の転送電極１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂは、水平
転送チャネル領域１１の両側の一体化部分で電力供給線
（図示せず）にそれぞれ接続され、蓄積部Ｓ側の転送電
極１６ａ、１７ａとその反対の側の転送電極１６ｂ、１
７ｂとに２相の水平転送クロックφH1、φH2が印加され
る。これにより、垂直転送チャネル領域１４から水平転
送チャネル領域１１に流れる情報電荷は、水平転送クロ
ックφH1、φH2に対応して転送電極１６ａ、１６ｂ、１
７ａ、１７ｂが形成するポテンシャルの作用によって水
平転送チャネル領域１１内を水平方向に転送される。
なピッチで配列された電送電極が一方の側で一体化され
たくし型構造を成し、これらが互いに向かい合わせに噛
み合わされて水平転送チャネル領域１１上に配置され
る。そして、転送電極１６ａ、１６ｂと同様のくし型構
造を成す上層側の転送電極１７ａ、１７ｂが転送電極１
６ａ、１６ｂ上に互いに向かい合わせに配置される。以
上の転送電極１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂは、水平
転送チャネル領域１１の両側の一体化部分で電力供給線
（図示せず）にそれぞれ接続され、蓄積部Ｓ側の転送電
極１６ａ、１７ａとその反対の側の転送電極１６ｂ、１
７ｂとに２相の水平転送クロックφH1、φH2が印加され
る。これにより、垂直転送チャネル領域１４から水平転
送チャネル領域１１に流れる情報電荷は、水平転送クロ
ックφH1、φH2に対応して転送電極１６ａ、１６ｂ、１
７ａ、１７ｂが形成するポテンシャルの作用によって水
平転送チャネル領域１１内を水平方向に転送される。
【００１２】一方、蓄積部Ｓの転送電極１８、１９は、
垂直転送チャネル領域１４と交差する方向に延在し、転
送電極１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂと同様の２層構
造を成している。下層側の転送電極１８は、互いに一定
の間隔をおいて配置され、この下層側の転送電極１８の
間に転送電極１８に一部とオーバーラップするように上
層側の転送電極１９が配置される。蓄積部Ｓの出力側に
おいては、転送電極１９が水平転送部Ｈの転送電極１６
ａの端部と重なり合うように配置される。そして、垂直
転送チャネル領域１４の情報電荷が接続チャネル領域１
５を通して水平転送チャネル領域１１に転送される際に
は、転送電極１６ａにより接続チャネル領域１５及び水
平転送チャネル領域１１内のポテンシャルを深く形成
し、さらに転送電極１９により垂直転送チャネル領域１
４の出力側端部のポテンシャルを浅く形成する。このと
き、垂直転送チャネル領域１４の出力側には、接続チャ
ネル領域１５につながる中央部付近にのみ、転送電極１
６ａによりポテンシャルが深く形成されるため、垂直転
送チャネル領域１４内の情報電荷が垂直転送チャネル領
域１４の出力側で接続チャネル領域１５の入力側に集め
られることになり、垂直転送チャネル領域１４から接続
チャネル領域１５へ効率良く情報電荷が転送され、段差
部分で転送不良が発生しにくくなる。
垂直転送チャネル領域１４と交差する方向に延在し、転
送電極１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂと同様の２層構
造を成している。下層側の転送電極１８は、互いに一定
の間隔をおいて配置され、この下層側の転送電極１８の
間に転送電極１８に一部とオーバーラップするように上
層側の転送電極１９が配置される。蓄積部Ｓの出力側に
おいては、転送電極１９が水平転送部Ｈの転送電極１６
ａの端部と重なり合うように配置される。そして、垂直
転送チャネル領域１４の情報電荷が接続チャネル領域１
５を通して水平転送チャネル領域１１に転送される際に
は、転送電極１６ａにより接続チャネル領域１５及び水
平転送チャネル領域１１内のポテンシャルを深く形成
し、さらに転送電極１９により垂直転送チャネル領域１
４の出力側端部のポテンシャルを浅く形成する。このと
き、垂直転送チャネル領域１４の出力側には、接続チャ
ネル領域１５につながる中央部付近にのみ、転送電極１
６ａによりポテンシャルが深く形成されるため、垂直転
送チャネル領域１４内の情報電荷が垂直転送チャネル領
域１４の出力側で接続チャネル領域１５の入力側に集め
られることになり、垂直転送チャネル領域１４から接続
チャネル領域１５へ効率良く情報電荷が転送され、段差
部分で転送不良が発生しにくくなる。
【００１３】また、転送電極１６ａの蓄積部Ｓ側に接続
チャネル領域１５に対応する凹凸を設けたことにより、
分離領域１０と転送電極１６ａ、１６ｂとの位置関係に
対するマージンが大きくなる。即ち、転送電極１６ａの
蓄積部Ｓ側へのずれに対しては、転送電極１６ａの蓄積
部Ｓ側の凹部分が蓄積部Ｓの垂直転送チャネル領域１４
上にはみ出すまでは問題がなく、逆に蓄積部Ｓとは反対
の側へのずれに対しては、転送電極１６ａの蓄積部Ｓ側
の凸部分の下に分離領域１０がはみ出すまでは問題がな
いため、転送電極１６ａの凹凸部分の段差分だけ分離領
域１０に対する転送電極１６ａの形成位置に余裕が生じ
る。従って、転送電極１６ａ、１６ｂの形成の際に多少
の位置ずれが生じても情報電荷の転送動作に影響が及び
にくくなる。
チャネル領域１５に対応する凹凸を設けたことにより、
分離領域１０と転送電極１６ａ、１６ｂとの位置関係に
対するマージンが大きくなる。即ち、転送電極１６ａの
蓄積部Ｓ側へのずれに対しては、転送電極１６ａの蓄積
部Ｓ側の凹部分が蓄積部Ｓの垂直転送チャネル領域１４
上にはみ出すまでは問題がなく、逆に蓄積部Ｓとは反対
の側へのずれに対しては、転送電極１６ａの蓄積部Ｓ側
の凸部分の下に分離領域１０がはみ出すまでは問題がな
いため、転送電極１６ａの凹凸部分の段差分だけ分離領
域１０に対する転送電極１６ａの形成位置に余裕が生じ
る。従って、転送電極１６ａ、１６ｂの形成の際に多少
の位置ずれが生じても情報電荷の転送動作に影響が及び
にくくなる。
【００１４】
【考案の効果】本考案によれば、垂直転送部から水平転
送部への情報電荷の転送不良が抑圧されるため、転送不
良による画質の劣化を防止することができる。また、素
子製造の際、転送電極の形成位置に余裕ができるため、
マスクずれによる構造的な不良を削減でき、製造歩留ま
りの向上が望める。
送部への情報電荷の転送不良が抑圧されるため、転送不
良による画質の劣化を防止することができる。また、素
子製造の際、転送電極の形成位置に余裕ができるため、
マスクずれによる構造的な不良を削減でき、製造歩留ま
りの向上が望める。
【図１】本考案の固体撮像素子の一部を示す平面図であ
る。
る。
【図２】従来の固体撮像素子の電極構造を示す模式図で
ある。
ある。
【図３】従来の固体撮像素子の一部を示す平面図であ
る。
る。
１０ 分離領域 １１ 水平転送チャネル領域 １２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ、１６ａ、１６ｂ 転
送電極 １４ 垂直転送チャネル領域 １５ 接続チャネル領域 Ｉ 撮像部 Ｓ 蓄積部 Ｈ 水平転送部
送電極 １４ 垂直転送チャネル領域 １５ 接続チャネル領域 Ｉ 撮像部 Ｓ 蓄積部 Ｈ 水平転送部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/339 H01L 27/14 - 27/148 H01L 29/762 - 29/768
Claims (2)
- 【請求項１】 平行に配列された複数の垂直チャネル領
域上に複数の転送電極が２層に形成される垂直転送部
と、この垂直転送部の出力側に隣接する水平チャネル領
域上に複数の転送電極が２層に形成され、上記転送部の
各出力が並列に入力される水平転送部と、上記垂直チャ
ネル領域と上記水平チャネル領域とを接続する上記垂直
チャネル領域より狭い幅の接続チャネル領域と、を備え
た固体撮像素子において、上記水平転送部の少なくとも
下層側の転送電極は、上記垂直転送部と上記水平転送部
との間の領域上で一体化されたくし型構造を成し、その
一体化部分は、上記接続チャネル領域上で上記垂直チャ
ネル領域の端部上まで延在され、この延在部分上に上記
垂直転送部の上層側の転送電極を重ねて配置したことを
特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 上記水平転送部の転送電極は、上層側と
下層側とが互い違いに積層され、下層側の転送電極の奇
数番目が上記垂直転送部と上記水平転送部との間の領域
上で一体化されることを特徴とする請求項１記載の固体
撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991073560U JP2583814Y2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991073560U JP2583814Y2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0525744U JPH0525744U (ja) | 1993-04-02 |
| JP2583814Y2 true JP2583814Y2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=13521767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991073560U Expired - Lifetime JP2583814Y2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583814Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083299A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Nec Corp | 電荷結合半導体装置 |
| JPH0296730U (ja) * | 1989-01-18 | 1990-08-01 | ||
| JP3006846U (ja) * | 1994-07-18 | 1995-01-31 | ダイソー株式会社 | 縦型鋼板メッキ用電極 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP1991073560U patent/JP2583814Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0525744U (ja) | 1993-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |