JPH0749809Y2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0749809Y2 JPH0749809Y2 JP1988066176U JP6617688U JPH0749809Y2 JP H0749809 Y2 JPH0749809 Y2 JP H0749809Y2 JP 1988066176 U JP1988066176 U JP 1988066176U JP 6617688 U JP6617688 U JP 6617688U JP H0749809 Y2 JPH0749809 Y2 JP H0749809Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge transfer
- layer
- power supply
- transfer electrode
- supply line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案はCCD固体撮像素子に係り、特に電荷転送電極の
構造に関する。
構造に関する。
（ロ）従来の技術 従来のCCD固体撮像素子は、半導体基板表面部に複数の
チャンネル領域とこのチャンネル領域を区画分離するチ
ャンネルストップ領域とが並列配置され、半導体基板上
に絶縁膜を介して上記チャンネル領域と直交する複数の
電荷転送電極が並列配置されるものである。上記転送電
極は通常poly−Siで形成されるが、Poly−Si自体は抵抗
率が高いため、規模が大きく転送電極の細長い撮像素子
では、転送電極の抵抗値の増加に依って駆動パルスに歪
が生じ、転送効率の劣化を招いた。
チャンネル領域とこのチャンネル領域を区画分離するチ
ャンネルストップ領域とが並列配置され、半導体基板上
に絶縁膜を介して上記チャンネル領域と直交する複数の
電荷転送電極が並列配置されるものである。上記転送電
極は通常poly−Siで形成されるが、Poly−Si自体は抵抗
率が高いため、規模が大きく転送電極の細長い撮像素子
では、転送電極の抵抗値の増加に依って駆動パルスに歪
が生じ、転送効率の劣化を招いた。
そこで、転送電極に歪のない駆動パルスを供給する方法
が、例えば特開昭53−37392号公報に開示されている。
第４図は、その電極構造を示す平面図である。チャンネ
ル及びチャンネルストップが形成された半導体基板上に
は転送電極（１）が形成され、さらに絶縁膜を介して金
属給電線（２）がチャンネルストップ上に形成される。
この給電線（２）は、同位相のものが転送電極（１）の
周辺部に設けられる給電線に夫々接続され、且つ、同位
相の転送電極（２）とコンタクトホール（10）を通して
接続される。例えば４相駆動される場合には、各金属給
電線（２）が３本おきに転送電極（１）と接続される。
斯る構成に依れば、転送電極（１）の多数の点に金属給
電線（２）を通して駆動パルスが供給されるため、各転
送電極（１）に効率良く駆動パルスが供給できる。
が、例えば特開昭53−37392号公報に開示されている。
第４図は、その電極構造を示す平面図である。チャンネ
ル及びチャンネルストップが形成された半導体基板上に
は転送電極（１）が形成され、さらに絶縁膜を介して金
属給電線（２）がチャンネルストップ上に形成される。
この給電線（２）は、同位相のものが転送電極（１）の
周辺部に設けられる給電線に夫々接続され、且つ、同位
相の転送電極（２）とコンタクトホール（10）を通して
接続される。例えば４相駆動される場合には、各金属給
電線（２）が３本おきに転送電極（１）と接続される。
斯る構成に依れば、転送電極（１）の多数の点に金属給
電線（２）を通して駆動パルスが供給されるため、各転
送電極（１）に効率良く駆動パルスが供給できる。
（ハ）考案が解決しようとする課題 従来、固体撮像素子の各絵素の電極構造は、チャンネル
ストップに対して左右対称であるか、或いは各々が同一
の電極構造を有していた。各絵素が同一の電極構造を有
する場合、転送電極を多層構造にすると、第４図に示す
ような金属給電線（２）を設けた際に下層の転送電極と
の接続が困難になる。そこで、金属給電線（２）と転送
電極との接続を容易にするために、転送電極を金属配線
との交点で幅広く形成すると、転送電極に駆動パルスを
印加した際に、金属給電線（２）の下のチャンネルスト
ップが駆動パルスに影響されてチャンネルの区画分離に
障害が生じた。従って、転送電極の形状が限られ、素子
のパターン設計の自由度が制限されるという問題があっ
た。
ストップに対して左右対称であるか、或いは各々が同一
の電極構造を有していた。各絵素が同一の電極構造を有
する場合、転送電極を多層構造にすると、第４図に示す
ような金属給電線（２）を設けた際に下層の転送電極と
の接続が困難になる。そこで、金属給電線（２）と転送
電極との接続を容易にするために、転送電極を金属配線
との交点で幅広く形成すると、転送電極に駆動パルスを
印加した際に、金属給電線（２）の下のチャンネルスト
ップが駆動パルスに影響されてチャンネルの区画分離に
障害が生じた。従って、転送電極の形状が限られ、素子
のパターン設計の自由度が制限されるという問題があっ
た。
（ニ）課題を解決するための手段 本考案は、上述の課題を解決するためになされたもの
で、複数のチャンネル領域とこのチャンネル領域を区画
分離するチャンネルストップ領域とが半導体基板表面部
に並列配置され、この半導体基板上に絶縁膜を介して上
記チャンネル領域と直交する第１層及び第２層からなる
複数の電荷転送電極が配置されると共に、上記複数の電
荷転送電極上に絶縁膜を介して上記チャンネルストップ
領域に沿って複数の給電線が配置され、上記複数の給電
線から上記複数の電荷転送電極にそれぞれ駆動パルスが
供給されて各チャンネル領域内に上記複数の電荷転送電
極の２本に対して１つの絵素が定義される固体撮像素子
に於いて、対角線上に位置する２カ所に設けられたコン
タクトホールの両方で上記第１層の電荷転送電極が上記
給電線に接続される第１の絵素と、上記第１の絵素と上
記チャンネルストップ領域を挟んで隣接し、対角線上に
位置する２カ所に設けられたコンタクトホールの一方で
上記第１層の電荷転送電極が上記給電線に接続され、他
方で第２層の電荷転送電極が上記給電線に接続される第
２の絵素と、上記第２の絵素と上記チャンネルストップ
領域を挟んで隣接し、対角線上に位置する２カ所に設け
られたコンタクトホールの両方で上記第２層の電荷転送
電極が上記給電線に接続される第３の絵素と、上記第３
の絵素と上記チャンネルストップ領域を挟んで隣接し、
対角線上に位置する２カ所に設けられたコンタクトホー
ルの一方で上記第２層の電荷転送電極が上記給電線に接
続され、他方で第１層の電荷転送電極が上記給電線に接
続される第４の絵素と、を備え、上記第１層及び第２層
の電荷転送電極が各絵素間で連続し、且つ、隣接する絵
素間でそれぞれのコンタクトホールが共通化されたこと
を特徴とする。
で、複数のチャンネル領域とこのチャンネル領域を区画
分離するチャンネルストップ領域とが半導体基板表面部
に並列配置され、この半導体基板上に絶縁膜を介して上
記チャンネル領域と直交する第１層及び第２層からなる
複数の電荷転送電極が配置されると共に、上記複数の電
荷転送電極上に絶縁膜を介して上記チャンネルストップ
領域に沿って複数の給電線が配置され、上記複数の給電
線から上記複数の電荷転送電極にそれぞれ駆動パルスが
供給されて各チャンネル領域内に上記複数の電荷転送電
極の２本に対して１つの絵素が定義される固体撮像素子
に於いて、対角線上に位置する２カ所に設けられたコン
タクトホールの両方で上記第１層の電荷転送電極が上記
給電線に接続される第１の絵素と、上記第１の絵素と上
記チャンネルストップ領域を挟んで隣接し、対角線上に
位置する２カ所に設けられたコンタクトホールの一方で
上記第１層の電荷転送電極が上記給電線に接続され、他
方で第２層の電荷転送電極が上記給電線に接続される第
２の絵素と、上記第２の絵素と上記チャンネルストップ
領域を挟んで隣接し、対角線上に位置する２カ所に設け
られたコンタクトホールの両方で上記第２層の電荷転送
電極が上記給電線に接続される第３の絵素と、上記第３
の絵素と上記チャンネルストップ領域を挟んで隣接し、
対角線上に位置する２カ所に設けられたコンタクトホー
ルの一方で上記第２層の電荷転送電極が上記給電線に接
続され、他方で第１層の電荷転送電極が上記給電線に接
続される第４の絵素と、を備え、上記第１層及び第２層
の電荷転送電極が各絵素間で連続し、且つ、隣接する絵
素間でそれぞれのコンタクトホールが共通化されたこと
を特徴とする。
（ホ）作用 本考案に依れば、各電荷転送電極と給電線との接続が異
なる第１乃至第４の絵素をチャンネルストップ領域を挟
んで隣接配置したことで、給電線から第１層及び第２層
の電荷転送電極に対して効率よく駆動パルスが供給され
るようになる。
なる第１乃至第４の絵素をチャンネルストップ領域を挟
んで隣接配置したことで、給電線から第１層及び第２層
の電荷転送電極に対して効率よく駆動パルスが供給され
るようになる。
（ヘ）実施例 本考案の一実施例を図面に従って説明する。
第１図は本考案の固体撮像素子の平面図であり、第２図
は第１図のＡ−Ａ′線断面図、第３図は第１図のＢ−
Ｂ′線断面図である。これらの図に於いて、（20）はSi
からなる半導体基板、（11）（12）はPoly−Siからなる
転送電極、（２′）はAlからなる給電線である。
は第１図のＡ−Ａ′線断面図、第３図は第１図のＢ−
Ｂ′線断面図である。これらの図に於いて、（20）はSi
からなる半導体基板、（11）（12）はPoly−Siからなる
転送電極、（２′）はAlからなる給電線である。
Ｎ型の半導体基板（20）には、Ｐウェル領域（21）が形
成され、その表面部にP+型のチャンネルストップ領域
（22）とＮ型のチャンネル領域（23）とが形成されてい
る。また、半導体基板（20）深部のＮ型領域（24）がオ
ーバーフロードレインを構成している。半導体基板（2
0）上にはSiO2からなる絶縁膜（25）を介して第１層の
転送電極（11）が形成され、SiO2からなる層間絶縁膜
（26）を介して第２層の転送電極（12）が形成されてい
る。そして、SiO2からなる絶縁膜（27）を介して給電線
（２′）が形成され、さらにSiNからなる保護膜（28）
が形成されている。
成され、その表面部にP+型のチャンネルストップ領域
（22）とＮ型のチャンネル領域（23）とが形成されてい
る。また、半導体基板（20）深部のＮ型領域（24）がオ
ーバーフロードレインを構成している。半導体基板（2
0）上にはSiO2からなる絶縁膜（25）を介して第１層の
転送電極（11）が形成され、SiO2からなる層間絶縁膜
（26）を介して第２層の転送電極（12）が形成されてい
る。そして、SiO2からなる絶縁膜（27）を介して給電線
（２′）が形成され、さらにSiNからなる保護膜（28）
が形成されている。
第１層及び第２層の転送電極（11）（12）は、半導体基
板（20）表面に並列配置されたチャンネルストップ領域
（22）及びチャンネル領域（23）と直交するように形成
され、第２層の転送電極（12）は、チャンネルストップ
領域（23）上で電極幅が狭く形成されている。そして、
給電線（２′）と転送電極（11）（12）との交点の所定
位置にコンタクトホール（10′）が設けられ、このコン
タクトホール（10′）を通して転送電極（11）（12）と
給電線（２′）とが接続され、給電線（２′）に、例え
ば４相の駆動パルスφ１，φ２，φ３，φ４が夫々印加
される。
板（20）表面に並列配置されたチャンネルストップ領域
（22）及びチャンネル領域（23）と直交するように形成
され、第２層の転送電極（12）は、チャンネルストップ
領域（23）上で電極幅が狭く形成されている。そして、
給電線（２′）と転送電極（11）（12）との交点の所定
位置にコンタクトホール（10′）が設けられ、このコン
タクトホール（10′）を通して転送電極（11）（12）と
給電線（２′）とが接続され、給電線（２′）に、例え
ば４相の駆動パルスφ１，φ２，φ３，φ４が夫々印加
される。
本考案の特徴とするところは、各絵素の電極構造をチャ
ンネルストップ領域（22）に対して左右非対称に形成し
たことにある。例えば、第１図に示す絵素Ｉに於いて
は、絵素の角部の２箇所で第２層の転送電極（12）に給
電線（２′）が接続され、絵素IIIに於いては角部の２
箇所で第１層の転送電極（11）に給電線（２′）が接続
される。そして、絵素II及びIVに於いては、角部の２箇
所のうち一方で第１層の転送電極（11）が給電線
（２′）に接続され、他方で第２層の転送電極（12）が
給電線（２′）に接続される。
ンネルストップ領域（22）に対して左右非対称に形成し
たことにある。例えば、第１図に示す絵素Ｉに於いて
は、絵素の角部の２箇所で第２層の転送電極（12）に給
電線（２′）が接続され、絵素IIIに於いては角部の２
箇所で第１層の転送電極（11）に給電線（２′）が接続
される。そして、絵素II及びIVに於いては、角部の２箇
所のうち一方で第１層の転送電極（11）が給電線
（２′）に接続され、他方で第２層の転送電極（12）が
給電線（２′）に接続される。
斯る構成に依れば、給電線（２′）を転送電極（11）
（12）上に設けた際に、各転送電極（11）（12）と給電
線（２′）との接続が容易になる。
（12）上に設けた際に、各転送電極（11）（12）と給電
線（２′）との接続が容易になる。
（ト）考案の効果 本考案に依れば、各転送電極と給電線との接続方法が異
なる第１乃至第４の絵素を順に配列したことで、転送電
極上に配置形成される給電線が各転送電極に容易に接続
できるようになり、各転送電極に対して駆動パルスが効
率よく供給されるため、素子特性の向上が図れる。
なる第１乃至第４の絵素を順に配列したことで、転送電
極上に配置形成される給電線が各転送電極に容易に接続
できるようになり、各転送電極に対して駆動パルスが効
率よく供給されるため、素子特性の向上が図れる。
第１図乃至第３図は本考案の一実施例を示し、第１図は
平面図、第２図は第１図に示すＡ−Ａ′線断面図、第３
図は第１図に示すＢ−Ｂ′線断面図である。第４図は従
来の固体撮像素子の平面図である。 （１）（11）（12）……転送電極、（２）……給電線、
（10）……コンタクトホール、（20）……半導体基板、
（22）……チャンネルストップ領域、（23）……チャン
ネル領域。
平面図、第２図は第１図に示すＡ−Ａ′線断面図、第３
図は第１図に示すＢ−Ｂ′線断面図である。第４図は従
来の固体撮像素子の平面図である。 （１）（11）（12）……転送電極、（２）……給電線、
（10）……コンタクトホール、（20）……半導体基板、
（22）……チャンネルストップ領域、（23）……チャン
ネル領域。
Claims (1)
- 【請求項１】複数のチャンネル領域とこのチャンネル領
域を区画分離するチャンネルストップ領域とが半導体基
板表面部に並列配置され、この半導体基板上に絶縁膜を
介して上記チャンネル領域と直交する第１層及び第２層
からなる複数の電荷転送電極が配置されると共に、上記
複数の電荷転送電極上に絶縁膜を介して上記チャンネル
ストップ領域に沿って複数の給電線が配置され、上記複
数の給電線から上記複数の電荷転送電極にそれぞれ駆動
パルスが供給されて各チャンネル領域内に上記複数の電
荷転送電極の２本に対して１つの絵素が定義される固体
撮像素子に於いて、 対角線上に位置する２カ所に設けられたコンタクトホー
ルの両方で上記第１層の電荷転送電極が上記給電線に接
続される第１の絵素と、 上記第１の絵素と上記チャンネルストップ領域を挟んで
隣接し、対角線上に位置する２カ所に設けられたコンタ
クトホールの一方で上記第１層の電荷転送電極が上記給
電線に接続され、他方で第２層の電荷転送電極が上記給
電線に接続される第２の絵素と、 上記第２の絵素と上記チャンネルストップ領域を挟んで
隣接し、対角線上に位置する２カ所に設けられたコンタ
クトホールの両方で上記第２層の電荷転送電極が上記給
電線に接続される第３の絵素と、 上記第３の絵素と上記チャンネルストップ領域を挟んで
隣接し、対角線上に位置する２カ所に設けられたコンタ
クトホールの一方で上記第２層の電荷転送電極が上記給
電線に接続され、他方で第１層の電荷転送電極が上記給
電線に接続される第４の絵素と、 を備え、上記第１層及び第２層の電荷転送電極が各絵素
間で連続し、且つ、隣接する絵素間でそれぞれのコンタ
クトホールが共通化されたことを特徴とする固体撮像素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988066176U JPH0749809Y2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988066176U JPH0749809Y2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169042U JPH01169042U (ja) | 1989-11-29 |
| JPH0749809Y2 true JPH0749809Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=31291588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988066176U Expired - Lifetime JPH0749809Y2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749809Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732548A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Nec Corp | Frequency controller for crystron |
| JPS59211384A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | フレ−ム転送型電荷転送撮像デバイスおよびそれを用いた撮影装置 |
-
1988
- 1988-05-19 JP JP1988066176U patent/JPH0749809Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01169042U (ja) | 1989-11-29 |
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