JP2573468B2 - デコード回路 - Google Patents

デコード回路

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JP2573468B2
JP2573468B2 JP6178634A JP17863494A JP2573468B2 JP 2573468 B2 JP2573468 B2 JP 2573468B2 JP 6178634 A JP6178634 A JP 6178634A JP 17863494 A JP17863494 A JP 17863494A JP 2573468 B2 JP2573468 B2 JP 2573468B2
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芳人 渡辺
幸次 棚川
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路におけ
るデコード回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】マイクロコンピュータにおいては、通
常、内部回路間のデータ転送を共通バスラインを介して
おこなっている。この共通バスライン上のデータをデコ
ードするため、命令デコーダのようなデコード回路が必
要である。図2は、従来のデコード回路の一構成例を示
す回路図である。共通バスライン1の各ラインにはそれ
ぞれラッチ回路2A,2B,2C,2Dが接続され、こ
れらラッチ回路2A〜2Dによりレジスタ2を構成して
いる。各ラッチ回路2A〜2Dの出力端にはそれぞれイ
ンバータ3A,3B,3C,3Dが接続され、さらにこ
れらインバータ3A〜3Dにはそれぞれインバータ3
E,3F,3G,3Hが接続されている。インバータ3
E,3F,3G,3Hからはラッチ回路2A,2B,2
C,2Dの出力信号Q1,Q2,Q3,Q4が出力さ
れ、インバータ3A,3B,2C,3Dからは信号Q
1,Q2,Q3,Q4の反転信号Q- 1,Q- 2,Q-
3,Q- 4が出力される。多入力NANDゲート4は、
デコードデータに応じて、これら信号Q1〜Q4、Q-
1〜Q- 4が入力するように構成されている。このよう
な従来のデコード回路では、共通バスライン1に伝送さ
れる信号が、レジスタ2の各入力端D1,D2,D3,
D4に入力され、ラッチ信号Φに同期して該レジスタ2
にラッチされ、ラッチされた内容が各出力端Q1,Q
2,Q3,Q4から出力される。このラッチされたデー
タが、このデコード回路のデコードデータに一致する
と、デコード信号Dを出力する。図2のデコード回路で
は、NANDゲート4に信号Q- 1,Q2,Q- 3,Q
4,が入力されているから、ラッチデータQ4,Q3,
Q2,Q1が「1010」の場合にデコード信号Dを出
力する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
デコード回路では、ラッチ回路2A〜2D、インバータ
3A〜3H、多入力NANDゲート4という多くの回路
要素必要になると共に、共通バスライン1のデータを
ラッチした信号Qだけでなく、その反転信号Q-も必要
になるので、集積回路化した場合、回路形成面積が大き
くなるという問題があった。本発明は、これらの問題を
解決したデコード回路を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの請求項1の発明は、例えば、複数の
信号線(1A〜1D)により転送されるデータ信号が有
する情報に応答して、デコード信号線から出力信号
(D)を出力するデコード回路において、第1の電位を
供給する第1の電位供給源(VDD)と、第2の電位を
供給する第2の電位供給源(VSS)と、第1のスイッ
チ手段(5〜8)と、第2のスイッチ手段(9〜12)
と、制御手段(13〜19)とを、備えている。第1の
スイッチ手段は、前記第1の電位供給源と第1の端子と
の間に電気的に直列接続され、前記複数の信号線の一部
に対応して設けられ、対応する該信号線で転送されるデ
ータ信号の情報に応答して該第1の電位供給源と該第1
の端子を電気的に接続し、該第1の端子に前記第1の電
位を供給する回路である。第2のスイッチ手段は、前記
第2の電位供給源と第2の端子との間に電気的に直列接
続され、前記複数の信号線の他の一部に対応して設けら
れ、対応する該信号線で転送されるデータ信号の情報に
応答して該第2の電位供給源と該第2の端子とを電気的
に接続し、該第2の端子に前記第2の電位を供給する回
路である。また、制御手段は、前記第1の端子及び前記
第2の端子に接続され、前記デコード信号線から予め所
定の電位レベルの出力信号を出力してその電位レベルを
保持し、該第1の端子及び該第2の端子の電位レベルに
応答して、該出力信号の電位レベルを変化して出力し、
その電位レベルを保持する回路である。
【0005】請求項2の発明では、請求項1の発明の制
御手段、第1電極が前記第2の端子に電気的に接続さ
れ、制御電極が前記第1の端子に電気的に接続され、第
2電極の電位により前記デコード信号線の出力信号
(D)を制御するMOSトランジスタ(15)を有して
いる。請求項3の発明では、請求項1の発明の制御手段
が、前記第2のスイッチ手段(9〜12)と前記第2の
端子との間に配置され、デコード処理を指示する制御信
号(EN)に応答して、該第2のスイッチ手段と該第2
の端子とを電気的に接続する第3のスイッチ手段(1
3)を有している。請求項4の発明では、請求項1の発
明の制御手段が、初期設定手段(16)と、保持手段
(17〜19)を有している。初期設定手段は、初期設
定信号に応答して、前記出力信号が前記所定の電位レベ
ルを有するのに必要な電位レベルを有する供給信号を発
生する回路である。また、保持手段は、前記初期設定手
段に接続され、前記供給信号に応答して前記出力信号を
前記所定の電位レベルにすると共にその電位レベルを保
持し、前記第1及び前記第2の端子の電位レベルに応答
して、該出力信号の電位レベルを変化して出力すると共
にその電位レベルを保持する回路である。 請求項5の発
明では、請求項1の発明の第1のスイッチ手段(5〜
)を、制御電極が対応する前記信号線(1A〜1D)
の一部に接続された第1導電型(Pチャンネル型)のM
OSトランジスタで構成し、第2のスイッチ手段(9〜
12)を、制御電極が対応する前記信号線の他の一部に
接続された第2導電型(Nチャンネル型)のMOSトラ
ンジスタで構成している。請求項6の発明では、請求項
2の発明の制御手段が、一端が前記MOSトランジスタ
(15)の制御電極に接続され、他端が前記MOSトラ
ンジスタの第1電極に接続された抵抗手段(14)を有
している。
【0006】請求項7の発明では、請求項3の発明の制
御手段、第1電極が前記第2の端子に電気的に接続さ
れ、制御電極が前記第1の端子に電気的に接続され、第
2電極の電位により前記出力信号(D)の出力を制御す
る制御用MOSトランジスタ(15)を有している。
求項8の発明では、請求項7の発明の制御手段が、第1
電極が前記制御用MOSトランジスタ(15)の制御電
極に接続され、第2電極が該制御用MOSトランジスタ
の第1電極に接続され、制御電極には活性化状態を維持
するのに必要な電位が与えられた抵抗用MOSトランジ
スタ(14)を有している。
【0007】
【作用】本発明によれば、以上のようにデコード回路を
構成したので、複数の信号線によってデータ信号が転送
されると、そのデータ信号の情報に応答して第1及び第
2のスイッチ手段が動作する。第1のスイッチ手段がオ
ン状態になると、第1の電位供給源の第1の電位が第1
の端子に供給され、第2のスイッチ手段がオン状態にな
ると、第2の電位供給源の第2の電位が第2の端子に供
給される。すると、制御手段の制御によってデコード信
線から出力信号が出力される。従って、前記課題を解
決できるのである。
【0008】
【実施例】第1の実施例 図1は、本発明の第1の実施例を示すデコード回路の回
路図である。このデコード回路は、例えば「1010」
なるデータをデコードするものである。共通バスライン
1は、異なるデータ信号を伝送する複数の信号線1A〜
1Dにより構成されている。信号線1A,1C下にはP
チャンネル型(第1導電型)のMOSトランジスタ(第
1のスイッチ手段)5,7が形成され、これらトランジ
スタ5,7のゲート(制御電極)が信号線1A,1Cに
接続されている。トランジスタ5,7は直列接続され、
該トランジスタ5のソースが電源(第1の電位を供給す
る第1の電位供給源)VDDに接続されている。又、信
号線1B,1D下にはNチャンネル型(第2導電型)の
MOSトランジスタ(第2のスイッチ手段)10,12
が形成され、これらトランジスタ10,12のゲート
(制御電極)が信号線1B,1Dに接続されている。ト
ランジスタ10,12は直列接続され、該トランジスタ
10のソースが電源(第2の電位を供給する第2の電位
供給源)VSSに接続されている。
【0009】トランジスタ12のドレインにはNチャン
ネル型MOSトランジスタ(第3のスイッチ手段)13
のソースが接続され、このトランジスタ13のゲートに
はデコード処理を指示するイネーブル信号(制御信号)
ENが入力される。トランジスタ7のドレイン側の第1
の端子とトランジスタ13のドレイン側の第2の端子に
は、抵抗手段、例えばゲート(制御電極)が電源VSS
に接続された抵抗用のPチャンネル型MOSトランジス
タ14の第1電極と第2電極がそれぞれ接続されてい
る。トランジスタ14の第2電極側の第2の端子には、
制御用のNチャンネル型MOSトランジスタ15のソー
ス(第1電極)が接続され、該トランジスタ15のゲー
ト(制御電極)が、トランジスタ14の第1電極側の第
1の端子に接続されている。
【0010】トランジスタ15のドレイン(第2電極)
には、初期設定手段であるPチャンネル型MOSトラン
ジスタ16のドレインが接続され、該トランジスタ16
のソースが、電源VDDに接続されている。このトラン
ジスタ16のゲートには、プリチャージ信号(初期設定
信号)PRが入力される。又、トランジスタ16のドレ
インには、デコード信号Dの電位レベルを保持する保持
手段が接続されている。この保持手段は、Pチャンネル
型MOSトランジスタ17、Nチャンネル型MOSトラ
ンジスタ18、及びインバータ19を有している。トラ
ンジスタ17とトランジスタ18は直列接続され、電源
VDDと電源VSS間に挿入されている。トランジスタ
17とトランジスタ18の接続点には、インバータ19
の入力端子が接続され、このインバータ19の出力端子
が、トランジスタ17,18のゲートに接続されてい
る。インバータ19の出力端子には、デコード信号Dを
伝達するデコード信号線が接続されている。トランジス
タ17とトランジスタ18の接続点は、トランジスタ1
5とトランジスタ16の接続点に接続されている。これ
らのトランジスタ13〜18及びインバータ19によ
り、制御手段が構成されている。
【0011】図3は、図1のデコード回路の要部平面図
である。トランジスタ5,7,10,12は、信号線1
A〜1D下の領域に形成される。信号線1A〜1D下を
横切って、P+ 拡散層(第1の拡散領域)30とN+
散層(第2の拡散領域)31とが形成されている。P+
拡散層30の一端が電源VDDに接続され、さらにN+
拡散層31の一端が電源VSSに接続されている。P+
拡散層30の他端は図1のトランジスタ14の第1電極
側の第1の端子に接続され、そのトランジスタ14の第
2電極側の第2の端子がN+ 拡散層31の他端と接続さ
れている。P+ 拡散層30と信号線1A,1Cとが交差
する位置に、ゲート電極(制御電極)32,33を形成
することにより、トランジスタ5,7が構成される。
又、N+ 拡散層31と信号線1B,1Dとが交差する位
置に、ゲート電極(制御電極)34,35を形成するこ
とにより、それぞれトランジスタ10,12が構成され
る。このようにゲート電極32〜35を形成すること
で、デコードデータに応じた所定の信号線下にトランジ
スタ5,7,10,12を形成することができる。即
ち、この第1の実施例では、デコードデータが「101
0」であるから、デコードデータが伝送された場合、信
号線1A,1Cは“L”レベルとなり、信号線1B,1
Dは“H”レベルとなる。従って、“L”レベルとなる
信号線1A,1C下にはPチャンネル型MOSトランジ
スタ5,7が形成され、“H”レベルとなる信号線1
B,1D下にはNチャンネル型MOSトランジスタ1
0,12が形成されるようにゲート電極32〜35を形
成する。
【0012】図4は、図1のタイムチャートであり、こ
の図4を参照しつつ、図1のデコード回路の動作を説明
する。まず、プリチャージ期間になると、プリチャージ
信号PRが“L”レベルになり、トランジスタ16がオ
ンする。このため、インバータ19の入力端子は“H”
レベルとなり、デコード信号Dが“L”レベルとなる。
プリチャージ期間が終了してプリチャージ信号PRが
“H”レベルとなっても、トランジスタ17によってデ
コード信号Dがラッチされている。次に、イネーブル信
号ENが“H”レベルになると、トランジスタ13がオ
ンする。デコードすべきデータ「1010」が共通バス
ライン1に伝送されると、トランジスタ5,7,10,
12はすべてオンとなり、電源VDDから電源VSSへ
電流が流れ、トランジスタ14の第1電極と第2電極間
に電位差が生ずる。トランジスタ14のゲートは電源V
SSに接続されて常にオンしているので、該トランジス
タ14は単なる抵抗として機能する。トランジスタ14
の第1電極と第2電極間に電位差が生ずると、トランジ
スタ15がオンし、インバータ19の入力端子は“L”
レベルに引き下げられる。これにより、デコード信号D
が“H”レベルとなる。このデコード信号Dはトランジ
スタ18によりラッチされ、イネーブル信号ENが
“L”レベルとなっても変化しない。
【0013】もし、共通バスライン1に伝送されるデー
タが「1010」以外であると、トランジスタ5,7,
10,12の少なくとも一つがオフ状態となり、トラン
ジスタ14には電流が流れず、デコード信号Dが“L”
レベルのままである。従って、このデコード信号Dのレ
ベルにより、共通バスライン1を伝送するデータがデコ
ードデータであるか否かを検出することができる。な
お、トランジスタ14は、流れる直流電流を減らすた
め、1MΩ程度の高抵抗が望ましい。トランジスタ17
は、インバータ19の入力端子の“H”レベルを保持す
るため、500KΩ程度の高抵抗が望ましい。又、図1
のデコード回路はデータ「1010」をデコードする回
路であるが、他のデータをデコードする回路について
は、信号線1A〜1D下に形成するトランジスタを変え
ることにより、容易に実現できる。
【0014】この第1の実施例では、次のような利点が
ある。 (a) 本実施例のデコード回路では、信号線1A〜1
D上の信号の反転信号は不要である。しかも、共通バス
ライン領域の下部に形成することができるので、チップ
面積を有効に利用することができる。 (b) トランジスタ1315により、トランジスタ
5,7,10,12を介してそれぞれ電源VDD,VS
Sの電位が供給されたとき、デコード信号Dを出力させ
るようにしたので、消費電流を生じることなく、所定の
データ信号に対するデコード結果をデコード信号Dとし
て出力することができる。即ち、本実施例では、デコー
ド信号Dを出力することを指示する電源VDD,VSS
の電位を、それぞれデータ信号に応答して動作するトラ
ンジスタ5,7,10,12を介してトランジスタ13
〜15に供給して、デコード信号の出力を制御する
際、この電源VDD,VSSの電位がトランジスタ13
〜15に供給されたか否かに応答して、デコード信号D
を出力するようにしている。そのため、消費電流が生ず
るとすれば、トランジスタ13〜15に電源VDD,V
SSの電位が供給されるとき、つまりトランジスタ5,
7,10,12がともに活性化された時のみである。従
って、本実施例のデコード回路は、低消費電流で駆動す
ることができる。
【0015】第2の実施例 図5は、本発明の第2の実施例を示すデコード回路の回
路図である。この実施例では、すべての信号線1A〜1
D下にPチャンネル型MOSトランジスタ(第1のスイ
ッチ手段)5,6,7,8とNチャンネル型MOSトラ
ンジスタ(第2のスイッチ手段)9,10,11,12
とを形成し、デコードすべきデータに応じてこれらトラ
ンジスタ5〜12の閾値電圧VTを制御している。例え
ば、データ「1010」をデコードするデコード回路の
場合には、トランジスタ6,8,9,11の閾値電圧V
T=0Vとなるように、図3の拡散層30,31にイオ
ン注入をおこなう。閾値電圧VT=0Vであるので、ト
ランジスタ6,8,9,11は常にオンとなる。他のト
ランジスタ5,7,10,12は、閾値電圧VTが所定
値となるように形成される。即ち、トランジスタ6,
8,9,11はデプレッション型であり、トランジスタ
5,7,10,12はエンハンスメント型である。
【0016】デコードすべきデータが共通バスライン1
に伝送されると、トランジスタ5,7,10,12がオ
ンする。トランジスタ6,8,9,11は閾値電圧VT
=0Vで常にオンなので、すべてのトランジスタ5〜1
2がオンし、トランジスタ14に電流が流れる。これに
より、トランジスタ14の第1電極と第2電極間に電位
差が発生し、前記第1の実施例と同様にこの電位差を検
出する。この第2の実施例では、前記第1の実施例とほ
ぼ同様の利点を有する他に、トランジスタ5〜12の閾
値電圧VTを所望の値に設定して、所望のデコードレベ
ルにする場合に、図3の拡散層30,31の拡散濃度を
変えることのみで、該トランジスタ5〜12の所望の閾
値電圧VTを容易に得ることができる。なお、本発明は
上記実施例に限定されず、種々の変形が可能である。例
えば、Pチャンネル型MOSトランジスタ14は、Nチ
ャンネル型MOSトランジスタや高抵抗体でもよい。
又、これらトランジスタや高抵抗の両端間の電位差の変
化を検出できるものであれば、他の回路構成でもよい。
【0017】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、第1、第2のスイッチ手段及び制御手段によって
デコード信号線から出力信号を出力するようにしたの
で、少ない回路要素によってデコード回路を構成でき、
集積回路化した場合、回路形成面積を小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示すデコード回路の回
路図である。
【図2】従来のデコード回路の回路図である。
【図3】図1のデコード回路の要部平面図である。
【図4】図1のデコード回路の動作を示すタイムチャー
トである。
【図5】本発明の第2の実施例を示すデコード回路の回
路図である。
【符号の説明】
1 共通バスライン 1A〜1D 信号線 5〜8,14,16,17 Pチャンネル型MOS
トランジスタ 9〜12,13,15,18 Nチャンネル型MOS
トランジスタ 19 インバータ 30 P+ 拡散層 31 N+ 拡散層 32〜35 ゲート電極 D デコード信号 EN イネーブル信号 PR プリチャージ信号 VDD,VSS 電源

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の信号線により転送されるデータ信
    号が有する情報に応答して、デコード信号線から出力信
    を出力するデコード回路において、 第1の電位を供給する第1の電位供給源と、 第2の電位を供給する第2の電位供給源と、 前記第1の電位供給源と第1の端子との間に電気的に直
    列接続され、前記複数の信号線の一部に対応して設けら
    れ、対応する該信号線で転送されるデータ信号の情報に
    応答して該第1の電位供給源と該第1の端子を電気的に
    接続し、該第1の端子に前記第1の電位を供給する第1
    のスイッチ手段と、 前記第2の電位供給源と第2の端子との間に電気的に直
    列接続され、前記複数の信号線の他の一部に対応して設
    けられ、対応する該信号線で転送されるデータ信号の情
    報に応答して該第2の電位供給源と該第2の端子とを電
    気的に接続し、該第2の端子に前記第2の電位を供給す
    る第2のスイッチ手段と、 前記第1の端子及び前記第2の端子に接続され、前記デ
    コード信号線から予め所定の電位レベルの出力信号を出
    力してその電位レベルを保持し、該第1の端子及び該第
    2の端子の電位レベルに応答して、該出力信号の電位レ
    ベルを変化して出力し、その電位レベルを保持する制御
    手段とを、 備えたことを特徴とするデコード回路。
  2. 【請求項2】 前記制御手段は、第1電極が前記第2の
    端子に電気的に接続され、制御電極が前記第1の端子に
    電気的に接続され、第2電極の電位により前記デコード
    信号の出力信号を制御するMOSトランジスタを有す
    ことを特徴とする請求項1記載のデコード回路。
  3. 【請求項3】 前記制御手段は、前記第2のスイッチ手
    段と前記第2の端子との間に配置され、デコード処理を
    指示する制御信号に応答して、該第2のスイッチ手段と
    該第2の端子とを電気的に接続する第3のスイッチ手段
    を有することを特徴とする請求項1記載のデコード回
    路。
  4. 【請求項4】 前記制御手段は、初期設定信号に応答し
    て、前記出力信号が前記所定の電位レベルを有するのに
    必要な電位レベルを有する供給信号を発生する初期設定
    手段と、該初期設定手段に接続され、該供給信号に応答
    して該出力信号を該所定の電位レベルにすると共にその
    電位レベルを保持し、前記第1及び前記第2の端子の電
    位レベルに応答して、該出力信号の電位レベルを変化し
    て出力すると共にその電位レベルを保持する保持手段を
    有することを特徴とする請求項1記載のデコード回路。
  5. 【請求項5】 前記第1のスイッチ手段は、制御電極が
    対応する前記信号線の一部に接続された第1導電型のM
    OSトランジスタから成り、前記第2のスイッチ手段
    は、制御電極が対応する前記信号線の他の一部に接続さ
    れた第2導電型のMOSトランジスタから成ることを特
    徴とする請求項1記載のデコード回路。
  6. 【請求項6】 前記制御手段は、一端が前記MOSトラ
    ンジスタの制御電極に接続され、他端が前記MOSトラ
    ンジスタの第1電極に接続された抵抗手段を有すること
    を特徴とする請求項2記載のデコード回路。
  7. 【請求項7】 前記制御手段は、第1電極が前記第2の
    端子に電気的に接続され、制御電極が前記第1の端子に
    電気的に接続され、第2電極の電位により前記出力信号
    の出力を制御する制御用MOSトランジスタを有する
    とを特徴とする請求項記載のデコード回路。
  8. 【請求項8】 前記制御手段は、第1電極が前記制御用
    MOSトランジスタの制御電極に接続され、第2電極が
    該制御用MOSトランジスタの第1電極に接続され、制
    御電極には活性化状態を維持するのに必要な電位が与え
    られた抵抗用MOSトランジスタを有することを特徴と
    する請求項記載のデコード回路。
JP6178634A 1994-07-29 1994-07-29 デコード回路 Expired - Lifetime JP2573468B2 (ja)

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