JP2570345B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2570345B2 JP2570345B2 JP31522887A JP31522887A JP2570345B2 JP 2570345 B2 JP2570345 B2 JP 2570345B2 JP 31522887 A JP31522887 A JP 31522887A JP 31522887 A JP31522887 A JP 31522887A JP 2570345 B2 JP2570345 B2 JP 2570345B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁性薄膜上にカーボン保護膜を形成してな
るハードディスクタイプの磁気記録媒体に関するもので
ある。
るハードディスクタイプの磁気記録媒体に関するもので
ある。
本発明は、磁性薄膜上にカーボン保護膜を形成してな
るハードディスクタイプの磁気記録媒体において、前記
カーボン保護膜に有機塩構造を持つ化合物とフッ素系化
合物とからなる潤滑剤を被着することにより、高温多湿
下においても優れたコンタクト・スタート・ストップ耐
久性を発揮することが可能な磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。
るハードディスクタイプの磁気記録媒体において、前記
カーボン保護膜に有機塩構造を持つ化合物とフッ素系化
合物とからなる潤滑剤を被着することにより、高温多湿
下においても優れたコンタクト・スタート・ストップ耐
久性を発揮することが可能な磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。
従来から一般に使用されている磁気記録媒体として
は、例えば強磁気金属材料を蒸着等の手法により非磁性
支持体上に被着し、これを磁性層としたいわゆる金属薄
膜型の磁気記録媒体や、非常に微細な磁性粒子と樹脂結
合剤とを含む磁性塗料を非磁性支持体上に塗布し、これ
を磁性層としたいわゆる塗布型の磁気記録媒体等が挙げ
られる。これら磁気記録媒体の形態には、非磁性支持体
として非常に薄いフィルムを用いたいわゆる磁気テー
プ、やや厚めの可撓性を有するフィルムを円形に打ち抜
いて非磁性支持体としたいわゆるフロッピーディスク、
非常に硬質な材料を円形に加工してこの上に磁性層を形
成したたハードディスク等の種類がある。
は、例えば強磁気金属材料を蒸着等の手法により非磁性
支持体上に被着し、これを磁性層としたいわゆる金属薄
膜型の磁気記録媒体や、非常に微細な磁性粒子と樹脂結
合剤とを含む磁性塗料を非磁性支持体上に塗布し、これ
を磁性層としたいわゆる塗布型の磁気記録媒体等が挙げ
られる。これら磁気記録媒体の形態には、非磁性支持体
として非常に薄いフィルムを用いたいわゆる磁気テー
プ、やや厚めの可撓性を有するフィルムを円形に打ち抜
いて非磁性支持体としたいわゆるフロッピーディスク、
非常に硬質な材料を円形に加工してこの上に磁性層を形
成したたハードディスク等の種類がある。
上述のような各種磁気記録媒体においては、磁性層表
面の平滑性が極めて良好であるため、磁気ヘッドや各種
摺動部材に対する実質的な接触面積が大きく、従って摩
擦係数が大きくなってしまい凝着現象（いわゆる貼付
き）が起き易く走行性や耐久性に欠ける等問題点が多
い。
面の平滑性が極めて良好であるため、磁気ヘッドや各種
摺動部材に対する実質的な接触面積が大きく、従って摩
擦係数が大きくなってしまい凝着現象（いわゆる貼付
き）が起き易く走行性や耐久性に欠ける等問題点が多
い。
これら問題点を改善するために潤滑剤を使用すること
が検討されており、従来より高級脂肪酸やそのエステル
等を上記磁気記録媒体の磁性層に内添したり、あるいは
トップコートすることにより摩擦係数を抑えようとする
試みがされている。
が検討されており、従来より高級脂肪酸やそのエステル
等を上記磁気記録媒体の磁性層に内添したり、あるいは
トップコートすることにより摩擦係数を抑えようとする
試みがされている。
ところが、磁気記録媒体に使用される潤滑剤には、そ
の性質上非常に厳しい特性が要求され、従来用いられて
いる高級脂肪酸やそのエステル等の潤滑剤では対応する
ことが難しく、長期間，あるいは長時間の耐久性等に欠
ける傾向にある。
の性質上非常に厳しい特性が要求され、従来用いられて
いる高級脂肪酸やそのエステル等の潤滑剤では対応する
ことが難しく、長期間，あるいは長時間の耐久性等に欠
ける傾向にある。
特に、金属薄膜よりなる磁性層上にカーボン保護膜を
形成してなるハードディスクにおいては、コンタクト・
スタート・ストップ（以下CCSと記す。）時の摩擦係数
の増加が非常に問題となっており、高温多湿状態下では
その傾向が著しく、潤滑剤の能力不足による実用特性の
劣化という不満を残している。
形成してなるハードディスクにおいては、コンタクト・
スタート・ストップ（以下CCSと記す。）時の摩擦係数
の増加が非常に問題となっており、高温多湿状態下では
その傾向が著しく、潤滑剤の能力不足による実用特性の
劣化という不満を残している。
そこで本発明は、高温多湿条件下においても優れたCS
S耐久性を発揮することが可能な磁気記録媒体を提供す
ることを目的とするものである。
S耐久性を発揮することが可能な磁気記録媒体を提供す
ることを目的とするものである。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究
を重ねた結果、有機塩構造を持つ化合物とフッ素系化合
物とからなる潤滑剤がこの目的に適合することを見出し
本発明を完成するに至ったものである。
を重ねた結果、有機塩構造を持つ化合物とフッ素系化合
物とからなる潤滑剤がこの目的に適合することを見出し
本発明を完成するに至ったものである。
即ち、本発明は上述の知見に基づきなされたものであ
って、第１図に示すように、非磁性支持体上（１）に磁
性薄膜（２），カーボン保護膜（３）を順次形成した磁
気記録媒体において、前記カーボン保護膜（３）にカル
ボン酸塩又はスルホン酸塩及びフッ素系潤滑剤からなる
潤滑剤（４）を被着させたことを特徴とするものであ
る。
って、第１図に示すように、非磁性支持体上（１）に磁
性薄膜（２），カーボン保護膜（３）を順次形成した磁
気記録媒体において、前記カーボン保護膜（３）にカル
ボン酸塩又はスルホン酸塩及びフッ素系潤滑剤からなる
潤滑剤（４）を被着させたことを特徴とするものであ
る。
本発明のカルボン酸塩又はスルホン酸塩は、有機塩構
造を持つ化合物であり、一般式 RCOO Ｘ ＲCOO ）ｎ・nX RSO3 ・Ｘ ＲSO3 ）ｎ・nX 等で表される長鎖カルボン酸塩，パーフルオロカルボン
酸塩，長鎖スルホン酸塩，パーフルオロスルホン酸塩等
が挙げられる。
造を持つ化合物であり、一般式 RCOO Ｘ ＲCOO ）ｎ・nX RSO3 ・Ｘ ＲSO3 ）ｎ・nX 等で表される長鎖カルボン酸塩，パーフルオロカルボン
酸塩，長鎖スルホン酸塩，パーフルオロスルホン酸塩等
が挙げられる。
なお、ここで上記式中ｎは１〜３であることが好まし
い。ｎが４以上では潤滑剤の取扱等の実用上の問題が生
じ、例ば非常に薄く塗布することが難しくなる。
い。ｎが４以上では潤滑剤の取扱等の実用上の問題が生
じ、例ば非常に薄く塗布することが難しくなる。
また、上記式中Ｒは炭化水素基もしくはパーフルオロ
アルキル基を表す。Ｒが炭化水素基である場合には、炭
素数３以上の脂肪族，脂環，芳香族系の炭化水素である
ことが好ましく、直鎖状，枝分状，飽和，不飽和，複素
環のいずれであってもよい。また、パーフルオロアルキ
ル基の場合には炭素数は３以上12以下であることが好ま
しく、直鎖状，枝分状の何れであってもよい。
アルキル基を表す。Ｒが炭化水素基である場合には、炭
素数３以上の脂肪族，脂環，芳香族系の炭化水素である
ことが好ましく、直鎖状，枝分状，飽和，不飽和，複素
環のいずれであってもよい。また、パーフルオロアルキ
ル基の場合には炭素数は３以上12以下であることが好ま
しく、直鎖状，枝分状の何れであってもよい。
さらに、上記式中Ｘ はアルカリ金属類やアルカリ土
類金属等の金属イオンを表す。あるいは、アンモニウム
イオン、第４アンモニウムイオンであってもよく、さら
には第３のアミンの塩等であってもよい。この場合Ｘ
は と表すことができ、R1,R2,R3,R4は水素，炭化水素基，
パーフルオロアルキル基の何れでもよい。炭化水素基の
場合には炭素数が10以上であることが好ましく直鎖状，
枝分状，二重結合，芳香環を含んでいてもよく、パーフ
ルオロアルキル基の場合には炭素数３以上12以下である
ことが好ましく、直鎖状，枝分状の何れであってもよ
い。上記パーフルオロアルキル基の場合にはモノパーフ
ルオロアミン塩，ジパーフルオロアミン塩，トリパーフ
ルオロアミン塩のいずれかの形をとる。なお、モノパー
フルオロアミン塩，ジパーフルオロアミン塩の場合には
パーフルオロアルキル基以外の基は水素や通常の炭化水
素基等である。
類金属等の金属イオンを表す。あるいは、アンモニウム
イオン、第４アンモニウムイオンであってもよく、さら
には第３のアミンの塩等であってもよい。この場合Ｘ
は と表すことができ、R1,R2,R3,R4は水素，炭化水素基，
パーフルオロアルキル基の何れでもよい。炭化水素基の
場合には炭素数が10以上であることが好ましく直鎖状，
枝分状，二重結合，芳香環を含んでいてもよく、パーフ
ルオロアルキル基の場合には炭素数３以上12以下である
ことが好ましく、直鎖状，枝分状の何れであってもよ
い。上記パーフルオロアルキル基の場合にはモノパーフ
ルオロアミン塩，ジパーフルオロアミン塩，トリパーフ
ルオロアミン塩のいずれかの形をとる。なお、モノパー
フルオロアミン塩，ジパーフルオロアミン塩の場合には
パーフルオロアルキル基以外の基は水素や通常の炭化水
素基等である。
一方、フッ素系潤滑剤は、従来公知の化合物が使用可
能であり、例えばパーフルオロポリエーテル，パーフル
オロカルボン酸アミド，カルボン酸パーフルオロアルキ
ルエステル，スルホン酸パーフルオロアルキルエステ
ル，パーフルオロカルボン酸エステル，パーフルオロス
ルホン酸エステル，パーフルオロカルボン酸パーフルオ
ロアルキルエステル，パーフルオロスルホン酸パーフル
オロアルキルエステルやチオエステルあるいはこれらの
誘導体等が使用可能である。上記フッ素系潤滑剤は、水
分の存在を減少するために被着されるもので、単独でカ
ーボン保護膜に塗布した時の水の接触角が100度以上好
ましくは110度以上のものであることが好ましい。この
ように水の接触角を制限することにより高温多湿条件下
であっても潤滑剤周辺に存在する水分を減少させること
ができ、潤滑剤の吸着力を保持させ潤滑剤の効果を充分
に発揮させることができる。
能であり、例えばパーフルオロポリエーテル，パーフル
オロカルボン酸アミド，カルボン酸パーフルオロアルキ
ルエステル，スルホン酸パーフルオロアルキルエステ
ル，パーフルオロカルボン酸エステル，パーフルオロス
ルホン酸エステル，パーフルオロカルボン酸パーフルオ
ロアルキルエステル，パーフルオロスルホン酸パーフル
オロアルキルエステルやチオエステルあるいはこれらの
誘導体等が使用可能である。上記フッ素系潤滑剤は、水
分の存在を減少するために被着されるもので、単独でカ
ーボン保護膜に塗布した時の水の接触角が100度以上好
ましくは110度以上のものであることが好ましい。この
ように水の接触角を制限することにより高温多湿条件下
であっても潤滑剤周辺に存在する水分を減少させること
ができ、潤滑剤の吸着力を保持させ潤滑剤の効果を充分
に発揮させることができる。
具体的には、 パーフルオロポリエーテル 一般式CF3OCF（CF3）CF2 ｘOCF2 yOCF3もしくはC
F3OC2F4 ｑOCF2 rOCF3で表されるもの。
F3OC2F4 ｑOCF2 rOCF3で表されるもの。
アミド系潤滑剤 ａ）一般式CnF2n+1CONHRで表されるパーフルオロアルキ
ルカルボン酸アミド（但し、式中ｎは６〜10の整数、Ｒ
は炭素数１〜25の炭化水素基もしくは水素を表す。） ｂ）一般式RCONH（CH2）jCnF2n+1で表されるカルボン酸
パーフルオロアルキルアミド（但し、式中ｎは３以上の
整数、０≦ｊ≦５の整数、Ｒは炭化水素基を表す。） ｃ）一般式〔CnF2n+1（CH2）mCONH〕jRで表されるポリ
パーフルオロアルカンアミド化合物（但し、式中ｎは３
以上の整数、０≦ｍ≦５、ｊ≧２、Ｒは炭化水素基を表
す。） ｄ）一般式CnF2n+1CON（Ｒ）CH2CH2CH2SO3Xで表される
スルホン化されたＮ−アルキルパーフルオロアルカンア
ミド（但し、式中ｎは３以上の整数、Ｒは炭化水素基、
Ｘは水素，アルカリ金属，アルカリ土類金属の何れかを
表す。） カルボン酸エステル系潤滑剤 ａ）一般式CnF2n+1COORで表されるパーフルオロアルキ
ルカルボン酸エステル（但し、式中ｎは６〜10の整数、
Ｒは炭素数１〜25の炭化水素基もしくは水素を表す。） ｂ）一般式RCOO（CH2）jCnF2n+1で表されるカルボン酸
パーフルオロアルキルエステル（但し、式中ｎは４以上
の整数、０≦ｊ≦10の整数、Ｒは炭化水素基を表す。） ｃ）一般式〔CnH2n+1COOCH2（CF2）jCF3で表される長鎖
カルボン酸パーフルオロアルキルエステル（但し、式中
ｎは４以上の整数、ｊは２以上を表す。） ｄ）一般式CnF2n+1COO（CH2）jCmF2m+1で表されるパー
フルオロアルキルカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テル（但し、式中ｎは３以上の整数、ｍは３以上を整
数、０≦ｊ≦５を表す。） ジカルボン酸エステル系潤滑剤 ａ）一般式HOOC（CF2）nCOORで表されるパーフルオロジ
カルボン酸モノエステル（但し、式中ｎは２≦の整数、
Ｒは炭素数１〜25の炭化水素基を表す。） ｂ）一般式RCOO（CH2）nCOORで表されるパーフルオロジ
カルボン酸ジエステル（但し、式中ｎは２≦の整数、Ｒ
は炭素数６≦の炭化水素基を表す。） ｃ）一般式ROOC（CF2）mCOO（CF2）jCnF2n+1もしくはCn
F2n+1（CH2）jOOC（CF2）mCOO（CH2）jCnF2n+1で表され
るパーフルオロジカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テル（但し、式中ｎは３以上の整数、ｍは１以上の整
数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭素数３以上の炭化水素基を表
す。） ｄ）一般式HOOCRCOO（CH2）jCnF2n+1で表されるジカル
ボン酸パーフルオロアルキルエステル（但し、式中ｎは
３以上の整数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭素数１〜25の炭化水
素基を表す。） ｅ）一般式CnF2n+1（CH2）jOOCRCOO（CH2）jCnF2n+1で
表されるジカルボン酸パーフルオロアルキルジエステル
（但し、式中ｎは３以上の整数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭化
水素基を表す。） ｆ）一般式Ｒ′OOCRCOO（CH2）jCnF2n+1で表されるジカ
ルボン酸ジエステルの一方のエステル部のみにパーフル
オロアルキル基を有し、もう一方のエステル部は通常の
炭化水素基からなるもの（但し、式中ｎは３以上の整
数、０≦ｊ≦５、Ｒ及びＲ′は炭化水素基を表す。） スルホン酸エステル系潤滑剤 ａ）一般式RSO3（CH2）jCnF2n+1で表されるスルホン酸
パーフルオロアルキルエステル（但し、式中ｎは５以上
の整数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭化水素を表す。） ｂ）一般式CnF2n+1（CH2）jSO3Rで表されるパーフルオ
ロアルキルスルホン酸アルキルエステル（但し、式中ｎ
は５以上の整数、０≦ｊ≦５、VRは炭化水素基を表
す。） ｃ）一般式CnF2n+1SO3（CH2）jCmF2m+1で表されるパー
フルオロアルキルスルホン酸パーフルオロアルキルエス
テル（但し、式中ｎは３以上の整数、ｍは３以上の整
数、０≦ｊ≦５を表す。） 安息香酸系潤滑剤 ａ）一般式 で表され、ＸがF,YがCOORのパーフルオロ安息香酸エス
テル（但し、式中Ｒは炭化水素基を表す。） ｂ）ＸがF,YがCOO（CH2）jCnF2n+1のパーフルオロ安息
香酸パーフルオロアルキルエステル（但し、式中ｎは４
以上の整数、０≦ｊ≦５を表す。） チオエステル系潤滑剤 ａ）一般式CnF2n+1COSRで表されるパーフルオロアルキ
ルカルボン酸チオエステル（ただし、式中ｎは５〜12の
整数、Ｒは炭化水素基を表す。） ｂ）一般式Ｒ−COS（CH2）jCnF2n+1で表されるカルボン
酸パーフルオロアルキルチオエステル（但し、式中ｎは
３以上の整数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭化水素基を表す。） その他の潤滑剤 ａ）一般式〔CnF2n+1（CH2）jNHCO〕iRで表されるポリ
（Ｎ−パーフルオロアルキルカルボモイル）誘導体（但
し、式中ｎは３以上の整数、ｉは２以上の整数、０≦ｊ
≦５、Ｒは炭化水素基を表す。） ｂ）一般式 で表されＸがCnF2n+1もしくはω−Ｈ−CnF2n+1,YがSHで
表されるパーフルオロアルキルチオフェノール誘導体
（但し、式中ｎは２以上の整数を表す。） 等が挙げられる。
ルカルボン酸アミド（但し、式中ｎは６〜10の整数、Ｒ
は炭素数１〜25の炭化水素基もしくは水素を表す。） ｂ）一般式RCONH（CH2）jCnF2n+1で表されるカルボン酸
パーフルオロアルキルアミド（但し、式中ｎは３以上の
整数、０≦ｊ≦５の整数、Ｒは炭化水素基を表す。） ｃ）一般式〔CnF2n+1（CH2）mCONH〕jRで表されるポリ
パーフルオロアルカンアミド化合物（但し、式中ｎは３
以上の整数、０≦ｍ≦５、ｊ≧２、Ｒは炭化水素基を表
す。） ｄ）一般式CnF2n+1CON（Ｒ）CH2CH2CH2SO3Xで表される
スルホン化されたＮ−アルキルパーフルオロアルカンア
ミド（但し、式中ｎは３以上の整数、Ｒは炭化水素基、
Ｘは水素，アルカリ金属，アルカリ土類金属の何れかを
表す。） カルボン酸エステル系潤滑剤 ａ）一般式CnF2n+1COORで表されるパーフルオロアルキ
ルカルボン酸エステル（但し、式中ｎは６〜10の整数、
Ｒは炭素数１〜25の炭化水素基もしくは水素を表す。） ｂ）一般式RCOO（CH2）jCnF2n+1で表されるカルボン酸
パーフルオロアルキルエステル（但し、式中ｎは４以上
の整数、０≦ｊ≦10の整数、Ｒは炭化水素基を表す。） ｃ）一般式〔CnH2n+1COOCH2（CF2）jCF3で表される長鎖
カルボン酸パーフルオロアルキルエステル（但し、式中
ｎは４以上の整数、ｊは２以上を表す。） ｄ）一般式CnF2n+1COO（CH2）jCmF2m+1で表されるパー
フルオロアルキルカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テル（但し、式中ｎは３以上の整数、ｍは３以上を整
数、０≦ｊ≦５を表す。） ジカルボン酸エステル系潤滑剤 ａ）一般式HOOC（CF2）nCOORで表されるパーフルオロジ
カルボン酸モノエステル（但し、式中ｎは２≦の整数、
Ｒは炭素数１〜25の炭化水素基を表す。） ｂ）一般式RCOO（CH2）nCOORで表されるパーフルオロジ
カルボン酸ジエステル（但し、式中ｎは２≦の整数、Ｒ
は炭素数６≦の炭化水素基を表す。） ｃ）一般式ROOC（CF2）mCOO（CF2）jCnF2n+1もしくはCn
F2n+1（CH2）jOOC（CF2）mCOO（CH2）jCnF2n+1で表され
るパーフルオロジカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テル（但し、式中ｎは３以上の整数、ｍは１以上の整
数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭素数３以上の炭化水素基を表
す。） ｄ）一般式HOOCRCOO（CH2）jCnF2n+1で表されるジカル
ボン酸パーフルオロアルキルエステル（但し、式中ｎは
３以上の整数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭素数１〜25の炭化水
素基を表す。） ｅ）一般式CnF2n+1（CH2）jOOCRCOO（CH2）jCnF2n+1で
表されるジカルボン酸パーフルオロアルキルジエステル
（但し、式中ｎは３以上の整数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭化
水素基を表す。） ｆ）一般式Ｒ′OOCRCOO（CH2）jCnF2n+1で表されるジカ
ルボン酸ジエステルの一方のエステル部のみにパーフル
オロアルキル基を有し、もう一方のエステル部は通常の
炭化水素基からなるもの（但し、式中ｎは３以上の整
数、０≦ｊ≦５、Ｒ及びＲ′は炭化水素基を表す。） スルホン酸エステル系潤滑剤 ａ）一般式RSO3（CH2）jCnF2n+1で表されるスルホン酸
パーフルオロアルキルエステル（但し、式中ｎは５以上
の整数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭化水素を表す。） ｂ）一般式CnF2n+1（CH2）jSO3Rで表されるパーフルオ
ロアルキルスルホン酸アルキルエステル（但し、式中ｎ
は５以上の整数、０≦ｊ≦５、VRは炭化水素基を表
す。） ｃ）一般式CnF2n+1SO3（CH2）jCmF2m+1で表されるパー
フルオロアルキルスルホン酸パーフルオロアルキルエス
テル（但し、式中ｎは３以上の整数、ｍは３以上の整
数、０≦ｊ≦５を表す。） 安息香酸系潤滑剤 ａ）一般式 で表され、ＸがF,YがCOORのパーフルオロ安息香酸エス
テル（但し、式中Ｒは炭化水素基を表す。） ｂ）ＸがF,YがCOO（CH2）jCnF2n+1のパーフルオロ安息
香酸パーフルオロアルキルエステル（但し、式中ｎは４
以上の整数、０≦ｊ≦５を表す。） チオエステル系潤滑剤 ａ）一般式CnF2n+1COSRで表されるパーフルオロアルキ
ルカルボン酸チオエステル（ただし、式中ｎは５〜12の
整数、Ｒは炭化水素基を表す。） ｂ）一般式Ｒ−COS（CH2）jCnF2n+1で表されるカルボン
酸パーフルオロアルキルチオエステル（但し、式中ｎは
３以上の整数、０≦ｊ≦５、Ｒは炭化水素基を表す。） その他の潤滑剤 ａ）一般式〔CnF2n+1（CH2）jNHCO〕iRで表されるポリ
（Ｎ−パーフルオロアルキルカルボモイル）誘導体（但
し、式中ｎは３以上の整数、ｉは２以上の整数、０≦ｊ
≦５、Ｒは炭化水素基を表す。） ｂ）一般式 で表されＸがCnF2n+1もしくはω−Ｈ−CnF2n+1,YがSHで
表されるパーフルオロアルキルチオフェノール誘導体
（但し、式中ｎは２以上の整数を表す。） 等が挙げられる。
本発明の磁気記録媒体は上述のカルボン酸塩又はスル
ホン酸塩及びフッ素系潤滑剤を潤滑剤として被着してな
るものである。
ホン酸塩及びフッ素系潤滑剤を潤滑剤として被着してな
るものである。
ここで、本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性
支持体上に磁性薄膜，カーボン保護膜を順次形成してな
るものである。また、本発明に係る磁気記録媒体におい
ては非磁性支持体と磁性薄膜との間に下地層を介した構
成としてもよい。
支持体上に磁性薄膜，カーボン保護膜を順次形成してな
るものである。また、本発明に係る磁気記録媒体におい
ては非磁性支持体と磁性薄膜との間に下地層を介した構
成としてもよい。
この場合、適用可能な金属薄膜型の磁気記録媒体の非
磁性支持体、金属磁性薄膜は何等限定されるものではな
く従来より知られるものが何れも使用できる。
磁性支持体、金属磁性薄膜は何等限定されるものではな
く従来より知られるものが何れも使用できる。
例示するならば、非磁性支持体としては、ポリエステ
ル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体ビニル系樹
脂、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカーボネート等
に代表されるような高分子材料により形成される高分子
支持体やアルミニウム合金、チタン合金等からなる金属
基板、アルミナガラス等からなるセリミックス基板、ガ
ラス基板等である。この場合非磁性支持体にアルミニウ
ム合金板やガラス板等の剛性を有する基板を使用した場
合には基板表面にアルマイト処理等の酸化皮膜やNi−Ｐ
皮膜等を形成してその表面を硬くするようにしてもよ
い。
ル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体ビニル系樹
脂、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカーボネート等
に代表されるような高分子材料により形成される高分子
支持体やアルミニウム合金、チタン合金等からなる金属
基板、アルミナガラス等からなるセリミックス基板、ガ
ラス基板等である。この場合非磁性支持体にアルミニウ
ム合金板やガラス板等の剛性を有する基板を使用した場
合には基板表面にアルマイト処理等の酸化皮膜やNi−Ｐ
皮膜等を形成してその表面を硬くするようにしてもよ
い。
金属磁性薄膜は、メッキやスパッタリング、真空蒸着
等のPVDの手法により連続膜として形成されるもので、F
e、Co、Ni等の金属やCo−Ni系合金、Co−Pt系合金、Co
−Ni−Pt系合金、Ce−Co系合金、Fe−Ni系合金、Fe−Co
−Ni系合金、Fe−Ni−Ｂ系合金、Fe−Co−Ｂ系合金、Fe
−Co−Ni−Ｂ系合金等からなる面内磁化記録金属磁性膜
や、Co−Cr系合金薄膜、Co−Ｏ系薄膜等の垂直磁化記録
金属磁性薄膜が例示される。
等のPVDの手法により連続膜として形成されるもので、F
e、Co、Ni等の金属やCo−Ni系合金、Co−Pt系合金、Co
−Ni−Pt系合金、Ce−Co系合金、Fe−Ni系合金、Fe−Co
−Ni系合金、Fe−Ni−Ｂ系合金、Fe−Co−Ｂ系合金、Fe
−Co−Ni−Ｂ系合金等からなる面内磁化記録金属磁性膜
や、Co−Cr系合金薄膜、Co−Ｏ系薄膜等の垂直磁化記録
金属磁性薄膜が例示される。
特に、面内磁化記録金属磁性薄膜の場合、予め非磁性
支持体上にBi、Sb、Sn、Ga、In、Ge、Si、Ti等の低融点
非磁性材料の下地膜を形成しておき、金属磁性材料を垂
直方向から蒸着あるいはスパッタし、金属磁性薄膜中に
これら低融点非磁性材料を拡散せしめ、配向性を解消し
て面内等方性を確保するとともに抗磁力を向上するよう
にしてもよい。
支持体上にBi、Sb、Sn、Ga、In、Ge、Si、Ti等の低融点
非磁性材料の下地膜を形成しておき、金属磁性材料を垂
直方向から蒸着あるいはスパッタし、金属磁性薄膜中に
これら低融点非磁性材料を拡散せしめ、配向性を解消し
て面内等方性を確保するとともに抗磁力を向上するよう
にしてもよい。
本発明に係る磁気記録媒体にカルボン酸塩又はスルホ
ン酸塩及びフッ素系潤滑剤からなる潤滑剤を被着させる
場合、その被着量としては0.5〜100mg/m2であることが
好ましく、１〜20mg/m2であることがより好ましい。
ン酸塩及びフッ素系潤滑剤からなる潤滑剤を被着させる
場合、その被着量としては0.5〜100mg/m2であることが
好ましく、１〜20mg/m2であることがより好ましい。
上述のカルボン酸塩又はスルボン酸塩及びフッ素系潤
滑剤からなる潤滑剤には、より厳しい条件に対処し潤滑
効果を持続させるために重量比30:70〜70:30程度の混合
比で極圧剤を添加してもよい。
滑剤からなる潤滑剤には、より厳しい条件に対処し潤滑
効果を持続させるために重量比30:70〜70:30程度の混合
比で極圧剤を添加してもよい。
極圧剤は境界潤滑領域において部分的に金属接触を生
じた時にこれに伴う摩擦熱によって金属面と反応し、反
応生成物皮膜を形成することにより摩擦・摩耗防止作用
を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系極圧剤、
ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極圧剤等
のいずれも使用できる。
じた時にこれに伴う摩擦熱によって金属面と反応し、反
応生成物皮膜を形成することにより摩擦・摩耗防止作用
を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系極圧剤、
ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極圧剤等
のいずれも使用できる。
また、上述の潤滑剤、極圧剤の他、必要に応じて防錆
剤を併用してもよい。
剤を併用してもよい。
防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体の防錆剤
として使用されるものであればいずれも使用でき、例え
ばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を
含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄
原子を含む複素環化合物等である。
として使用されるものであればいずれも使用でき、例え
ばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を
含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄
原子を含む複素環化合物等である。
防錆剤は、カルボン酸塩又はスルホン酸塩及びフッ素
系潤滑剤からなる潤滑剤と混合して用いてもよいが、二
層に分けて被着すると効果が高い。
系潤滑剤からなる潤滑剤と混合して用いてもよいが、二
層に分けて被着すると効果が高い。
高温多湿条件下では基板表面に水分が非常に多く存在
するため、良好な潤滑作用を発揮することができるカル
ボン酸塩又はスルホン酸塩からなる有機塩化合物がその
水分によって悪影響を及ぼされカーボン保護膜への吸着
能力が低下する。これを防止するために表面エネルギー
の低い、即ち揆水性の高いフッ素系潤滑剤を併用するこ
とによってカーボン保護膜に吸着している吸着基近傍の
水分の存在を減少させ有機塩化合物からなる潤滑剤の吸
着能力を保持させる。それによって高温多湿条件下であ
っても潤滑剤の能力を充分発揮させることができ、優れ
たコンタクト・スタート・ストップ耐久性を得られる。
するため、良好な潤滑作用を発揮することができるカル
ボン酸塩又はスルホン酸塩からなる有機塩化合物がその
水分によって悪影響を及ぼされカーボン保護膜への吸着
能力が低下する。これを防止するために表面エネルギー
の低い、即ち揆水性の高いフッ素系潤滑剤を併用するこ
とによってカーボン保護膜に吸着している吸着基近傍の
水分の存在を減少させ有機塩化合物からなる潤滑剤の吸
着能力を保持させる。それによって高温多湿条件下であ
っても潤滑剤の能力を充分発揮させることができ、優れ
たコンタクト・スタート・ストップ耐久性を得られる。
以下、本発明を適用した実施例について説明するが、
本発明はこの実施例に限定されるのではない。
本発明はこの実施例に限定されるのではない。
実施例１ 先ず、非磁性金属下地層として厚さ15μｍのNi−Ｐメ
ッキ層を形成したAl−Mg合金基板（厚さ1.5mm、外径95m
m、内径25mm）を容易し、このメッキ層状に圧力１×10
-5Torr、基板温度150℃条件でBiを電子ビーム蒸着して
膜厚200Åの低融点金属下地膜を形成した。
ッキ層を形成したAl−Mg合金基板（厚さ1.5mm、外径95m
m、内径25mm）を容易し、このメッキ層状に圧力１×10
-5Torr、基板温度150℃条件でBiを電子ビーム蒸着して
膜厚200Åの低融点金属下地膜を形成した。
次で、この下地膜上に同様に圧力１×10-5Torr、基板
温度150℃の条件でCoを電子ビーム蒸着し、膜厚1000Å
の金属磁性薄膜を形成しさらに真空蒸着により、この金
属磁性薄膜上にカーボン保護膜を形成した。
温度150℃の条件でCoを電子ビーム蒸着し、膜厚1000Å
の金属磁性薄膜を形成しさらに真空蒸着により、この金
属磁性薄膜上にカーボン保護膜を形成した。
最後に上記カーボ保護膜の表面にステアリン酸ナトリ
ウム塩とペンタデカフルオロオクタン酸アミドを2:1
（重量比）の割合で混合した潤滑剤（第１表中潤滑剤
Ａ）を被着してサンプルディスクを作製した。
ウム塩とペンタデカフルオロオクタン酸アミドを2:1
（重量比）の割合で混合した潤滑剤（第１表中潤滑剤
Ａ）を被着してサンプルディスクを作製した。
実施例２〜実施例14 実施例１で潤滑剤として使用したステアリン酸ナトリ
ウム塩とペンタデカフルオロオクタン酸アミドを2:1
（重量比）の割合で混合した潤滑剤（第１表中潤滑剤
Ａ）を第１表に示すように潤滑剤Ｂ〜潤滑剤Ｎに変え、
他は実施例１の同様の方法によりサンプルディスクを作
製した。
ウム塩とペンタデカフルオロオクタン酸アミドを2:1
（重量比）の割合で混合した潤滑剤（第１表中潤滑剤
Ａ）を第１表に示すように潤滑剤Ｂ〜潤滑剤Ｎに変え、
他は実施例１の同様の方法によりサンプルディスクを作
製した。
比較例１〜比較例２ 実施例１で潤滑剤として使用したステアリン酸ナトリ
ウム塩とペンタデカフルオロオクタン酸アミドを2:1
（重量比）の割合で混合した潤滑剤（第１表中潤滑剤
Ａ）を第１表に示すように潤滑剤Ｏ〜潤滑剤Ｐに変え、
他は実施例１と同様の方法によりサンプルディスクを作
製した。
ウム塩とペンタデカフルオロオクタン酸アミドを2:1
（重量比）の割合で混合した潤滑剤（第１表中潤滑剤
Ａ）を第１表に示すように潤滑剤Ｏ〜潤滑剤Ｐに変え、
他は実施例１と同様の方法によりサンプルディスクを作
製した。
第１表に実施例１〜実施例14及び比較例１〜比較例２
で使用した潤滑剤とその混合比を示す。
で使用した潤滑剤とその混合比を示す。
上述のよういにして得られた各サンプルディスクにつ
いて25℃,60％RH時の摩擦係数とCSS試験により50℃,80
％RH,20000回後の摩擦係数を調べた。その結果を第２表
に示す。
いて25℃,60％RH時の摩擦係数とCSS試験により50℃,80
％RH,20000回後の摩擦係数を調べた。その結果を第２表
に示す。
第２表より金属磁性薄膜上に形成したカーボン保護膜
にカルボン酸塩又はスルホン酸塩からなる有機塩化合物
及びフッ素系潤滑剤を混合させて得た潤滑剤を被着させ
た各サンプルディスクにあっては、高温多湿条件下であ
ってもCSS特性は常温常湿条件下とあまり変わらず優れ
たCSS耐久性を発揮している。
にカルボン酸塩又はスルホン酸塩からなる有機塩化合物
及びフッ素系潤滑剤を混合させて得た潤滑剤を被着させ
た各サンプルディスクにあっては、高温多湿条件下であ
ってもCSS特性は常温常湿条件下とあまり変わらず優れ
たCSS耐久性を発揮している。
以上の説明から明らかなように、本発明の磁気記録媒
体は、優れた潤滑効果を発揮する有機塩化合物と揆水性
に優れたフッ素系潤滑剤とを併用してカーボン保護膜上
に被着させているので高温多湿条件下においても長時間
潤滑性を保つことができる。
体は、優れた潤滑効果を発揮する有機塩化合物と揆水性
に優れたフッ素系潤滑剤とを併用してカーボン保護膜上
に被着させているので高温多湿条件下においても長時間
潤滑性を保つことができる。
したがって、本発明の磁気記録媒体は高温多湿度条件
下であっても常温常湿条件下と同様な耐久性，特にCSS
耐久性を有する優れた磁気記録媒体となる。
下であっても常温常湿条件下と同様な耐久性，特にCSS
耐久性を有する優れた磁気記録媒体となる。
第１図は本発明を適用した磁気記録媒体の一構成例を示
す要部拡大断面図である。 １……非磁性支持体 ２……磁性薄膜 ３……カーボン保護膜 ４……潤滑剤
す要部拡大断面図である。 １……非磁性支持体 ２……磁性薄膜 ３……カーボン保護膜 ４……潤滑剤
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性支持体上に磁性薄膜，カーボン保護
膜を順次形成した磁気記録媒体において、 前記カーボン保護膜にカルボン酸塩又はスルホン酸塩及
びフッ素系潤滑剤を被着させたことを特徴とする磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31522887A JP2570345B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31522887A JP2570345B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158615A JPH01158615A (ja) | 1989-06-21 |
| JP2570345B2 true JP2570345B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=18062935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31522887A Expired - Fee Related JP2570345B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570345B2 (ja) |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP31522887A patent/JP2570345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01158615A (ja) | 1989-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |