JP2566383Y2 - 電力半導体装置 - Google Patents
電力半導体装置Info
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- JP2566383Y2 JP2566383Y2 JP6868392U JP6868392U JP2566383Y2 JP 2566383 Y2 JP2566383 Y2 JP 2566383Y2 JP 6868392 U JP6868392 U JP 6868392U JP 6868392 U JP6868392 U JP 6868392U JP 2566383 Y2 JP2566383 Y2 JP 2566383Y2
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- semiconductor device
- resin
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、リードフレーム上に搭
載した電力半導体素子を樹脂封止してなる電力半導体装
置の構造に関する。
載した電力半導体素子を樹脂封止してなる電力半導体装
置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について図５乃至図７を参照
して説明する。図５及び図６は、従来の電力半導体装置
の製造工程を示す図、図７は従来例による問題点を説明
するための図であり、図５及び図７の（ａ）及び（ｂ）
はそれぞれ正面図及び側面図、図６の（ａ），（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ正面図、側面図、平面図である。従来
は、図５に示すように、素子搭載部１と、リード部２
と、タイバー接続部３とからなるリードフレーム４の前
記素子搭載部１に図示しない電力半導体素子を搭載し、
その後、図６に示すようにそれぞれの電力半導体素子を
トランスファーモールド法により樹脂封止し、次いで、
各タイバーを分割切断して単独の電力半導体装置を得て
いる。なお、図５及び図６において５は上部タイバー、
６は下部タイバー、７は封止樹脂である。
して説明する。図５及び図６は、従来の電力半導体装置
の製造工程を示す図、図７は従来例による問題点を説明
するための図であり、図５及び図７の（ａ）及び（ｂ）
はそれぞれ正面図及び側面図、図６の（ａ），（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ正面図、側面図、平面図である。従来
は、図５に示すように、素子搭載部１と、リード部２
と、タイバー接続部３とからなるリードフレーム４の前
記素子搭載部１に図示しない電力半導体素子を搭載し、
その後、図６に示すようにそれぞれの電力半導体素子を
トランスファーモールド法により樹脂封止し、次いで、
各タイバーを分割切断して単独の電力半導体装置を得て
いる。なお、図５及び図６において５は上部タイバー、
６は下部タイバー、７は封止樹脂である。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】ところで、図６に示す
樹脂封止は、図７に示すように外部の樹脂注入装置の樹
脂注入口８より樹脂７を注入して行われるが、この際、
樹脂７の流れは図７（ｂ）のＡ，Ｂのように分かれる。
図より明らかなように、リードフレーム４の下側、樹脂
薄肉部９は樹脂厚が薄くなっており、ここには樹脂７の
流れ（Ｂ）は流れ込みにくく、樹脂充填が不十分となり
外観上及び特性上問題となる場合があった。そこで、本
考案の目的は、樹脂充填の際にリードフレームの周囲に
樹脂が確実に回り込む、優れた成型性の電力半導体装置
を提供することにある。
樹脂封止は、図７に示すように外部の樹脂注入装置の樹
脂注入口８より樹脂７を注入して行われるが、この際、
樹脂７の流れは図７（ｂ）のＡ，Ｂのように分かれる。
図より明らかなように、リードフレーム４の下側、樹脂
薄肉部９は樹脂厚が薄くなっており、ここには樹脂７の
流れ（Ｂ）は流れ込みにくく、樹脂充填が不十分となり
外観上及び特性上問題となる場合があった。そこで、本
考案の目的は、樹脂充填の際にリードフレームの周囲に
樹脂が確実に回り込む、優れた成型性の電力半導体装置
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本考案は、素子搭載部と、リード部と、タイバー接続
部とからなるリードフレームに電力半導体素子を搭載、
樹脂封止してなる電力半導体装置において、前記タイバ
ー接続部に、前記電力半導体素子搭載面側へ略直角に折
曲する段差部と、該段差部に一体であってタイバーの方
向に突出する調整部とを設けてなることを特徴とする。
に本考案は、素子搭載部と、リード部と、タイバー接続
部とからなるリードフレームに電力半導体素子を搭載、
樹脂封止してなる電力半導体装置において、前記タイバ
ー接続部に、前記電力半導体素子搭載面側へ略直角に折
曲する段差部と、該段差部に一体であってタイバーの方
向に突出する調整部とを設けてなることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本考案は、上記のように、タイバー接続部に前
記電力半導体素子搭載面側へ略直角に折曲する段差部
と、該段差部に一体であってタイバーの方向に突出する
調整部とを設けているので、樹脂の流れはこの調整部お
よび段差部に当たり、従来のようにリードフレームの上
方にのみ多く流れるということなくリードフレームの周
囲に確実に回り込み、しかも段差部および調整部の形状
を変えることによってリードフレーム形状、樹脂流量等
に応じた樹脂流れの調整を行えるので、成型性に優れた
電力半導体装置を実現できる。
記電力半導体素子搭載面側へ略直角に折曲する段差部
と、該段差部に一体であってタイバーの方向に突出する
調整部とを設けているので、樹脂の流れはこの調整部お
よび段差部に当たり、従来のようにリードフレームの上
方にのみ多く流れるということなくリードフレームの周
囲に確実に回り込み、しかも段差部および調整部の形状
を変えることによってリードフレーム形状、樹脂流量等
に応じた樹脂流れの調整を行えるので、成型性に優れた
電力半導体装置を実現できる。
【０００６】
【実施例】本考案の一実施例について、図１及び図２を
参照して説明する。
参照して説明する。
【０００７】図１及び図２は、本実施例による電力半導
体装置の製造工程を示す図で、（ａ）及び（ｂ）はそれ
ぞれ、正面図及び側面図である。なお、図５乃至図７に
示す従来例と同一機能部分には同一記号を付している。
ここでは、主に従来例と異なる点について説明する。
体装置の製造工程を示す図で、（ａ）及び（ｂ）はそれ
ぞれ、正面図及び側面図である。なお、図５乃至図７に
示す従来例と同一機能部分には同一記号を付している。
ここでは、主に従来例と異なる点について説明する。
【０００８】図１に示すように、本実施例による電力半
導体装置のリードフレーム４’は、タイバー接続部３’
に電力半導体素子搭載部１側へ略直角に折曲する段差部
１０を設け、さらに、この段差部１０に一体で上部タイ
バー５の方向に突出する調整部１１を設けている。段差
部１０及び調整部１１は同じ高さとしている。この構造
により、図２に示すように、樹脂封止時の樹脂７の流れ
は、段差部１０及び調整部１１に当たりＡ’及びＢ’の
ようにリードフレーム４’の両面に略均等に流れる。
導体装置のリードフレーム４’は、タイバー接続部３’
に電力半導体素子搭載部１側へ略直角に折曲する段差部
１０を設け、さらに、この段差部１０に一体で上部タイ
バー５の方向に突出する調整部１１を設けている。段差
部１０及び調整部１１は同じ高さとしている。この構造
により、図２に示すように、樹脂封止時の樹脂７の流れ
は、段差部１０及び調整部１１に当たりＡ’及びＢ’の
ようにリードフレーム４’の両面に略均等に流れる。
【０００９】この結果、従来の樹脂封止時のようにリー
ドフレーム４’の下側、樹脂薄肉部９に樹脂７が十分に
流れ込まず未充填部が発生し外観上及び特性上問題が生
じるということはなく、高信頼性の電力半導体装置を提
供できる。
ドフレーム４’の下側、樹脂薄肉部９に樹脂７が十分に
流れ込まず未充填部が発生し外観上及び特性上問題が生
じるということはなく、高信頼性の電力半導体装置を提
供できる。
【００１０】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ、
本考案の他の実施例による電力半導体装置の正面図、側
面図及び平面図である。この実施例は、調整部１１を段
差部１０よりも表面側に深く曲げた例を示しており、裏
面側の樹脂薄肉部９に、より樹脂が流れ込む構造として
いる。
本考案の他の実施例による電力半導体装置の正面図、側
面図及び平面図である。この実施例は、調整部１１を段
差部１０よりも表面側に深く曲げた例を示しており、裏
面側の樹脂薄肉部９に、より樹脂が流れ込む構造として
いる。
【００１１】図４（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本
考案のさらに他の実施例による電力半導体装置の正面
図、側面図及び平面図である。この実施例は、タイバー
接続部３に、段差部としての調整部１１のみを表面側に
突出させた例である。例えば樹脂量が少ない場合には、
この構造によってもリードフレーム４’周囲の樹脂流れ
を均一にでき、高信頼性の電力半導体装置を提供でき
る。
考案のさらに他の実施例による電力半導体装置の正面
図、側面図及び平面図である。この実施例は、タイバー
接続部３に、段差部としての調整部１１のみを表面側に
突出させた例である。例えば樹脂量が少ない場合には、
この構造によってもリードフレーム４’周囲の樹脂流れ
を均一にでき、高信頼性の電力半導体装置を提供でき
る。
【００１２】このように、段差部および調整部の形状を
調整することにより、リードフレーム形状、樹脂流量等
に応じた樹脂流れの調整を行えるので、成型性に優れた
電力半導体装置を実現できる。
調整することにより、リードフレーム形状、樹脂流量等
に応じた樹脂流れの調整を行えるので、成型性に優れた
電力半導体装置を実現できる。
【００１３】
【考案の効果】以上説明したように本考案によれば、リ
ードフレームの周囲を均一に樹脂モールドできる樹脂成
型性に優れた高信頼性の電力半導体装置を提供できる。
ードフレームの周囲を均一に樹脂モールドできる樹脂成
型性に優れた高信頼性の電力半導体装置を提供できる。
【００１４】
【図１】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本考案の一実施
例による電力半導体装置の製造工程を示す正面図及び側
面図である。
例による電力半導体装置の製造工程を示す正面図及び側
面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本考案の一実施
例による電力半導体装置の樹脂注入状態を説明するため
の正面図及び側面図である。
例による電力半導体装置の樹脂注入状態を説明するため
の正面図及び側面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、本考案
の他の実施例による電力半導体装置の製造工程を示す正
面図、側面図及び平面図である。
の他の実施例による電力半導体装置の製造工程を示す正
面図、側面図及び平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、本考案
のさらに他の実施例による電力半導体装置の製造工程を
示す正面図、側面図及び平面図である。
のさらに他の実施例による電力半導体装置の製造工程を
示す正面図、側面図及び平面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による電
力半導体装置の製造工程を示す正面図及び側面図であ
る。
力半導体装置の製造工程を示す正面図及び側面図であ
る。
【図６】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、従来例
による電力半導体装置の正面図、側面図及び平面図であ
る。
による電力半導体装置の正面図、側面図及び平面図であ
る。
【図７】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による電
力半導体装置の樹脂注入状態を説明するための正面図及
び側面図である。
力半導体装置の樹脂注入状態を説明するための正面図及
び側面図である。
１ 素子搭載部 ２ リード部 ３’ タイバー接続部 ４’ リードフレーム １０ 段差部 １１ 調整部
Claims (1)
- 【請求項１】 素子搭載部と、リード部と、タイバー接
続部とからなるリードフレームに電力半導体素子を搭
載、樹脂封止してなる電力半導体装置において、前記タ
イバー接続部に、前記電力半導体素子搭載面側へ略直角
に折曲する段差部と、該段差部に一体であってタイバー
の方向に突出する調整部とを設けてなることを特徴とす
る電力半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6868392U JP2566383Y2 (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 電力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6868392U JP2566383Y2 (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 電力半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634248U JPH0634248U (ja) | 1994-05-06 |
| JP2566383Y2 true JP2566383Y2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=13380784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6868392U Expired - Fee Related JP2566383Y2 (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 電力半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2566383Y2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP6868392U patent/JP2566383Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634248U (ja) | 1994-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |