JP2560645B2 - 半導体装置のリード曲がり検査方法 - Google Patents
半導体装置のリード曲がり検査方法Info
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- JP2560645B2 JP2560645B2 JP6206439A JP20643994A JP2560645B2 JP 2560645 B2 JP2560645 B2 JP 2560645B2 JP 6206439 A JP6206439 A JP 6206439A JP 20643994 A JP20643994 A JP 20643994A JP 2560645 B2 JP2560645 B2 JP 2560645B2
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- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- inspection
- mask
- bending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のリード曲が
り検査方法に関し、特に検査マスクを用いた半導体装置
のリード曲がりを検査する半導体装置のリード曲り検査
方法に関する。
り検査方法に関し、特に検査マスクを用いた半導体装置
のリード曲がりを検査する半導体装置のリード曲り検査
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガルウィングリード等を有する半導体装
置はプリント基板上に表面実装により接続され電気回路
装置を形成する。プリント基板上には半導体装置の各リ
ードと面接続するため、半導体装置の各リードに合せた
位置にリード幅より少し広めのパッドが設けられてお
り、半導体装置の各リードはこれらパッド上に乗るよう
に設計されている。
置はプリント基板上に表面実装により接続され電気回路
装置を形成する。プリント基板上には半導体装置の各リ
ードと面接続するため、半導体装置の各リードに合せた
位置にリード幅より少し広めのパッドが設けられてお
り、半導体装置の各リードはこれらパッド上に乗るよう
に設計されている。
【０００３】４辺にリードを有する半導体装置の場合、
４辺の全リードが相対的位置関係にあり、一般的な半導
体装置のリード曲がり規格は、各リードの存在許容範囲
として設定されている。
４辺の全リードが相対的位置関係にあり、一般的な半導
体装置のリード曲がり規格は、各リードの存在許容範囲
として設定されている。
【０００４】従来の半導体装置リード曲がり検査方法を
示す図３を参照すると、この簡易な検査方法は画像認識
およびレーザ走査により半導体装置各リードの両側位置
を認識し、各リードの両側の位置の値からリード中心値
を求め隣接するリードピッチを求めていた。
示す図３を参照すると、この簡易な検査方法は画像認識
およびレーザ走査により半導体装置各リードの両側位置
を認識し、各リードの両側の位置の値からリード中心値
を求め隣接するリードピッチを求めていた。
【０００５】リード両側位置の認識は光量によって変動
するためリード中心値に変換することで精度を上げてい
る。そして、測定によって得られたリードピッチの値と
予め設定しておいた値を比較し判別手段としている。ま
た、マスクを用いた他の従来の半導体装置リード曲がり
検査方法は、例えば特開昭６３−２２６１２号公報に開
示されている。
するためリード中心値に変換することで精度を上げてい
る。そして、測定によって得られたリードピッチの値と
予め設定しておいた値を比較し判別手段としている。ま
た、マスクを用いた他の従来の半導体装置リード曲がり
検査方法は、例えば特開昭６３−２２６１２号公報に開
示されている。
【０００６】この検査方法の構成を示す図４を参照する
と、この検査方法は、リードパターンを基準マスク用イ
メージマスクとし被試験リード部と重ねてピッチ方向に
移動させ照光走査し、得られた透過総光量（図５参照）
の変化により、リード曲がりを判別する判別手段とを有
している。
と、この検査方法は、リードパターンを基準マスク用イ
メージマスクとし被試験リード部と重ねてピッチ方向に
移動させ照光走査し、得られた透過総光量（図５参照）
の変化により、リード曲がりを判別する判別手段とを有
している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リードピッチを判別手段とするリード曲がり検査方法
は、リード幅を考慮していないためリード幅を含めるリ
ード存在許容範囲規格には対応が困難である。
リードピッチを判別手段とするリード曲がり検査方法
は、リード幅を考慮していないためリード幅を含めるリ
ード存在許容範囲規格には対応が困難である。
【０００８】つまり、規格内でリード幅が太い時はリー
ド曲がり量が小さく制限され、逆に、規格内でリード幅
が細い時はリード曲がり量が比較的大きくても許される
ことになる。半導体装置のリードピッチが狭くなるにつ
れ、リード幅の製造バラツキがリード曲がり規格に比べ
無視できない値となっている。一般的に０．５ｍｍリー
ドピッチの場合リード幅の公差が±０．０６ｍｍ程度に
対してリード幅が中心値で作られている時のリード曲が
り量は±０．０９ｍｍ程度が要求されている。また、測
定の基準点がないため半導体装置辺間の相対的位置関係
が認識できない問題点があった。
ド曲がり量が小さく制限され、逆に、規格内でリード幅
が細い時はリード曲がり量が比較的大きくても許される
ことになる。半導体装置のリードピッチが狭くなるにつ
れ、リード幅の製造バラツキがリード曲がり規格に比べ
無視できない値となっている。一般的に０．５ｍｍリー
ドピッチの場合リード幅の公差が±０．０６ｍｍ程度に
対してリード幅が中心値で作られている時のリード曲が
り量は±０．０９ｍｍ程度が要求されている。また、測
定の基準点がないため半導体装置辺間の相対的位置関係
が認識できない問題点があった。
【０００９】また、特開昭６３−２２６１２号公報に開
示されるマスクを用いた他の従来のリード曲がり検査方
法は、リード曲がりを透過総光量で見ているため半導体
装置の一辺内で２リード以上が同時に曲がっている場
合、各リードの曲がり量が把握できないためリード曲り
の判別を誤ってしまう問題がある。
示されるマスクを用いた他の従来のリード曲がり検査方
法は、リード曲がりを透過総光量で見ているため半導体
装置の一辺内で２リード以上が同時に曲がっている場
合、各リードの曲がり量が把握できないためリード曲り
の判別を誤ってしまう問題がある。
【００１０】また、リードピッチ判別と同様に測定の基
準点がないため半導体辺間の相対的位置関係が認識でき
ないため、各リードが相対的位置関係にあるリード存在
許容範囲の規格には対応できない問題があった。
準点がないため半導体辺間の相対的位置関係が認識でき
ないため、各リードが相対的位置関係にあるリード存在
許容範囲の規格には対応できない問題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のリ
ード曲がり検査方法は、ガルウィングリードまたはスト
レートリードをその辺に有する半導体装置の前記ガルウ
ィングリードまたは前記ストレートリードのリード曲り
を検出する半導体装置のリード曲がり検査方法におい
て、前記半導体装置の各リードの存在不可範囲に対応し
て開口された開口部を有する検査マスクと被検査の前記
半導体装置の前記リードとを重ねる重ね合わせ工程と、
この重ね合わせ工程の後照光して前記検査マスクの前記
開口部から得られた画像を認識する画像認識工程と、前
記画像が前記半導体装置の前記リードが前記検査マスク
の前記開孔部から消えるように前記半導体装置と前記検
査マスクとの相対位置を移動する移動工程と、前記画像
認識工程で前記検査マスクの前記開口部から前記半導体
装置の前記リードの全てが消える画像を認識したら前記
半導体装置を良品と判定する判定工程とを有している。
ード曲がり検査方法は、ガルウィングリードまたはスト
レートリードをその辺に有する半導体装置の前記ガルウ
ィングリードまたは前記ストレートリードのリード曲り
を検出する半導体装置のリード曲がり検査方法におい
て、前記半導体装置の各リードの存在不可範囲に対応し
て開口された開口部を有する検査マスクと被検査の前記
半導体装置の前記リードとを重ねる重ね合わせ工程と、
この重ね合わせ工程の後照光して前記検査マスクの前記
開口部から得られた画像を認識する画像認識工程と、前
記画像が前記半導体装置の前記リードが前記検査マスク
の前記開孔部から消えるように前記半導体装置と前記検
査マスクとの相対位置を移動する移動工程と、前記画像
認識工程で前記検査マスクの前記開口部から前記半導体
装置の前記リードの全てが消える画像を認識したら前記
半導体装置を良品と判定する判定工程とを有している。
【００１２】また、本発明の半導体装置のリード曲がり
検査法方法は、前記検査マスクに液晶によるシャッター
マスクを用いて半導体装置のリード曲がりを検査するこ
とを含んでいる。
検査法方法は、前記検査マスクに液晶によるシャッター
マスクを用いて半導体装置のリード曲がりを検査するこ
とを含んでいる。
【００１３】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１４】図１（ａ）は本発明の一実施例の半導体装
置のリード曲がり検査方法に係る検査装置の構成を示す
ブロック図、図１（ｂ）は半導体装置の平面図、図１
（ｃ）は検査マスクの平面図、図１（ｄ）は半導体装置
と検査マスクを重ねた時の平面図を示す。図２は半導体
装置と検査マスクの調整動作説明図を示す。
置のリード曲がり検査方法に係る検査装置の構成を示す
ブロック図、図１（ｂ）は半導体装置の平面図、図１
（ｃ）は検査マスクの平面図、図１（ｄ）は半導体装置
と検査マスクを重ねた時の平面図を示す。図２は半導体
装置と検査マスクの調整動作説明図を示す。
【００１５】図１（ａ）を参照すると、本発明の一実施
例の半導体装置のリード曲がり検査方法は、被試験半導
体装置１が検査装置のステージ３に置かれる。この半導
体装置はステージ３に設けられたガイド４によって位置
決めされる。さらに、半導体装置１のリード２は検査マ
スク５の開口部１３のどの部分に存在するかカメラ７で
撮影され画像認識装置８によって認識される。図１
（ｃ）に示す検査マスク５の開口部１３からリード２の
像が消えるように検査マスク５をｘ軸方向，ｙ軸方向，
θ軸方向に移動する。
例の半導体装置のリード曲がり検査方法は、被試験半導
体装置１が検査装置のステージ３に置かれる。この半導
体装置はステージ３に設けられたガイド４によって位置
決めされる。さらに、半導体装置１のリード２は検査マ
スク５の開口部１３のどの部分に存在するかカメラ７で
撮影され画像認識装置８によって認識される。図１
（ｃ）に示す検査マスク５の開口部１３からリード２の
像が消えるように検査マスク５をｘ軸方向，ｙ軸方向，
θ軸方向に移動する。
【００１６】この様子を示す図２（ａ）を参照すると、
半導体装置１の上部側リード２が左へズレているため検
査用マスクをｘ軸方向またはθ軸方向に移動する（図２
（ｂ）参照）。
半導体装置１の上部側リード２が左へズレているため検
査用マスクをｘ軸方向またはθ軸方向に移動する（図２
（ｂ）参照）。
【００１７】次に、検査マスク開口部Ｂからリード２の
像が消えた時点でその半導体装置が良品として判定され
る（図１（ｄ）参照）。
像が消えた時点でその半導体装置が良品として判定され
る（図１（ｄ）参照）。
【００１８】検査マスク５のｘ軸，ｙ軸およびθ軸のそ
れぞれ調整回数は任意に設定され、回数を多くすること
により規格限界近くのリード曲がり判別精度が向上す
る。また、リード存在不可範囲である検査マスク開口部
からリード２の像が消えない限り良品とならないため不
良品が良品判定となることはほとんどない。
れぞれ調整回数は任意に設定され、回数を多くすること
により規格限界近くのリード曲がり判別精度が向上す
る。また、リード存在不可範囲である検査マスク開口部
からリード２の像が消えない限り良品とならないため不
良品が良品判定となることはほとんどない。
【００１９】次に、本発明の他の実施例について説明す
ると、本発明の他の実施例の半導体装置のリード曲り検
査方法に係る検査マスクに液晶によるシャッターマスク
を用いることによってステージ，検査マスクの治具交換
が不要となる。このときの半導体装置のリード曲り検査
法方法は上述した本発明の一実施例の半導体装置のリー
ド曲り検査方法と同様なので、その詳細な説明は省略す
る。
ると、本発明の他の実施例の半導体装置のリード曲り検
査方法に係る検査マスクに液晶によるシャッターマスク
を用いることによってステージ，検査マスクの治具交換
が不要となる。このときの半導体装置のリード曲り検査
法方法は上述した本発明の一実施例の半導体装置のリー
ド曲り検査方法と同様なので、その詳細な説明は省略す
る。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は半導体装置
リードに要求されるリード存在許容範囲規格をリード存
在不可範囲に代え検査マスクの開口部寸法として検査を
行うため、リード幅のバラツキに関係なくリード存在許
容範囲からはみ出したリードつまり存在不可範囲に入っ
たリードとしてリード曲がりの検査が可能であり、また
半導体装置リードの位置に対応した２次元の検査マスク
を使用しているため、４辺にリードを持つ半導体装置も
４辺の相対的な位置を保ちながらリード曲がりの検査が
可能という効果を有する。
リードに要求されるリード存在許容範囲規格をリード存
在不可範囲に代え検査マスクの開口部寸法として検査を
行うため、リード幅のバラツキに関係なくリード存在許
容範囲からはみ出したリードつまり存在不可範囲に入っ
たリードとしてリード曲がりの検査が可能であり、また
半導体装置リードの位置に対応した２次元の検査マスク
を使用しているため、４辺にリードを持つ半導体装置も
４辺の相対的な位置を保ちながらリード曲がりの検査が
可能という効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置のリード曲り検
査方法を説明する図であり、（ａ）は本発明の一実施例
の半導体装置のリード曲り検査方法に係る検査装置の構
成を示すブロック図であり、（ｂ）は半導体装置の平面
図であり、（ｃ）は検査マスクの平面図であり、（ｄ）
は半導体装置と検査マスクを重ねた時の平面図を示す。
査方法を説明する図であり、（ａ）は本発明の一実施例
の半導体装置のリード曲り検査方法に係る検査装置の構
成を示すブロック図であり、（ｂ）は半導体装置の平面
図であり、（ｃ）は検査マスクの平面図であり、（ｄ）
は半導体装置と検査マスクを重ねた時の平面図を示す。
【図２】本発明の一実施例の半導体装置のリード曲りの
検査方法の半導体装置と検査マスクの調整動作を説明す
る図である。
検査方法の半導体装置と検査マスクの調整動作を説明す
る図である。
【図３】従来の簡易な検査方法を示す平面図である。
【図４】従来のマスクによる半導体装置のリード曲り検
査方法に係る検査装置のブロック図を示す図である。
査方法に係る検査装置のブロック図を示す図である。
【図５】図４に示すマスク検査装置に得られた透過総光
量のデータを示す図である。
量のデータを示す図である。
１ 半導体装置 ２ リード ３ ステージ ４ ガイド ５ 検査用マスク ６ 光源 ７ カメラ ８ 画像認識装置 ９ 駆動モーター １０ 駆動制御部 １１ パソコン １２ リード存在許容範囲 １３ 検査用マスク開口部 １４ 受光素子 １５ 波形成形部
Claims (2)
- 【請求項１】 ガルウィングリードまたはストレートリ
ードをその辺に有する半導体装置の前記ガルウィングリ
ードまたは前記ストレートリードのリード曲りを検出す
る半導体装置のリード曲がり検査方法において、前記半
導体装置の各リードの存在不可範囲に対応して開口され
た開口部を有する検査マスクと被検査の前記半導体装置
の前記リードとを重ねる重ね合わせ工程と、この重ね合
わせ工程の後照光して前記検査マスクの前記開口部から
得られた画像を認識する画像認識工程と、前記画像が前
記半導体装置の前記リードが前記検査マスクの前記開孔
部から消えるように前記半導体装置と前記検査マスクと
の相対位置を移動する移動工程と、前記画像認識工程で
前記検査マスクの前記開口部から前記半導体装置の前記
リードの全てが消える画像を認識したら前記半導体装置
を良品と判定する判定工程とを有することを特徴とする
半導体装置のリード曲がり検査方法。 - 【請求項２】 前記検査マスクに液晶によるシャッター
マスクを用いて半導体装置のリード曲がりを検査するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置のリード曲が
り検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6206439A JP2560645B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置のリード曲がり検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6206439A JP2560645B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置のリード曲がり検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0868615A JPH0868615A (ja) | 1996-03-12 |
| JP2560645B2 true JP2560645B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=16523402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6206439A Expired - Lifetime JP2560645B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置のリード曲がり検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560645B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007047272A1 (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Delta Design, Inc. | Camera based pin grid array (pga) inspection system with pin base mask and low angle lighting |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6206439A patent/JP2560645B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0868615A (ja) | 1996-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960723 |