JPH0328744A - プリント基板のパターン検査方法 - Google Patents

プリント基板のパターン検査方法

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JPH0328744A
JPH0328744A JP1164330A JP16433089A JPH0328744A JP H0328744 A JPH0328744 A JP H0328744A JP 1164330 A JP1164330 A JP 1164330A JP 16433089 A JP16433089 A JP 16433089A JP H0328744 A JPH0328744 A JP H0328744A
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Japan
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hole
pattern
enlarged
printed circuit
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JP1164330A
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English (en)
Inventor
Takao Kanai
孝夫 金井
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Priority to KR1019900004291A priority patent/KR920008287B1/ko
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ブリン1・基板のパターン検査方法、特に
配線パターンとスルーホール(ミニバイアホールを含む
)との相対的な位置ズレの良否を判定する検査方法に関
する。
〔従来の技術〕 電子部品の小形軽量化,高性能化に伴なって、プリント
基板回路のパターンも微細化.高密度化が進んでおり、
パターンの細線化,スルーホールの小径化か要求されて
いる。特に、多層基板の導通用スルーホールとしては、
過去の0.8mm径から、さらに小径化された0,5帥
〜0、1祁径のミニバイアホールと呼ばれるスルーホー
ルが、現在用いられている。
スルーホールの小径化に伴い、スルーホールのメッキ技
術、ドリル加工、信頼性検査などの各方面において新し
い技術が望まれる。
一般に、ドリル加工は、フォトエッチングプロセスに比
べて精度が悪く、スルーホールがパターンからずれるこ
とが多い。また、殖版の際に生じるフォl・マスクの位
置合わせ誤差により、スルーホールがパターンからずれ
る場合もある。0.8mm径程度のスルーホールにおい
ては、その周囲に充分大きなランドが設けられており、
7、ルーホールの多少の位置ずれが起きても、基板の電
気的信頼性への影響は軽微であった。
しかし、スルーホールの小径化が進むと、ランドも小さ
くなり、ドリル加工において、ランド内に確実にスルー
ホール用の穴を設ける精度が保証されなくなってきた。
そのため、穴の位置ずれによるプリント基板の電気的信
頼性の低下が問題となり、スルーホールの穴の位置ずれ
検査の重要性が増大ずる。
穴の位置ずれ検査においては、電気式検査および外観検
査の両面からのアプローチが必要となる。
外観検査においては、メッキのクラックからの漏洩光を
検出する方式の検査機が知られているが、基板の高多層
化が進むにつれて、様々な課題が指摘されている。また
、スルーホールとパターンとの相対的な位置ずれによっ
て生じるパターン切れの検査に幻しては、適用できない
第1. O A図,第10B図は、ランドRとスルーホ
ールHとの相対的位置関係を示す図である。第10A図
において、ランドRの中心にスルーホールHの中心Oが
一致しており、良好なパターンとなっている。第1− 
O B図においては、ランドRの中心とスルーホールH
の中心Oがずれており、スルーホールHの一部が、ラン
ドRの外側に突出している。この突出部分の大きさは開
口角θによって求められる。開口角θが所定の基準より
大きい時には、そのパターン切れは不良と判定される。
第1 1. A図,第1−1B図は、配線パターンの直
線部PLとスルーホールHとの相対的位置関係を示す図
である。第1. I A図において直線部PLの中心線
CL上にスルーホールの中心Oが配置されており、良好
なパターンとなっている。第11B図においては、中心
線CLと中心Oがずれており、スルーホールHの一部が
直線部P. Lの外側に突出している。この突出部分の
大きさは、やはり開口角θによって求められ、開口角θ
が所定の基準より大きい時には、そのパターン切れは不
良と判定される。
以上のように、開口角θを求めることによって、パター
ン切れの良否を判定することができるが、従来の多くの
検査においては、拡大レンズ等を使用した目視によって
この判定を行っていた。
また、判定の自動化を意図する際には、スルーホールや
配線パターンのイ・メージを疋確に読み取5 6 る必要かあるが、スルーホールHの開口縁部には光学的
反射特性が一定でない、がたつきや、傾斜部が存在して
おり、スルーホールやランドのイメジを正確に2値化す
ることが困難であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のように、従来のプリント基板のパターン検査方法
においては、人間の目視に頼るため、検査者の主観によ
る判定基準の不統一や、検査能率が悪いという問題点が
あった。
また、検査の自動化を意図する技術においては、スルー
ホールの開口縁部の2値化が困難であり、正確な開口角
判定が困難であるという問題点があった。
〔発明の目的〕
この発明は、以上のような事情を考慮してなされたもの
であり、プリント基板のパターンの検査の自動化を可能
にするとともに、正確な開目角判定が行えるプリント基
板のパターン検査方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る第1の構成のブリン1・基板のパターン
検査方法は、ブリンl・基板を光電走査して、画素ごと
に読取った画像データに基づいて、プリン1・基板上の
配線パターンとスルーホールとの間の相対的位置関係を
判定する、プリンI・基板のパターン検査方法であって
、まず、読取った画像データに基づいて、配線パターン
を示すパターンイメージと、スルーホールを示すホール
イメージとを求める。
次に、パターンイメージおよびホールイメージの少なく
とも一方に拡大処理を施して、対応する拡大パターンイ
メージおよび拡大ホールイメージの少なくとも一方を求
める。
この拡大処理に対応する、拡大パターンイメージと拡大
ホールイメージとの間、拡大パターンイメージとホール
イメージとの間、およびパターンイメージと拡大ホール
イメージとの間のいずれか1つのイメージ相互間の空間
的関係に基づいて、イメージ間の重なり領域を求める。
さらに、所定の放射状オペレータの放射中心を、重なり
領域の各画素に順次に位置合わせしつつ、放躬状オペレ
ータを重なり領域に作用させ、その作用結果に基づいて
、重なり領域の端点の位置を求める。
また、ホールイメージまたは拡大ホールイメジの中心位
置を求め、不連続点の位置と中心位置とに基づいてパタ
ーンイメージの開口部の角度を求める。
そして、開口部の角度と所定の′P11定基準角度とを
比較して、相対的位置関係を1′リ定するものである。
また、この発明に係る第2の構或のプリン1・基板のパ
ターン検査方法は、ホールイメージに第1の拡大処理を
施して第1の拡大ホールイメージを求め、ホールイメー
ジに第1の拡大処理とは拡大率の異なる第2の拡大処理
を施して第2の拡大ホールイメージを求める。
そして、第1の拡大ホールイメージと第2の拡大ホール
イメージとの差分に相当するリング状のイメージを求め
、拡大パターンイメージとリング状のイメージとの間の
重なり領域を求めるものである。
〔作用〕
この発明における放射状オペレータは、重なり領域の端
点の位置を検出する。その不連続点の位置とホールイメ
ージまたは拡大ホールイメージの中心位置とに基づいて
、パターンイメージの開口部の角度が求められる。
〔実施例〕
A.全体構或と概略動作 第2図は、この発明の一実施例を適用するパターン検査
装置の全体構或を示すブロック図である。
ステージ10上には、検査対象となるプリント基板1]
が配置される。プリント基板11は、ライン方向Xごと
に、そのイメージを読取装置20によって読みとられな
がら、搬送方向Yに送られる。読取装置20は、数千素
子を有するCCD複数個をライン方向Xに直列配列した
ものであり、画素ごとにプリント基板11のパターンを
読み取る。読み取られた画像データは、2値化回路21
9 10 a,2]bに送られる。2値化回路21aは、後述する
ホールイメージ原信号Hisoを生威し、2値化回路2
lbは後述するパターンイメージ原信号PIS  を生
成する。信号HIS  ,PIS00 0は共に、スルーホール検査回路3oに人刀される。
スルーホール検査回路30は、後述する機能を有し、ス
ルーホールと配線パターン(ランドを含む)との相対的
位置関係を検査し、その結果を中央演算装置(MPUま
たはCPU)50にちぇる。
MPU50は、制御系51を介して、装置全体を制御す
る。制御系51は、スルーホール検査回路30において
得られたデータのアドレスを特定するためのX−Yアド
レスなどを生成する。また、このX−Yアドレスをステ
ージ駆動系52にもijえて、ステージ10の搬送機構
を制御する。
C R T 6 0 i;1、MPU50からの指令を
受けて、各種の演算結果、例えばホールイメージなどを
表示する。キーボード70は、MPU50に対して種々
の命令を入力するために用いられる。
オプション部80には、欠陥確認装置81,欠陥品除去
装置82および欠陥位置マーキング装置83などが配置
される。欠陥確認装置81は、検出された欠陥を、例え
ばC R T J:に拡大して表示するための装置であ
る。また、欠陥品除去装置82は、欠陥を有するプリン
ト基板11を検出したら、そのプリン1・基板11を不
良品用l・レーなどに搬送するための装置である。また
、欠陥位置マーキング装置83は、プリント基板1]上
の欠陥部分に直接、または、その部分に該当するシー1
・上の点にマーキングを行うための装置である。これら
の装置は必要に応じて取り付けられる。
B.読取り光学系 第3図は、第2図に示すステージ10,プリント基板1
1および読取装置20などによって構威される読取り光
学系の一例を示す図である。
第3図において、光源22からの光は、ハーフミラー2
3で反射されてステージ10上のプリント基板11上に
照射される。ブリン1・基板11上には、下地となるベ
ースB,配線パターンP ス11 1 2 ルーホールHおよびそのまわりのランドRが存(1三す
る。プリント基板11−からの反射光はハーフミラー2
3を通過し、さらにレンズ25を介して、読取装置20
内に設けられたCCD24に入射される。CCD24は
、搬送方向Yに送られるプリント基板1]上のベースB
,配線パターンP スルーホールH,ランドRなどから
の反.!11光を線順次に読取っていく。
第4A図は第3図のA−A’線において読み取られた信
号波形を示すグラフであり、第4B図は第3図の装置に
よって読取られたA−A’線{=1近の信号波形を合威
して得られるパターンの一例を示す図である。
第4A図に示すように、ベースBにおいては反射光は比
較的少く、閾値THI,TH2 (THI<TH2)の
間のレベルの信号が生威される。ランドRは、銅などの
金属によって形威されているので、この部分での反射光
は多く、閾値TH2以上のレベルの信号が生威される。
なお、配線パタンPにおいても、同じレベルの信号が生
成される。また、スルーホールHにおいては、反射光は
ほとんど無く、閾値THI以下のレベルの信号が生威さ
れる。さらに、通常スルーホールHとランドRとの間に
は、穴あけ時に形威されるエッジ(開口縁部)Eが存在
する。この部分にはガタつきや傾斜か存在し、この部分
での反射光レベルは、特に一定の値を取らないが、ほぼ
閾値THIと閾値TH2との間にある。
第4B図は、以上のようにして、読み取られたA−A’
線付近のパターンを示す図である。読取装置20からの
信号は、2値化回路2].a2]bにおいて、例えば閾
値THE.  TH2をそれぞれ用いて2値化される。
2値化回路21aは、スルーホールHを示すホールイメ
ージHlを生成し、2値化回路2lbはランドRおよび
配線パターンPを示すパターンイメージPIを生成する
。この2つのイメージHl,PIが、後述する処理に必
要な信号として用いられる。ベースB エッジEは特に
2値化されないが、エッジEは、ランドRとスルーホー
ルHとの間の領域として認識される13 ] 4 ので、ランドRとスルーホールHとの相対的位置関係を
把握する際には、すきま領域となるエッジEの処理が重
要となる。
第5図は、読取光学系の他の例を示す図である。
光源22aからの光は、第3図に示す例と同碌に、反射
光としてハーフミラー23およびレンズ25を介して読
取装置20内のCCD24上に照射される。この例にお
いては、さらにステージ1oの裏側に光源22bが備え
られており、スルーホールHを通過した光もCCD24
上に照射される。
従って、スルーホールHにおいて、信号レベルか最も高
く、ランドR,配線パターンPにおいて、信号レベルが
中程度、ベースBおよびエッジEにおいて信号レベルが
比較的低くなる。
さらに、他の例として、CCD24を2列以上用意し、
光源22aによって、ランドRおよび配線パターンPを
検出し、光源22bによってスルホールHのみを検出し
、それらのデータを別々に後段の2値化回路に出力する
ように構成してもよい。
C,スルーホール検査回路 第1A図は、第2図に示すスルーホール検査回路30の
内部構成を示すブロック図であり、第1B図は、第1A
図に示す回路で行われるプリント基板のパターン検査方
法の処理手順を示すフロチャーl・てある。
第2図の2値化回路21.a,2lbで生威されたホー
ルイメージ原信号HIS  ,パターンイメ0 ジ原信号PISoは、図示しないノイズフィルタに与え
られる。ノイズフィルタは平滑化処理などを行ってノイ
ズを除去し、ホールイメージ信号His,パターンイメ
ージ信号PISを生成する。
ホールイメージ信号HISおよびパターンイメジ信号P
ISは、タイミング調整回路31に入力され、そこで後
述する円認識などの演算による遅延を補正するためのタ
イミング調整を受ける。以上の処理と前述した2値化処
理とが第1B図のステップS ]. ]に対応する。
ホールイメージ信号HISは、拡大処理回路32に与え
られる。拡大処理回路32では、ホール1 5 1 6 イメージ信号HISに基づいて元のホールイメジHlを
n段拡大した拡大ホールイメージHloを生成する。こ
の拡大処理は、例えば1段拡大するたびに元の拡大部の
」二下,左右及び斜め方向のそれぞれ1画素を新たな拡
大部とする空間フィル夕によって実行される。拡大をく
り返すと元のイメージHlの欠陥部分の全体像によめる
割合が低下し、図形の形状が整ったものとなる。この処
理は第1B図のステップS 1 2に対応ずる。
パターンイメージ信号PISは、この{広大処理に対応
した遅延時間をタイミング調整回路33て与えられて、
アンド回路34に入力される。アンド回路34には拡大
ホールイメージHl  を示すn 信号も人力され、パターンイメージPIと拡大ホールイ
メージHl  との重なり領域に対応ずる重n なり領域イメージ信号WISを生威する。
第6A図は、正常なスルーホールに対応する重なり領域
WRを模式的に示す図である。前述した第4B図に示す
ように、スルーホールHと、ランドRとの間には、2値
化されない領域としてエツジEが存在したが、ホールイ
メージHlの拡大処理によって、エッジEは内側から縮
退していく。
なお、パターンイメージPIを拡大すると、エッジEは
外側から縮退していく。拡大段数nを、エッジEの最大
幅に対応した所定段数以上に設定すると、第6A図に示
すような拡大イメージにおいてはエッジEか認められず
、代りに重なり領域WRが生威される。
第6B図は、位置ずれを有するスルーホールに対応する
重なり領域WRを模式的に示す図である。
重なり領域WRは、スルーホールの位置ずれのために円
弧状の形状となり、パターン切れの端点てある不連続点
Ql,Q2を有する。なお、以」二の処理は第1B図の
ステップS ]. 3に対応している。
第IA図において、重なり領域イメージ信号WISはラ
インメモリ35に与えられ、2次元平面上の各画素に対
応して再構成される。さらに、再構戊されたデータは不
連続点検出回路36にrj.えられ、以下に示すように
放射状のオペレータによって不連続点が検出される。
1 7 1 8 第7図は、不連続点の検出の様子を示す図である。不連
続点検出回路36内のメモリには、例えば第7図に示す
ような、ライン方向X,搬送方向Yに平行な1 1 X
 1 ]の行列状の画素によって構威される領域ARに
対応ずるメモリ空間が設定され、苅応する各画素のデー
タがZEJえられる。ラインメモリ35および不連続点
検出同路36は、9f1域ARに対応するだけのメモリ
空間を持てば良いので、比較的小さい容量のメモリによ
って構威できる。領域ARにおいては放射状のオペレー
タが定義されており、その放射状のオペレータは、例え
ば搬送方向Yに対してo0から315°まで45″刻み
の角度を有するオペレータoPo−oP7によって構成
される。
第7図において、゛放I1状のオペレータの放射[1心
である領域ARの中央の画素と、重なり領域WRの端点
てある不連続点Q1とが一致しているので、重なり領域
WRとオペレータoP1との論理積図形がオペレータO
P1と一致しており、かつ重なり領域WRと逆方向のオ
ペレータoP5との論理積図形が領域ARの中央の画素
だけとなる。
また、中央の画素と重なり領域WRの端点てある不連続
点とが一致していない場合には、重なり領域WRとオペ
レータOPとの論理積図形を求めても上記のような関係
が得られない。そのため、以上のような処理を重なり領
域WRの各画素に対して行なえば、中央の画素と不連続
点との一致が検出でき、その時の中央の画素の座標情報
によって不連続点の座標情報が与えられる。
なお、放射状のオペレータの各オペレータoPの間に重
なり領域WRが位置し、不連続点を検出しにくい場合に
は、放射状のオペレータの各オペレータOPの数を増や
したり、拡大段数nを大きくして重なり領域WRの幅を
大きくしたりすればよい。
以上のように重なり領域WRの画素に対して放fA=)
状オペレータを適川して不連続点を検出したら、不連続
点検出回路36はバッファメモリ37に能動化バルスE
NIをちえる。不連続点検出回路36はX座標生成回路
38,Y座標生戊回路39か1 9 2 0 ら領域ARの中央の画素に対応ずるX座標およびY座標
を順次与えられている。能動化バルスEN1を与えられ
た時には、中央の画素と不連続点とが一致しているので
、その時の中央の画素のX座標およびY座標を不連続点
の座標情報として記憶する。
また、不連続点検出回路36は能動化バルスEN1とと
もに、その時の重なり領域WRの方向のオペレータOP
の認識コードをバッファメモリ37に与える。以上の処
理を重なり領域WR全体に対して行い、全ての不連続点
の座標情報および対応するオペレータOPの認識コード
を検出する。
第6B図に示す重なり領域WRにおいては、不連続点Q
1の座標情報と対応ずるオペレータOP1の認識コード
および不連続点Q2の座標情報と対応するオペレータO
P4の認識コードが求められる。オペレータOPlの認
識コードによって不連続点Q1の右上の方向に重なり領
域WRか存在し、オペレータOP4の認識コートによっ
て不連続点Q2の右下の方向に重なり領域WRが存在す
ることが把握される。このようにして、不連続点Q].
,Q2と重なり領域WRとの相対的位置関係が認識され
る。なお、不連続点Q].,Q2の座標情報は後述する
開口角の計算に用いられる。以上の処理は第1B図のス
テップS ]− 4に対応する。
一方、ホールイメージ信号HISは円認識・中心位置検
出回路40にも与えられる。円認識・中心位置検出回路
40は、X座標生成回路38,Y座標生戊回路39から
X座標およびY座標を順次与えられており、ホールイメ
ージ信号HISによって円認識を行なった際には、その
ホールの中心位置のX座標X およびY座標Y。を訓算
する。
0 そして、バッファメモリ41に能動化パルスEN2を与
えることにより、中心位置の座標(Xo,Yo)をバッ
ファメモリ41に書き込む。
円認識の方法としては、例えば走査線によってホールを
2分割し、その分割されたそれぞれの領域の面積が等し
くなった時の走査線を、そのホルの中心線とする手法が
ある。また中心位置は、例えばその中心線とホールとの
2つの交点を求め、21 2 2 その2つの交点の座標を平均することによってIJえら
れる。テ.{お、これらの111認識および中心(立i
i’+:検出の算出原理は、例えば特開昭63−153
74号公報なとに開示されている。また、以1二の処理
は第1B図のスデップS ]. 5に対応している。
第8図は、開口角θの算出の碌子を示ず図てある。バソ
フγメモリ37に保持される不連続点Q1の座標(X,
Y1),不連続点Q2の座標1 (X,Y’)およびハッファメモリ41に保持22 される中心位置の座標(,X,Yo)は乗除1?ハ0 1・回路42およびM I’ U 4うに!jえられる
。乗除Dハ−ドI川路42およびM P U 4 3は
、例えばIζ記の式のような演算を行なって、fail
 n ffl Oを騨出する。なお乗除算ハード同路4
2はM P U 4. 3での演算を軽減するための同
路であり、特に乗除算を高速に行なうように構威されて
いる。
プこ tこ し 、  (〕 ≦ θ  ≦ πなお、
開L1角θが、0≦θ≦πの範囲にあるということは、
不連続点Q1.,Q2のそれぞれに対応ずるオペレータ
OPと中心位置との間の相対的位置関係によって上記の
算出の前にNil定できる。
開1−1角θが、π〈θの範囲にあると判定された場合
には、ド記の式を用いる。
ただし、πくθ このようにし7て開口角θか求まったら、その値を所定
のメモリに記憶しておく。開[1部が複数ある時には、
その複数の開口部について開「1角θを積算し7、全体
の開11角を求める。以」一の処即は第1B図のスデッ
プS 1 6に対応ずる。
求められた開r−’I I’Ijθは、人出力同路(1
/O)44にljえられる。I/044には予め設定さ
れた判定基準角度Aもりえられ、開口角’I’l1定か
i丁なわれる。開口角θか判定基準角度Aよりも小さい
場含には、Ii)i I’−.’i角判定信号ASは良
好O Kとなり、2′3 2 4 開I」角θが判定Mlt角度Aよりも大きい場合には、
開「1角’I’ll定信q A S t−t不良NGと
なる。不良N Gとil+定されたホールの中心座標は
、出力,表示されて、後工程のril +N.検査など
のために利用される。
また、この良好/不良( O K / N G )を表
ず開l−1角判定信号ASは、l/044から図示し、
ない後段の回路にj−j−えられ、不良裁板の選別なと
の処理に用いられる。以上の処即は第1B図のステップ
S]7に対応し7ており、以−Lのような一連の処理に
よって開[」角判定処理が完了する。
■).変形例 以上説明(7た例におい゜Cは、ホールイメージH■に
拡大処理を施し2て重なり領域WRを形威したが、パタ
ーンイメージPIたけまたはポールイメジH Iおよび
パターンイメージI) Iの両方に拡大処伸をAflU
 t, ,重なり領域W Rを形戊し、以後の処理を同
様に行なってもよい。
さらに第9図に示すように、ホールメ−ジHlをn段拡
大した第1の拡大ホールイメージi{ + ,とn−1
段拡大し,た第2の拡大ホールイメー冫HT.を牛成し
7、拡大ホールイメージH I ,n−1 Hl   の相力の差分に基づいて、リング状イメH−
i ジR. Iを7.L成し、そのリング状イメージR I
とパターンイメージとに基づいて重なり領域W Rを形
成してもよい。なお、n>iであり、」(に11゛の整
数とずる。
また、バッファメモリ37.41としてF I FO形
式のメモリを用いれば、プリント基板の走査と非同期に
開11角判定処伸を行うことができる。
また、プリント基板にスルーホール以外の取付穴が存在
する場合、この取{=1穴を検査対象外として検査11
体をjjなわないが、あるいは、検査しても不良(NG
)と判定(2ないようにできる。そのためには、取トj
穴の位置,形状,大きさ等のデタを予め人力しておけば
よい。
〔発明の効果〕
以−Lのようにこの発明によれば、放射状オベレタは、
重なり領域の端点の泣置を検出ずる。そ1,て、その端
点の位置とホールイメージまたは拡大ホールイメージの
中心位置とに基づいて、パタ2 5 2 6 ンイメージの開口部の角度が正確に求められる。
そのため、プリン1・基板のパターンの検査の臼動化を
可能にするとともに、正確な開口角判定が行えるプリン
ト基板のパターン検査方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第IA図はこの発明の一実施例によるスルーホール検査
回路のブロック図、 第IB図はこの発明の一実施例によるブリン1・基板の
パターン検査方法の処理手順を示すフロチャート、 第2図はこの発明の一実施例による検査装置の全体構或
を示すブロック図、 第3図は読取り光学系の一例を示す図、第4A図は第3
図に示す装置によって得られる信号波形を示す図、 第4B図は第4A図に示す信号波形を合成して得られる
パターンを示す図、 第5図は読取り光学系の他の例を示す図、第6A図は正
常なスルーポールに対応ずる重なり領域を模式的に示す
図、 第6B図は位置ずれを有するスルーホールに対応する重
なり領域を模式的に示す図、 第7図は不連続点の検出の様子を示す図、第8図は開口
角の算出の様子を示す図 第9図はリング状イメージを示す図、 第1 0 A図はランドとスルーホールとの良好な相対
的位置関係を示す図、 第1. O B図はランドとスルーホールとの不良な相
対的位置関係を示す図、 第1. I A図は配線パターンとスルーホールとの良
好な相対的位置関係を示す図、 第1 1. B図は配線パターンとスルーホールとの不
良な相対的位置関係を示す図である。 H・・・ホール、     R・・ランド、P・・配線
パターン、  Hl  ・ホールイメージ、PI・・・
パターンイメージ、 Hl  ・・拡大ホールイメージ、 n WR・・重なり領域、 OP 〜OP7・・オペレータ、 0 2 7 2 8 Ql.Q2・・・不連続点、 (X,Y)  ・・中心位置の座標、 00 (X  ,Y  ),  (X  ,Y2)+1   
  2 ・・・不連続点の座標、 A・・判定基準角度、 AS・・開口角判定信号、Hl
  .・・・第2の拡大ホールイメージn−1 Rl・・リング状イメージ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)プリント基板を光電走査して、画素ごとに読取っ
    た画像データに基づいて、前記プリント基板上の配線パ
    ターンとスルーホールとの間の相対的位置関係を判定す
    る、プリント基板のパターン検査方法であって、 (a)前記画像データに基づいて、前記配線パターンを
    示すパターンイメージと、前記スルーホールを示すホー
    ルイメージと、を求める工程と、(b)前記パターンイ
    メージおよび前記ホールイメージの少なくとも一方に拡
    大処理を施して、対応する拡大パターンイメージおよび
    拡大ホールイメージの少なくとも一方を求める工程と、
    (c)前記拡大処理に対応する、前記拡大パターンイメ
    ージと前記拡大ホールイメージとの間、前記拡大パター
    ンイメージと前記ホールイメージとの間、および前記パ
    ターンイメージと前記拡大ホールイメージとの間のいず
    れか1つのイメージ相互間の空間的関係に基づいて、前
    記イメージ間の重なり領域を求める工程と、 (d)所定の放射状オペレータの放射中心を、前記重な
    り領域の各画素に順次に位置合わせしつつ、前記放射状
    オペレータを前記重なり領域に作用させ、その作用結果
    に基づいて、前記重なり領域の端点の位置を求める工程
    と、 (e)前記ホールイメージまたは前記拡大ホールイメー
    ジの中心位置を求める工程と、 (f)前記端点の位置と前記中心位置とに基づいて前記
    パターンイメージの開口部の角度を求める工程と、 (g)前記開口部の角度と所定の判定基準角度とを比較
    して、前記相対的位置関係を判定する工程と、を含むプ
    リント基板のパターン検査方法。
  2. (2)請求項1記載のプリント基板のパターン検査方法
    であって、 工程(b)が、 (b−1)ホールイメージに第1の拡大処理を施して、
    第1の拡大ホールイメージを求める工程と、(b−2)
    前記ホールイメージに、第1の拡大処理とは拡大率の異
    なる第2の拡大処理を施して、第2の拡大ホールイメー
    ジを求める工程と、(b−3)前記第1の拡大ホールイ
    メージと前記第2の拡大ホールイメージとの差分に相当
    するリング状のイメージを求める工程と、を含み、工程
    (c)が、 (c−1)拡大パターンイメージと前記リング状のイメ
    ージとの間の重なり領域を求める工程を含むプリント基
    板のパターン検査方法。
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DE69032459T DE69032459T2 (de) 1989-03-31 1990-03-28 Verfahren und Gerät zur Untersuchung eines leitenden Musters auf einer Leiterplatte
EP90105916A EP0390110B1 (en) 1989-03-31 1990-03-28 Method of and apparatus for inspecting conductive pattern on printed board
KR1019900004291A KR920008287B1 (ko) 1989-03-31 1990-03-30 프린트기판 도전패턴의 검사방법 및 장치
US07/674,546 US5144681A (en) 1989-03-31 1991-03-22 Method of and apparatus for inspecting conductive pattern on printed board
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0765175A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置認識方法
JP2002163638A (ja) * 2000-11-29 2002-06-07 Ibiden Co Ltd 画像データ検査装置および画像データ検査方法

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