JP2558844B2 - Information recording medium - Google Patents
Information recording mediumInfo
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- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えばレーザ光の照射によりピットを形成
して情報を書込み、該ピットによるレーザ光の振幅の変
化を通じて該情報の読み出しを行う情報記録媒体に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Object of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention is to write information by forming pits by irradiation of laser light, and to change the information by changing the amplitude of laser light by the pits. The present invention relates to an information recording medium for reading data.
(従来の技術) レーザ光の照射により情報が記録され、さらに、記録
された情報の再生がなされる情報記録媒体の一種とし
て、Teを主成分とする記録膜を具備したものが開発され
ている。さらに、このTeを主成分とする記録膜に炭素並
びに水素を含んだ記録膜が開発され、実用化に至ってい
る(特開昭58−9234号公報参照)。(Prior Art) Information is recorded by irradiation with a laser beam, and as a kind of information recording medium on which the recorded information is reproduced, one having a recording film containing Te as a main component has been developed. . Further, a recording film containing carbon and hydrogen in the recording film containing Te as a main component has been developed and put into practical use (see Japanese Patent Laid-Open No. 58-9234).
この記録膜を作成する際には、テルル(Te)を炭化水
素ガスを含む雰囲気中でスパッタする。すると、Te単体
の膜(Te膜)よりも高感度でかつ耐酸化性能にすぐれた
記録膜(以下Te−C膜と称す)が得られる。この記録膜
は、アモルファス膜であり、Te、C及びHを含み、また
少なくともCとHは化学結合していることが分ってい
る。When forming this recording film, tellurium (Te) is sputtered in an atmosphere containing a hydrocarbon gas. Then, a recording film (hereinafter referred to as a Te-C film) having higher sensitivity and excellent oxidation resistance than a film of Te alone (Te film) can be obtained. This recording film is an amorphous film, contains Te, C and H, and it is known that at least C and H are chemically bonded.
この記録膜は、Te膜にならってTeと炭化水素をソース
とする蒸着(プラズマを用いない)で形成しようとして
も形成することができず、プラズマを利用して初めて得
られる。これは、炭化水素ガスがプラズマ中で一旦分解
した後、CとHが化学反応をして成膜されるためであ
り、これが光記録膜形成時の大きな特徴となっている。This recording film cannot be formed even if it is attempted to be formed by vapor deposition (without using plasma) using Te and hydrocarbon as a source after the Te film, and it is obtained only by using plasma. This is because after the hydrocarbon gas is once decomposed in plasma, C and H undergo a chemical reaction to form a film, which is a major feature when forming an optical recording film.
(発明が解決しようとする課題) 上記のようなTe及び炭化水素からなる記録膜とTeで形
成された記録膜とを65℃−90%の高温高湿中(加速条件
下)において比較すると、Te膜はわずか1週間以内に酸
化して光記録性能が損われるのに対し、Te−C膜は1ヶ
月を経過しても膜の内部までは酸化されず安定であっ
た。しかし、Te−C膜も高温下(約75℃以上)では記録
膜が結晶化してしまうために、表面がざらつくため、ノ
イズが増大し、再生信号に与える影響が大きくなるとい
った問題点があった。(Problems to be Solved by the Invention) When a recording film made of Te and a hydrocarbon as described above and a recording film formed of Te are compared under high temperature and high humidity of 65 ° C.-90% (accelerated condition), The Te film was oxidized within 1 week to impair the optical recording performance, whereas the Te-C film was stable even after 1 month without being oxidized to the inside of the film. However, the Te-C film also has a problem that the recording film is crystallized at a high temperature (about 75 ° C. or higher), so that the surface is roughened, the noise is increased, and the influence on the reproduction signal is increased. .
本発明は、上記問題点を解決するために、高温高湿の
環境下においても容易に表面が荒れない長寿命の情報記
録媒体を提供することを目的とする。In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide an information recording medium having a long life, the surface of which is not easily roughened even in an environment of high temperature and high humidity.
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するために、基板と、この基
板上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録され
る、Ag−Te合金並びに炭素及び水素を含む非晶質状態の
記録膜とを具備したことを特徴とする情報記録媒体を提
供する。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate and an Ag-Te alloy which is formed on the substrate and records information by laser light irradiation. And an amorphous recording film containing carbon and hydrogen.
(作用) 本発明の光記録膜はAgTe合金を用い、高温下でも表面
状態を安定に維持できるようにした。本発明において
は、Ag−Te合金並びに炭素及び水素を含む記録膜を具備
することにより、高温高湿下の状態においても、記録し
た情報を安定に維持し、かつ記録感度の優れた情報記録
媒体を提供することができるものである。以下、本発明
の記録膜を便宜的に「AgTe−C膜」と称する。(Operation) The optical recording film of the present invention is made of AgTe alloy so that the surface state can be stably maintained even at high temperature. In the present invention, by including a recording film containing an Ag-Te alloy and carbon and hydrogen, an information recording medium that maintains stable recorded information even under high temperature and high humidity and has excellent recording sensitivity Can be provided. Hereinafter, the recording film of the present invention will be referred to as "AgTe-C film" for convenience.
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は、本発明の情報記録媒体の構造を概略的に示
した断面図である。本発明の情報記録媒体は、基板13及
びこの基板13上に積層された記録膜14により構成される
ものである。FIG. 1 is a sectional view schematically showing the structure of the information recording medium of the present invention. The information recording medium of the present invention comprises a substrate 13 and a recording film 14 laminated on the substrate 13.
基板13は、情報の記録及び再生のために情報記録媒体
上に照射されるレーザ光に対して透明な材質のものが用
いられる。例えば、近赤外近傍の発振波長を有するレー
ザ光を用いる場合は、ポリカーボネイト(PC)、ポリメ
チルメタクリレート(PMMA)、ガラス、ポリオレフィン
並びにエポキシ樹脂等が用いられる。The substrate 13 is made of a material that is transparent to the laser light emitted onto the information recording medium for recording and reproducing information. For example, when using a laser beam having an oscillation wavelength in the near-infrared region, polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), glass, polyolefin, epoxy resin and the like are used.
また、記録膜14は、Ag−Te合金に炭素並びに水素を含
ませているものである。The recording film 14 is made of Ag-Te alloy containing carbon and hydrogen.
次に、この記録膜14におけるAg−Te合金の組成比につ
いて説明する。Next, the composition ratio of the Ag—Te alloy in the recording film 14 will be described.
既に知られているAg−Te二元系の状態図(第2図)に
よれば、金属間化合物としてはAg2Te及びAg3Te2が存在
する。しかし、これらの化合物は、融点がそれぞれ959
℃及び700℃でTe単体のそれ(450℃)よりもはるかに高
いため、記録膜を融解してピットを形成するヒートモー
ド記録方式においてはあまり実用的でない。According to the already known phase diagram of the Ag-Te binary system (Fig. 2), Ag 2 Te and Ag 3 Te 2 exist as intermetallic compounds. However, these compounds have melting points of 959 each.
It is much higher than that of Te alone (450 ℃) at ℃ and 700 ℃, so it is not very practical in the heat mode recording method that melts the recording film to form pits.
しかし、共晶点を示すAg33Te67及びその近傍の組成比
のものの融点は、Teよりも低い融点(351〜449℃)を有
する。従ってAgの含有割合は2〜55at%がよい。この組
成比ならTeより融点が低いため、Te膜より高感度で記録
できる。またAgを添加すると、ピットの大きさが揃いか
つリム部分が少なくなって記録密度が高まる等の効果を
有することができる。However, the melting points of Ag 33 Te 67 exhibiting a eutectic point and those having a composition ratio in the vicinity thereof have a lower melting point (351 to 449 ° C.) than Te. Therefore, the content ratio of Ag is preferably 2 to 55 at%. With this composition ratio, since the melting point is lower than that of Te, recording can be performed with higher sensitivity than that of the Te film. Further, when Ag is added, it is possible to obtain effects such that the pit sizes are uniform, the rim portion is reduced, and the recording density is increased.
またAgTe−C記録膜14の厚さは、1000Å以上あると書
込み感度が低下するため、好ましくは500Å以下、さら
に好ましくは100〜300Åがよい。これは第3図に示すよ
うに、パルス幅60nsec、線速5.5m/secの条件下でPC基板
越しにレーザを入射した場合の書込み感度特性からも明
らかである。また、100Å以下になると、記録膜が不連
続になってピンホールが形成される確率が増加するため
好ましくない。このピンホールは、ヒートモード記録の
場合は、読み出し時に本来のピットと間違うおそれがあ
るため好ましくないばかりでなく、記録膜酸化のトリガ
ーともなるので、できるだけ少なくしなければならな
い。If the thickness of the AgTe-C recording film 14 is 1000 Å or more, the writing sensitivity is lowered. Therefore, the thickness is preferably 500 Å or less, more preferably 100 to 300 Å. This is also clear from the write sensitivity characteristics when a laser is incident through a PC substrate under the conditions of a pulse width of 60 nsec and a linear velocity of 5.5 m / sec as shown in FIG. On the other hand, if it is 100 Å or less, the recording film becomes discontinuous and the probability of forming pinholes increases, which is not preferable. In the case of heat mode recording, this pinhole is not preferable because it may be mistaken for the original pit at the time of reading, and it is also a trigger for oxidation of the recording film, so it should be minimized.
次に、第1図に示した情報記録媒体における再生レー
ザパワーの許容度(記録膜に変質を起こすことなく再生
できるパワーレベル)について説明する。ピットに記録
した情報を読み出す再生レーザ光は、通常連続発振させ
る。この状態において良好なS/N比で情報を読み出すた
めには、再生レーザパワーも大きくする必要があるが、
ある閾値を超えるとピット(情報)を破壊し、再生反射
光のレベルが低下することがある。そこで線速5.5m/sec
のトラックに連続的にホールドし、再生レーザパワーを
変化させて反射光レベルの変化をシンクロスコープで観
察した。その観察結果を第4図に示す。Next, the tolerance of the reproduction laser power in the information recording medium shown in FIG. 1 (power level at which reproduction can be performed without causing deterioration of the recording film) will be described. The reproducing laser light for reading the information recorded in the pit is usually continuously oscillated. In order to read information with a good S / N ratio in this state, it is necessary to increase the reproduction laser power as well.
If it exceeds a certain threshold value, the pit (information) may be destroyed, and the level of the reflected light for reproduction may decrease. Then the linear velocity is 5.5m / sec
Was continuously held on the track, and the reproducing laser power was changed to observe the change in the reflected light level with a synchroscope. The observation results are shown in FIG.
この観察結果によれば、どの膜厚のAgTe−C膜も、0.
6又は0.8mWのレーザワーならば、3時間は反射光のレベ
ルが変化しなかった。しかしパワーを1mWにすると数時
間で反射光のレベルが低下した。そしてこの場合、膜厚
の薄い方が低下の程度が大きかった。反射光のレベル
は、再生直後のものを1として規格化してある。According to this observation result, the AgTe-C film of any film thickness is 0.
With a laser power of 6 or 0.8 mW, the level of reflected light did not change for 3 hours. However, when the power was set to 1 mW, the level of reflected light decreased within a few hours. In this case, the smaller the film thickness, the greater the degree of decrease. The level of reflected light is standardized with 1 immediately after reproduction.
現在標準化が進みつつある追記型記録膜の再生許容パ
ワーは、回転数1800rpmで線速5.5m/secの場合には、最
大で0.5mWと決められている。許容最大再生レーザパワ
ーPmax(mW)は、Pmax=0.2+0.055Vで与えられる。こ
こでVは記録媒体の線速度(m/sec)である、またPmax
で105サイクル連続的に再生しても反射光レベルに変化
がないことが要求されているが、これは回転数1800rpm
・線速5.5m/secの場合は少なくとも1時間変化してはな
らないということである。従って該条件下で0.8mWのパ
ワーでも3時間まで変化が起こらない本発明の記録膜14
は、十分にその要求を満たすことになる。The allowable reproduction power of the write-once recording film, which is being standardized at present, is determined to be 0.5 mW at the maximum at a rotation speed of 1800 rpm and a linear velocity of 5.5 m / sec. The maximum allowable reproduction laser power Pmax (mW) is given by Pmax = 0.2 + 0.055V. Here, V is the linear velocity (m / sec) of the recording medium, and Pmax
It is required that the level of reflected light does not change even after continuously reproducing for 10 5 cycles at 1800 rpm.
・ In case of linear velocity of 5.5m / sec, it should not change for at least 1 hour. Therefore, under the above conditions, the recording film 14 of the present invention does not change even at a power of 0.8 mW for up to 3 hours.
Will meet that need well.
実施例1 第1図に示した情報記録媒体を形成する方法について
説明する。Example 1 A method of forming the information recording medium shown in FIG. 1 will be described.
第5図は、本発明の記録膜を形成するスパッタ装置の
概略図である。まず、このスパッタ装置のバルブ2をロ
ータリーポンプ3側に開いてチェンバ1内を0.2Torrま
で排気した。次いでバルブ2をクライオポンプ5側に開
いて1×10-5Torr以下まで排気した。この時、排気量は
制御する必要がないので、コンダクタンスバルブ4は全
開しておいた。FIG. 5 is a schematic view of a sputtering apparatus for forming the recording film of the present invention. First, the valve 2 of this sputtering apparatus was opened to the rotary pump 3 side, and the chamber 1 was evacuated to 0.2 Torr. Next, the valve 2 was opened to the side of the cryopump 5 and exhausted to 1 × 10 −5 Torr or less. At this time, since it is not necessary to control the exhaust amount, the conductance valve 4 was fully opened.
次にバルブ6を開けて、Arガスライン7からArガスを
マスフローコントローラ(図示せず)で調節しながら、
チェンバ1内に10SCCM導入した。次いでチェンバ1内の
圧力をイオンゲージ(図示せず)でモニターしながら、
コンダクタンスバルブ4で5×10-3Torrに調整した。こ
の圧力が変動しないことを確認してから、Ag−Te合金タ
ーゲット9(直径5インチ:組成はAg33Te67;at%)にD
Cパワーサプライ10から100Wを印加し、シャッタ11を閉
じたままスパッタ放電を5分間行ってスパッタクリーニ
ングをした。Next, open the valve 6 and adjust the Ar gas from the Ar gas line 7 with a mass flow controller (not shown),
Introduced 10 SCCM into chamber 1. Next, while monitoring the pressure inside the chamber 1 with an ion gauge (not shown),
The conductance valve 4 was adjusted to 5 × 10 −3 Torr. After confirming that this pressure does not fluctuate, the Ag-Te alloy target 9 (diameter 5 inches: composition is Ag 33 Te 67 ; at%)
100 W was applied from the C power supply 10 and sputter discharge was performed for 5 minutes with the shutter 11 closed to perform sputter cleaning.
Arガスの供給とDCパワーの供給を停止した後、クライ
オポンプ5を用いてチェンバ1内を一旦1×10-5Torr以
下に排気した。その後バルブ6と17を開けてチェンバ1
内にArとCH4ガスを、それぞれArガスライン7とCH4ガス
ライン8を通してマスフローコントローラ(図示せず)
で調節しながら10SCCMづつ導入した。次いでコンダクタ
ンスバルブ4を用いてチェンバ1内の圧力を5×10-3To
rrに制御した。圧力変動がないことを確認した後、AgTe
ターゲット9にDCパワーサプライ10から100Wを印加し、
スパッタ放電させた。安定に放電していることを確めた
後、シャッタ11を開けて、予め回転子12にセットしてお
いたポリカーボネート(PC)基板13上にAgTe合金並びに
炭素及び水素を含んだ記録膜14を積層した。回転子は60
rpmで回転させた。膜厚が250Åに達したところで、シャ
ッタを閉じ、パワーの供給を停止した。次いでコンダク
タンスバルブ4を全開し、クライオポンプ5を用いてチ
ェンバ1内を1×10-5Torr以下まで排気した。次いでバ
ルブ15を開けて、N2ガスライン16からN2ガスをチェンバ
1内に導入して大気圧に戻した後、媒体18を取り出すこ
とにより、第1図に示す情報記録媒体が形成された。After stopping the supply of Ar gas and the supply of DC power, the interior of the chamber 1 was once evacuated to 1 × 10 −5 Torr or less using the cryopump 5. Then open valves 6 and 17 to open chamber 1.
Mass flow controller (not shown) in which Ar and CH 4 gas are passed through Ar gas line 7 and CH 4 gas line 8, respectively.
Introduced 10 SCCM each while adjusting. Then, using the conductance valve 4, the pressure in the chamber 1 is adjusted to 5 × 10 -3 To
Controlled to rr. After confirming that there is no pressure fluctuation, AgTe
Apply 100W from the DC power supply 10 to the target 9,
It was sputtered. After confirming that the discharge is stable, the shutter 11 is opened, and the recording film 14 containing AgTe alloy and carbon and hydrogen is placed on the polycarbonate (PC) substrate 13 which is set in advance on the rotor 12. Laminated. Rotor is 60
Rotated at rpm. When the film thickness reached 250Å, the shutter was closed and the power supply was stopped. Next, the conductance valve 4 was fully opened, and the interior of the chamber 1 was evacuated to 1 × 10 −5 Torr or less using the cryopump 5. Then opening the valve 15, after returning to atmospheric pressure by introducing the N 2 gas line 16 the N 2 gas into the chamber 1, by taking out the medium 18, the information recording medium shown in Figure 1 is formed .
このようにして得られた記録膜14は、X線回折分析の
結果、特定の回折角度からの回折ピークが認められない
アモルファス膜であることが確認された。アモルファス
膜は、多結晶膜と違って結晶粒界がないため、再生レー
ザ光が粒界部分で変調されて粒界ノイズを生ずることが
ない。As a result of X-ray diffraction analysis, it was confirmed that the recording film 14 thus obtained was an amorphous film in which no diffraction peak from a specific diffraction angle was observed. Unlike the polycrystalline film, the amorphous film has no crystal grain boundary, and therefore reproduction laser light is not modulated at the grain boundary portion to cause grain boundary noise.
実施例2 実施例1に示した方法により製造された情報記録媒体
18において、耐酸化性の指標となる酸化による表面のザ
ラツキの結果起こる読み出しエラーの比率(エラーレー
ト)を分析した。75℃−90%の加速条件下に、実施例1
に示したのと同じ膜厚のTe膜及びTe−C膜、並びに本発
明の記録膜14を含有する情報記録媒体を一定時間放置し
た後、書込みを行ないエラーレートを測定した。その結
果を第6図に示す。エラーレートは、加速条件下に置く
前の値を1として規格化した。この図によれば、Te膜は
わずか数日でエラーレートが増加している。Te−C膜も
100時間以後は徐々に増加している。一方、本発明のAgT
e−C膜は、1000時間放置してもほとんど変化がなかっ
た。従ってAgTe−C膜は、高温高湿下でも耐酸化性が良
好で、長寿命であることが分る。なおAgTe−C膜は、こ
の測定後にX線回折分析をした時もアモルファス膜であ
った。Example 2 Information recording medium manufactured by the method shown in Example 1
In 18, the ratio of read errors (error rate) resulting from surface roughness due to oxidation, which is an index of oxidation resistance, was analyzed. Example 1 under accelerated conditions of 75 ° C-90%
After the information recording medium containing the Te film and the Te-C film having the same film thickness as shown in (4) and the recording film 14 of the present invention was left for a certain period of time, writing was performed and the error rate was measured. The result is shown in FIG. The error rate was standardized with a value of 1 before being placed under accelerated conditions. According to this figure, the error rate of the Te film increased in just a few days. Te-C film also
It has been gradually increasing after 100 hours. On the other hand, the AgT of the present invention
The e-C film showed almost no change when left for 1000 hours. Therefore, it can be seen that the AgTe-C film has good oxidation resistance even under high temperature and high humidity and has a long life. The AgTe-C film was an amorphous film when X-ray diffraction analysis was performed after this measurement.
第7図は、パルス幅50nsec、書込み周波数3.7MHz、波
長830nmのGaAs系半導体レーザを用い、対物レンズの開
口数(NA)0.52、線速5.5m/secの条件下で、Te−C膜と
AgTe−C膜に書込んだ場合のC/N(Carrier/Noise)の大
きさを示している。これから、本発明のAgTe−C膜は、
従来のTe−C膜よりもさらに高感度になっていることが
分る。Fig. 7 shows a Te-C film under the conditions of a pulse width of 50 nsec, a writing frequency of 3.7 MHz, a wavelength of 830 nm, and a GaAs semiconductor laser with a numerical aperture (NA) of the objective lens of 0.52 and a linear velocity of 5.5 m / sec.
It shows the magnitude of C / N (Carrier / Noise) when written in the AgTe-C film. From this, the AgTe-C film of the present invention is
It can be seen that the sensitivity is higher than that of the conventional Te-C film.
実施例3 希ガスと炭化水素ガス又は炭化水素ガス中でAgTe合金
ターゲットをスパッタすると、記録膜中のAgTe合金の組
成がAgTe合金ターゲットの組成と等しくなくなり、記録
膜中でTeが多くなることがある。そこで第2図に示した
装置を用い、AgTe合金ターゲットの組成を変えた他は実
施例1と同様な条件下で成膜し、AgTe合金ターゲットの
組成と記録膜中のAgTe合金の組成の関係をICP(誘導結
合型プラズマ発光分光分析)法によって調べてみた。そ
の検出結果を第8図に示す。同図から、記録膜14のAgTe
組成は、ターゲットの組成よりも10%ほどTeが多くなる
傾向があることが分る。従って共晶点(Ag33Te67)の組
成の記録膜を得る場合には、Ag45Te55程度の組成のター
ゲットを用いるのが望ましい。Example 3 When an AgTe alloy target is sputtered in a rare gas and a hydrocarbon gas or a hydrocarbon gas, the composition of the AgTe alloy in the recording film may not be equal to the composition of the AgTe alloy target, and Te may increase in the recording film. is there. Therefore, the apparatus shown in FIG. 2 was used to form a film under the same conditions as in Example 1 except that the composition of the AgTe alloy target was changed, and the relationship between the composition of the AgTe alloy target and the composition of the AgTe alloy in the recording film. Was investigated by ICP (Inductively Coupled Plasma Emission Spectroscopy). The detection result is shown in FIG. From the figure, the AgTe of the recording film 14 is
It can be seen that the composition tends to have 10% more Te than the composition of the target. Therefore, when obtaining a recording film having a composition of eutectic point (Ag 33 Te 67 ), it is desirable to use a target having a composition of about Ag 45 Te 55 .
実施例4 AgTe合金ターゲットを炭化水素ガスだけでスパッタす
る場合には、次の2つの欠点がある。Example 4 When an AgTe alloy target is sputtered with a hydrocarbon gas only, there are the following two drawbacks.
1)AgTe合金ターゲットを炭化水素ガス100%の雰囲気
中でスパッタして得られる記録膜は、光学吸収係数(吸
収率)が小さくなる。このためレーザ光を吸収した時に
生ずる熱によってピットを形成して情報の記録を行なう
ヒートモード記録方式の場合には、記録感度の低かが認
められる。1) A recording film obtained by sputtering an AgTe alloy target in an atmosphere of 100% hydrocarbon gas has a small optical absorption coefficient (absorption rate). Therefore, in the case of the heat mode recording system in which pits are formed by heat generated when the laser light is absorbed to record information, it is recognized that the recording sensitivity is low.
2)AgTe合金ターゲットのスパッタ時に、炭化水素ガス
の分解生成物と考えられる炭素粉のターゲット表面にお
ける付着が顕著なため、長時間連続スパッタをするとス
パッタ成膜速度が低下するおそれがある。これは生産上
大きな欠点である。2) During sputtering of an AgTe alloy target, carbon powder, which is considered to be a decomposition product of hydrocarbon gas, is significantly deposited on the target surface. Therefore, continuous sputtering for a long time may reduce the sputtering film formation rate. This is a major drawback in production.
ここで炭化水素ガスの流量をX、希ガスの流量をYと
し、ガス流量比をQ={X/(X+Y)}×100%と定義
して、Q=30,50,60及び100%の各ガス流量比(メタン
ガスとアルゴンガスを用いた)に従って成膜したAgTe−
C膜(膜厚250Å、組成Ag33Te67)の書込み感度特性を
調べてみた結果、第9図に示すような結果を得ることが
できた。この感度特性を検出する際、回転数は1850rp
m、パルス幅は60nsecとした。この検出結果より、Q=1
00%の場合は、一定の再生信号振幅を得るのに必要なレ
ーザパワーが他のQ値のものに比べ大きく、書込み感度
が悪化していることが分る。また各Q値下でのターゲッ
ト表面の状態はQ=100%の場合が最も黒変し、付着物
が多かった。Q値が減少するにつれて、付着物の割合は
低下する傾向にあった。第10図は、第9図と同じ条件下
において種々のQ値下で成膜した記録膜について、第6
図と同じ加速条件でエラーレートを測定した結果を示
す。従ってスパッタ条件Qは、第9図と第10図の結果か
ら、5≦Q≦50%が好ましいことが分る。Here, the flow rate of the hydrocarbon gas is X, the flow rate of the rare gas is Y, and the gas flow rate ratio is defined as Q = {X / (X + Y)} × 100%, and Q = 30,50,60 and 100% AgTe- film formed according to each gas flow rate ratio (using methane gas and argon gas)
As a result of examining the writing sensitivity characteristic of the C film (film thickness 250 Å, composition Ag 33 Te 67 ), the result as shown in FIG. 9 could be obtained. When detecting this sensitivity characteristic, the rotation speed is 1850rp
The pulse width was m and the pulse width was 60 nsec. From this detection result, Q = 1
In the case of 00%, it can be seen that the laser power required to obtain a constant reproduced signal amplitude is larger than that of other Q values and the writing sensitivity is deteriorated. Further, the state of the target surface under each Q value was the most blackened when Q = 100%, and there were many deposits. The proportion of deposits tended to decrease as the Q value decreased. FIG. 10 shows the recording film formed under various Q values under the same conditions as in FIG.
The results of measuring the error rate under the same acceleration conditions as the figure are shown. Therefore, it can be seen from the results of FIGS. 9 and 10 that the sputtering condition Q is preferably 5 ≦ Q ≦ 50%.
実施例5 ガス流量比Qのスパッタレートに及ぼす効果をみたの
が、第11図である。Q=50%(ガスはメタンガスとアル
ゴンガス、メタンガスの流量は10SCCM)を超える条件で
スパッタを続けていくと、スパッタレートが減少してい
く。第11図及び第12図において、スパッタレートは第1
回目の値を1として規格化してある。第12図は同一流量
比(Q=50%)ながら、炭化水素ガス(CH4ガス)の流
量を10、20及び100SCCMとした場合のスパッタレートを
示している。流量が多くなると、ターゲット表面の付着
物は多くなる傾向があった。従って炭化水素ガスの流量
は10SCCM以下が好ましいことが分る。Example 5 FIG. 11 shows the effect of the gas flow rate ratio Q on the sputter rate. If the sputtering is continued under the condition of Q = 50% (gas is methane gas and argon gas, the flow rate of methane gas is 10 SCCM), the sputter rate decreases. In FIGS. 11 and 12, the sputter rate is the first
The value of the second time is standardized as 1. FIG. 12 shows the sputter rate when the flow rate of hydrocarbon gas (CH 4 gas) was set to 10, 20 and 100 SCCM while maintaining the same flow rate ratio (Q = 50%). When the flow rate increased, the amount of deposits on the target surface tended to increase. Therefore, it is understood that the flow rate of hydrocarbon gas is preferably 10 SCCM or less.
なお本実施例においては、炭化水素ガス(メタン)と
希ガス(アルゴン)の混合雰囲気下でAgTeターゲットを
スパッタ放電したが、炭化水素ガスだけの雰囲気下で放
電させてもよい。In the present embodiment, the AgTe target was sputter-discharged in a mixed atmosphere of hydrocarbon gas (methane) and rare gas (argon), but it may be discharged in an atmosphere of only hydrocarbon gas.
さらに本実施例においては、透明な有機樹脂基板を用
いたが、書込み及び再生レーザ光を、基板を投下させな
いで記録膜面側から入射させるときは、基板は不透明で
あってもよい。Further, although the transparent organic resin substrate is used in this embodiment, the substrate may be opaque when the writing and reproducing laser light is incident from the recording film surface side without dropping the substrate.
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、高温高湿の環境
下でも優れた耐酸化性を示し、長寿命、高感度の記録膜
を有する情報記録媒体を提供できる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to provide an information recording medium having a recording film which exhibits excellent oxidation resistance even in an environment of high temperature and high humidity and has a long life and high sensitivity.
第1図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の断面
図、第2図はAg−Te状態図、第3図はAgTe−C膜の膜厚
と書込み感度の関係を示す図、第4図は再生時間と反射
レベルの変化を示す図、第5図は本発明の一実施例に係
る光記録膜形成装置、第6図は加速条件を経た記録膜の
エラーレートを示す図、第7図はTe−C膜とAgTe−C膜
の記録感度を示す図、第8図はAgTe合金ターゲットの組
成と記録膜中のAgTe合金の組成の関係を示す図、第9図
は各ガス流量比についての書込みレーザパワーと変調度
の関係を示す図、第10図は各ガス流量比についての加速
時間とエラーレートの関係を示す図、第11図は各ガス流
量比についてのスパッタレートの変化を示す図、及び第
12図は各炭化水素ガス流量についてのスパッタレートの
変化を示す図である。 1……チェンバ、9……AgTe合金ターゲット、13……PC
基板、14……AgTe−C膜。FIG. 1 is a sectional view of an information recording medium according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a state diagram of Ag—Te, and FIG. 3 is a diagram showing a relation between a film thickness of an AgTe—C film and a writing sensitivity. FIG. 4 is a diagram showing changes in reproduction time and reflection level, FIG. 5 is an optical recording film forming apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a diagram showing error rates of recording films subjected to acceleration conditions. 7 is a diagram showing the recording sensitivity of the Te-C film and the AgTe-C film, FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the composition of the AgTe alloy target and the composition of the AgTe alloy in the recording film, and FIG. 9 is each gas flow rate. FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the writing laser power and the modulation factor for the ratio, FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the acceleration time and the error rate for each gas flow rate ratio, and FIG. 11 is a change in the sputter rate for each gas flow rate ratio. Showing the figure, and
FIG. 12 is a view showing changes in the sputter rate with respect to each hydrocarbon gas flow rate. 1 ... Chamber, 9 ... AgTe alloy target, 13 ... PC
Substrate, 14 ... AgTe-C film.
フロントページの続き (72)発明者 東野 宏行 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会 社東芝柳町工場内 (56)参考文献 特開 平1−199333(JP,A) 特開 平2−112984(JP,A) 特開 平1−158633(JP,A) 特開 平1−169747(JP,A) 特開 昭60−179953(JP,A)Front page continuation (72) Inventor Hiroyuki Higashino 70 Yanagimachi, Saiwai-ku, Kawasaki City, Kanagawa Stock Company, Toshiba Yanagimachi Plant (56) References JP-A-1-199333 (JP, A) JP-A-2-112984 ( JP, A) JP 1-158633 (JP, A) JP 1-169747 (JP, A) JP 60-179953 (JP, A)
Claims (2)
録される、Ag−Te合金並びに炭素及び水素を含む非晶質
状態の記録層と、 を具備したことを特徴とする情報記録媒体。1. A substrate, and an Ag-Te alloy and an amorphous recording layer containing carbon and hydrogen, which is formed on the substrate and records information by irradiation with laser light. Characteristic information recording medium.
録される、Agの含有量が2原子%乃至55原子%の範囲内
であるAg−Te合金並びに炭素及び水素を含む非晶質状態
の記録層と、 を具備したことを特徴とする情報記録媒体。2. A substrate, an Ag-Te alloy and a carbon which are formed on this substrate and whose information is recorded by irradiation of a laser beam and whose Ag content is in the range of 2 atom% to 55 atom%. An information recording medium comprising: an amorphous recording layer containing hydrogen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63265353A JP2558844B2 (en) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63265353A JP2558844B2 (en) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Information recording medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02112984A JPH02112984A (en) | 1990-04-25 |
JP2558844B2 true JP2558844B2 (en) | 1996-11-27 |
Family
ID=17415998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63265353A Expired - Lifetime JP2558844B2 (en) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | Information recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2558844B2 (en) |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63265353A patent/JP2558844B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02112984A (en) | 1990-04-25 |
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