JPH02117886A - Information recording medium - Google Patents

Information recording medium

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JPH02117886A
JPH02117886A JP63272040A JP27204088A JPH02117886A JP H02117886 A JPH02117886 A JP H02117886A JP 63272040 A JP63272040 A JP 63272040A JP 27204088 A JP27204088 A JP 27204088A JP H02117886 A JPH02117886 A JP H02117886A
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JP
Japan
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film
recording
recording film
substrate
information
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Pending
Application number
JP63272040A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Okawa
秀樹 大川
Norio Ozawa
小沢 則雄
Motonari Matsubara
松原 基成
Hiroyuki Tono
宏行 東野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH02117886A publication Critical patent/JPH02117886A/en
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used

Abstract

PURPOSE:To obtain excellent oxidation resistance under hot and humid conditions and contrive a longer useful life and a higher sensitivity by providing on a substrate a recording film for recording information by irradiation with laser light, the recording film comprising a specified alloy, carbon and hydrogen. CONSTITUTION:An information recording medium comprises a substrate 13 and a recording film 14 provided on the substrate 13. The substrate 13 is made of a material transparent to laser light with which the recording medium is irradiated for recording and reproduction of information. The recording film 4 comprises an Ag-Te alloy, carbon and hydrogen. The alloy has a composition off (AgxTe100-x)ySez, wherein 2<=x<=55atom% so that bits can be formed at a melting point lower than the melting point of Te. The addition of Ag has the effect of uniformizing the size of the bits, reducing the amount of rim parts, enhancing recording density, and the like. The value of z is in the range of 5<=z<=20atom%. If the thickness of the recording film 4 is 1000Angstrom or more, writing sensitivity is lowered. Therefore, the thickness of the film 4 is preferably 100-300Angstrom .

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えばレーザ光の照射によりピットを形成し
て情報を書込み、該ビットによるレーザ光の振幅の変化
を通じて該情報の読み出しを行う情報記録媒体に関する
Detailed Description of the Invention [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention is directed to, for example, writing information by forming pits by irradiating the laser beam, and writing the information through changes in the amplitude of the laser beam caused by the bits. The present invention relates to an information recording medium from which information is read.

(従来の技術) レーザ光の照射により情報が記録され、さらに、記録さ
れた情報の再生がなされる情報記録媒体の一種として、
Teを主成分とする記録膜を具備したものが開発されて
いる。さらに、このTeを主成分とする記録膜に炭素並
びに水素を含んだ記録膜が開発され、実用化に至ってい
る(特開昭58−9234号公報参照)。
(Prior Art) As a type of information recording medium, information is recorded by irradiation with laser light and the recorded information is reproduced.
A device equipped with a recording film containing Te as a main component has been developed. Furthermore, a recording film containing carbon and hydrogen in addition to the Te-based recording film has been developed and put into practical use (see Japanese Patent Laid-Open No. 58-9234).

この記録膜を作成する際には、テルル(Te)を炭化水
素ガスを含む雰囲気中でスパッタする。
When creating this recording film, tellurium (Te) is sputtered in an atmosphere containing hydrocarbon gas.

すると、Te単体の膜(Te膜)よりも高感度でかつ耐
酸化性能にすぐれた記録膜(以下Te−C膜と称す)が
得られる。この記録膜は、アモルファス膜であり、Te
5C及びHを含み、また少なくともCとHは化学結合を
していることが分っている。
As a result, a recording film (hereinafter referred to as a Te-C film) having higher sensitivity and superior oxidation resistance than a film containing only Te (Te film) is obtained. This recording film is an amorphous film and is made of Te.
It is known that it contains 5C and H, and at least C and H form a chemical bond.

この記録膜は、Te膜にならってTeと炭化水素をソー
スとする蒸着(プラズマを用いない)で形成しようとし
ても形成することができず、プラズマを利用して初めて
得られる。これは、炭化水素ガスがプラズマ中で一旦分
解した後、CとHが化学反応をして成膜されるためであ
り、これが光記録膜形成時の大きな特徴となっている。
This recording film cannot be formed even if it is attempted to be formed by vapor deposition using Te and hydrocarbon as sources (without using plasma), following the Te film, and can only be obtained by using plasma. This is because a film is formed by a chemical reaction between C and H after the hydrocarbon gas is once decomposed in plasma, and this is a major feature when forming an optical recording film.

(発明が解決しようとする課題) 上記のようなTe及び炭化水素からなる記録膜とTeで
形成された記録膜とを65℃−90%の高温高湿中(加
速条件下)において比較すると、Te膜はわずか1週間
以内に酸化して光記録性能が損われるのに対し、Te−
C膜は1ケ月を経過しても膜の内部までは酸化されず安
定であった。
(Problem to be Solved by the Invention) Comparing the recording film made of Te and hydrocarbon as described above and the recording film made of Te at a high temperature and high humidity of 65° C. and 90% (under accelerated conditions), Te film oxidizes within just one week and optical recording performance is impaired, whereas Te film
The C film remained stable without being oxidized even after one month.

しかし、Te−C膜も高温下(約75℃以上)では記録
膜が結晶化してしまうために、表面がざらつくため、ノ
イズが増大し、再生信号に与える影響が大きくなるとい
った問題点があった。
However, the recording film of the Te-C film also crystallizes at high temperatures (above about 75 degrees Celsius), resulting in a rough surface that increases noise and has a greater effect on the reproduced signal. .

本発明は、上記問題点を解決するために、高温高湿の環
境下においても容品に表面が荒れない長寿命の情報記録
媒体を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, it is an object of the present invention to provide a long-life information recording medium that does not have a rough surface even under high temperature and high humidity environments.

[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するために、基板と、この基板
上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録される
、(Agx Te100−x ) y S ez(2≦
x≦55原子%、80≦y≦95原子%、5≦2≦20
原子%)合金並びに炭素及び水素を含む記録膜を具備し
たことを特徴とする情報記録媒体を提供する。
[Structure of the Invention (Means for Solving the Problems)] In order to achieve the above object, the present invention includes a substrate, a substrate formed on the substrate, and information recorded by irradiation with a laser beam (Agx Te100- x ) y S ez (2≦
x≦55 atom%, 80≦y≦95 atom%, 5≦2≦20
The present invention provides an information recording medium characterized by comprising a recording film containing a atomic %) alloy, carbon, and hydrogen.

(作用) 本発明の光記録膜はAgTe合金を炭化水素ガスとアル
キルセレンガスの混合雰囲気又はこれに希ガスを加えた
混合雰囲気中でスパッタし、高温下でも表面状態を安定
に維持できるようにした。
(Function) The optical recording film of the present invention is produced by sputtering an AgTe alloy in a mixed atmosphere of hydrocarbon gas and alkyl selenium gas or a mixed atmosphere in which a rare gas is added, so that the surface condition can be maintained stably even at high temperatures. did.

本発明においては、AgTeSe合金並びに炭素及び水
素を含む記録膜を具備することにより、高温高湿下の状
態においても、記録した情報を安定に維持し、かつ記録
感度の優れた情報記録媒体を一提供することができるも
のである。以下、本発明の記録膜を便宜的にrAgTe
Se−C膜」と称する。
The present invention provides an information recording medium that stably maintains recorded information and has excellent recording sensitivity even under high temperature and high humidity conditions by providing a recording film containing an AgTeSe alloy and carbon and hydrogen. It is something that can be provided. Hereinafter, the recording film of the present invention will be described as rAgTe for convenience.
Se-C film.

(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の情報記録媒体の構造を概略的に示し
た断面図である。本発明の情報記録媒体は、基板13及
びこの基板13上に積層された記録膜14により構成さ
れるものである。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the information recording medium of the present invention. The information recording medium of the present invention is composed of a substrate 13 and a recording film 14 laminated on the substrate 13.

基板13は、情報の記録及び再生のために情報記録媒体
上に照射されるレーザ光に対して透明な材質のものが用
いられる。例えば、近赤外近傍の発振波長を有するレー
ザ光を用いる場合は、ポリカーボネイト(PC)、ポリ
メチルメタクリレート(PMMA)、ガラス、ポリオレ
フィン並びにエポキシ樹脂等が用いられる。
The substrate 13 is made of a material that is transparent to laser light that is irradiated onto the information recording medium for recording and reproducing information. For example, when using a laser beam having an oscillation wavelength near infrared, polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), glass, polyolefin, epoxy resin, etc. are used.

また、記録膜14は、Ag−Te合金に炭素並びに水素
を含ませているものである。
The recording film 14 is made of an Ag-Te alloy containing carbon and hydrogen.

本発明における(Agx Te、oo−x ) y S
 ez金合金組成は、ヒートモード記録方式において、
Teよりも低い融点でビットが形成されるように2≦x
≦55原子%とする。Agを添加するとビットの大きさ
が揃いかつリム部分が少なくなって記録密度が高まる等
の効果を有することができる。
(Agx Te, oo-x) y S in the present invention
In the heat mode recording method, the ez gold alloy composition is
2≦x so that bits are formed with a melting point lower than Te.
≦55 at%. Adding Ag can have effects such as making the bit sizes uniform and reducing the rim portion, increasing the recording density.

また2は5≦2≦20原子%とする。2が5原子%未満
だと耐酸化性向上の効果が十分に発揮されないし、20
原子%を超えると光学的な吸収率が減少するからである
Further, 2 is 5≦2≦20 atomic %. If 2 is less than 5 atomic percent, the effect of improving oxidation resistance will not be sufficiently exhibited;
This is because when the amount exceeds atomic %, the optical absorption rate decreases.

AgTe5e−C記録膜14の厚さは、1000Å以上
あると書込み感度が低下するため、好ましくは500Å
以下、さらに好ましくは100〜300人がよい。これ
は第2図に示すように、パルス幅60 n5ecs線速
5.5m/seeの条件下でPC基板越しにレーザを入
射した場合の書込み感度特性からも明らかである。また
、100Å以下になると、記録膜が不連続になってピン
ホールが形成される確率が増加するため好ましくない。
The thickness of the AgTe5e-C recording film 14 is preferably 500 Å because writing sensitivity decreases if it is 1000 Å or more.
The number of participants is preferably 100 to 300 people. This is also clear from the writing sensitivity characteristics when the laser is incident through the PC board under the conditions of a pulse width of 60 n5ecs and a linear velocity of 5.5 m/see, as shown in FIG. Furthermore, if the thickness is less than 100 Å, the recording film becomes discontinuous and the probability of pinhole formation increases, which is not preferable.

このピンホールは、ヒートモード記録の場合は、読み出
し時に本来のビットと間違うおそれがあるため好ましく
ないばかりでなく、記録膜酸化のトリガーともなるので
、できるだけ少なくしなければならない。
In the case of heat mode recording, these pinholes are not only undesirable because they may be mistaken for original bits during readout, but they also trigger oxidation of the recording film, so they must be minimized as much as possible.

次に、第1図に示した情報記録媒体における再生レーザ
パワーの許容度(記録膜に変質を起こすことなく再生で
きるパワーレベル)について説明する。ビットに記録し
た情報を読み出す再生レーザ光は、通常連続発振させる
。この状態において良好なS/N比で情報を読み出すた
めには、再生レーザパワーも大きくする必要があるが、
ある閾値を超えるとピット(情報)を破壊し、再生反射
光のレベルが低下することがある。そこで線速5.5m
/seeのトラックに連続的にホールドし、再生レーザ
パワーを変化させて反射光レベルの変化をシンクロスコ
ープで観察した。その観察結果を第3図に示す。
Next, the tolerance of the reproduction laser power (the power level at which reproduction can be performed without causing deterioration of the recording film) of the information recording medium shown in FIG. 1 will be explained. The reproduction laser light used to read information recorded in bits is normally continuously oscillated. In order to read out information with a good S/N ratio in this state, it is necessary to increase the reproduction laser power.
If a certain threshold is exceeded, pits (information) may be destroyed and the level of reproduced reflected light may decrease. Therefore, the linear speed is 5.5m
/see track continuously, the reproducing laser power was changed, and changes in the reflected light level were observed using a synchroscope. The observation results are shown in Figure 3.

この観察結果によれば、どの膜厚の AgTe5e−C膜も、0.6又は0.8mWのレーザ
パワーならば、3時間は反射光のレベルが変化しなかっ
た。しかしパワーを1mWにすると数時間で反射光のレ
ベルが低下した。そしてこの場合、膜厚の薄い方が低下
の程度が大きかった。
According to the observation results, the level of reflected light did not change for 3 hours with a laser power of 0.6 or 0.8 mW for any thickness of the AgTe5e-C film. However, when the power was increased to 1 mW, the level of reflected light decreased within several hours. In this case, the smaller the film thickness, the greater the degree of decrease.

反射光のレベルは、再生直後のものを1として規格化し
である。
The level of reflected light is normalized with the level immediately after reproduction set at 1.

現在標準化が進みつつある追記型記録膜の再生許容パワ
ーは、回転数180 Orpmで線速5.5m/see
の場合には、最大で0.5mWと決められている。許容
最大再生レーザパワーP□8(m W )は、PIla
x−0,2+0.055Vで与えられる。ここでVは記
録媒体の線速度(m/see )である。またP、ax
で105サイクル連続的に再生しても反射光レベルに変
化がないことが要求されているが、これは回転数180
 Orpm ・線速5.5m/seeの場合は少なくと
も1時間変化してはならないということである。従って
該条件下で0.8mWのパワーでも3時間まで変化が起
こらない本発明の記録膜14は、十分にその要求を満た
すことになる。
The allowable playback power of the write-once recording film, which is currently being standardized, is a linear velocity of 5.5 m/see at a rotational speed of 180 orpm.
In this case, the maximum power is determined to be 0.5 mW. The maximum allowable reproduction laser power P□8 (mW) is PIla
It is given by x-0,2+0.055V. Here, V is the linear velocity (m/see) of the recording medium. Also P, ax
It is required that there be no change in the level of reflected light even after 105 cycles of continuous playback, which is required at a rotation speed of 180.
Orpm - If the linear velocity is 5.5 m/see, it must not change for at least 1 hour. Therefore, under these conditions, the recording film 14 of the present invention, which does not change for up to 3 hours even with a power of 0.8 mW, satisfies these requirements.

実施例1 第1図に示した情報記録媒体を形成する方法について説
明する。
Example 1 A method for forming the information recording medium shown in FIG. 1 will be described.

第4図は、本発明の記録膜を形成するスパッタ装置の概
略図である。まず、このスパッタ装置のバルブ2をロー
タリーポンプ3側に開いてチェンバ1内を0.2Tor
rまで排気した。次いでバルブ2をクライオポンプ5側
に開いてI X 10−5T orr以下まで排気した
。この時、排気量は制御する必要がないので、コンダク
タンスバルブ4は全開しておいた。
FIG. 4 is a schematic diagram of a sputtering apparatus for forming the recording film of the present invention. First, open the valve 2 of this sputtering device to the rotary pump 3 side and set the inside of the chamber 1 to 0.2 Torr.
Exhausted to r. Next, the valve 2 was opened to the cryopump 5 side, and the temperature was evacuated to below I.times.10-5 Torr. At this time, since there was no need to control the displacement, the conductance valve 4 was left fully open.

次にバルブ6を開けて、Arガスライン7からArガス
をマスフローコントローラ(図示せず)で調節しながら
、チェンバ1内にIOSCCM導入した。次いでチェン
バ1内の圧力をイオンゲージ(図示せず)でモニターし
ながら、コンダクタンスバルブ4で5 X 10−3T
orrに調整した。この圧力が変動しないことを確認し
てから、Ag−Te合金ターゲット9(直径5インチ二
組成はA g 45T e 55 ;at%)にDCパ
ワーサプライ10から100Wを印加し、シャッタ11
を閉じたままスパッタ放電を5分間行ってスパッタクリ
ーニングをした。
Next, the valve 6 was opened, and IOSCCM was introduced into the chamber 1 while adjusting Ar gas from the Ar gas line 7 using a mass flow controller (not shown). Next, while monitoring the pressure inside the chamber 1 with an ion gauge (not shown), the conductance valve 4
Adjusted to orr. After confirming that this pressure does not fluctuate, 100 W is applied from the DC power supply 10 to the Ag-Te alloy target 9 (diameter 5 inches, composition is Ag 45T e 55 ; at%), and the shutter 11
Sputter cleaning was performed by performing sputter discharge for 5 minutes with the chamber closed.

Arガスの供給とDCパワーの供給を停止した後、クラ
イオポンプ5を用いてチェンバ1内を一旦I X 10
−5Torr以下に排気した。その後バルブ6と17と
25を開けてチェンバ1内にArガスとCH4ガスと5
e(CH3)2ガスを、Arガスライン7とCH4ガス
ライン8とSe (CH3)2ガスライン26を通して
マスフローコントローラ(図示せず)で調節しながらそ
れぞれ10.10及び5SCCM導入した。次いでコン
ダクタンスバルブ4を用いてチェンバ1内の圧力を5X
10−3Torrに制御した。圧力変動がないことを確
認した後、AgTeターゲット9にDCパワーサプライ
10から100Wを印加し、スパッタ放電させた。安定
に放電していることを確めた後、シャッタ11を開けて
、予め回転子12にセットしておいたポリカーボネート
(p c)基板13上にAgTe合金並びに炭素及び水
素を含んだ記録膜14を積層した。回転子は60 rp
IIlで回転させた。膜厚が250人に達したところで
、シャッタを閉じ、パワーの供給を停止した。次いでコ
ンダクタンスバルブ4を全開し、クライオポンプ5を用
いてチェンバ1内をI X 10−5Torr以下まで
排気した。次いでバルブ15を開けて、N2ガスライン
16からN2ガスをチェンバ1内に導入して大気圧に戻
した後、媒体18を取り出すことにより、第1図に示す
情報記録媒体が形成された。
After stopping the supply of Ar gas and the supply of DC power, the inside of the chamber 1 was once
It was evacuated to -5 Torr or less. After that, open the valves 6, 17, and 25 to fill the chamber 1 with Ar gas, CH4 gas, and 5
e(CH3)2 gas was introduced through Ar gas line 7, CH4 gas line 8, and Se (CH3)2 gas line 26 at 10.10 and 5 SCCM, respectively, while being controlled by a mass flow controller (not shown). Next, the pressure inside the chamber 1 is increased by 5X using the conductance valve 4.
The pressure was controlled at 10-3 Torr. After confirming that there was no pressure fluctuation, 100 W was applied to the AgTe target 9 from the DC power supply 10 to cause sputter discharge. After confirming that the discharge is stable, the shutter 11 is opened and a recording film 14 containing an AgTe alloy and carbon and hydrogen is deposited on a polycarbonate (PC) substrate 13 that has been set on the rotor 12 in advance. were laminated. rotor is 60 rp
Rotated with IIl. When the film thickness reached 250 people, the shutter was closed and power supply was stopped. Next, the conductance valve 4 was fully opened, and the inside of the chamber 1 was evacuated to below I.times.10@-5 Torr using the cryopump 5. Next, the valve 15 was opened, N2 gas was introduced into the chamber 1 from the N2 gas line 16, the pressure was returned to atmospheric pressure, and the medium 18 was taken out, thereby forming the information recording medium shown in FIG. 1.

このようにして得られた記録膜14は、X線回折分析の
結果、特定の回折角度からの回折ピークが認められない
アモルファス膜であることが確認された。アモルファス
膜は、多結晶膜と違つて結晶粒界がないため、再生レー
ザ光が粒界部分で変調されて粒界ノイズを生ずることが
ない。
As a result of X-ray diffraction analysis, it was confirmed that the recording film 14 thus obtained was an amorphous film in which no diffraction peak was observed from a specific diffraction angle. Unlike a polycrystalline film, an amorphous film does not have grain boundaries, so that reproduction laser light is not modulated at the grain boundaries and does not generate grain boundary noise.

本発明の記録膜にAgTeSe三元合金とC及びHを含
ませるには、AgTeSe合金ターゲットを炭化水素ガ
ス中でスパッタしたり、AgTe合金ターゲットをアル
キルセレンガス中でスパッタするのではなく、AgTe
合金ターゲットを炭化水素ガスとアルキルセレンガスと
を含む雰囲気中でスパッタする。こうすれば記録膜中の
セレンの量をセレンを含むガスの流量を調節することに
よって容易に制御できるし、記録膜中のC,Hの量もア
ルキルセレンガスの分解だけに依存することなく、炭化
水素ガス流量の調節で容易に制御できる。
In order to include the AgTeSe ternary alloy and C and H in the recording film of the present invention, instead of sputtering an AgTeSe alloy target in a hydrocarbon gas or sputtering an AgTe alloy target in an alkyl selenium gas,
An alloy target is sputtered in an atmosphere containing hydrocarbon gas and alkyl selenium gas. In this way, the amount of selenium in the recording film can be easily controlled by adjusting the flow rate of the selenium-containing gas, and the amount of C and H in the recording film does not depend only on the decomposition of alkyl selenium gas. It can be easily controlled by adjusting the hydrocarbon gas flow rate.

またAg5TeSSeの三成分からなる、もろくてつく
りにくいターゲットを用いなくてもよいし、ターゲット
の連続的なスパッタに伴う記録膜の組成ズレも防止でき
る。
In addition, it is not necessary to use a fragile and difficult-to-manufacture target consisting of the three components of Ag5TeSSe, and it is possible to prevent compositional deviations in the recording film due to continuous sputtering of the target.

実施例2 実施例1に示した方法により製造された情報記録媒体1
8において、耐酸化性の指標となる酸化による表面のザ
ラツキの結果起こる読み出しエラーの比率(エラーレー
ト)を分析した。75℃−90%の加速条件下に、実施
例1に示したのと同じ膜厚のTe膜及びTe−C膜、並
びに本発明の記録膜14を含有する情報記録媒体を一定
時間放置した後、書込みを行ないエラーレートを測定し
た。その結果を第5図に示す。エラーレートは、加速条
件下に置く前の値を1として規格化した。
Example 2 Information recording medium 1 manufactured by the method shown in Example 1
In No. 8, the ratio of read errors (error rate) occurring as a result of surface roughness due to oxidation, which is an index of oxidation resistance, was analyzed. After leaving the information recording medium containing the Te film and Te-C film having the same film thickness as shown in Example 1 and the recording film 14 of the present invention for a certain period of time under accelerated conditions of 75° C. and 90%. , and measured the error rate. The results are shown in FIG. The error rate was normalized with the value before being placed under acceleration conditions as 1.

この図によれば、Te膜はわずか数日でエラーレートが
増加している。Te−C膜も100時間以後は徐々に増
加している。一方、本発明のAgTe5e−C膜は、1
000時間放置してもほとんど変化がなかった。従って
AgTe5e−C膜は、高温高湿下でも耐酸化性が良好
で、長寿命であることが分る。なおAgTe5e−C膜
は、このnJ定後にX線回折分析をした時もアモルファ
ス膜であった。
According to this figure, the error rate of the Te film increases in just a few days. The Te-C film also gradually increases after 100 hours. On the other hand, the AgTe5e-C film of the present invention has 1
There was almost no change even after leaving it for 000 hours. Therefore, it can be seen that the AgTe5e-C film has good oxidation resistance even under high temperature and high humidity, and has a long life. Note that the AgTe5e-C film was an amorphous film even when subjected to X-ray diffraction analysis after this nJ determination.

第6図は、パルス幅50 n5eas書込み周波数3.
7 M Hz 、波長830 nn+のGaAs系半導
体レーザを用い、対物レンズの開口数(NA)0.52
、線速5.5m/seeの条件下で、Te−C膜とAg
Te5e−C膜に書込んだ場合のC/ N (Carr
ier/ No1se)比の大きさを示している。
FIG. 6 shows a pulse width of 50 n5eas and a writing frequency of 3.
A GaAs semiconductor laser with a frequency of 7 MHz and a wavelength of 830 nn+ was used, and the numerical aperture (NA) of the objective lens was 0.52.
, under the condition of linear velocity 5.5 m/see, Te-C film and Ag
C/N (Carr
ier/No.1se) ratio.

これから、本発明のAgTe5e−C膜は、従来のTe
−C膜よりもさらに高感度になっていることが分る。
From this, it can be seen that the AgTe5e-C film of the present invention is different from the conventional Te5e-C film.
It can be seen that the sensitivity is even higher than that of the -C film.

なお本実施例においては、炭化水素ガス(メタン)とア
ルキルセレンガス(S e (CH3) 2 )と希ガ
ス(・アルゴン)の混合雰囲気下でAgTeターゲット
をスパッタ放電したが、希ガスを含まない雰囲気下で放
電させてもよい。
In this example, the AgTe target was sputter-discharged in a mixed atmosphere of hydrocarbon gas (methane), alkyl selenium gas (S e (CH3) 2 ), and rare gas (argon); The discharge may be performed in an atmosphere.

さらに本実施例においては、透明な有機樹脂基板を用い
たが、書込み及び再生レーザ光を、基板を透過させない
で記録膜面側から入射させるときは、基板は不透明であ
ってもよい。
Further, in this embodiment, a transparent organic resin substrate is used, but the substrate may be opaque when the writing and reproducing laser beams are made incident from the recording film side without passing through the substrate.

[発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、高温高湿の環境下
でも優れた耐酸化性を示し、長寿命、高感度の記録膜を
有する情報記録媒体を提供できる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, it is possible to provide an information recording medium that exhibits excellent oxidation resistance even in a high temperature and high humidity environment, has a long life, and has a highly sensitive recording film.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の断面図
、第2図はAgTe5e−C膜の膜厚と書込み感度の関
係を示す図、第3図は再生時間と反射レベルの変化を示
す図、第4図は本発明の一実施例に係る光記録膜形成装
置、第5図は加速条件を経た記録膜のエラーレートを示
す図、及び第6図はTe−C膜とAgTe5e−C膜の
記録感度を示す図である。 1・・・チェンバ、9・・・AgTe合金ターゲット、
13−P C基板、14−A g T e S e −
C膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 書−込みレーサ゛バワ−
Figure 1 is a cross-sectional view of an information recording medium according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a diagram showing the relationship between AgTe5e-C film thickness and writing sensitivity, and Figure 3 is a diagram showing changes in playback time and reflection level. FIG. 4 is a diagram showing an optical recording film forming apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a diagram showing the error rate of the recording film under acceleration conditions, and FIG. 6 is a diagram showing the error rate of the recording film after undergoing acceleration conditions. - It is a figure which shows the recording sensitivity of C film|membrane. 1... Chamber, 9... AgTe alloy target,
13-PC board, 14-A g T e S e -
C membrane. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Book 1 - Including laser power

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板と、 この基板上に形成され、レーザ光の照射により情報が記
録される、(Ag_xTe_1_0_0_−_x)_y
Se_z(2≦x≦55原子%、80≦y≦95原子%
、5≦z≦20原子%)合金並びに炭素及び水素を含む
記録膜と、 を具備したことを特徴とする情報記録媒体。
(1) A substrate, (Ag_xTe_1_0_0_-_x)_y formed on this substrate and on which information is recorded by irradiation with laser light.
Se_z (2≦x≦55 atomic%, 80≦y≦95 atomic%
, 5≦z≦20 atomic %) alloy, and a recording film containing carbon and hydrogen.
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