JPH02121887A - Data recording medium - Google Patents

Data recording medium

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JPH02121887A
JPH02121887A JP63275581A JP27558188A JPH02121887A JP H02121887 A JPH02121887 A JP H02121887A JP 63275581 A JP63275581 A JP 63275581A JP 27558188 A JP27558188 A JP 27558188A JP H02121887 A JPH02121887 A JP H02121887A
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JP
Japan
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film
recording
substrate
recording medium
gas
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Pending
Application number
JP63275581A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Okawa
秀樹 大川
Norio Ozawa
小沢 則雄
Motonari Matsubara
松原 基成
Hiroyuki Tono
宏行 東野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH02121887A publication Critical patent/JPH02121887A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a high C/N ratio by reducing and uniformly aligning the calibers of pits by mounting a recording film containing a specific alloy as well as carbon and fluorine, on which data is recorded by the irradiation with laser beam, on a substrate. CONSTITUTION:A data recording medium 18 is constituted of a substrate 13 and the recording film 14 laminated to said substrate 13. The substrate 13 is formed using material quality transparent to the laser beam applied to the data recording medium for the purpose of the recording and regeneration of data. The recording film 14 is formed from a material wherein carbon and fluorine are contained in an Ag-Te alloy and the composition of an AgxTe100-x alloy is set to 2<=x<=55 atomic % so that a pit is formed at temp. lower than the m.p. of Te in a heat mode recording system. When Ag is added, effect such that the sizes of pits are aligned and rim parts are reduced and recording density is enhanced is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えばレーザ光の照射によりビットを形成し
て情報を書込み、該ピットにょるレーザ光の振幅の変化
を通じて該情報の読み出しを行う情報記録媒体に関する
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention is directed to forming bits and writing information by, for example, irradiation with laser light, and writing information through changes in the amplitude of the laser light caused by the pits. The present invention relates to an information recording medium from which information is read.

(従来の技術) レーザ光の照射により情報が記録され、さらに、記録さ
れた情報の再生がなされる情報記録媒体の一種として、
Teを主成分とする記録膜を具備したものが開発されて
いる。さらに、このTeを主成分とする記録膜に炭素並
びに水素を含んだ記録膜が開発され、実用化に至ってい
る(特開昭58−9234号公報参照)。
(Prior Art) As a type of information recording medium, information is recorded by irradiation with laser light and the recorded information is reproduced.
A device equipped with a recording film containing Te as a main component has been developed. Furthermore, a recording film containing carbon and hydrogen in addition to the Te-based recording film has been developed and put into practical use (see Japanese Patent Laid-Open No. 58-9234).

この記録膜を作成する際には、テルル(Te)を炭化水
素ガスを含む雰囲気中でスパッタする。
When creating this recording film, tellurium (Te) is sputtered in an atmosphere containing hydrocarbon gas.

すると、Te単体の膜(Te膜)よりも高感度でかつ耐
酸化性能にすぐれた記録膜(以下Te−C膜と称す)が
得られる。この記録膜は、アモルファス膜であり、Te
%C及びHを含み、また少なくともCとHは化学結合を
していることが分っている。
As a result, a recording film (hereinafter referred to as a Te-C film) having higher sensitivity and superior oxidation resistance than a film containing only Te (Te film) is obtained. This recording film is an amorphous film and is made of Te.
%C and H, and it is known that at least C and H form a chemical bond.

この記録膜は、Te膜にならってTeと炭化水素をソー
スとする薄青(プラズマを用いない)で形成しようとし
ても形成することができず、プラズマを利用して初めて
得られる。これは、炭化水素ガスがプラズマ中で一旦分
解した後、CとHが化学反応をして成膜されるためであ
り、これが光記録膜形成時の大きな特徴となっている。
This recording film cannot be formed even if an attempt is made to form it in pale blue (without using plasma) using Te and hydrocarbon as sources, following the Te film, and it can only be obtained by using plasma. This is because a film is formed by a chemical reaction between C and H after the hydrocarbon gas is once decomposed in plasma, and this is a major feature when forming an optical recording film.

(発明が解決しようとする課題) しかし、Te−C膜は、記録閾値を超えた書込みレーザ
パワーにおいてはピットが大きく開きまた形状が不揃い
となるため、C/ N (Carrler/No1se
)比が急激に低下するという問題点があった。
(Problem to be Solved by the Invention) However, in the Te-C film, the pits open widely and become irregular in shape when the writing laser power exceeds the recording threshold.
) There was a problem in that the ratio suddenly decreased.

本発明は、上記問題点を解決するために、高いC/N比
が得られる情報記録媒体を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, it is an object of the present invention to provide an information recording medium that can obtain a high C/N ratio.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するために、基板と、この基板
上に形成され、レーザ光の照射により情報が記録される
、Ag x T e too−1(2≦x≦55原子%
)合金並びに炭素及びフッ素を含む記録膜とを具備した
ことを特徴とする情報記録媒体を提供する。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention includes a substrate and an Ag too-1 (2≦x≦55 atomic%
) An information recording medium characterized by comprising an alloy and a recording film containing carbon and fluorine.

(作用) 本発明によれば、従来のC−H系記録膜に比べて記録膜
/基板界面張力に変化を与えることができるため、ピッ
トの口径を小さくかつ均一に揃えることが可能になり、
高いC/N比が得られる。
(Function) According to the present invention, since it is possible to change the recording film/substrate interfacial tension compared to the conventional C-H recording film, it is possible to make the pit diameter small and uniform.
A high C/N ratio can be obtained.

以下、本発明の記録膜を便宜的にrAgTe−C−F膜
」と称する。
Hereinafter, the recording film of the present invention will be conveniently referred to as "rAgTe-C-F film".

(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。(Example) Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の情報記録媒体の構造を概略的に示し
た断面図である。本発明の情報記録媒体18は、基板1
3及びこの基板13上に積層された記録膜14により構
成されるものである。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the information recording medium of the present invention. The information recording medium 18 of the present invention has a substrate 1
3 and a recording film 14 laminated on this substrate 13.

基板13は、情報の記録及び再生のために情報記録媒体
上に照射されるレーザ光に対して透明な材質のものが用
いられる。例えば、近赤外近傍の発振波長を有するレー
ザ光を用いる場合は、ポリカーボネート(PC)、ポリ
メチルメタクリレート(PMMA) 、ガラス、ポリオ
レフィン並びにエポキシ樹脂等が用いられる。
The substrate 13 is made of a material that is transparent to laser light that is irradiated onto the information recording medium for recording and reproducing information. For example, when using a laser beam having an oscillation wavelength near near infrared, polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), glass, polyolefin, epoxy resin, etc. are used.

また、記録膜14は、Ag−Te合金に炭素及びフッ素
を含ませているものである。
The recording film 14 is made of an Ag-Te alloy containing carbon and fluorine.

本発明におけるAg、Te、。。−0合金の組成は、ヒ
ートモード記録方式において、Teよりも低い融点でピ
ットが形成されるように2≦x≦55原子%とする。A
gを添加するとピットの大きさが揃いかつリム部分が少
なくなって記録密度が高まる等の効果を有することがで
きる。
Ag, Te, in the present invention. . The composition of the -0 alloy is set to 2≦x≦55 atomic % so that pits are formed at a melting point lower than that of Te in the heat mode recording method. A
Adding g can have effects such as making the pits uniform in size and reducing the rim portion, increasing the recording density.

AgTe−C−F記録膜14の厚さは、1000Å以上
あると書込み感度が低下するため、好ましくは500Å
以下、さらに好ましくは100〜300人がよい。これ
は第2図に示すように、パルス幅60 n5ec、線速
5.5m/seeの条件下でPCC基板口にレーザを入
射した場合の書込み感度特性からも明らかである。また
、100Å以下になると、記録膜が不連続になってピン
ホールが形成される確率が増加するため好ましくない。
The thickness of the AgTe-C-F recording film 14 is preferably 500 Å since writing sensitivity decreases if it is 1000 Å or more.
The number of participants is preferably 100 to 300 people. This is also clear from the writing sensitivity characteristics when a laser is incident on the PCC substrate opening under conditions of a pulse width of 60 n5ec and a linear velocity of 5.5 m/see, as shown in FIG. Furthermore, if the thickness is less than 100 Å, the recording film becomes discontinuous and the probability of pinhole formation increases, which is not preferable.

このピンホールは、ヒートモード記録の場合は、読み出
し時に本来のピットと間違うおそれがあるため好ましく
ないばかりでなく、記録膜酸化のトリガーともなるので
、できるだけ少なくしなければならない。
In the case of heat mode recording, these pinholes are not only undesirable because they may be mistaken for original pits during readout, but they also trigger oxidation of the recording film, so they must be minimized as much as possible.

次に、第1図に示した情報記録媒体における再生レーザ
パワーの許容度(記録膜に変質を起こすことなく再生で
きるパワーレベル)について説明する。ピットに記録し
た情報を読み出す再生レーザ光は、通常連続発振させる
。この状態において良好なS/N比で情報を読み出すた
めには、再生レーザパワーも大きくする必要があるが、
ある閾値を超えるとピット(情報)を破壊し、再生反射
光のレベルが低下することがある。そこで線速5 、 
5 m / seeのトラックに連続的にホールドし、
再生レーザパワーを変化させて反射光レベルの変化をシ
ンクロスコープで観察した。その観察結果を第3図に示
す。
Next, the tolerance of the reproduction laser power (the power level at which reproduction can be performed without causing deterioration of the recording film) of the information recording medium shown in FIG. 1 will be explained. The reproduction laser light used to read out information recorded in the pits is usually continuously oscillated. In order to read out information with a good S/N ratio in this state, it is necessary to increase the reproduction laser power.
If a certain threshold is exceeded, pits (information) may be destroyed and the level of reproduced reflected light may decrease. Therefore, the linear velocity is 5,
Continuously hold on the track of 5 m/see,
Changes in the reflected light level were observed using a synchroscope while changing the reproduction laser power. The observation results are shown in Figure 3.

この観察結果によれば、どの膜厚のAgTe−C−F膜
も、0.6又は0.8mWのレーザパワーならば、3時
間は反射光のレベルが変化しなかった。しかしパワーを
1mWにすると数時間で反射光のレベルが低下した。そ
してこの場合、膜厚の薄い方が低下の程度が大きかった
。反射光のレベルは、再生直後のものを1として規格化
してある。
According to the observation results, the level of reflected light did not change for 3 hours with a laser power of 0.6 or 0.8 mW for any thickness of the AgTe-C-F film. However, when the power was increased to 1 mW, the level of reflected light decreased within several hours. In this case, the smaller the film thickness, the greater the degree of decrease. The level of reflected light is standardized with the level immediately after reproduction being 1.

現在標準化が進みつつある追記型記録膜の再生許容パワ
ーは、回転数1800 rpmで線速5.5m / s
eeの場合には、最大で0.5mWと決められている。
The allowable playback power of the write-once recording film, which is currently being standardized, is a linear velocity of 5.5 m/s at a rotational speed of 1800 rpm.
In the case of ee, the maximum power is determined to be 0.5 mW.

許容最大再生レーザパワーP、、、(mW)は、P、、
、−0,2+0.055Vで与えられる。
The maximum allowable reproduction laser power P, , (mW) is P, ,
, −0,2+0.055V.

ここでVは記録媒体の線速度(m/5ec)である。Here, V is the linear velocity (m/5ec) of the recording medium.

またPl、8で105サイクル連続的に再生しても反射
光レベルに変化がないことが要求されているが、これは
回転数1800「pll・線速5.5m/Seeの場合
は少なくとも1時間変化してはならないということであ
る。従って該条件下で0.8mWのパワーでも3時間ま
で変化が起こらない本発明の記録膜14は、十分にその
要求を満たすことになる。
Furthermore, it is required that there be no change in the reflected light level even after 105 cycles of continuous playback at Pl, 8, which is required for at least 1 hour at a rotation speed of 1800 PLL and a linear speed of 5.5 m/See. Therefore, under these conditions, the recording film 14 of the present invention, which does not change for up to 3 hours even with a power of 0.8 mW, satisfies this requirement.

実施例1 第1図に示した情報記録媒体を形成する方法について説
明する。
Example 1 A method for forming the information recording medium shown in FIG. 1 will be described.

第4図は、本発明の記録膜を形成するスパッタ装置の概
略図である。まず、このスパッタ装置のバルブ2をロー
タリーポンプ3側に開いてチェンバ1内を0,2Tor
rまで排気した。次いでバルブ2をクライオポンプ5側
に開いてlXl0−5T orr以下まで排気した。こ
の時、排気量は制御する必要がないので、コンダクタン
スバルブ4は全開しておいた。
FIG. 4 is a schematic diagram of a sputtering apparatus for forming the recording film of the present invention. First, open the valve 2 of this sputtering device to the rotary pump 3 side and set the inside of the chamber 1 to 0.2 Torr.
Exhausted to r. Next, the valve 2 was opened to the cryopump 5 side, and the temperature was evacuated to below 1X10-5 Torr. At this time, since there was no need to control the displacement, the conductance valve 4 was left fully open.

次にバルブ6を開けて、Arガスライン7からArガス
をマスフローコントローラ(図示せず)で調節しながら
、チェンバ1内にIO3CCM導入した。次いでチェン
バ1内の圧力をイオンゲージ(図示せず)でモニターし
ながら、コンダクタンスバルブ4で5 X 10−3T
orrに調整した。この圧力が変動しないことを確認し
てから、Ag−Te合金ターゲット9(直径5インチ:
組成はA g 45T e 55 : at%)にDC
パワーサプライ10から100Wを印加し、シャッタ1
1を閉じたままスパッタ放電を5分間行ってスパッタク
リーニングをした。
Next, the valve 6 was opened, and IO3CCM was introduced into the chamber 1 while adjusting Ar gas from the Ar gas line 7 using a mass flow controller (not shown). Next, while monitoring the pressure inside the chamber 1 with an ion gauge (not shown), the conductance valve 4
Adjusted to orr. After confirming that this pressure does not fluctuate, Ag-Te alloy target 9 (5 inch diameter:
The composition is A g 45 T e 55 : at%) and DC
Apply 100W from power supply 10, shutter 1
1 was closed and sputter discharge was performed for 5 minutes to perform sputter cleaning.

Arガスの供給とDCパワーの供給を停止した後、クラ
イオポンプ5を用いてチェンバ1内を一旦I X 10
−5Torr以下に排気した。その後バルブ6と17を
開けてチェンバ1内にArガスと03F8ガスを、Ar
ガスライン7とC3F8ガスライン8を通してマスフロ
ーコントローラ(図示せず)で調節しながら、IO5C
CMづつ導入した。次いでコンダクタンスバルブ4を用
いてチェンバ1内の圧力を5 X 10−3Torrに
制御した。
After stopping the supply of Ar gas and the supply of DC power, the inside of the chamber 1 was once
It was evacuated to -5 Torr or less. After that, open valves 6 and 17 to introduce Ar gas and 03F8 gas into chamber 1.
IO5C through gas line 7 and C3F8 gas line 8 while adjusting with a mass flow controller (not shown).
We introduced commercials one by one. Next, the pressure inside the chamber 1 was controlled to 5×10 −3 Torr using the conductance valve 4 .

圧力変動がないことを確認した後、AgTeターゲット
91;l: D Cパワーサプライ10から100Wを
印加し、スパッタ放電させた。安定に放電していること
を確めた後、シャッタ11を開けて、予め回転子12に
セットしておいたポリカーボネート(PC)基板13上
にAgTe合金並びに炭素及びフッ素を含んだ記録膜1
4を積層した。回転子は60 rpmで回転させた。膜
厚が250人に達したところで、シャッタを閉じ、パワ
ーの供給を停止した。次いでコンダクタンスバルブ4を
全開し、クライオポンプ5を用いてチェンバ1内をI 
X 10’ Torr以下まで排気した。次いでバルブ
15を開けて、N2ガスライン16からN2ガスをチェ
ンバ1内に導入して大気圧に戻した後、媒体18を取り
出すことにより、第1図に示す情報記録媒体が形成され
た。
After confirming that there was no pressure fluctuation, 100 W was applied from the DC power supply 10 to the AgTe target 91;l: to cause sputter discharge. After confirming that the discharge is stable, the shutter 11 is opened and the recording film 1 containing AgTe alloy, carbon and fluorine is placed on the polycarbonate (PC) substrate 13 that has been set in advance on the rotor 12.
4 were laminated. The rotor was rotated at 60 rpm. When the film thickness reached 250 people, the shutter was closed and power supply was stopped. Next, the conductance valve 4 is fully opened, and the inside of the chamber 1 is pumped with I using the cryopump 5.
It was evacuated to below X 10' Torr. Next, the valve 15 was opened, N2 gas was introduced into the chamber 1 from the N2 gas line 16, the pressure was returned to atmospheric pressure, and the medium 18 was taken out, thereby forming the information recording medium shown in FIG. 1.

このようにして得られた記録膜14は、X線回折分析の
結果、特定の回折角度からの回折ピークが認められない
アモルファス膜であることが確認された。アモルファス
膜は、多結晶膜と違って結晶粒界がないため、再生レー
ザ光が粒界部分で変調されて粒界ノイズを生ずることが
ない。
As a result of X-ray diffraction analysis, it was confirmed that the recording film 14 thus obtained was an amorphous film in which no diffraction peak was observed from a specific diffraction angle. Unlike a polycrystalline film, an amorphous film does not have grain boundaries, so that reproduction laser light is not modulated at the grain boundaries and does not generate grain boundary noise.

実施例2 実施例1に示した方法により製造された情報記録媒体1
8において、耐酸化性の指標となる酸化による表面のザ
ラツキの結果起こる読み出しエラーの比率(エラーレー
ト)を分析した。75℃−90%の加速条件下に、実施
例1に示したのと同じ膜厚のTe膜及びTe−C膜、並
びに本発明の記録膜14を含有する情報記録媒体を一定
時間放置した後、書込みを行ないエラーレートを測定し
た。その結果を第5図に示す。エラーレートは、加速条
件下に置く前の値を1として規格化した。
Example 2 Information recording medium 1 manufactured by the method shown in Example 1
In No. 8, the ratio of read errors (error rate) occurring as a result of surface roughness due to oxidation, which is an index of oxidation resistance, was analyzed. After leaving the information recording medium containing the Te film and Te-C film having the same film thickness as shown in Example 1 and the recording film 14 of the present invention for a certain period of time under accelerated conditions of 75° C. and 90%. , and measured the error rate. The results are shown in FIG. The error rate was normalized with the value before being placed under acceleration conditions as 1.

この図によれば、Te膜はわずか数日でエラーレートが
増加している。Te−C膜も100時間以後は徐々に増
加している。一方、本発明のAgTe−C−F膜は、1
000時間放置してもほとんど変化がなかった。従って
AgTe−C−F膜は、高温高湿下でも耐酸化性が良好
で、長寿命であることが分る。なおAgTe−C−F膜
は、この測定後にX線回折分析をした時もアモルファス
膜であった。
According to this figure, the error rate of the Te film increases in just a few days. The Te-C film also gradually increases after 100 hours. On the other hand, the AgTe-C-F film of the present invention has 1
There was almost no change even after leaving it for 000 hours. Therefore, it can be seen that the AgTe-C-F film has good oxidation resistance even under high temperature and high humidity, and has a long life. Note that the AgTe-C-F film was also an amorphous film when X-ray diffraction analysis was performed after this measurement.

第6図は、パルス幅50 n5ec、書込み周波数3.
7MHz、波長830 niのGaAs系半導体レーザ
を用い、対物レンズの開口数(N A)0.52、線速
5.5m/seeの条件下で、Te−C膜とAgTe−
CF膜に書込んだ場合のC/ N (Carrier/
 N olse)の大きさを示している。これから、本
発明のAgTe−C−F膜は、従来のTe−C膜よりも
さらに高感度になっていることが分る。
FIG. 6 shows a pulse width of 50 n5ec and a writing frequency of 3.
Using a GaAs-based semiconductor laser with a frequency of 7 MHz and a wavelength of 830 ni, a Te-C film and an AgTe-
C/N (Carrier/
(Nolse). From this, it can be seen that the AgTe-C-F film of the present invention has higher sensitivity than the conventional Te-C film.

なお本実施例においては、フルオロカーボンガス(C3
F8)と希ガス(アルゴン)の混合雰囲気下でAgTe
ターゲットをスパッタ放電したが、希ガスを含まない雰
囲気下で放電させてもよい。
In this example, fluorocarbon gas (C3
AgTe under a mixed atmosphere of F8) and rare gas (argon)
Although the target was subjected to sputter discharge, the discharge may be performed in an atmosphere that does not contain a rare gas.

さらに本実施例においては、透明な有機樹脂基板を用い
たが、書込み及び再生レーザ光を、基板を透過させない
で記録膜面側から入射させるときは、基板は不透明であ
ってもよい。
Further, in this embodiment, a transparent organic resin substrate is used, but the substrate may be opaque when the writing and reproducing laser beams are made incident from the recording film side without passing through the substrate.

実施例3 AgTe合金ターゲットをフルオロカーボンガスだけで
スパッタする場合には、次の2つの欠点がある。
Example 3 When sputtering an AgTe alloy target using only fluorocarbon gas, there are the following two drawbacks.

1)AgTe合金ターゲットをフルオロカニボンガス1
00%の雰囲気中でスパッタして1)られる記録膜は、
光学吸収係数(吸収率)が小さくなる。
1) AgTe alloy target with fluorocanibone gas 1
The recording film made by sputtering in an atmosphere of 1) is
The optical absorption coefficient (absorption rate) becomes smaller.

このためレーザ光を吸収した時に生ずる熱によってピッ
トを形成して情報の記録を行うヒートモード記録方式の
場合には、記録感度の低下が認められる。
For this reason, in the case of a heat mode recording method in which information is recorded by forming pits using heat generated when laser light is absorbed, a decrease in recording sensitivity is observed.

2)AgTe合金ターゲットのスパッタ時に、フルオロ
カーボンガスの分解生成物と考えられる炭素粉のターゲ
ット表面における付着が顕著なため、長期間連続スパッ
タをするとスパッタ成膜速度が低下するおそれがある。
2) During sputtering of an AgTe alloy target, carbon powder, which is considered to be a decomposition product of fluorocarbon gas, adheres significantly to the target surface, so if sputtering is performed continuously for a long period of time, the sputtering film formation rate may decrease.

これは生産上大きな欠点である。This is a major drawback in terms of production.

ここでフルオロカーボンガスの流量をX1希ガスの流量
をYとし、ガス流量比をQ−(X/ (X+Y)IX1
00%と定義して、Q−30,50゜60及び100%
の各ガス流量比(C3H8ガスとアルゴンガスを用いた
)に従って成膜したAgTe−C膜(膜厚250人、組
成Ag33T e 67)の書込み感度特性を調べてみ
た結果、第7図に示すような結果を得ることができた。
Here, the flow rate of fluorocarbon gas is X1, the flow rate of rare gas is Y, and the gas flow rate ratio is Q-(X/ (X+Y)IX1
Defined as 00%, Q-30, 50°60 and 100%
As a result of investigating the writing sensitivity characteristics of the AgTe-C film (film thickness 250, composition Ag33T e 67) formed according to each gas flow rate ratio (using C3H8 gas and argon gas), the results are as shown in Fig. 7. I was able to get good results.

この感度特性を検出する際、回転数は1850rpm。When detecting this sensitivity characteristic, the rotation speed was 1850 rpm.

パルス幅は60 n5ecとした。この検出結果より、
Q−100%の場合は、一定の再生信号振幅を得るのに
必要なレーザパワーが他のQ値のものに比べ大きく、書
込み感度が悪化していることが分る。
The pulse width was 60 n5ec. From this detection result,
It can be seen that in the case of Q-100%, the laser power required to obtain a constant reproduced signal amplitude is larger than in the case of other Q values, and the writing sensitivity is deteriorated.

また各Q値下でのターゲット表面の状態はQ−100%
の場合が最も黒変し、付着物が多かった。
Also, the condition of the target surface under each Q value is Q-100%.
In this case, there was the most black discoloration and a large amount of deposits.

Q値が減少するにつれて、付着物の割合は低下する傾向
にあった。第8図は、第7図と同じ条件下において種々
のQ値下で成膜した記録膜について、第5図と同じ記録
条件でエラーレートを測定した結果を示す。従ってスパ
ッタ条件Qは、第7図と第8図の結果から、5≦Q≦5
0%が好ましいことが分る。
As the Q value decreased, the percentage of deposits tended to decrease. FIG. 8 shows the results of measuring error rates under the same recording conditions as in FIG. 5 for recording films formed under various Q values under the same conditions as in FIG. 7. Therefore, from the results shown in FIGS. 7 and 8, the sputtering condition Q is 5≦Q≦5.
It turns out that 0% is preferable.

実施例4 ガス流量比Qのスパッタレートに及ぼす効果をみたのが
、第9図である。Q−50%(ガスはC3H8ガスとア
ルゴンガス、C3H8ガスの流量は10105CCを超
える条件でスパッタを続けていくと、スパッタレートが
減少していく。第9図及び第10図において、スパッタ
レートは第1回目の値を1として規格化しである。第1
0図は同一流量比(Q −50%)ながら、フルオロカ
ーボンガス(C3H8ガス)の流量を10.20及び1
1005CCとした場合のスパッタレートを示している
。流量が多くなると、ターゲット表面の付着物は多(な
る傾向があった。従ってフルオロカーボンガスの流量比
はIOSCCM以下が好ましいことが分る。
Example 4 FIG. 9 shows the effect of the gas flow rate ratio Q on the sputtering rate. If sputtering is continued under conditions where the gases are C3H8 gas and argon gas, and the flow rate of C3H8 gas exceeds 10105 CC, the sputtering rate will decrease. In Figures 9 and 10, the sputtering rate is The first value is normalized as 1.
Figure 0 shows the flow rate of fluorocarbon gas (C3H8 gas) at 10.20 and 1 while keeping the same flow rate ratio (Q -50%).
It shows the sputtering rate when it is 1005CC. As the flow rate increased, the amount of deposits on the target surface tended to increase. Therefore, it can be seen that the flow rate ratio of the fluorocarbon gas is preferably IOSCCM or less.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、高いCZN比で高
密度の記録ができる情報記録媒体を提供できる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, it is possible to provide an information recording medium that can perform high-density recording with a high CZN ratio.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の断面図
、第2図はAgTe−C−F膜の膜厚と書込み感度の関
係を示す図、第3図は再生時間と反射レベルの変化を示
す図、第4図は本発明の一実施例に係る光記録膜形成装
置、第5図は加速条件を経た記録膜のエラーレートを示
す図、第6図はTe−C膜とAgTe−C−F膜の記録
感度を示す図、第7図は各ガス流量比についての書込み
レーザパワーと変調度の関係を示す図、第8図は各ガス
流量比についての加速時間とエラーレートの関係を示す
図、第9図は各ガス流量比についてのスパッタレートの
変化を示す図、及び第10図は各フルオロカーボンガス
流量についてのスパッタレートの変化を示す図である。 1・・・・・・チェンバ、9・・・・・・AgTe合金
ターゲット、13・・・・・・pc基板、14・・・・
・・AgTe−C−F膜。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an information recording medium according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the relationship between AgTe-C-F film thickness and writing sensitivity, and FIG. 3 is a diagram showing playback time and reflection level. FIG. 4 is a diagram showing the change in the optical recording film forming apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a diagram showing the error rate of the recording film under acceleration conditions, and FIG. A diagram showing the recording sensitivity of the AgTe-C-F film. Figure 7 is a diagram showing the relationship between writing laser power and modulation degree for each gas flow rate ratio. Figure 8 is a diagram showing the acceleration time and error rate for each gas flow rate ratio. FIG. 9 is a diagram showing the change in sputter rate for each gas flow rate ratio, and FIG. 10 is a diagram showing the change in sputter rate for each fluorocarbon gas flow rate. 1...Chamber, 9...AgTe alloy target, 13...PC board, 14...
...AgTe-C-F film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板と、 この基板上に形成され、レーザ光の照射により情報が記
録される、Ag_xTe_1_0_0_−_x(2≦x
≦55原子%)合金並びに炭素及びフッ素を含む記録膜
と、 を具備したことを特徴とする情報記録媒体。
(1) A substrate, Ag_xTe_1_0_0_-_x(2≦x
≦55 atomic %) alloy, and a recording film containing carbon and fluorine.
JP63275581A 1988-10-31 1988-10-31 Data recording medium Pending JPH02121887A (en)

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